JP2000200927A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

電子部品の製造方法

Info

Publication number
JP2000200927A
JP2000200927A JP10376923A JP37692398A JP2000200927A JP 2000200927 A JP2000200927 A JP 2000200927A JP 10376923 A JP10376923 A JP 10376923A JP 37692398 A JP37692398 A JP 37692398A JP 2000200927 A JP2000200927 A JP 2000200927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
electronic component
protective film
resin
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10376923A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4257807B2 (ja
Inventor
Megumi Horiuchi
恵 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Priority to JP37692398A priority Critical patent/JP4257807B2/ja
Publication of JP2000200927A publication Critical patent/JP2000200927A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4257807B2 publication Critical patent/JP4257807B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バリアやシールフィルムのような副資材を用
いることなく、絶縁基板の裏面の電極やスルーホールに
封止樹脂が回り込まない樹脂のモールド方法を提供す
る。 【解決手段】 絶縁基板の表面側の回路パターンがそ
れぞれスルーホールに接続された多数個取りの絶縁基板
を製造する絶縁基板製造工程と、絶縁基板の表面に多数
個の電子部品の素子をボンディングするボンディング工
程とからなる電子部品素子の組付工程と、絶縁基板の裏
面に保護フィルムを貼着して押圧し、保護フィルムの粘
着材をスルーホールに押し込んで充填する保護フィルム
貼着工程と、絶縁基板の表面側を樹脂封止する樹脂封止
工程と、保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程
と、ダイシングして個々の電子部品に分離するダイシン
グ工程とからなる電子部品の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の製造方
法に関するものであり、特に、絶縁基板上に多数個の電
子部品の素子を配置してボンディングし、一括して樹脂
封止した後の電子部品素子の組付体をダイシングして個
々の電子部品に分離する電子部品の製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】本発明に係わる電子部品は、ガラス繊維
入りエポキシ樹脂等の絶縁基板上に多数個の電子部品の
素子を配置してダイボンディングやワイヤボンディング
等によってボンディングし、電子部品素子組付体を製造
する。そして、この電子部品素子組付体を一括して樹脂
封止した後、ダイシングして個々に分離して電子部品と
して完成させる。この完成した電子部品を使用する際に
は、電子部品の裏面側のハンダ付け電極やスルーホール
をハンダ端子として回路基板にハンダ付けして固定する
が、一般に電子部品の裏面側のハンダ付け電極は非常に
小さいので、確実に固定するためにはハンダ付け電極の
みではなくスルーホールも同時にハンダ付けして、回路
基板にハンダで固定する面積を大きくすることが望まし
い。また、電子部品の裏面側にハンダ付け電極を設けず
に、スルーホールのみをハンダ端子とすることもある。
【０００３】このハンダ端子として使用するハンダ付け
電極やスルーホールに電子部品素子を封止するための樹
脂が流れ込むと、流れ込んだ樹脂の部分にはハンダ付け
ができないので、ハンダ端子の一部分或いは全面のハン
ダ付けができず、ハンダ不良が生じることになる。この
ため、このような電子部品を製造する際には、裏面側の
ハンダ付け電極やスルーホール等に表面側の電子部品素
子を封止する樹脂等が付着しないようにモールドしなけ
ればならない。
【０００４】図５〜図７に、従来技術の電子部品の製造
方法において、表面側の電子部品素子を樹脂でモールド
して封止する際に、樹脂が裏面側のハンダ付け電極やス
ルーホールに回り込むことを防止するために行なわれて
いた方法の例を示す。ここで、図５は金型によってモー
ルドする樹脂の形状を定める方法を示し、図６はバリア
を設けて樹脂の回り込みを防止する方法、図７はスルー
ホールにシールテープを貼って樹脂の回り込みを防止す
る方法を示す。
【０００５】これらの電子部品の製造方法に示された電
子部品素子組付体１は、いずれも、図１に全体を示し、
図５〜図７に断面を示すように、表面側に電子部品の素
子３に接続する回路パターン４ａ、４ｂが多数個並列し
て形成され、同様に、多数個が並列して形成されたスル
ーホール７ａ、７ｂにそれぞれの回路パターン４ａ、４
ｂが接続されており、さらに、スルーホール７ａ、７ｂ
には、ハンダ付け電極６ａ、６ｂが接続されている多数
個取りの絶縁基板２であって、絶縁基板２の表面側に設
けられた回路パターン４ａに電子部品の素子３をそれぞ
れ配置して、回路パターン４ａに電子部品の素子３をダ
イボンディングし、回路パターン４ｂに電子部品の素子
３をワイヤボンディングして接続している。また、絶縁
基板２の裏面側には、ハンダ付け電極６ａ、６ｂやスル
ーホール７ａ、７ｂに油や樹脂が付着してハンダ付けの
障害となることを防止する保護フィルム８が貼り付けて
ある。そして、この電子部品素子組立体１の表面側に樹
脂１１をモールドして封止した後、保護フィルム８を剥
離し、次いで、切断線１２でダイシングして個々の電子
部品に分離するものである。
【０００６】ここで、図１及び図５〜図７の絶縁基板２
には、電子部品の素子３を配置して接続する回路パター
ン４、ハンダ付け電極６及びスルーホール７のみが描か
れているが、図面を簡略にして説明を容易にするため
に、他の回路構成や素子を省略たものであって、実際に
実施するに当たっては、各種の回路や素子が設けられる
ものである。
【０００７】図５に示す樹脂の回り込みを防止する方法
は、樹脂１１をモールドして封止する際に使用する金型
２０に、封止する樹脂の形状に応じたキャビティ２０ａ
を形成し、スルーホール７の周辺に樹脂が回り込まない
よう成形するものである。しかし、モールドする際に金
型２０と絶縁基板２とのわずかな隙間から樹脂が流れ出
してスルーホール７に回り込むことが避けられないの
で、図６に示すように、スルーホール７を覆うようにバ
リア２１を絶縁基板２に貼り付けて樹脂の回り込みを防
止し、或いは図７に示すように、スルーホール７をシー
ルするシールフィルム２２を絶縁基板２に貼り付けて樹
脂の回り込みを防止することが行なわれていた。
【０００８】このバリア２１はシリコン、エポキシ等の
樹脂の成形品を両面テープで貼り付けるものであり、バ
リア２１を製造して絶縁基板２に貼り付ける工数が必要
であるばかりでなく、取り除く際にも人手によって作業
しなければならず、貼付位置の精度も、非常に小さい電
子部品の素子３のサイズに比較するとかなり大きくなら
ざるを得ず、電子部品の完成品のサイズを小型化する障
害にもなっていた。また、シールフィルム２２は樹脂又
は金属のフィルムであって、絶縁基板２を製造する際
に、絶縁基板２の表面に貼り付けた後にシール部分のみ
が残るようにエッチングして形成するもので、かなりの
工数を必要とし、エッチング液の処理も必要であって、
いずれの方法によってもかなりのコストの掛かるもので
あった。
【０００９】また、絶縁基板２の裏面に貼り付けられた
保護フィルム８は、絶縁基板２の裏面、特にハンダ電極
６ａ、６ｂに油や樹脂が付着してハンダ付けの障害とな
ることを防止するものであって、従来技術のいずれの製
造方法においても必須のものとして使用されていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、バリア２１
やシールフィルム２２のようなコストの掛かる副資材を
用いることなく、絶縁基板２の表面側をモールドして封
止する樹脂１１の回り込みを防止すること目的とするも
のであって、これにより、副資材及びそれに係わる加工
費を不要とし、より安価な電子部品を提供するととも
に、産業廃棄物として廃棄されることになる副資材の使
用を止めて産業廃棄物を減少させる電子部品の製造方法
を提供すること目的とする。
【００１１】また、バリア２１やシールフィルム２２を
無くすことによって、バリア２１やシールフィルム２２
の取り付けスペース及びその寸法誤差や位置誤差のため
の隙間を不要とし、より小型な電子部品を提供するとと
もに、１枚の絶縁基板２で製造する電子部品の数を増加
することができる電子部品の製造方法を提供すること目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、絶縁基板上に多数個の電子部品の素子を
配置してボンディングした電子部品素子組付体を一括し
て樹脂封止した後にダイシングして個々の電子部品に分
離する電子部品の製造方法において、前記絶縁基板の表
面側に前記電子部品の素子を接続する回路パターンが多
数個並列して形成され、それぞれの前記回路パターンが
多数個並列して形成されたスルーホールに接続された多
数個取りの前記絶縁基板を製造する絶縁基板製造工程
と、前記電子部品素子組付体の前記絶縁基板の裏面側に
保護フィルムを貼着し、該保護フィルムを前記絶縁基板
に押圧して粘着材を前記スルーホールに押し込み、該ス
ルーホール内を前記粘着材で充填する保護フィルム貼着
工程と、前記絶縁基板の表面側に設けられた前記回路パ
ターンに多数個の前記電子部品の素子をそれぞれ配置し
てボンディングし、電子部品素子組付体を製造するボン
ディング工程と、前記保護フィルムが貼着された前記電
子部品素子組付体の表面側を一括して樹脂封止する樹脂
封止工程と、前記保護フィルムを剥離する保護フィルム
剥離工程と、表面側が樹脂封止され、裏面側の保護フィ
ルムが剥離された前記電子部品素子組付体をダイシング
して個々の電子部品に分離するダイシング工程とからな
ることを特徴とする電子部品の製造方法を提供するもの
である。
【００１３】また、前記絶縁基板製造工程において、前
記絶縁基板の裏面側に、前記スルーホールに連続する多
数個のハンダ付け電極を設ける電子部品の製造方法を提
供するものである。さらに、前記保護フィルム貼着工程
において、前記保護フィルムを前記絶縁基板に熱圧着
し、前記保護フィルムの前記粘着材を加熱軟化して前記
絶縁基板の前記スルーホールに押し込む電子部品の製造
方法を提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面に基づいて説
明する。図１は、本発明の電子部品の製造方法に係わる
多数個取りに形成した電子部品素子組付体１を示すもの
であって、図に示すように、絶縁基板２上には、その表
面側に多数個の電子部品の素子３をマトリックス状に配
置して接続する回路パターン４が形成されており、この
回路パターン４と電子部品の素子３とは、図示されてい
ないダイボンディング及びワイヤボンディングのワイヤ
５によって接続されて電子部品素子の組付体１を形成し
ている。また、裏面側には、完成した電子部品を回路基
板に接続する際に使用されるハンダ付け電極６が設けら
れており、スルーホール７を介して回路パターン４とハ
ンダ付け電極６が相互に接続されている。
【００１５】図１の実施例では、電子部品素子組付体１
に配置された回路及び素子として、電子部品の素子３と
この素子３を配置して接続する回路パターン４、ハンダ
付け電極６及びスルーホール７のみが描かれているが、
図５〜図７の従来技術の例と同様に、図面を簡略にして
説明を容易にするために他の回路構成や素子を省略たも
のであって、実際に実施するに当たっては、各種の回路
や素子が設けられるものである。
【００１６】この、絶縁基板２の表面側に電子部品の素
子３を接続する回路パターン４が多数個並列して形成さ
れ、それぞれの回路パターン４が多数個並列して形成さ
れたスルーホール７に接続された多数個取りの絶縁基板
２を製造する絶縁基板製造工程は、従来技術と同様の絶
縁基板製造工程によって製造されるものであり、この絶
縁基板２の表面側に設けられた回路パターン４に多数個
の電子部品の素子３を配置してボンディングするボンデ
ィング工程も、従来技術と格別の差異がないものなの
で、これら絶縁基板製造工程及びボンディング工程につ
いての詳細な説明は省略する。
【００１７】そして、この後の工程で、絶縁基板２の表
面側の電子部品の素子３とワイヤボンディングのワイヤ
５等を覆うように樹脂１１を一括してモールドすること
によって封止され、樹脂封止した後の電子部品素子の組
付体１を縦横にダイシングして個々の電子部品に分離す
ることによって完成した個々の電子部品を得ることがで
きる。
【００１８】図２〜図４は、本発明の電子部品の製造方
法を説明する説明図であって、図１の多数個の電子部品
のうちの１個と、その両側の電子部品の一部のみを描い
ている。ここで、図２は電子部品素子組付体１の絶縁基
板２の裏面側に保護フィルム８を貼着する説明図であ
り、図３は保護フィルム８を貼着して絶縁基板２の表面
側を樹脂封止した状態を示す説明図、図４は保護フィル
ム８を剥離してダイシングし、個々の電子部品に分離し
た状態を示す説明図である。
【００１９】図２〜図４の実施例でも、電子部品素子組
付体１に配置された回路及び素子として、電子部品の素
子３とこの素子３を配置して接続する回路パターン４、
ハンダ付け電極６及びスルーホール７のみが描かれてい
るが、図１の電子部品素子組付体１の例及び図５〜図７
の従来技術の例と同様に、図面を簡略にして説明を容易
にするために他の回路構成や素子を省略たものであっ
て、実際に実施するに当たっては、各種の回路や素子が
設けられるものである。
【００２０】図２において、電子部品素子組付体１は、
従来技術と同様のガラス繊維入りエポキシ樹脂等で製造
された絶縁基板２の表面側の回路パターン４ａ部に電子
部品の素子３の裏面が図示されていないダイボンディン
グによって接続されており、回路パターン４ｂ部にワイ
ヤ５でワイヤボンディングされている。この電子部品素
子組付体１において、絶縁基板２の表面の回路パターン
４ａ部と裏面側のハンダ付け電極６ａ部はスルーホール
７ａ部で、パターン３ｂ部とハンダ付け電極５ｂ部とは
スルーホール７ｂ部でそれぞれ接続されている。
【００２１】図２の下方には、絶縁基板２の裏面側に貼
着される保護フィルム８が描かれている。この保護フィ
ルム８は、基材となるＰＥＴや紙等の薄いフィルム９
と、このフィルム９を絶縁基板２の裏面側に貼着するシ
リコン系やアクリル系の接着剤等の粘着材１０とからな
っており、これらの粘着材１０は、非常に軟質で圧力を
かけることによって容易に流動し、加熱することによっ
て更に流動性が高くなり、容易に変形、移動する性質を
有している。
【００２２】本発明では、この保護フィルム８を絶縁基
板２の裏面側に貼着して１００°Ｃ〜１５０°Ｃに加熱
し、１００ｋｇ／ｃｍ2 〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力
で押圧する。保護フィルム８の粘着材１０は、この押圧
によって流動して、絶縁基板２のスルーホール７に押し
込まれて、図３に示すように、スルーホール７内を粘着
材１０で充填する。
【００２３】このスルーホール７内に粘着材１０を充填
するときに、スルーホール７内に充填される粘着材１０
の量は、充填された粘着材１０の上端がほぼ絶縁基板２
の表面に達するように制御される。この粘着材１０の充
填される量の制御は、絶縁基板２の厚さ、スルーホール
７の数とその直径等によっても異なるが、保護フィルム
８に塗布された粘着材１０の厚さ及び粘度（流動性）、
保護フィルム８を加熱する温度、絶縁基板２への押圧力
及び押圧する時間等を制御することによって行なわれ
る。しかし、絶縁基板２に設けられたスルーホール７の
数が少なく直径も小径である絶縁基板２に粘度が低い
（流動性が高い）粘着材１０で保護フィルム８を貼着す
るときには、加熱することなく押圧するのみで粘着材１
０をスルーホール７内に充填することも可能である。
【００２４】図３は保護フィルム８を絶縁基板２の裏面
側に貼着して加熱押圧し、保護フィルム８の粘着材１０
を絶縁基板２のスルーホール７に押し込んで充填した
後、絶縁基板２の表面側を樹脂１１でモールドして封止
した状態を示す。図から明らかなように、樹脂１１の上
面は平面状であって、図５の従来例のように、金型に部
品毎のキャビティを設ける必要はない。また、スルーホ
ール７には、粘着材１０がほぼ絶縁基板２の表面に達す
るように充填されているので、封止するためにモールド
する樹脂１１がスルーホール７の内面や裏面側のハンダ
付け電極６に回り込んで付着することは全く生じない。
仮に、スルーホール７の上部（絶縁基板２の表面）にお
いて、スルーホール７の内面と粘着材１０との間に隙間
があったとしても、モールドする際に流入する樹脂１１
の圧力で粘着材１０の上面が平らになるように押圧さ
れ、スルーホール７の内面と粘着材１０との間の隙間を
埋めるように作用するので、樹脂１１がスルーホール７
の内面や裏面側のハンダ付け電極に回り込んで付着する
ことは生じない。
【００２５】また、絶縁基板２のスルーホール７の内面
に充填された粘着材１０の量が少なく、封止する樹脂１
１が絶縁基板２の表面より下方の位置まで流れ込んでモ
ールドされたとしても、ハンダ付けする際にスルーホー
ル７のハンダ端子となる部分が減少するのみで格別の支
障は生じない。一方、粘着材１０の量が多すぎて、封止
する樹脂１１が絶縁基板２の表面から溢流してきのこ状
に広がったとしても、後述する保護フィルム８の剥離の
際に、剥離することがやや困難になるのみで、これも格
別の支障とはならない。従って、スルーホール７の内面
に充填される粘着材１０の量は、電子部品素子組付体１
の全面にわたって均一になるように厳密に制御される必
要はない。
【００２６】このモールドされた封止樹脂１１が固化し
た後に、絶縁基板２の裏面側から保護フィルム８を剥離
する。この保護フィルム８の剥離は、従来と同様に手作
業で行なっても、保護フィルム８の一部を把持して巻き
取る程度の簡単な自動剥離装置を使用してもよい。保護
フィルム８の粘着材１０は、前述したように、非常に軟
質で流動性があり、かつ容易に剥離することができると
ともに相互に強い粘着力を有しているので、多少乱暴に
剥離しても切れてスルーホール７内に残留することはな
く、容易に剥離することができる。
【００２７】次に、保護フィルム８が剥離された電子部
品素子組付体１は、封止樹脂１１によって表面側がパッ
ケージされており、切断線１２に沿って縦横にダイシン
グすることによって個々の完成した電子部品に分離さ
れ、本発明に係わる電子部品の製造方法による電子部品
の製造が終了する。
【００２８】
【発明の効果】本発明の電子部品の製造方法では、バリ
アやシールフィルムのようなコストの掛かる副資材を用
いることなく、絶縁基板の表面側をモールドして封止す
る樹脂の回り込みを防止することができるので、副資材
及びそれに係わる加工費を不要とし、より安価な電子部
品を提供するとともに、産業廃棄物として廃棄されるこ
とになる副資材の使用を止めて産業廃棄物を減少させる
電子部品の製造方法を提供することができる。
【００２９】また、バリアやシールフィルムを無くすこ
とによって、バリアやシールフィルムの取り付けスペー
ス及びその寸法誤差や位置誤差のための隙間を不要と
し、より小型な電子部品を提供することができるととも
に、１枚の絶縁基板で製造する電子部品の数を増加する
ことによって、より安価な電子部品を提供することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係わる多数個取りに形成した電子部
品素子組付体の１例を示す図である。
【図２】 本発明の電子部品の製造方法を説明する説明
図であって、絶縁基板の裏面側に保護フィルムを貼着す
る説明図である。
【図３】 図２の実施例において、保護フィルムを貼着
して絶縁基板の表面側に樹脂封止した状態の説明図であ
る。
【図４】 図２の実施例において、保護フィルムを剥離
してダイシングし、個々の電子部品に分離した状態を示
す説明図である。
【図５】 従来技術であって、金型によってモールドす
る樹脂の形状を定める方法を示す図である。
【図６】 他の従来技術であって、バリアを設けて樹脂
の回り込みを防止する方法を示す図である。
【図７】 第３の従来技術であって、スルーホールにシ
ールテープを貼って樹脂の回り込みを防止する方法を示
す図である。
【符号の説明】
１ 電子部品素子組付体 ２ 絶縁基板 ３ 素子 ４ 回路パターン ５ ワイヤ ６ ハンダ付け電極 ７ スルーホール ８ 保護フィルム ９ 基材 １０ 粘着材 １１ 樹脂 １２ 切断線 ２０ 金型 ２１ バリア ２２ シールフィルム

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁基板上に多数個の電子部品の素子を配
    置してボンディングした電子部品素子組付体を一括して
    樹脂封止した後にダイシングして個々の電子部品に分離
    する電子部品の製造方法において、 前記絶縁基板の表面側に前記電子部品の素子を接続する
    回路パターンが多数個並列して形成され、それぞれの前
    記回路パターンが多数個並列して形成されたスルーホー
    ルに接続された多数個取りの前記絶縁基板を製造する絶
    縁基板製造工程と、 前記電子部品素子組付体の前記絶縁基板の裏面側に保護
    フィルムを貼着し、該保護フィルムを前記絶縁基板に押
    圧して粘着材を前記スルーホールに押し込み、該スルー
    ホール内を前記粘着材で充填する保護フィルム貼着工程
    と、 前記絶縁基板の表面側に設けられた前記回路パターンに
    多数個の前記電子部品の素子をそれぞれ配置してボンデ
    ィングし、電子部品素子組付体を製造するボンディング
    工程と、 前記保護フィルムが貼着された前記電子部品素子組付体
    の表面側を一括して樹脂封止する樹脂封止工程と、 前記保護フィルムを剥離する保護フィルム剥離工程と、 表面側が樹脂封止され、裏面側の保護フィルムが剥離さ
    れた前記電子部品素子組付体をダイシングして個々の電
    子部品に分離するダイシング工程とからなることを特徴
    とする電子部品の製造方法。
  2. 【請求項２】前記絶縁基板製造工程において、前記絶縁
    基板の裏面側に、前記スルーホールに連続する多数個の
    ハンダ付け電極を設けることを特徴とする請求項１記載
    の電子部品の製造方法。
  3. 【請求項３】前記保護フィルム貼着工程において、前記
    保護フィルムを前記絶縁基板に熱圧着し、前記保護フィ
    ルムの前記粘着材を加熱軟化して前記絶縁基板の前記ス
    ルーホールに押し込むことを特徴とする請求項１記載の
    電子部品の製造方法。
JP37692398A 1998-12-28 1998-12-28 電子部品の製造方法 Expired - Lifetime JP4257807B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37692398A JP4257807B2 (ja) 1998-12-28 1998-12-28 電子部品の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37692398A JP4257807B2 (ja) 1998-12-28 1998-12-28 電子部品の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000200927A true JP2000200927A (ja) 2000-07-18
JP4257807B2 JP4257807B2 (ja) 2009-04-22

Family

ID=18507959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37692398A Expired - Lifetime JP4257807B2 (ja) 1998-12-28 1998-12-28 電子部品の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4257807B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324417A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sharp Corp 半導体発光装置とその製造方法
JP2008205462A (ja) * 2007-02-12 2008-09-04 Cree Inc フロントコンタクトを有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
JP2010225757A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 多面付け基板および半導体発光装置の製造方法。
JP2011129862A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007324417A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Sharp Corp 半導体発光装置とその製造方法
JP2008205462A (ja) * 2007-02-12 2008-09-04 Cree Inc フロントコンタクトを有するパッケージ化された半導体発光デバイスを圧縮成形により形成する方法
US8669573B2 (en) 2007-02-12 2014-03-11 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US8822245B2 (en) 2007-02-12 2014-09-02 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements and methods of forming the same
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
JP2010225757A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Stanley Electric Co Ltd 多面付け基板および半導体発光装置の製造方法。
JP2011129862A (ja) * 2009-11-19 2011-06-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置
US9653661B2 (en) 2009-11-19 2017-05-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device, method of manufacturing the same, method of mounting the same and lighting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP4257807B2 (ja) 2009-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100552353B1 (ko) 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
JP3744927B2 (ja) カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法
JP5333529B2 (ja) モールドパッケージの製造方法
KR100214552B1 (ko) 캐리어프레임 및 서브스트레이트와 이들을 이용한 볼 그리드 어 레이 패키지의 제조방법
JP4257807B2 (ja) 電子部品の製造方法
US5984699A (en) Method of fabricating a semiconductor device
JPH08236578A (ja) 半導体素子のフリップチップ実装方法およびこの実装方 法に用いられる接着剤
JPH06342816A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びにそれらに用いるリードフレーム
JP2003273309A (ja) リードフレーム及び半導体装置並びにそれらの製造方法
JPH06295971A (ja) 半導体装置及びそのリードフレーム
CN108831839B (zh) 一种去除半导体塑封制程中所产生毛边的方法
JP6837330B2 (ja) 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JPH0366152A (ja) 半導体集積回路モジュール
KR100214563B1 (ko) 반도체 패키지용 기판 및 반도체 패키지 제조방법
JPS61285730A (ja) 半導体装置の製造方法及びこれに用いる樹脂封止部材
JP3711669B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPH08236684A (ja) リードフレームの製造方法およびこれを用いた半導体装置
JPH04284650A (ja) Ｏリングパッケージ
JPH0225061A (ja) 半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム
JPH07201899A (ja) 半導体素子の封止方法及び封止装置
JP2000228463A (ja) 半導体装置製造用金属フレーム、その製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2004335945A (ja) 半導体装置の製造用金型および半導体装置の製造方法
JPH07211738A (ja) 回路素子の封止方法
JPS61228635A (ja) Ｉｃチツプの実装方法
JP2001044333A (ja) Ｉｃパッケージの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080917

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090130

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120213

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150213

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term