JPS61283134A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61283134A JPS61283134A JP12538185A JP12538185A JPS61283134A JP S61283134 A JPS61283134 A JP S61283134A JP 12538185 A JP12538185 A JP 12538185A JP 12538185 A JP12538185 A JP 12538185A JP S61283134 A JPS61283134 A JP S61283134A
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- H01L2924/1815—Shape
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
さらに詳しくはダイＡ゛−ド、ｉｃ、ＬＳｒ＊を樹脂封
止した半導体装置の製造方法に関する。
止した半導体装置の製造方法に関する。
（ロ）従来の技術
樹脂封止型半導体装置を製造する方法としてトランスフ
ァ成形法が広く行なわれている。この−例を第３図に示
す。まず、メタルリボンから手］ち抜かれたリードフレ
ームの一方のインナリード部（２にダイオード、ＩＣ，
ＬＳＩ等のチップ（４）をダイボンドしさらに金線（５
）で他方のリードフレームのインナリード部（３）にワ
イヤボンドしたものを、上部金型（７）とこれを受ける
下部金型（８）とで作られる成形室（キャビティ）（６
）にクランプする。上部金型（７）には、第２図に示す
ように加熱子（トランスファボット）のとランナー面に
続く注入口（スプル）（１υがある。成形材料である熱
硬化性樹脂はトランスファボット（［）ｌで予熱されて
可塑化された後、上部よりプランジャ（９）より加圧さ
れてスプル０１）、ランナ０２１１ゲート０３）を通っ
てキＡ７ビテイ（６）に導びかれるがこのとぎキャビテ
ィ（６）内を充填した樹脂はそこにクランプされている
チップ（４）、金線（５）、インナリード部（２１（３
１を包んで硬化し樹脂封止することになる。しかしこの
方法においては第３図に示すようにアウタリード部（１
３（１）と上部金型（力及び下部金型（８）との間に少
なくとも１０膚程度の間隙（Ａ）が生じ、ことに加圧の
際に樹脂が流れ出てアウタリード部［） （１）にパリ
を形成するという不都合が生じる。すなわち、アウタリ
ード部には半田付性の向上、防錆等のためにスズメッキ
、半田メッキ等の処理を施すが、この際、リード上に存
在する封止樹脂によるパリを除去しなければならない。
ァ成形法が広く行なわれている。この−例を第３図に示
す。まず、メタルリボンから手］ち抜かれたリードフレ
ームの一方のインナリード部（２にダイオード、ＩＣ，
ＬＳＩ等のチップ（４）をダイボンドしさらに金線（５
）で他方のリードフレームのインナリード部（３）にワ
イヤボンドしたものを、上部金型（７）とこれを受ける
下部金型（８）とで作られる成形室（キャビティ）（６
）にクランプする。上部金型（７）には、第２図に示す
ように加熱子（トランスファボット）のとランナー面に
続く注入口（スプル）（１υがある。成形材料である熱
硬化性樹脂はトランスファボット（［）ｌで予熱されて
可塑化された後、上部よりプランジャ（９）より加圧さ
れてスプル０１）、ランナ０２１１ゲート０３）を通っ
てキＡ７ビテイ（６）に導びかれるがこのとぎキャビテ
ィ（６）内を充填した樹脂はそこにクランプされている
チップ（４）、金線（５）、インナリード部（２１（３
１を包んで硬化し樹脂封止することになる。しかしこの
方法においては第３図に示すようにアウタリード部（１
３（１）と上部金型（力及び下部金型（８）との間に少
なくとも１０膚程度の間隙（Ａ）が生じ、ことに加圧の
際に樹脂が流れ出てアウタリード部［） （１）にパリ
を形成するという不都合が生じる。すなわち、アウタリ
ード部には半田付性の向上、防錆等のためにスズメッキ
、半田メッキ等の処理を施すが、この際、リード上に存
在する封止樹脂によるパリを除去しなければならない。
そしてこの除去の方法として従来からギ酸等の強酸や強
アルカリによるパリの膨潤・溶解の化学的処理、プラス
ターやホーニング等の機械的処理等が行なわれていた。
アルカリによるパリの膨潤・溶解の化学的処理、プラス
ターやホーニング等の機械的処理等が行なわれていた。
（ハ）発明が解決しようとする問題点
しかしながら、離型後強酸、強アルカリ等の薬剤に、パ
リ発生のアウタリード部を浸漬してｌＢ潤または溶解さ
せて除去する化学的処理方法の場合、薬剤飛沫による成
形表面のＷＢ潤、くもり等を生じやすく、また１！ＩＩ
型後プラスターやホーニング等の機械的処理法の場合に
も、ホーニング用のプラスチック微粉末による成形表面
等へのスリ状キズ等を発生するなど成形品にダメージを
与えることは避は難い。特に発光ダイオード（ＬＥＤ）
やホトトランジスタ等のトランスファ成形では封止樹脂
として透明樹脂を使用しなければならず、これらの透明
樹脂はＩＣ等に用いられる形成樹脂に比べてフィシ等が
混入されていない為流動性が高くパリの発生が多い。こ
れらのダイオードやトランジスタの従来の方法による成
形並びにパリ除去により仕上げられた透明樹脂パッケー
ジにはパリ除去時にできた表面の膨潤、くもり、キズ等
の影響が大きく製品としてのダメージも大ぎい。
リ発生のアウタリード部を浸漬してｌＢ潤または溶解さ
せて除去する化学的処理方法の場合、薬剤飛沫による成
形表面のＷＢ潤、くもり等を生じやすく、また１！ＩＩ
型後プラスターやホーニング等の機械的処理法の場合に
も、ホーニング用のプラスチック微粉末による成形表面
等へのスリ状キズ等を発生するなど成形品にダメージを
与えることは避は難い。特に発光ダイオード（ＬＥＤ）
やホトトランジスタ等のトランスファ成形では封止樹脂
として透明樹脂を使用しなければならず、これらの透明
樹脂はＩＣ等に用いられる形成樹脂に比べてフィシ等が
混入されていない為流動性が高くパリの発生が多い。こ
れらのダイオードやトランジスタの従来の方法による成
形並びにパリ除去により仕上げられた透明樹脂パッケー
ジにはパリ除去時にできた表面の膨潤、くもり、キズ等
の影響が大きく製品としてのダメージも大ぎい。
本発明は係る点に鑑みなされたもので、トランスファ成
形による樹脂封止の際のパリ発生を防止した樹脂封止型
半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
形による樹脂封止の際のパリ発生を防止した樹脂封止型
半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。
（ニ）問題点を解決するための手段及び作用かくして本
発明によれば、リードフレームを備えた樹脂封止型半導
体装置をトランスファ成形によって製造する方法におい
て、樹脂封止を意図しないリードフレームのアウタリー
ド部に、成形前予め成形時の熱に対して耐熱性を有し、
かつ少なくとも一つの溶剤に易溶性の樹脂膜を形成した
後トランスファ成形に付し、成形後該樹脂膜を上記溶剤
で溶解除去することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法が提供される。
発明によれば、リードフレームを備えた樹脂封止型半導
体装置をトランスファ成形によって製造する方法におい
て、樹脂封止を意図しないリードフレームのアウタリー
ド部に、成形前予め成形時の熱に対して耐熱性を有し、
かつ少なくとも一つの溶剤に易溶性の樹脂膜を形成した
後トランスファ成形に付し、成形後該樹脂膜を上記溶剤
で溶解除去することを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造方法が提供される。
上記「成形時の熱に対して耐熱性を有する」とは、トラ
ンスファ成形時の温度ドにおいても実質的に溶融、分解
及び揮散されない程度の耐熱性を有することを意味する
。通常トランスファ成形においては１５０℃以上の熱が
加わる為、少なくともこの温度以上の耐熱性を有するこ
とが必要である。
ンスファ成形時の温度ドにおいても実質的に溶融、分解
及び揮散されない程度の耐熱性を有することを意味する
。通常トランスファ成形においては１５０℃以上の熱が
加わる為、少なくともこの温度以上の耐熱性を有するこ
とが必要である。
また上記「易溶性」とは、その溶剤中に浸漬する等によ
り容易に溶解除去しうろことを意味する。
り容易に溶解除去しうろことを意味する。
かかる樹脂の一例としては、所謂ポリイミド樹脂の前駆
体が挙げられ、通常ポリアミドカルボン酸、ポリアミド
醒ジメヂルエステル等による重合体が適当である。かか
る前駆体はジメチルアセトアミド、ヒドラジン、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン等の溶剤で容易に溶解除去できう
るちのである。
体が挙げられ、通常ポリアミドカルボン酸、ポリアミド
醒ジメヂルエステル等による重合体が適当である。かか
る前駆体はジメチルアセトアミド、ヒドラジン、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン等の溶剤で容易に溶解除去できう
るちのである。
かような樹脂膜は溶液や懸濁液のへケ塗り、ディッピン
グ等で形成されるが、塗布厚み〈乾燥後の）が少なくと
も一ヒ記間隙に相当する充分な厚みであることが好まし
く、通常１０〜３０）ａが適当である。
グ等で形成されるが、塗布厚み〈乾燥後の）が少なくと
も一ヒ記間隙に相当する充分な厚みであることが好まし
く、通常１０〜３０）ａが適当である。
本発明の製造方法では、まずリードフレームのアウタリ
ード部に該樹脂膜を上記方法により形成し、乾燥後所定
のキャビティにクランプするが、このとき上、下金型と
アウタリード部との間隙を該樹脂膜がうめることになる
。それ故その後成形のため加圧による封止樹脂のキャビ
ティ内流入を迎えてもアウタリード部へのパリの発生が
防止できることになる。そして該樹脂膜は成形後、前記
溶剤により容易に溶解除去できそれ以優のメッキ等の工
程に不都合を及はざない。なお、万が一成形時の加圧に
よって少量のパリが発生しても従来のようにアウタリー
ド部に密着形成されたものではなく、該樹脂膜上に形成
されているので、この場合も上記溶剤に浸漬するだけで
、通常、該樹脂膜の溶解とともにパリが除去される。ま
た除去されず残ったパリは超音波洗浄法等により簡便に
除去できる。
ード部に該樹脂膜を上記方法により形成し、乾燥後所定
のキャビティにクランプするが、このとき上、下金型と
アウタリード部との間隙を該樹脂膜がうめることになる
。それ故その後成形のため加圧による封止樹脂のキャビ
ティ内流入を迎えてもアウタリード部へのパリの発生が
防止できることになる。そして該樹脂膜は成形後、前記
溶剤により容易に溶解除去できそれ以優のメッキ等の工
程に不都合を及はざない。なお、万が一成形時の加圧に
よって少量のパリが発生しても従来のようにアウタリー
ド部に密着形成されたものではなく、該樹脂膜上に形成
されているので、この場合も上記溶剤に浸漬するだけで
、通常、該樹脂膜の溶解とともにパリが除去される。ま
た除去されず残ったパリは超音波洗浄法等により簡便に
除去できる。
また本発明による塗膜形成の工程を、リードフレーム作
製後まずインナリード部、アウタリード部に各々銀メッ
キ、スズメッキ等を施してから実施しその後チップアセ
ンブリ、樹脂封止による成形の順に行なうことも可能で
ある。この場合トランスファ成形後、溶剤浸漬するだけ
で、その後のアウタリード部へのメッキは不要となり、
従来のメッキ工程による脱脂、洗滌、酸処理等によるパ
ッケージへの悪影響を避けうる利点も兼ね備えている。
製後まずインナリード部、アウタリード部に各々銀メッ
キ、スズメッキ等を施してから実施しその後チップアセ
ンブリ、樹脂封止による成形の順に行なうことも可能で
ある。この場合トランスファ成形後、溶剤浸漬するだけ
で、その後のアウタリード部へのメッキは不要となり、
従来のメッキ工程による脱脂、洗滌、酸処理等によるパ
ッケージへの悪影響を避けうる利点も兼ね備えている。
以下本発明の実施例を発光ダイオード（ＬＥＤ）のパ
ッケージ製造に基づいて説明するが本発明はこれにより
限定されるものではない。
ッケージ製造に基づいて説明するが本発明はこれにより
限定されるものではない。
（ホ）実施例
第１図に本発明によるＬＥ［）のトランスファ成形の状
態を示している。リードフレームのインナリード部（２
）上にＬＥＤチップ（１４）をダイボンドし、金線（４
）によってさらに他方のインナリード部［３１ｈヘワイ
ヤボンドした後ヒドラジンに易溶性のポリアミドカルボ
ンＭ（日東電工社製；商品名Ｊ１＜−５００）による塗
膜ａ５）（厚さ２０＊ｍ）をアウタリード部を挾むよう
にしてロールコーティングすることによりアウタリード
部ｆｌ） ｆｌ）上に塗布して形、成し、乾燥後、上部
金型（７）と１・部金型（８）との間に挾んでクランプ
する。−万タブレット状の透明樹脂（エポキシ樹脂＞
０６１を１−ランスフアボットに入れて予熱して可塑化
し、ブフンジャにより加圧する。加Ｌ１により透明樹脂
色はスプル、ランナ、ゲートに押し出されてキャビティ
に流入されてキＡ７ビテイを充填し１７５℃に加熱して
透明樹脂を熱硬化させた後、樹脂封止されたＬＥＤパッ
ケージが得られた。この得られたパッケージにはパリの
発生は認められなかった。この後、このパッケージの７
ウタリ一ド部のみをヒドラジン溶液に５分間浸漬した後
、ひき上げてＮＭＰで超音波洗浄することにより簡単に
アウタリード部のポリアミドカルボン酸膜が除去され、
スズメッキに付した。
態を示している。リードフレームのインナリード部（２
）上にＬＥＤチップ（１４）をダイボンドし、金線（４
）によってさらに他方のインナリード部［３１ｈヘワイ
ヤボンドした後ヒドラジンに易溶性のポリアミドカルボ
ンＭ（日東電工社製；商品名Ｊ１＜−５００）による塗
膜ａ５）（厚さ２０＊ｍ）をアウタリード部を挾むよう
にしてロールコーティングすることによりアウタリード
部ｆｌ） ｆｌ）上に塗布して形、成し、乾燥後、上部
金型（７）と１・部金型（８）との間に挾んでクランプ
する。−万タブレット状の透明樹脂（エポキシ樹脂＞
０６１を１−ランスフアボットに入れて予熱して可塑化
し、ブフンジャにより加圧する。加Ｌ１により透明樹脂
色はスプル、ランナ、ゲートに押し出されてキャビティ
に流入されてキＡ７ビテイを充填し１７５℃に加熱して
透明樹脂を熱硬化させた後、樹脂封止されたＬＥＤパッ
ケージが得られた。この得られたパッケージにはパリの
発生は認められなかった。この後、このパッケージの７
ウタリ一ド部のみをヒドラジン溶液に５分間浸漬した後
、ひき上げてＮＭＰで超音波洗浄することにより簡単に
アウタリード部のポリアミドカルボン酸膜が除去され、
スズメッキに付した。
（へ）発明の効果
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法においてはパ
リを発生させることなく樹脂封止型半導体装置を製造す
ることができる。従って従来必要とされていたパリ除去
用の機械的処理や薬剤処理を必要とせず、成形表面への
悪影響（膨潤、くもり、キズ等）が防止される。従って
特に本発明は発光ダイオードやホトトランジスタに代表
される透明樹脂パッケージの場合の製造方法として有用
なものである。
リを発生させることなく樹脂封止型半導体装置を製造す
ることができる。従って従来必要とされていたパリ除去
用の機械的処理や薬剤処理を必要とせず、成形表面への
悪影響（膨潤、くもり、キズ等）が防止される。従って
特に本発明は発光ダイオードやホトトランジスタに代表
される透明樹脂パッケージの場合の製造方法として有用
なものである。
第１図は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法にお
ける樹脂封入時の状態を示す説明図、第２図、第３図は
トランスファ成形によって樹脂封止型半導体装置を製造
する工程をそれぞれ示す説明図である。 （１）・・・・・・リードフレームアウタリード部、＋
２１．＋３１・・・・・・リードフレームインナリード
部、（４）・・・・・・チップ、 （５）・・・
・・・金線、（６）・・・・・・キャビティ、 （７
１・・・・・・上部金型、（８）・・・・・・下部金型
、 （９）・・・・・・プランジ）フ、（［）ｌ・
・・・・・トランスファボット、 （１１）・・・・・
・スプル、面・・・・・・ランナー、 （１３＋・
・・・・・ゲート、（１４）・・・・・・ＬＥＤチップ
、 ０５）・・・・・・ポリアミドカルボン酸、（社）・・
・・・・透明樹脂、 （Ａ）・・・・・・間隙。
ける樹脂封入時の状態を示す説明図、第２図、第３図は
トランスファ成形によって樹脂封止型半導体装置を製造
する工程をそれぞれ示す説明図である。 （１）・・・・・・リードフレームアウタリード部、＋
２１．＋３１・・・・・・リードフレームインナリード
部、（４）・・・・・・チップ、 （５）・・・
・・・金線、（６）・・・・・・キャビティ、 （７
１・・・・・・上部金型、（８）・・・・・・下部金型
、 （９）・・・・・・プランジ）フ、（［）ｌ・
・・・・・トランスファボット、 （１１）・・・・・
・スプル、面・・・・・・ランナー、 （１３＋・
・・・・・ゲート、（１４）・・・・・・ＬＥＤチップ
、 ０５）・・・・・・ポリアミドカルボン酸、（社）・・
・・・・透明樹脂、 （Ａ）・・・・・・間隙。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードフレームを備えた樹脂封止型半導体装置をト
ランスファ成形によつて製造する方法において、樹脂封
止を意図しないリードフレームのアウタリード部に成形
前予め、成形時の熱に対して耐熱性を有しかつ少なくと
も一つの溶剤に易溶性の樹脂膜を形成した後、トランス
ファ成形に付し、成形後該樹脂膜を上記溶剤で溶解除去
することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
。 ２、樹脂膜が、ポリイミド樹脂の前駆体のポリマー膜か
らなる特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ３、溶剤がジメチルアセトアミドまたはヒドラジンであ
る特許請求の範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12538185A JPS61283134A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12538185A JPS61283134A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61283134A true JPS61283134A (ja) | 1986-12-13 |
Family
ID=14908725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12538185A Pending JPS61283134A (ja) | 1985-06-10 | 1985-06-10 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61283134A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02148816A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Hitachi Condenser Co Ltd | モールド型電子部品の製造方法 |
| US5070041A (en) * | 1988-08-12 | 1991-12-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Method of removing flash from a semiconductor leadframe using coated leadframe and solvent |
| JPH08222676A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Rohm Co Ltd | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2001293213A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-23 | Sanyo Product Co Ltd | 遊技機 |
| WO2008125096A3 (de) * | 2007-04-16 | 2009-04-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelementes und optoelektronisches bauelement |
-
1985
- 1985-06-10 JP JP12538185A patent/JPS61283134A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5070041A (en) * | 1988-08-12 | 1991-12-03 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Method of removing flash from a semiconductor leadframe using coated leadframe and solvent |
| JPH02148816A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Hitachi Condenser Co Ltd | モールド型電子部品の製造方法 |
| JPH08222676A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Rohm Co Ltd | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
| JP2001293213A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-23 | Sanyo Product Co Ltd | 遊技機 |
| WO2008125096A3 (de) * | 2007-04-16 | 2009-04-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelementes und optoelektronisches bauelement |
| US8435806B2 (en) | 2007-04-16 | 2013-05-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for the manufacture of an optoelectronic component and an optoelectronic component |
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