JPH07183416A - 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 - Google Patents
半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法Info
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- JPH07183416A JPH07183416A JP32821993A JP32821993A JPH07183416A JP H07183416 A JPH07183416 A JP H07183416A JP 32821993 A JP32821993 A JP 32821993A JP 32821993 A JP32821993 A JP 32821993A JP H07183416 A JPH07183416 A JP H07183416A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置用箱型樹脂成形体の成形時に、リ
ードフレーム上に発生する樹脂バリを簡単な手段で除去
する方法を提供する。 【構成】 半導体素子が接続されるリードフレームを金
型内にインサートし、該金型内で樹脂を固化させること
により、該リードフレームが一体とされると共に内部の
スペースに前記半導体素子が気密封入される半導体装置
用箱型樹脂成形体の製造方法において、前記金型におけ
る前記スペースを形成するための突出部の前記リードフ
レームと対向する部位の表面粗さが０．５ないし２０μ
ｍとされていることを特徴とする半導体装置用箱型樹脂
成形体の製造方法。
ードフレーム上に発生する樹脂バリを簡単な手段で除去
する方法を提供する。 【構成】 半導体素子が接続されるリードフレームを金
型内にインサートし、該金型内で樹脂を固化させること
により、該リードフレームが一体とされると共に内部の
スペースに前記半導体素子が気密封入される半導体装置
用箱型樹脂成形体の製造方法において、前記金型におけ
る前記スペースを形成するための突出部の前記リードフ
レームと対向する部位の表面粗さが０．５ないし２０μ
ｍとされていることを特徴とする半導体装置用箱型樹脂
成形体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置用箱型樹脂
成形体の製造方法に関するものであり、より詳しくは、
リードフレームを金型にインサートして半導体装置用箱
型樹脂成形体とリードフレームとを一体成形する際に、
リードフレーム上、特に、リードフレームと、半導体装
置用箱型樹脂成形体のスペースを形成する壁面とが交差
する部位に発生するフラッシュバリを、成形体に何らの
損傷も与えずに、効率的に除去し、高品質の半導体装置
用箱型樹脂成形体を製造する方法に関する。
成形体の製造方法に関するものであり、より詳しくは、
リードフレームを金型にインサートして半導体装置用箱
型樹脂成形体とリードフレームとを一体成形する際に、
リードフレーム上、特に、リードフレームと、半導体装
置用箱型樹脂成形体のスペースを形成する壁面とが交差
する部位に発生するフラッシュバリを、成形体に何らの
損傷も与えずに、効率的に除去し、高品質の半導体装置
用箱型樹脂成形体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】ＩＣ、ＬＳＩなどの半
導体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な
ゴミやほこりに影響され、その特性が微妙に変化してし
まうことや、機械的衝撃によって破損し易いことなどの
理由で、パッケージ内に封止された状態で使用に供され
ている。
導体素子は、周囲の温度や湿度の変化、あるいは微細な
ゴミやほこりに影響され、その特性が微妙に変化してし
まうことや、機械的衝撃によって破損し易いことなどの
理由で、パッケージ内に封止された状態で使用に供され
ている。
【０００３】パッケージ方式としては、大別して気密封
止方式と樹脂封止方式とがある。気密封止方式では、一
般にはセラミックスが用いられているが、熱硬化性樹脂
を用いることも試みられている。熱硬化性樹脂を用いる
場合には、リードフレームの一部を構成すると共に、樹
脂中空封止体（半導体装置用箱型樹脂成形体）の中央部
に設けられたリードフレームのアイランド部に接着剤に
よって固着された半導体素子は、インサート成形によっ
て半導体装置用樹脂成形体内に封入され、その両端がパ
ッケージの内側と外側に解放されたリードフレームと、
ボンディングワイヤーによって連結されている。
止方式と樹脂封止方式とがある。気密封止方式では、一
般にはセラミックスが用いられているが、熱硬化性樹脂
を用いることも試みられている。熱硬化性樹脂を用いる
場合には、リードフレームの一部を構成すると共に、樹
脂中空封止体（半導体装置用箱型樹脂成形体）の中央部
に設けられたリードフレームのアイランド部に接着剤に
よって固着された半導体素子は、インサート成形によっ
て半導体装置用樹脂成形体内に封入され、その両端がパ
ッケージの内側と外側に解放されたリードフレームと、
ボンディングワイヤーによって連結されている。
【０００４】ところで、リードフレームと半導体装置用
箱型樹脂成形体との一体成形は、金型内にリードフレー
ムをインサートした後、この金型内で熱硬化性樹脂を射
出成形あるいはトランスファー成形することによりなさ
れる。
箱型樹脂成形体との一体成形は、金型内にリードフレー
ムをインサートした後、この金型内で熱硬化性樹脂を射
出成形あるいはトランスファー成形することによりなさ
れる。
【０００５】しかしながら、この成形方法においては、
リードフレームにおける半導体装置用箱型樹脂成形体内
に位置する部位の表面、特にリードフレームにおける半
導体装置用箱型樹脂成形体内に位置する部位が、半導体
装置用箱型樹脂成形体のスペースを形成する壁部の内面
と交わる部位に、樹脂のフラッシュバリが発生し、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を妨げるという
問題があった。さらに、フラッシュバリが電気的接続を
妨げない小さなものであっても、微細なゴミの混入さえ
嫌う半導体装置にとっては、このようなフラッシュバリ
は完全に除去しなければならない。
リードフレームにおける半導体装置用箱型樹脂成形体内
に位置する部位の表面、特にリードフレームにおける半
導体装置用箱型樹脂成形体内に位置する部位が、半導体
装置用箱型樹脂成形体のスペースを形成する壁部の内面
と交わる部位に、樹脂のフラッシュバリが発生し、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を妨げるという
問題があった。さらに、フラッシュバリが電気的接続を
妨げない小さなものであっても、微細なゴミの混入さえ
嫌う半導体装置にとっては、このようなフラッシュバリ
は完全に除去しなければならない。
【０００６】従来、このようなフラッシュバリを除去す
る方法としては、例えば、砥粒を用いるブラスト法、薬
品を用いてフラッシュバリを溶解剥離する方法、あるい
は液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去する方法な
どが知られている。しかしながら、上記ブラスト方法で
は、樹脂モールド部の表面が砥粒との摩擦によって損傷
するため、樹脂モールド部分の表面をマスキングしなけ
ればならず、製造工程が複雑になるという問題があっ
た。また薬品を用いる方法では、フラッシュバリを剥離
することはできても、完全に取り除くことが極めて困難
であり、さらに、超音波洗浄などを行う必要があるた
め、樹脂モールド部の表面が損傷し、上記ブラスト法と
同様に製造工程が複雑になるという問題があった。
る方法としては、例えば、砥粒を用いるブラスト法、薬
品を用いてフラッシュバリを溶解剥離する方法、あるい
は液体を高圧噴射してフラッシュバリを除去する方法な
どが知られている。しかしながら、上記ブラスト方法で
は、樹脂モールド部の表面が砥粒との摩擦によって損傷
するため、樹脂モールド部分の表面をマスキングしなけ
ればならず、製造工程が複雑になるという問題があっ
た。また薬品を用いる方法では、フラッシュバリを剥離
することはできても、完全に取り除くことが極めて困難
であり、さらに、超音波洗浄などを行う必要があるた
め、樹脂モールド部の表面が損傷し、上記ブラスト法と
同様に製造工程が複雑になるという問題があった。
【０００７】また、液体を高圧噴射する方法では、リー
ドフレームに付着しているフラッシュバリを除去するた
めには、半導体装置用箱型樹脂成形体のフラッシュバリ
が形成された部位に、１００Ｋｇ／ｃｍ2 以上もの高圧
液体を噴射する必要があり、そのため、樹脂モールド部
にクラックが生じ易いという問題があった。
ドフレームに付着しているフラッシュバリを除去するた
めには、半導体装置用箱型樹脂成形体のフラッシュバリ
が形成された部位に、１００Ｋｇ／ｃｍ2 以上もの高圧
液体を噴射する必要があり、そのため、樹脂モールド部
にクラックが生じ易いという問題があった。
【０００８】本発明者らは、前記フラッシュバリの除去
方法について、研究を重ねてきたところであり、すで
に、インサート成形前のリードフレームの露出部分、す
なわち、半導体装置用箱型樹脂成形体と接触しない部分
に、融点または軟化点が、該封止体の成形温度以上であ
って、かつ該封止体を溶解することのない溶媒に可溶な
有機高分子物質を塗布しておき、このリードフレームを
金型内に設置した状態で、樹脂を射出またはトランスフ
ァー成形によって一体成形し、得られた樹脂中空封止体
を前記溶媒に浸してリードフレームの有機高分子物質を
溶解除去することによって、その上面に発生したフラッ
シュバリを同時に除去する方法を先に開発し、特許出願
をしている（特開平２−５１２６０号公報参照）。
方法について、研究を重ねてきたところであり、すで
に、インサート成形前のリードフレームの露出部分、す
なわち、半導体装置用箱型樹脂成形体と接触しない部分
に、融点または軟化点が、該封止体の成形温度以上であ
って、かつ該封止体を溶解することのない溶媒に可溶な
有機高分子物質を塗布しておき、このリードフレームを
金型内に設置した状態で、樹脂を射出またはトランスフ
ァー成形によって一体成形し、得られた樹脂中空封止体
を前記溶媒に浸してリードフレームの有機高分子物質を
溶解除去することによって、その上面に発生したフラッ
シュバリを同時に除去する方法を先に開発し、特許出願
をしている（特開平２−５１２６０号公報参照）。
【０００９】本発明者らは、前記発明をさらに改良する
過程において、さらに簡単な手段で、確実にフラッシュ
バリのみを除去する方法について研究を継続してきたと
ころ、新たに、成形用金型における半導体装置用箱型樹
脂成形体の中空部成形用突出部のうち、少なくともリー
ドフレームと内部リード部との接触予定表面（内部リー
ド部と接触されるべき表面）を粗面化することにより半
導体装置用箱型樹脂成形体の内部リード部のフラッシュ
バリ表面に凹凸が成形されるという知見を得、さらに、
この凹凸部に、高圧の水を噴射することによって、フラ
ッシュバリを完全に除去できるという新たな知見を得、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
過程において、さらに簡単な手段で、確実にフラッシュ
バリのみを除去する方法について研究を継続してきたと
ころ、新たに、成形用金型における半導体装置用箱型樹
脂成形体の中空部成形用突出部のうち、少なくともリー
ドフレームと内部リード部との接触予定表面（内部リー
ド部と接触されるべき表面）を粗面化することにより半
導体装置用箱型樹脂成形体の内部リード部のフラッシュ
バリ表面に凹凸が成形されるという知見を得、さらに、
この凹凸部に、高圧の水を噴射することによって、フラ
ッシュバリを完全に除去できるという新たな知見を得、
この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１０】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、リードフレー
ムや樹脂モールド部の損傷を伴うことなく、フラッシュ
バリを完全に除去できる半導体装置用箱型樹脂成形体を
製造する方法を提供することにある。
ムや樹脂モールド部の損傷を伴うことなく、フラッシュ
バリを完全に除去できる半導体装置用箱型樹脂成形体を
製造する方法を提供することにある。
【００１１】
【問題点を解決するための手段】本発明は、前記目的を
達成するために提案されたものであって、成形金型の一
部を特定の表面粗さに粗面化処理することを特徴として
いる。すなわち、本発明によれば、半導体素子が接続さ
れるリードフレームを金型内にインサートし、該金型内
で樹脂を固化させることにより、該リードフレームが一
体とされると共に内部のスペースに前記半導体素子が気
密封入される半導体装置用箱型樹脂成形体を製造する方
法において、前記金型における前記スペースを形成する
ための突出部の前記リードフレームと対向する部位の表
面粗さが０．５ないし２０μｍとされていることを特徴
とする半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法が提供さ
れる。
達成するために提案されたものであって、成形金型の一
部を特定の表面粗さに粗面化処理することを特徴として
いる。すなわち、本発明によれば、半導体素子が接続さ
れるリードフレームを金型内にインサートし、該金型内
で樹脂を固化させることにより、該リードフレームが一
体とされると共に内部のスペースに前記半導体素子が気
密封入される半導体装置用箱型樹脂成形体を製造する方
法において、前記金型における前記スペースを形成する
ための突出部の前記リードフレームと対向する部位の表
面粗さが０．５ないし２０μｍとされていることを特徴
とする半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法が提供さ
れる。
【００１２】従来方法においては、フラッシュバリ表面
は平坦であったため、高圧の水を噴射してもフラッシュ
バリに十分な大きさの剥離力を作用させることができ
ず、フラッシュバリを完全に除去することはできなかっ
たが、上記手段によれば、リードフレームのフラッシュ
バリ表面に、凹凸が形成されるので、その部分に高圧の
水を噴射すると、凹凸部の凸部に高圧水によって、十分
な大きさの剥離力を作用させることができるようにな
り、フラッシュバリをリードフレームから完全に除去す
ることができる。
は平坦であったため、高圧の水を噴射してもフラッシュ
バリに十分な大きさの剥離力を作用させることができ
ず、フラッシュバリを完全に除去することはできなかっ
たが、上記手段によれば、リードフレームのフラッシュ
バリ表面に、凹凸が形成されるので、その部分に高圧の
水を噴射すると、凹凸部の凸部に高圧水によって、十分
な大きさの剥離力を作用させることができるようにな
り、フラッシュバリをリードフレームから完全に除去す
ることができる。
【００１３】上記手段において、成形金型の表面を粗面
化するためには、例えば、放電加工、あるいは、ショッ
トブラスト法が用いられる。粗面化された金型表面の表
面粗さは、０．５ないし２０μｍが好ましい。金属表面
の表面粗さがこの範囲にあることにより、フラッシュバ
リの厚さが剥離するのに適切なものとなり、フラッシュ
バリの剥離操作が容易になる。上記のように表面を粗面
化した金型を用いて得られた半導体装置用箱型樹脂成形
体の内部リード部（リードフレームにおける半導体装置
用箱型樹脂成形体のスペースに位置する部位）に形成さ
れたフラッシュバリ表面は、金型と同様に粗面化された
凹凸面となる。なお、本発明において、表面粗さの値
は、JIS B0601-82で定義された値を示しており、凹凸面
の最大高さを示している。
化するためには、例えば、放電加工、あるいは、ショッ
トブラスト法が用いられる。粗面化された金型表面の表
面粗さは、０．５ないし２０μｍが好ましい。金属表面
の表面粗さがこの範囲にあることにより、フラッシュバ
リの厚さが剥離するのに適切なものとなり、フラッシュ
バリの剥離操作が容易になる。上記のように表面を粗面
化した金型を用いて得られた半導体装置用箱型樹脂成形
体の内部リード部（リードフレームにおける半導体装置
用箱型樹脂成形体のスペースに位置する部位）に形成さ
れたフラッシュバリ表面は、金型と同様に粗面化された
凹凸面となる。なお、本発明において、表面粗さの値
は、JIS B0601-82で定義された値を示しており、凹凸面
の最大高さを示している。
【００１４】
【発明の具体的説明】本発明の最大の技術的特徴は、図
１に想像線で示される上型７における、突出部８の先端
面８ａ、８ｂ、８ｃが、０．５ないし２０μｍの表面粗
さに成形されている点にあり、この上型７及び下型９と
の間で樹脂を固化することによって半導体装置用箱型樹
脂成形体１を製造するものである。この方法によれば、
上型７及び下型９間にインサートされたリードフレーム
２の内部リード部２ｂに形成されるフラッシュバリに、
先端部８ａ、８ｂ、８ｃの凹凸に対応する凹凸部が形成
されるので、この凸部に十分な大きさの剥離力を作用さ
せて、フラッシュバリ３を完全に除去することができ
る。
１に想像線で示される上型７における、突出部８の先端
面８ａ、８ｂ、８ｃが、０．５ないし２０μｍの表面粗
さに成形されている点にあり、この上型７及び下型９と
の間で樹脂を固化することによって半導体装置用箱型樹
脂成形体１を製造するものである。この方法によれば、
上型７及び下型９間にインサートされたリードフレーム
２の内部リード部２ｂに形成されるフラッシュバリに、
先端部８ａ、８ｂ、８ｃの凹凸に対応する凹凸部が形成
されるので、この凸部に十分な大きさの剥離力を作用さ
せて、フラッシュバリ３を完全に除去することができ
る。
【００１５】図１において、符号１で示される半導体装
置用箱型樹脂成形体は、リードフレーム２がインサート
された上型７と下型９との間に、射出成形あるいはトラ
ンスファー成形によって、樹脂を固化させることによっ
て成形される。これにより、リードフレーム２が一体と
された半導体装置用箱型樹脂成形体１が得られる。半導
体装置用箱型樹脂成形体１を構成する材料としては、密
着性のよい熱硬化性樹脂、例えば、ビスフェノールＡ
型、ノボラック型、グリシジルアミン型などのエポキシ
樹脂、ポリアミンビスマレイミド、ポリピロメリットイ
ミドなどのイミド系樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂などの材料が使用される。
置用箱型樹脂成形体は、リードフレーム２がインサート
された上型７と下型９との間に、射出成形あるいはトラ
ンスファー成形によって、樹脂を固化させることによっ
て成形される。これにより、リードフレーム２が一体と
された半導体装置用箱型樹脂成形体１が得られる。半導
体装置用箱型樹脂成形体１を構成する材料としては、密
着性のよい熱硬化性樹脂、例えば、ビスフェノールＡ
型、ノボラック型、グリシジルアミン型などのエポキシ
樹脂、ポリアミンビスマレイミド、ポリピロメリットイ
ミドなどのイミド系樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリ
エステル樹脂などの材料が使用される。
【００１６】インサート成形の条件は、使用する樹脂に
よっても異なるが、エポキシ樹脂を使用した場合には、
１０ないし５００Ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度１５０ないし２
００℃で、１ないし５分の成形条件が好ましい。リード
フレーム２は、４２アロイや銅合金からなり、成形の
際、このリードフレーム２の表面、とくに、半導体装置
用箱型樹脂成形体１のスペース１０を形成する側壁の内
面１０ａと内部リード部２ｂとが直交する部位３ａ、及
び半導体装置用箱型樹脂成形体１のスペース１０を形成
する側壁の内面１０ｂとリードフレーム２のアイランド
部２ｃとが直交する部位３ｂにフラッシュバリ３が発生
する。
よっても異なるが、エポキシ樹脂を使用した場合には、
１０ないし５００Ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度１５０ないし２
００℃で、１ないし５分の成形条件が好ましい。リード
フレーム２は、４２アロイや銅合金からなり、成形の
際、このリードフレーム２の表面、とくに、半導体装置
用箱型樹脂成形体１のスペース１０を形成する側壁の内
面１０ａと内部リード部２ｂとが直交する部位３ａ、及
び半導体装置用箱型樹脂成形体１のスペース１０を形成
する側壁の内面１０ｂとリードフレーム２のアイランド
部２ｃとが直交する部位３ｂにフラッシュバリ３が発生
する。
【００１７】上記の如く形成されたフラッシュバリ３
は、噴射圧力１００ないし１５００Ｋｇｆ／ｃｍ2 、好
ましくは、２０ないし５００Ｋｇｆ／ｃｍ2 で、噴射ノ
ズルより高圧水を噴射することにより、フラッシュバリ
３の凸部に十分な剥離力が作用するので、フラッシュバ
リ３は容易に除去される。高圧水の噴射時間はせいぜい
かかっても３０秒程度、通常は、２０秒以内で完全にフ
ラッシュバリ３を除去でき、この方法によれば、砥粒を
用いたブラスト法に比べ、リードフレーム２の損傷を著
しく抑制することができると共に、粉塵の発生もなく、
薬品による溶解剥離方式と比べても、樹脂モールドの損
傷がないという点で、高度のクリーン度ならびに精密度
が要求される半導体装置の製造方法として適しているも
のであることが理解されよう。
は、噴射圧力１００ないし１５００Ｋｇｆ／ｃｍ2 、好
ましくは、２０ないし５００Ｋｇｆ／ｃｍ2 で、噴射ノ
ズルより高圧水を噴射することにより、フラッシュバリ
３の凸部に十分な剥離力が作用するので、フラッシュバ
リ３は容易に除去される。高圧水の噴射時間はせいぜい
かかっても３０秒程度、通常は、２０秒以内で完全にフ
ラッシュバリ３を除去でき、この方法によれば、砥粒を
用いたブラスト法に比べ、リードフレーム２の損傷を著
しく抑制することができると共に、粉塵の発生もなく、
薬品による溶解剥離方式と比べても、樹脂モールドの損
傷がないという点で、高度のクリーン度ならびに精密度
が要求される半導体装置の製造方法として適しているも
のであることが理解されよう。
【００１８】フラッシュバリ３を除去した後の半導体装
置用箱型樹脂成形体１には、図２に示されるように、リ
ードフレーム２のアイランド部２ｃに半導体素子４が載
置され、この半導体素子４は、ボンディングワイヤー５
で、内部リード部２ｂと半導体素子４が連結される。次
いで、透明ないし半透明のプラスチック板、石英ガラス
板、サファイヤ板、アルミナ板などの蓋材６が、半導体
装置用箱型樹脂成形体１の開口部に接着されて気密封止
された半導体装置が形成される。
置用箱型樹脂成形体１には、図２に示されるように、リ
ードフレーム２のアイランド部２ｃに半導体素子４が載
置され、この半導体素子４は、ボンディングワイヤー５
で、内部リード部２ｂと半導体素子４が連結される。次
いで、透明ないし半透明のプラスチック板、石英ガラス
板、サファイヤ板、アルミナ板などの蓋材６が、半導体
装置用箱型樹脂成形体１の開口部に接着されて気密封止
された半導体装置が形成される。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、リードフレームに形成
されたフラッシュバリを、半導体装置用箱型樹脂成形
体、及びリードフレームに損傷を与えることなく、容易
に、しかも確実に除去することができ、高品質の半導体
装置を製造する方法を提供することができる。
されたフラッシュバリを、半導体装置用箱型樹脂成形
体、及びリードフレームに損傷を与えることなく、容易
に、しかも確実に除去することができ、高品質の半導体
装置を製造する方法を提供することができる。
【００２０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。図１に示す如く、リードフレーム２における内部リ
ード部２ｂとアイランド部２ｃに厚さ１．５μｍの金メ
ッキを施した４２アロイ製のリードフレーム２をトラン
スファー成形機の上型７及び下型９の所定の位置にイン
サートした。次いで、ノボラック型エポキシ樹脂を、温
度１７５℃、圧力７０Ｋｇ／ｃｍ2 、時間２ｍｉｎの条
件下で、インサート成形した後、温度１７５℃で４時間
の後硬化を行って、図１に示すような半導体装置用箱型
樹脂成形体１を得た。この時、上型７の先端面８ａ、８
ｂ、８ｃの表面は、Ｒｚで、３ないし１５μｍの粗さと
なっており、得られた成形体のフラッシュバリ３の表面
粗さも３ないし１５μｍであった。
る。図１に示す如く、リードフレーム２における内部リ
ード部２ｂとアイランド部２ｃに厚さ１．５μｍの金メ
ッキを施した４２アロイ製のリードフレーム２をトラン
スファー成形機の上型７及び下型９の所定の位置にイン
サートした。次いで、ノボラック型エポキシ樹脂を、温
度１７５℃、圧力７０Ｋｇ／ｃｍ2 、時間２ｍｉｎの条
件下で、インサート成形した後、温度１７５℃で４時間
の後硬化を行って、図１に示すような半導体装置用箱型
樹脂成形体１を得た。この時、上型７の先端面８ａ、８
ｂ、８ｃの表面は、Ｒｚで、３ないし１５μｍの粗さと
なっており、得られた成形体のフラッシュバリ３の表面
粗さも３ないし１５μｍであった。
【００２１】つぎに、該半導体装置用箱型樹脂成形体１
を取り出し水洗したのち、口径０．５ｍｍのノズルから
圧力３００Ｋｇ／ｃｍ2 で水を噴射したところ、リード
フレーム２に形成されたフラッシュバリ３に３秒間噴射
するだけで、フラッシュバリ３は、リードフレーム２か
ら完全に剥離し除去され、一方、リードフレーム２や樹
脂モールド部の損傷は認められなかった。かくして得ら
れたフラッシュバリ３を除去した半導体装置用箱型樹脂
成形体１を乾燥後、リードフレーム２のアイランド部２
ｃに半導体素子４をエポキシ系銀ペーストでダイボンデ
ィングする。ついで、内部リード部２ｃと、半導体素子
４の電極とをボンディングワイヤ５（金線）でボンディ
ングするが、フラッシュバリ３は完全に除去されている
ので、電気的に接続不良等のない良好な状態でボンディ
ングでき、ボンディング強度も規格値を満たしていた。
を取り出し水洗したのち、口径０．５ｍｍのノズルから
圧力３００Ｋｇ／ｃｍ2 で水を噴射したところ、リード
フレーム２に形成されたフラッシュバリ３に３秒間噴射
するだけで、フラッシュバリ３は、リードフレーム２か
ら完全に剥離し除去され、一方、リードフレーム２や樹
脂モールド部の損傷は認められなかった。かくして得ら
れたフラッシュバリ３を除去した半導体装置用箱型樹脂
成形体１を乾燥後、リードフレーム２のアイランド部２
ｃに半導体素子４をエポキシ系銀ペーストでダイボンデ
ィングする。ついで、内部リード部２ｃと、半導体素子
４の電極とをボンディングワイヤ５（金線）でボンディ
ングするが、フラッシュバリ３は完全に除去されている
ので、電気的に接続不良等のない良好な状態でボンディ
ングでき、ボンディング強度も規格値を満たしていた。
【００２２】この様に、リードフレームをインサート成
形して得られた箱型樹脂成形体は、その後に行う高圧水
によるクリーニング処理において、噴射する水圧が比較
的低圧でもフラッシュバリ３を除去することができ、し
たがって、リードフレーム２や樹脂モールド部を損傷す
ることなく、成形バリのない良好な箱型樹脂成形体を得
ることができる。
形して得られた箱型樹脂成形体は、その後に行う高圧水
によるクリーニング処理において、噴射する水圧が比較
的低圧でもフラッシュバリ３を除去することができ、し
たがって、リードフレーム２や樹脂モールド部を損傷す
ることなく、成形バリのない良好な箱型樹脂成形体を得
ることができる。
【図１】フラッシュバリが形成された状態の中空封止体
及びリードフレームを示す断面図である。
及びリードフレームを示す断面図である。
【図２】フラッシュバリを除去した後の半導体装置を示
す断面図である。
す断面図である。
１ 半導体装置用箱型樹脂成形体 ２ リードフレーム ４ 半導体素子 ７ 上型（金型） ８ 突出部 8a 先端面（リードフレームと対向する部位） 8b 先端面（リードフレームと対向する部位） 8c 先端面（リードフレームと対向する部位） ９ 下型（金型） 10 スペース
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子が接続されるリードフレーム
を金型内にインサートし、該金型内で樹脂を固化させる
ことにより、該リードフレームが一体とされると共に内
部のスペースに前記半導体素子が気密封入される半導体
装置用箱型樹脂成形体の製造方法において、前記金型に
おける前記スペースを形成するための突出部の前記リー
ドフレームと対向する部位の表面粗さが０．５ないし２
０μｍとされていることを特徴とする半導体装置用箱型
樹脂成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32821993A JP2810309B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32821993A JP2810309B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183416A true JPH07183416A (ja) | 1995-07-21 |
| JP2810309B2 JP2810309B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=18207783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32821993A Expired - Lifetime JP2810309B2 (ja) | 1993-12-24 | 1993-12-24 | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810309B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8723298B2 (en) | 2008-11-06 | 2014-05-13 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package component, metal component with resin, resin-encapsulated semiconductor device, and methods for producing the same |
| US8946746B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-02-03 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same |
| KR20170002945A (ko) * | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 모듈 제조장치 및 제조방법 |
-
1993
- 1993-12-24 JP JP32821993A patent/JP2810309B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8723298B2 (en) | 2008-11-06 | 2014-05-13 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package component, metal component with resin, resin-encapsulated semiconductor device, and methods for producing the same |
| US8946746B2 (en) | 2008-12-25 | 2015-02-03 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same |
| US9960325B2 (en) | 2008-12-25 | 2018-05-01 | Panasonic Corporation | Lead, wiring member, package part, metal part provided with resin and resin-sealed semiconductor device, and methods for producing same |
| KR20170002945A (ko) * | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 삼성전기주식회사 | 반도체 패키지 모듈 제조장치 및 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2810309B2 (ja) | 1998-10-15 |
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