JP2008252054A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法 Download PDF

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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

【課題】熱伝導体の一部が封止樹脂体から外部に露出している半導体装置において、樹脂封止時の樹脂の流動による金属細線のショートを防止し、かつ、放熱性を向上させ、しかも、薄バリが生じずに、品質の安定した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１と、半導体素子１の主面に対向して配置された熱伝導体９１と、前記半導体素子１の少なくとも一部と熱伝導体９１の一部とを封止する封止樹脂体６と、を備え、熱伝導体９１における半導体素子１の主面と対向する面と反対側の面の一部が封止樹脂体６から外部に露出している半導体装置において、熱伝導体９１の露出部が設けられている面の一部に、板厚方向に貫通する開口部１１を設け、この開口部１１の周縁に、半導体素子１が配設されている側とは反対側に突出する突起部９１ｂを有している。
【選択図】図１

Description

本発明は、大きな発熱量の半導体素子を搭載する場合に適した半導体装置、およびその製造方法に関するものである。
近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置においては、小型化・薄型化が進み、端子数も増加傾向にある。このような目的を達成する半導体装置の１種として、従来のＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）型パッケージのような側方に突出していた外部リードをなくし、半導体装置の下面側に電気的接続を行なうための外部電極としての半田ボールをマトリクス状に配置した、いわゆるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）型のパッケージや、外部電電極をマトリクス状に配置したＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｌｌａｙ）型のパッケージ、同じく半導体装置の下面側に外部電極をペリフェラルに配置したＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌａｅｄ）型のパッケージなどが知られている。
このような樹脂封止（ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＱＦＮなど）型の半導体装置において、大きな発熱量の半導体素子を搭載する場合には、放熱性を考慮した設計を行う必要があり、特許文献１には、以下に示すような構造を有する半導体装置が開示されている。
ここで、特許文献１に開示されている従来の半導体装置を、図面を参照しながら説明する。
図１２は、従来の半導体装置を示す断面図である。また、図１３は、図１２における半導体装置の熱伝導体の斜視図である。
図１２および図１３に示すように、従来の半導体装置１００は、絶縁性樹脂からなり、その両面にビアホール７を介して互いに電気的に接続された配線パターン２が形成されている基板３と、基板３の主面（半導体素子搭載面）に接着剤４を介して搭載された半導体素子１と、半導体素子１と基板３の配線パターン２とを電気的に接続した金属細線５と、基板３における半導体素子１の搭載面と反対側の面にマトリクス状に配置され、基板３の配線パターン２と電気的に接続したボール電極８と、基板３における半導体素子１の搭載面側および半導体素子１を覆い、その上面の全面または一部を封止樹脂体６から外部に露出させた熱伝導体９と、により構成されたものである。前記熱伝導体９は、基板３に当接した上で接着剤（図示せず）等で固着してもよいし、また必ずしも固着しないで当接させて配設するだけでもよい。
熱伝導体９は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、又はＦｅ−Ｎｉ合金等の熱伝導性の良好な材料からなり、外周近傍の傾斜を設けた部分（傾斜部）９ａに開口部１０を複数設けている。
この半導体装置１００の構成では、半導体素子１から発生する熱がビアホール７およびボール電極８を通して放散されることに加えて、熱伝導体９を介して半導体素子１の主面側（図１２における上面側）からも放散されるので、半導体装置１００は放熱性に優れる。
また、熱伝導体９の封止樹脂体６から露出した部分の上面に例えばヒートシンク等（図示していない）を設けることにより、半導体素子１の主面側からの放熱効果をより一層高めることも可能である。
さらに、熱伝導体９の傾斜部９ａに開口部１０を複数設けたことにより、樹脂封止する場合に熱伝導体９と半導体素子１との間隙に樹脂を注入することが容易になり、樹脂の注入性を向上させている。
次に、従来の半導体装置の製造方法について説明する。
図１４（ａ）に示すように、両面に配線パターン２が形成されている基板３を用意し、図１４（ｂ）に示すように、基板３の上面の各ボンディング位置に対して、半導体素子１を接着剤４により接着固定して搭載する。
次に、図１４（ｃ）に示すように、基板３上に搭載した半導体素子１の電極パッド（図示せず）と基板３の上面に設けられた配線パターン２とを金属細線５により電気的に接続する。
次に、図１４（ｄ）に示すように、半導体素子１を覆うように熱伝導体９を基板３に当接させる。熱伝導体９と基板３とは、その当接部分を接着剤（図示せず）等で固着してもよいし、また必ずしも固着しないで当接するだけでもよい。ここで、熱伝導体９は、図１２、図１３に示すように、略矩形状の板に絞り加工などを施し、中央部に角筒形状部分を設け、その頂部が封止樹脂体６から露出し、半導体素子１全体を覆うキャップ状に成形したものである。また、外周近傍の傾斜部９ａには開口部１０を設けている。
次に、図１４（ｅ）に示すように、半導体素子１が搭載され、金属細線５で電気的に接続され、熱伝導体９が当接された基板３を、封止金型２１の下金型２１Ａ上にセットし、封止金型２１の上金型２１Ｂで密封する。このとき、封止金型２１の上金型２１Ｂの下面と熱伝導体９の上面とが互いに接触した状態となる。この状態で封止金型２１の上金型２１Ｂの水平方向に設けられた注入ゲート２１ｓから注入方向２２ｓに封止樹脂体６を注入する。その結果、基板３の上面の隙間が封止樹脂体６で覆われる一方、熱伝導体９の上面が封止樹脂体６から外部へ露出する。この後、封止樹脂体６の硬化後に、封止金型２１の上金型２１Ｂと下金型２１Ａとを開く。
次に、図１４（ｆ）に示すように、上面が封止樹脂体６で封止された基板３に対して、回転ブレード（図示せず）により、各半導体チップ単位に切断することにより、個片化する。
最後に、個片化した基板３の底面の外部パッド電極に半田ボールを付設してボール電極８を形成し、外部端子を構成することにより、図１２に示すような半導体装置１００を製造することができる。
特開平８−１３９２２３号公報
しかしながら、従来の半導体装置１００では、熱伝導体９の上面を封止樹脂体６から露出させていることにより、放熱性は実現するものの、樹脂封止工程において、半導体装置１００の側面に設けられた注入ゲート２１ｓから樹脂を注入する方式（以下、サイドゲート方式という）を採用しているため、図１５（ｃ）に示すような金属細線５の変形が発生する。
図１５（ａ）は、サイドゲート方式を示す樹脂封止を行う直前の断面図であって、図１５（ｂ）および（ｃ）において１点鎖線で示したＡ−Ａ線における断面図に対応する。また、図１５（ｂ）は樹脂注入前の金属細線５の形状を示す平面図、図１５（ｃ）は樹脂注入後の金属細線５の形状および樹脂の流動パターンを示す平面図である。
図１５（ｃ）に示すように、注入ゲート２１ｓから注入方向２２ｓに注入された樹脂は、注入ゲート２１ｓを中心とした波紋を描くように注入される。ここで、点線６ａは同一時刻における樹脂の到達位置を示している。
金属細線５の変形量は、「樹脂の粘度」と「樹脂の流速」と「樹脂流動先端の金属細線に対する角度」等に比例する。図１５（ｂ）に示すように、金属細線５は半導体素子１の主面の中心側から放射状に張り巡らされている。そのため、図１５（ｃ）に示すように、樹脂注入完了後の形状は、注入ゲート２１ｓ付近あるいは、反注入ゲート付近の流動先端に対して殆ど角度がない金属細線５は殆ど変形しないが、それ以外の金属細線５は「樹脂の流速」と「樹脂流動先端の金属細線に対する角度」等に従って変形している。
したがって、従来のサイドゲート方式の樹脂封止では、小型化および端子数の増加に伴い高密度に金属細線５が張り巡らされた半導体装置において、隣接する金属細線５同士の間隔が狭い場合に、金属細線５の変形により、金属細線５のショート不良が発生し、問題となる。
金属細線５の平面的な変形を抑えるため、図１６に示すように、半導体装置の上面部に開口するように設けられた注入ゲート２１ｔから樹脂を注入する方式（以下、トップゲート方式という）を採用することが考えられる。
図１６（ａ）は、トップゲート方式を示す断面図であって、図１６（ｂ）および（ｃ）に１点鎖線で示したＢ―Ｂ線における断面図に相当する。また、図１６（ｂ）は樹脂注入前の金属細線５の形状を示す平面図、図１６（ｃ）は樹脂注入後の金属細線５の形状および樹脂の注入パターンを示す平面図である。
図１６（ｃ）に示すように、注入ゲート２１ｔから注入方向２２ｔに注入された樹脂は、注入ゲート２１ｔを中心とした波紋を描くように注入される。ここで、点線６ａは同一時刻における樹脂の到達位置を示している。
注入ゲート２１ｔを半導体素子１の中心の上方に配置すれば、半導体素子１の中心から放射状に張り巡らされた金属細線５は全て、流動先端に対して殆ど角度がない状態となるため、金属細線５の変形は起こらず、高品質の半導体装置を製造することができる。
しかし、従来の半導体装置１００では、熱伝導体９が半導体素子１の上部全面を覆い、封止樹脂体６から外部へ露出しているので、半導体素子１の上方に樹脂の注入ゲートを配置することが困難であり、トップゲート方式を採用することができない。
また、従来の半導体装置１００は、開口部１０が設けられているものの、熱伝導体９が半導体素子１の全面に覆いかぶさるように配置されているため、樹脂封止の際、熱伝導体９が妨げとなり、樹脂の未充填などの課題が懸念される。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造工程中に半導体装置の金属細線がショートあるいは、樹脂の未充填が発生することなく製造でき、かつ、放熱性に優れ、薄バリが生じていない、品質の安定した半導体装置およびその製造方法を提供することである。
前記目的を達成するため、本発明の請求項１記載の半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の主面に対向して配置された熱伝導体と、前記半導体素子の少なくとも一部と熱伝導体の一部とを封止した封止樹脂体と、を備え、前記熱伝導体の前記半導体素子の主面と対向する面と反対側の面の一部が前記封止樹脂体から外部に露出して露出部が設けられている半導体装置において、前記熱伝導体の露出部が設けられている面の一部に、板厚方向に貫通する開口部を設け、前記熱伝導体における開口部の周縁に、半導体素子が配設されている側とは反対側に突出する突起部を有していることを特徴とする。
請求項２記載の半導体装置は、一方の面に複数の電極端子を有する基板と、この基板の他方の面に搭載された半導体素子と、前記基板の他方の面側において前記半導体素子の主面に対向するように配置された熱伝導体と、前記基板の他方の面である半導体素子搭載面と前記半導体素子と前記熱伝導体とを封止する封止樹脂体と、を備えたことを特徴とする。
請求項３記載の半導体装置は、半導体素子搭載領域を有するとともに前記半導体素子搭載領域の周囲に下面が外部端子、上面が内部端子となる複数の端子を有したリードフレームと、前記リードフレームの前記半導体素子搭載領域が設けられた半導体素子搭載面側において前記半導体素子の主面に対向するように配置された熱伝導体とを備えたことを特徴とする。
請求項４記載の半導体装置は、熱伝導体の突起部は、熱伝導体における他の部分と一体的に形成されていることを特徴とする。
請求項５記載の半導体装置は、熱伝導体の突起部の一部に、露出面と略平行な平坦部が形成されていることを特徴とする。
請求項６記載の半導体装置は、熱伝導体の突起部を設けた平坦部の面積が、突起部周辺の露出部の面積よりも小さいことを特徴とする。
請求項７記載の半導体装置は、その熱伝導体は、基板の半導体素子搭載面側に突出した支持部を有していることを特徴とする。
請求項８記載の半導体装置は、その熱伝導体の支持部は熱伝導体の一部を屈曲して形成していることを特徴とする。
請求項９記載の半導体装置は、熱伝導体の支持部を少なくとも三つ設けたことを特徴とする。
請求項１０記載の半導体装置は、熱伝導体の支持部が基板と当接していることを特徴とする。
請求項１１記載の半導体装置は、その熱伝導体の封止樹脂体に埋没している部分は、表面が粗化されていることを特徴とする。
請求項１２記載の半導体装置は、基板と半導体素子とを電気的に接続する複数の金属細線を有することを特徴とする。
請求項１３記載の半導体装置は、熱伝導体が接地端子に電気的に接続されていることを特徴とする。
請求項１４記載の半導体装置の製造方法は、一方の面側に複数の電極端子を有する基板の他方の面に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の主面に対向する面にその板厚方向に貫通する開口部が形成され、この開口部の周縁に、半導体素子が配置されている側と反対側に突出する突起部が形成された熱伝導体を製造し、この熱伝導体を前記半導体素子の主面に対向させて配置する工程と、前記半導体素子を搭載した前記基板を封止金型に装着して型締めを行い、前記熱伝導体の開口部の周縁に形成された突起部を前記封止金型の内壁面に当接させて装着する工程と、前記封止金型に設けた注入口から、前記熱伝導体の開口部を通して、前記封止金型内に樹脂を注入して、前記基板の他方の面である半導体素子搭載面と前記半導体素子と前記熱伝導体の一部とを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。
請求項１５記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子搭載領域を有するとともに前記半導体素子搭載領域の周囲に下面が外部端子、上面が内部端子となる複数の端子を有したリードフレームの半導体素子搭載領域に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の主面に対向する面にその板厚方向に貫通する開口部が形成され、この開口部の周縁に、半導体素子が配置されている側と反対側に突出する突起部が形成された熱伝導体を製造し、この熱伝導体を前記半導体素子の主面に対向させて配置する工程と、前記半導体素子を搭載した前記リードフレームを封止金型に装着して型締めを行い、前記熱伝導体の開口部の周縁に形成された突起部を前記封止金型の内壁面に当接させて装着する工程と、前記封止金型に設けた注入口から、前記熱伝導体の開口部を通して、前記封止金型内に樹脂を注入して、前記リードフレームの他方の面である半導体素子搭載面と前記半導体素子と前記熱伝導体の一部とを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。
請求項１６記載の半導体装置の製造方法は、封止金型の型締め時に、熱伝導体の開口部の周縁に設けられた突起部が、突起部の外周の露出部よりも先に封止金型へ接触することを特徴とする。
請求項１７記載の半導体装置の製造方法は、熱伝導体の開口部の径が封止金型の注入口の径よりも大きく形成され、樹脂注入時に、熱伝導体の開口部の周縁に形成された突起部の全周が封止金型における注入口よりも外周の内壁部分に接触することを特徴とする。
請求項１８記載の半導体装置の製造方法は、基板の一方の面から、熱伝導体の半導体素子の主面に対向する面と反対側の面までの寸法が、封止金型のキャビティの深さよりも大きいことを特徴とする。
請求項１９記載の半導体装置の製造方法は、リードフレームの一方の面から、熱伝導体の半導体素子の主面に対向する面と反対側の面までの寸法が、封止金型のキャビティの深さよりも大きいことを特徴とする。
請求項２０記載の半導体装置の製造方法は、熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の開口部に、先端部が開口部より小さく、根元部では開口部より大きい筒状の金型を挿入することで、熱伝導体の開口部の周縁を屈曲させて突起部を形成することを特徴とする。
請求項２１記載の半導体装置の製造方法は、熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の開口部の周縁を第１の金型で支持し、熱伝導体における開口部の周縁よりも外周の部分を第２の金型で支持し、第１の金型に対して第２の金型を相対的に熱伝導体の厚み方向に沿って移動させることにより、熱伝導体の開口部の周縁に突起部を形成することを特徴とする。
請求項２２記載の半導体装置の製造方法は、熱伝導体の製造工程において、突起部を形成した後に、この突起部の中心に開口部を形成することを特徴とする。
請求項２３記載の半導体装置の製造方法は、熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の開口部の周縁を突出させる突起を備えた金型によってプレス加工することにより、突起部を形成することを特徴とする。
請求項２４記載の半導体装置の製造方法は、熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の中心部を突出させる突起を備えた金型によってプレス加工することにより突起部を形成した後、突出部の中心に開口部を形成することを特徴とする。
本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、大きな発熱量の半導体素子を搭載する半導体装置において、外部に露出する熱伝導体が設けられるため放熱性が良好であるとともに、封止樹脂体から外部へ露出した熱伝導体に開口部を形成したことにより、半導体装置の金属細線のショートや樹脂の未充填を発生することなく、安定的した樹脂注入を可能にできるため、品質を安定させることができる。さらに、開口部の周縁に突起部を設けたことにより、封止金型で樹脂封止を行うために型締めした際に、封止金型の内壁部に前記突起部が良好な接触圧で当接し、樹脂封止時に、封止樹脂が、熱伝導体の開口部の周辺と、封止金型の内壁面との間に入って薄バリが発生することを確実に防止できて安定した樹脂注入ができるため、品質の安定した半導体装置を得ることができる。
本発明によれば、熱伝導体が封止樹脂体から外部へ露出した半導体装置において、熱伝導体の露出部の一部に開口部を設けることにより、トップゲート方式での樹脂封止が可能になり、金属細線の変形による金属細線同士のショートを防止できる。
また、熱伝導体の開口部の周縁に突起部を設けることにより、樹脂封止時の封止金型との接触圧を高め、露出部への樹脂の染み出しを防止でき、薄バリが発生することを確実に防止できて安定した樹脂注入ができる。
また、熱伝導体の一部にのみ支持部を設けたことにより、樹脂の流動性が良好になり、未充填などの不良を防ぐことができる。
以下、本発明の実施の形態における半導体装置１０１、１０２について図面を参照しながら説明する。なお、理解し易いように、以下の説明では、基板における半導体素子の搭載面（特許請求の範囲等における他方の面）側を上方として説明する。また、従来の半導体装置１００と略同機能の構成要素には同じ符号を付す。
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態における半導体装置１０１の断面図を示す。
図１に示すように、本実施の形態の半導体装置１０１は、絶縁性樹脂からなり、その両面にビアホール７を介して互いに電気的に接続された配線パターン２が形成されている基板３と、下面側と上面側とにそれぞれ複数の電極（図示せず）を有し、基板３の主面である上面（他方の面であり、以下、半導体素子搭載面とも称す）に接着剤４を介して搭載された半導体素子１と、半導体素子１と基板３の配線パターン２とを電気的に接続した金属細線５と、基板３の半導体素子搭載面と反対側の面（一方の面）にマトリクス状に配置され、基板３の配線パターン２と電気的に接続したボール電極８と、基板３の半導体素子搭載面側を覆い、この半導体素子１の主面（半導体素子１の回路面であり、図１における半導体素子１の上面）に対向するように配置された、側面視して断面略台形形状の熱伝導体９１と、基板３の半導体素子搭載面、半導体素子１、および熱伝導体９１の一部を封止する封止樹脂体６とを備えている。
そして特に、本実施の形態の半導体装置１０１においては、図１、図２に示すように、熱伝導体９１の半導体素子１の主面と対向する面と反対側の面、すなわち、熱伝導体９１の上面部が封止樹脂体６よりも外部に露出する露出部９１ｆとして配設され、この外部に露出する熱伝導体９１の露出部９１ｆの一部に、板厚方向に貫通する開口部１１を設けている。更に、開口部１１の周縁には、半導体素子１が配設されている側とは反対側、すなわち、露出部９１ｆから、半導体素子１の主面と対向する面と反対側（半導体素子１に接近する方向と反対方向である離れる方向（より露出する方向であり、図１における上方側））に向けて突き出た突起部９１ｂを設けている。
なお、図１、図２に示すように、この熱伝導体９１においては、熱伝導体９１の開口部１１を、熱伝導体９１の上面部と略平行な半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように（すなわち、平面視して、熱伝導体９１の開口部１１が、半導体素子１の主面の中心に重なるように）、熱伝導体９１に設けている。また、熱伝導体９１の周縁に設けられた突起部９１ｂは、略円錐台形状に突出する形状とされているが、これに限るものではなく、例えば、略角錐台形状に突出する形状や、その他の形状でもよい。また、熱伝導体９１の４つの角部に曲げ加工を施して、下面方向に突出する支持部９１ａを形成しており、支持部９１ａの底面が基板３に当接する形状とされている（熱伝導体９１が平面視して略３角形の場合には、３つの角部に曲げ加工を施して、支持部９１ａを形成してもよい）。
次に、図３を参照しながら、この半導体装置１０１の製造方法について説明する。なお、図３（ｅ）において、２１１は封止金型、２１ｔは注入口としての注入ゲート、２２ｔは封止樹脂の注入方向を示す。
本実施の形態における半導体装置１０１の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、両面に配線パターン２が形成されている基板３を用意し、図３（ｂ）に示すように、基板３の上面の各ボンディング位置に対して、半導体素子１を接着剤４により接着固定して搭載する。なお、図示しないが、図３に示すように、半導体素子１が設けられる部分が平面視して、縦横に複数設けられている。
次に、図３（ｃ）に示すように、基板３上に搭載した半導体素子１の電極パッド（図示せず）と基板３の上面に設けられた配線パターン２とを金属細線５により電気的に接続する。
ここまでの工程は従来の半導体装置１００の製造方法と同一である。
次に、図３（ｄ）に示すように、半導体素子１に対向する熱伝導体９１を基板３に当接させる。熱伝導体９１と基板３とは、その当接部分を接着剤（図示せず）等で固着してもよいし、また必ずしも固着しないで当接するだけでもよい。
ここで、図４を参照しながら、熱伝導体９１の製造方法について説明する。
図４（ａ）に示すように、熱伝導体９１は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、又はＦｅ−Ｎｉ合金等の熱伝導性の良好な材料からなる金属板をエッチング加工またはプレス加工により所望する形状に一体加工して作製する。
また、上述した加工方法により、図４（ｂ）に示すように、熱伝導体９１の中心に、板厚方向に貫通する開口部１１を形成させる。
この構造は、後に行う封止工程での樹脂の流動による金属細線５の変形を防止するために、トップゲート方式での樹脂注入を可能にする目的から、注入ゲート２１ｔを半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように設けるための構成である。また、封止工程で開口部１１の周辺に薄バリが発生するのを防止するため、開口部１１の内径を注入ゲート２１ｔの外形よりも大きく形成している。更に、熱伝導体９１の封止樹脂体６に埋没する部分の表面には、凹凸ができるようにディンプル加工などの粗化処理を施して、封止樹脂体６との密着性を向上させている。
次に、図４（ｃ）に示すように、熱伝導体９１の角部に曲げ加工を施して、下面方向に突出する支持部９１ａを形成する。なお、支持部９１ａの底面が基板３に当接するように加工する。
ここで、熱伝導体９１の支持部９１ａは、後に行う封止工程での樹脂の流動性を良好にする目的から、熱伝導体９１の角部にのみ存在する。つまり、従来の半導体装置１００の熱伝導体９ではその外周近傍の傾斜を設けた部分が存在する一方、本実施の形態の半導体装置１０１の熱伝導体９１では、その外周近傍の傾斜を設けた部分の大部分が存在しない。従って、樹脂注入の妨げになる障害物がないため、本実施の形態の半導体装置１０１は樹脂の流動性は良好である。
また、放熱性を良好にする目的から、熱伝導体９１の最上面が封止樹脂体６から外部に良好に露出する露出部９１ｆとなるように、熱伝導体９１の最上面から基板３の最下面までの高さが、後に行う封止工程で使用する封止金型２１１のキャビティの深さよりも大きくなるように、支持部９１ａの高さを調整し、熱伝導体９１を配置している。
このとき、後に行う封止工程において、上金型２１１Ｂとの接触の際、接触面が平坦のままの場合、温度の影響や封止金型２１１の押し圧（接触圧）不足などにより、開口部１１の周縁にわずかな隙間があき、封止樹脂６が漏れ出す場合があることから、その防止のため、図４（ｄ）に示すように、加工金型１２で、開口部１１の周縁の外側部分を上下から固定し、先端が開口部１１（の径）より小さく、裾野は、開口部１１（の径）より大きいなだらかな傾斜面をもった突き上げ用加工金型１３を、熱伝導体９１の開口部１１に、半導体素子１と対向する搭載面側から反対面となる側へ挿入しながら、突き上げて突起部９１ｂを形成し、図４（ｅ）に示すような、熱伝導体９１を形成する。
本実施の形態における半導体装置１０１の製造方法の説明に戻る。図３（ｅ）に示すように、半導体素子１が搭載され、金属細線５で電気的に接続され、熱伝導体９１が当接された基板３を、封止金型２１１の下金型２１１Ａ上にセットし、封止金型２１１の上金型２１１Ｂで密封する。このとき、封止金型２１１の上金型２１１Ｂの下面と熱伝導体９１の上面とが互いに接触した状態となり、特に、熱伝導体９１において、図４（ｄ）で形成した突起部９１ｂがその外周部分よりも先に上金型２１１Ｂの内壁面に接触する。
この状態で封止金型２１１の上金型２１１Ｂの鉛直方向に設けられた注入ゲート２１ｔから、注入方向２２ｔに封止樹脂体６を注入する。その結果、基板３の上面の空間部分が封止樹脂体６で覆われ、熱伝導体９１の上面（露出部９１ｆ）が封止樹脂体６から外部へ露出する。そして、封止樹脂体６の硬化後に、封止金型２１１の上金型２１１Ｂと下金型２１１Ａとを開くことで、封止樹脂体６で封止された半導体装置の集合体が形成される。
次に、図３（ｆ）に示すように、上面（半導体素子搭載面）側が封止樹脂体６で封止された基板３に対して、回転ブレード（図示せず）により各半導体チップ単位に切断することにより、個片化する。
最後に、個片化した基板３の底面（一方の面）の外部パッド電極（電極端子）に半田ボールを付設してボール電極８を形成し、外部端子を構成することにより、図１に示すような半導体装置１０１を製造することができる。
なお、熱伝導体９１の形状は、本実施の形態に示す四辺形状（平面視して矩形状）に加工する必要はなく、丸形状あるいは多角形状であっても構わない。開口部１１の形状も注入ゲートの外形よりも大きくできれば、丸形状に限るものではなく、多角形状であっても構わない。また、熱伝導体９１の支持部９１ａは、熱伝導体９１の上面を露出することができれば、必ずしも基板３と当接する必要はなく、半導体素子１と当接していても構わない。さらに、支持部９１ａも熱伝導体９１の角部を折り曲げて作製する必要がなく、熱伝導体９１の上面を露出して露出部９１ｆを設けることができれば、別の部材を熱伝導体９１の角部に接着して、支持部とすることも可能である。
以下に、本実施の形態における半導体装置１０１および半導体装置１０１の製造方法が奏する効果を示す。
上述したように、本実施の形態における半導体装置１０１は、従来の半導体装置が備えている基板３、金属細線５、半導体素子１、封止樹脂体６に付け加え、熱伝導性材質からなり、その上面部である露出部９１ｆが封止樹脂体６から外部に露出し、この露出部９１ｆに板厚方向に貫通する開口部１１を設けた熱伝導体９１を有している。これにより、従来からの、半導体装置１０１で生じた熱を熱伝導体９１の露出部９１ｆを介して半導体装置１０１の外部へ放出する機能を維持しつつ、開口部１１からの樹脂注入が可能となるとともに、熱伝導体９１の露出部９１ｆ内に開口部１１を設けたことにより封止樹脂体６との密着性が向上する。
また、この半導体装置１０１では、製造工程中において、封止工程で熱伝導体９１の開口部１１の上方に注入ゲート２１ｔを設けるトップゲート方式を採用できるので、樹脂の流動による金属細線５の変形量は少ない。つまり、金属細線５のショートを防止することができる。従って、本発明にかかる半導体装置１０１の製造方法では、電気的接続機能の低下および喪失を招来することなく半導体装置１０１を製造することができるため、製造歩留まりが高い半導体装置１０１を製造することができる。
また、この半導体装置１０１の熱伝導体９１における開口部１１の内径を、注入ゲート２１ｔの外形よりも大きく形成し、さらに、熱伝導体９１において、開口部１１の周縁に、半導体素子１の搭載面側から反対面となる側へ突出する突起部９１ｂを形成しているので、封止工程で開口部１１周辺に薄バリが発生することを防止できる。すなわち、半導体装置１０１の熱伝導体９１における開口部１１の内径を、注入ゲート２１ｔの外形よりも小さく形成した場合には、封止樹脂が、熱伝導体９１の開口部１１の周辺と、封止金型２１１の上金型２１１Ｂの上面との間に入って薄バリが発生することがあるが、上記構成によればこのような不具合を生じ難く、さらに、熱伝導体９１の開口部１１の周縁に突起部９１ｂが形成されているので、封止金型２１１の上金型２１１Ｂと下金型２１１Ａとを閉じて型締めした際に、熱伝導体９１の突起部９１ｂが上金型２１１Ｂの平面状の下面部分（内壁面）に強く押し付けられ、この状態で封止工程が行われることで、封止樹脂が熱伝導体９１の開口部１１の周辺と封止金型２１１の上金型２１１Ｂの上面との間に入ることが確実に防止され、この結果、封止工程で開口部１１周辺に薄バリが発生することを一層確実に防止できる。
また、この半導体装置１０１では、熱伝導体９１の下面の角部にのみ支持部９１ａを設けているので、封止工程で熱伝導体９１が樹脂の流動の妨げになることはなく、未充填などの不良を防止することができる。
更に、この半導体装置１０１では、熱伝導体９１の支持部９１ａを角部にのみ設けたことにより、熱伝導体９１と基板３との当接面積が小さく、他の信号の配線パターン２の邪魔になることがないので、熱伝導体９１を導電性の材料で構成すれば、熱伝導体９１を接地して使用することも可能である。これにより、高周波特性が向上する。
以上をまとめると、本実施の形態における半導体装置１０１および半導体装置１０１の製造方法によれば、封止工程における金属細線５の変形量が少ないため、金属細線５同士のショートによる不良を防止できる、樹脂の流動性を良好なため、未充填が起こらない、封止樹脂体６との密着性がよい等、半導体装置１０１として性能が良いこと、製造歩留まりが高いこと、熱伝導体９１を接地して使用することで高周波特性が向上するという効果を得られるという点で、従来の半導体装置１００よりも優れる。さらに、開口部１１周辺に薄バリが発生することをより確実に防止でき、品質の安定した半導体装置１０１を製造できる。
なお、熱伝導体９１の形状は、第１の実施の形態の熱伝導体９１の形状には限定されない。
（第２の実施の形態）
以下に、第１の実施の形態の変形例としての第２の実施の形態を、図５などを用いて説明する。ここで、第１の実施の形態における半導体装置１０１と、変形例である第２の実施の形態における半導体装置１０２とでは、熱伝導体９２の形状と封止金型２１２の形状のみが異なる。なお、以下において、上記した第１の実施の形態における半導体装置１０１の構成要素と対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略している。
図５は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置１０２を示す断面図である。また、図６はこの半導体装置１０２の熱伝導体９２の斜視図である。
この第２の実施の形態における半導体装置１０２に設けられた熱伝導体９２には、図５に示すように、開口部１１の周縁に、半導体素子１の主面と対向する面とは反対面の方向に突出し、その周囲の露出部９２ｆより高く位置する平坦部９２ｃを備えた突起部９２ｂが形成されている。なお、熱伝導体９２の突起部９２ｂを設けた平坦部９２ｃの面積は、突起部周辺の露出部９２ｆの面積よりも小さい。それ以外の点は、前記第１の実施の形態における半導体装置１０１と同一である。
なお、樹脂封止工程において、封止金型２１２の上金型２１２Ｂには、突起部９２ｂに設けられた平坦部９２ｃから当接させることにより、同様の効果を得ることが可能である。但し、平坦部９２ｃの幅は、できるだけ狭くすることが好ましい。
この第２の実施の形態における半導体装置１０２の熱伝導体９２の形成方法（製造方法）は、いくつかあり、図７〜１０を用いて、順に説明する。
まず、図７は、半導体装置１０２の第１の製造方法を示す断面図である。
図７（ａ）に示すように、熱伝導体９２は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、又はＦｅ−Ｎｉ合金等の熱伝導性の良好な材料からなる金属板をエッチング加工またはプレス加工により所望する形状に加工して作製する。
また、上述した加工方法により、図７（ｂ）に示すように、熱伝導体９２の中心に、板厚方向に貫通する開口部１１を形成させる。
この構造は、後に行う封止工程での樹脂の流動による金属細線５の変形を防止するために、トップゲート方式での樹脂注入を可能にする目的から、注入ゲート２１ｔ（図３（ｅ）参照）を半導体素子１の主面の中心の鉛直方向に位置するように設けるための構成である。また、封止工程で開口部１１の周辺に薄バリが発生するのを防止するため、開口部１１の内径が注入ゲート２１ｔの外形よりも大きくなるように形成している。更に、熱伝導体９２の封止樹脂体６に埋没する部分の表面には、凹凸ができるようにディンプル加工などの粗化処理を施して、封止樹脂体６との密着性を向上させている。
次に、図７（ｃ）に示すように、熱伝導体９２の角部に曲げ加工を施して、下面方向に突出する支持部９２ａを形成する。なお、支持部９２ａの底面が基板３に当接するように加工する。
ここで、熱伝導体９２の支持部９２ａは、後に行う封止工程での樹脂の流動性を良好にする目的から、熱伝導体９２の角部にのみ存在する。つまり、従来の半導体装置１００の熱伝導体９ではその外周近傍の傾斜を設けた部分が存在する一方、本実施の形態の半導体装置１０２の熱伝導体９２では、その外周近傍の傾斜を設けた部分の大部分が存在しない。従って、樹脂注入の妨げになる障害物がないため、本実施の形態の半導体装置１０２は樹脂の流動性は良好である。
また、放熱性を良好にする目的から、熱伝導体９２の最上面（露出部９２ｆ）が封止樹脂体６から外部に露出するように、熱伝導体９２の最上面から基板３の最下面までの高さが、後に行う封止工程で使用する封止金型２１１のキャビティの深さよりも大きくなるように、支持部９２ａの高さを調整し、熱伝導体９２を配置している。
このとき、後に行う封止工程において、上金型２１１Ｂとの接触の際、接触面が平坦のままの場合、温度の影響や封止金型２１１の押し圧（接触圧）不足などにより、開口部１１の周縁にわずかな隙間があき、封止樹脂６が漏れ出す場合があることから、その防止のため、図７（ｄ）に示すように、開口部１４の周縁を加工金型１５で上下からはさみ、突起部９２ｂの周囲を加工金型１５で上下からはさみ、加工金型１４を固定し、加工金型１５を、最終的に半導体素子１や基板２が配設される側へ（加工金型１４に対して相対的に下方へ）移動させて、最終的に半導体装置１０２が形成された状態で、半導体素子１と対向する面とは反対面の方向に突出する突起部９２ｂを形成し、図７（ｅ）に示すような、熱伝導体９２を形成する。
次に、図８は、本発明の第２の実施の形態における半導体装置１０２の熱伝導体９２の第２の製造方法を示す断面図である。
図７に示す第１の製造方法では、突起部９２ｂを形成する前に、開口部１１を形成していたが、図８に示す第２の製造方法では、突起部９２ｂを形成した後に、開口部１１を形成していることが特徴であり、その他は、第１の製造方法と同じである。
図９は、半導体装置１０２の熱伝導体９２の第３の製造方法を示す断面図である。
図９に示す第３の製造方法では、第１の製造方法や第２の製造方法とは異なり、開口部１１の周縁を加工金型１４で上下からはさみ、突起部９２ｂの周囲を加工金型１５で上下からはさみ、加工金型１５を固定し、加工金型１４を半導体素子１と対向する面の反対側へ移動させて、突起部９２ｂを形成し、図９（ｅ）に示すような、熱伝導体９２を形成することが特徴であり、その他は、第１の製造方法と同じである。
図１０は、半導体装置１０２の熱伝導体９２の第４の製造方法を示す断面図である。
図１０に示す第４の製造方法では、突起部９２ｂを形成した後に、開口部１１を形成していることが特徴であり、その他は、第９の製造方法と同じである。
この第２の実施の形態における半導体装置１０２によっても、製造工程中において、封止工程で熱伝導体９２の開口部１１の上方に注入ゲート２１ｔを設けるトップゲート方式を採用できるので、樹脂の流動による金属細線５の変形量は少なく、金属細線５のショートを防止することができ、製造歩留まりが高い半導体装置１０２を製造することができる。
また、この半導体装置１０２の熱伝導体９２における開口部１１の周縁に、半導体素子１の搭載面側から反対面となる側へ突出する突起部９２ｂ、より詳しくは、その周囲より高く位置する突起部９２ｂの平坦部９２ｃを、形成しているので、封止金型２１１の上金型２１１Ｂと下金型２１１Ａとを閉じた際に、熱伝導体９２の突起部９２ｂにおける平坦部９２ｃが上金型２１１Ｂの平面状の下面部分に強く押し付けられ、この状態で封止工程が行われることで、樹脂が熱伝導体９２の開口部１１周辺と封止金型２１１の上金型２１１Ｂの上面との間に入ることが確実に防止され、この結果、封止工程で開口部１１周辺に薄バリが発生することを確実に防止できる。
また、この半導体装置１０２でも、熱伝導体９２の支持部９２ａを角部にのみ設けたことにより、熱伝導体９２と基板３との当接面積が小さく、他の信号の配線パターン２の邪魔になることがないので、熱伝導体９２を導電性の材料で構成すれば、熱伝導体９２を接地して使用することも可能であり、高周波特性が向上する。
以上をまとめると、本第２の実施の形態における半導体装置１０２および半導体装置１０２の製造方法によっても、封止工程における金属細線５の変形量が少ないため、金属細線５同士のショートによる不良を防止できる、樹脂の流動性を良好なため、未充填が起こらない、封止樹脂体６との密着性がよい等、半導体装置１０２として性能が良いこと、製造歩留まりが高いこと、熱伝導体９２を接地して使用することで高周波特性が向上するという効果を得られるという点で従来の半導体装置１００よりも優れる。さらに、開口部１１周辺に薄バリが発生することをより確実に防止できる。
（第３の実施の形態）
図１１（ａ）および（ｂ）は本発明の第３の実施の形態における半導体装置の断面図および底面図を示すものである。なお、図１１（ａ）は、図１１（ｂ）に１点鎖線で示したＣ―Ｃ線における断面図に相当する。また、以下において、上記第１の実施の形態に係る半導体装置１０１と対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略している。
図１１に示すように、この第３の実施の形態の半導体装置１０３は、上記第１の実施の形態に係る基板３に代えて、半導体素子搭載領域であるダイパット１５ｃと、このダイパット１５ｃの周囲に下面が外部端子１５ｄ、上面が内部端子１５ａとなる複数の端子と、ダイパット１５ｃを支持する吊りリード１５ｂとを一体に有したリードフレーム１５を備えている。
そして、リードフレーム１５のダイパット４１ｃに半導体素子１を接着剤４で固着し、金属細線５で半導体素子１の電極とリードフレーム１５の上面内部端子１５ａとを電気的に接続している。また、熱伝導体９１の支持部９１ａは、半導体装置の４角にある吊りリード１５ｂに固着されている。封止樹脂体６は、半導体素子１と、金属細線５、熱伝導体９１の半導体素子側と熱伝導体９１の支持部９１ａ、上面内部端子１５ａとを樹脂で覆っている。このとき、熱伝導体９１の上面部、およびダイパット１５ｃの下面、端子の下面である外部端子１５ｄとが外部に露出するように封止樹脂体６が設けられている。
また、熱伝導体９１における半導体素子１の主面と対向する面と反対側の面、すなわち、熱伝導体９１の上面部が外部に露出するように配設され、この外部に露出する熱伝導体９１の上面部の一部に、板厚方向に貫通する開口部１１を設けている。さらに、開口部１１の周縁には、半導体素子１が配設されている側とは反対側、すなわち、露出部９１ｆから、半導体素子１の主面と対向する面と反対側に向けて突き出た突起部９１ｂを設けている。
この構成によっても、上記第１の実施の形態と同様の作用、効果を得ることができる。
本発明は、大きな発熱量の半導体素子を搭載するのに適した半導体装置、およびその製造方法に特に好適に適用され、特に放熱性が良好で、品質の安定化が要求されるような半導体装置の実施に有効である。
本発明の第１の実施の形態における半導体装置の断面図である。 同第１の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の斜視図である。 （ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、同第１の実施の形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、同第１の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の製造方法を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態における半導体装置の断面図である。 同第２の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の斜視図である。 （ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、同第２の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の第１の製造方法を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、同第２の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の第２の製造方法を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、同第２の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の第３の製造方法を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はそれぞれ、同第２の実施の形態における半導体装置の熱伝導体の第４の製造方法を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態における半導体装置の断面図および底面図である。 従来の半導体装置の断面図である。 同従来の半導体装置の熱伝導体の斜視図である。 （ａ）〜（ｆ）はそれぞれ、同従来の半導体装置の製造工程を示す断面図である。 サイドゲート方式の金属細線の変形メカニズムを説明する図で、（ａ）は正面断面図、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ平面図である。 トップゲート方式の金属細線の変形メカニズムを説明する図で、（ａ）は正面断面図、（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ平面図である。
符号の説明
１ 半導体素子
２ 配線パターン
３ 基板
４ 接着剤
５ 金属細線
６ 封止樹脂
７ リードフレーム
７ａ リード
７ｂ 吊りリード
７ｃ ダイパッド
９、９１、９２ 熱伝導体
９ａ 支持部
９ｂ 突起部
９ｃ 段差部
９ｄ 平坦部
１０ 開口部
１１ 開口部
１２、１３、１４、１５ 加工金型
２１、２１１ 封止金型
２１ｔ 注入ゲート
２２ｔ 注入方向
１０１、１０２、１０３ 半導体装置

Claims (24)

  1. 半導体素子と、半導体素子の主面に対向して配置された熱伝導体と、前記半導体素子と熱伝導体の一部とを封止した封止樹脂体と、を備え、
    前記熱伝導体の前記半導体素子の主面と対向する面と反対側の面の一部が前記封止樹脂体から外部に露出して露出部が設けられている半導体装置において、
    前記熱伝導体の露出部が設けられている面の一部に、板厚方向に貫通する開口部を設け、
    前記熱伝導体における開口部の周縁に、半導体素子が配設されている側とは反対側に突出する突起部を有していることを特徴とする半導体装置。
  2. 一方の面に複数の電極端子を有する基板と、この基板の他方の面に搭載された半導体素子と、前記基板の他方の面側において前記半導体素子の主面に対向するように配置された熱伝導体と、前記基板の他方の面である半導体素子搭載面と前記半導体素子と前記熱伝導体とを封止する封止樹脂体と、を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 半導体素子搭載領域を有するとともに前記半導体素子搭載領域の周囲に下面が外部端子、上面が内部端子となる複数の端子を有したリードフレームと、前記リードフレームの前記半導体素子搭載領域が設けられた半導体素子搭載面側において前記半導体素子の主面に対向するように配置された熱伝導体とを備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  4. 熱伝導体の突起部は、熱伝導体における他の部分と一体的に形成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体装置。
  5. 熱伝導体の突起部の一部に、露出面と略平行な平坦部が形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置。
  6. 熱伝導体の突起部を設けた平坦部の面積が、突起部周辺の露出部の面積よりも小さいことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
  7. 熱伝導体は、基板の半導体素子搭載面側に突出した支持部を有していることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体装置。
  8. 熱伝導体の支持部は熱伝導体の一部を屈曲して形成していることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
  9. 熱伝導体の支持部を少なくとも三つ設けたことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
  10. 熱伝導体の支持部が基板と当接していることを特徴とする請求項７〜９の何れか１項に記載の半導体装置。
  11. 熱伝導体の封止樹脂体に埋没している部分は、表面が粗化されていることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体装置。
  12. 基板と半導体素子とを電気的に接続する複数の金属細線を有することを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の半導体装置。
  13. 熱伝導体が接地端子に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の半導体装置。
  14. 一方の面側に複数の電極端子を有する基板の他方の面に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子の主面に対向する面にその板厚方向に貫通する開口部が形成され、この開口部の周縁に、半導体素子が配置されている側と反対側に突出する突起部が形成された熱伝導体を製造し、この熱伝導体を前記半導体素子の主面に対向させて配置する工程と、
    前記半導体素子を搭載した前記基板を封止金型に装着して型締めを行い、前記熱伝導体の開口部の周縁に形成された突起部を前記封止金型の内壁面に当接させて装着する工程と、
    前記封止金型に設けた注入口から、前記熱伝導体の開口部を通して、前記封止金型内に樹脂を注入して、前記基板の他方の面である半導体素子搭載面と前記半導体素子と前記熱伝導体の一部とを樹脂封止する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  15. 半導体素子搭載領域を有するとともに前記半導体素子搭載領域の周囲に下面が外部端子、上面が内部端子となる複数の端子を有したリードフレームの半導体素子搭載領域に半導体素子を搭載する工程と、
    前記半導体素子の主面に対向する面にその板厚方向に貫通する開口部が形成され、この開口部の周縁に、半導体素子が配置されている側と反対側に突出する突起部が形成された熱伝導体を製造し、この熱伝導体を前記半導体素子の主面に対向させて配置する工程と、
    前記半導体素子を搭載した前記リードフレームを封止金型に装着して型締めを行い、前記熱伝導体の開口部の周縁に形成された突起部を前記封止金型の内壁面に当接させて装着する工程と、
    前記封止金型に設けた注入口から、前記熱伝導体の開口部を通して、前記封止金型内に樹脂を注入して、前記リードフレームの他方の面である半導体素子搭載面と前記半導体素子と前記熱伝導体の一部とを樹脂封止する工程と
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  16. 封止金型の型締め時に、熱伝導体の開口部の周縁に設けられた突起部が、突起部の外周の露出部よりも先に封止金型へ接触することを特徴とする請求項１４または１５に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 熱伝導体の開口部の径が封止金型の注入口の径よりも大きく形成され、樹脂注入時に、熱伝導体の開口部の周縁に形成された突起部の全周が封止金型における注入口よりも外周の内壁部分に接触することを特徴とする請求項１４〜１６の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 基板の一方の面から、熱伝導体の半導体素子の主面に対向する面と反対側の面までの寸法が、封止金型のキャビティの深さよりも大きいことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
  19. リードフレームの一方の面から、熱伝導体の半導体素子の主面に対向する面と反対側の面までの寸法が、封止金型のキャビティの深さよりも大きいことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  20. 熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の開口部に、先端部が開口部より小さく、根元部では開口部より大きい筒状の金型を挿入することで、熱伝導体の開口部の周縁を屈曲させて突起部を形成することを特徴とする請求項１４〜１９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  21. 熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の開口部の周縁を第１の金型で支持し、熱伝導体における開口部の周縁よりも外周の部分を第２の金型で支持し、第１の金型に対して第２の金型を相対的に熱伝導体の厚み方向に沿って移動させることにより、熱伝導体の開口部の周縁に突起部を形成することを特徴とする請求項１４〜１９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  22. 熱伝導体の製造工程において、突起部を形成した後に、この突起部の中心に開口部を形成することを特徴とする請求項１４〜１９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  23. 熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の開口部の周縁を突出させる突起を備えた金型によってプレス加工することにより、突起部を形成することを特徴とする請求項１４〜１９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
  24. 熱伝導体の製造工程において、熱伝導体の中心部を突出させる突起を備えた金型によってプレス加工することにより突起部を形成した後、突出部の中心に開口部を形成することを特徴とする請求項１４〜１９の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
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