JPH01261853A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01261853A
JPH01261853A JP8898788A JP8898788A JPH01261853A JP H01261853 A JPH01261853 A JP H01261853A JP 8898788 A JP8898788 A JP 8898788A JP 8898788 A JP8898788 A JP 8898788A JP H01261853 A JPH01261853 A JP H01261853A
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JP
Japan
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resin
adhesive resin
semiconductor device
assembly
mold
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JP8898788A
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English (en)
Inventor
Kazuhiro Takayanagi
高柳　一博
Atsushi Koshimura
淳 越村
Masayuki Tsuchida
雅之 土田
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Tomoegawa Co Ltd
Original Assignee
Tomoegawa Paper Co Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の構造に係わり、詳しくはダイパ
ッドを有するリードフレームを特定の構造によって樹脂
封止する半導体装置に関するものである。
〔従来の技術〕
近年、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体の封止は、セラミック
等を用いたバーメチ７クシール方弐に比べ、熱硬化性樹
脂であるエポキシ樹脂によって封止する樹脂封止に移行
しつつある。この樹脂封止は、半導体素子を搭載したリ
ードフレームを低圧トランスファ方式でエポキシ樹脂に
よる封止を行うものであり、大量生産性も高いことから
一般に採用されるようになってきた。
〔発明が解決しようとする課題〕
しカルながら、上記のようなエポキシ槽脂による封止は
、金型内に溶融した樹脂を注入して半導体素子を成形封
止するので、封止後に封止剤が金型より容易にかつ完全
に剥離できるように、例えば天然ワックス類、合成ワッ
クス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド１．エステル類
、パラフィン類などの離型剤を封止剤゛に添加している
。このために、封止剤の金型よりの離型性が優れるよう
になるが、その反面、４２アロイや銅などからなるリー
ドフレームと封止剤との界面における接合力が劣ってし
まうという不具合が生じる。すなわち、半導体の封止後
にＰＣＴ等の高温高温試験、温度サイクル試験や半田処
理がされると、上記界面における接合力が低いことが起
因した界面におけるリードフレームの剥れにより、この
剥れた界面に沿って外部からの水分が侵入するために、
この湿気による半導体素子の信頼度の低下が生じてしま
うような問題があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、耐湿性、耐熱性に優れ特にＰＣＴなどの高温高
温試験、温度サイクル試験や半田処理されても信頼性の
優れた半導体装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、樹脂
封止半導体装置において、少なくともリードフレームの
インナーリードの全域、ダイパッド部分、リード線、半
導体素子のいずれかに接着性樹脂材料からなる被覆層を
介在させ、樹脂封止するように構成する。
〔作　用〕
上記構成に基づき、本発明におけるリードフレームのイ
ンナーリードの全域もしくはダイパッド部分などパッケ
ージ内に固着した接着性樹脂材料からなる被覆層と、封
止する樹脂との界面間の接合力が強くなるため、成形、
封止後のリードフレームに加わる外力あるいは半導体装
置の周囲温度の変化等による上記界面間の剥離の発生が
著しく低減する。またインナーリードの全域に接着性樹
脂材料を塗ることにより製造上有利となる。つまりイン
ナーリードの一部に接着性樹脂を塗る場合は、マスキン
グをしてＵＶキュアの樹脂を使わなければならないとい
う制約があるが、この制約を受けない。
［実施例］ 以下、図に基づいて本発明の説明を行う。第１図は本発
明の実施例である半導体装置を示す断面図であり、第１
図（ａｌはリードフレームの封止面の全面に接着性樹脂
材料からなる被覆層を設けた場合で、リードフレーメ隘
ンナーリード１の全域、半導体素子２、ダイパッド３、
リード線４の全面に接着性樹脂材料からなる被覆Ｎ５を
介在させ、エポキシ樹脂からなるモールド材６によって
封止してなる半導体装置である。又第１図ｆｂ）は封止
面の一部に接着性樹脂材料からなる被覆層を設けた場合
でダイパッド３の片面（図では下面）に被覆層５を介在
させ、モールド材６によって封止してなる半導体装置で
ある。
上記被覆層５を形成する接着性樹脂材料としては、シリ
コーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フェノ
ール樹脂、フラン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニ
リン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、
弗素樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリエーテル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂及びこれ
らの共重合体または混合材料であり、またエポキシ樹脂
、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、フェノール樹脂、フラン樹脂、ホ
ルムアルデヒド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリ
ン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、弗
素樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリエーテル樹脂
、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂及びこれら
の共重合体をシリコーン変性を行ったものでもよい。
接着性樹脂材料からなる被覆層の厚さは２００μｍ以下
、好ましくは５０μｍ以下であることが望ましい。
次いで、上記の接着性樹脂材料からなる被覆層を形成す
る構成例を挙げて以下に説明する。
実施例１ 第２図に示すようにモールド材６によって封止されるリ
ードフレームのインナーリード１、半導体素子２、ダイ
パッド３、ワイヤ４の全面（アウターリード１′を除い
て）に、接着性樹脂材料を溶剤に溶かした溶液（以下処
理液という）を、吹付もしくは刷毛塗り法によって付着
させ、加熱して溶剤を揮散させて接着性樹脂被覆層５を
形成することができる。また処理液が熱硬化性樹脂であ
れば、さらに所定の温度、時間で加熱硬化することによ
り、接着性樹脂被覆層５を形成させることができる。こ
のようにしたものを次にモールド金型に装填してモール
ド材６を注入し、成形すると共に樹脂封止することによ
り、本発明の半導体装置が得られる。
実施例２ 第３図に示すように、接着性樹脂材料としてＵＶ硬化性
樹脂を使用し、インナーリード１の全域、アウターリー
ド１”、半導体素子２、ダイパッド３、リード線４へ全
面浸漬法により該処理液の塗布を行い、接着性樹脂被覆
層５を形成し、このもののＵＶ照射を要しない部分すな
わちアウターリード１′のみにマスク７を施して上下よ
りＵＶ照射の影響を受けないようにした後ＵＶ照射をし
、前記接着性樹脂を硬化させる。しかる後、マスクした
部分すなわちアウターリード１”を溶剤にて洗浄除去す
る。次にモールド型に装填し、モールド材６を注入し成
形、封止して本発明の半導体装置が得られる。この操作
によりモールド材で被覆されない部分すなわちアウター
リード１゛はＵＶ硬化性樹脂からなる被覆層を効果的に
除去できる。
実施例３ 第４図は部分的に接着性樹脂材料でなる被覆層５を形成
させる最も簡略な構成例を示し、接着性樹脂被覆層５を
設けた後、ダイパッド３の裏面のみに処理液を付着させ
、以下の工程は実施例１と同様にしてモールド金型に装
填し、モールド材６を注入し、成形、封止して本発明の
半導体装置が得られる。
次に本発明で用いられる接着性樹脂を用いた処理液につ
いて説明する。該処理液は樹脂固形濃度が５％で用いら
れることが多いが、その代表例を述べれば次のとおりで
ある。
例１　エポキシ樹脂（１） （ビスフェノール△型エポキシ樹脂十 フェノール樹脂） 溶　　剤：メチルエチルケトン 硬化条件：１５０℃、１時間 例２　エポキシ樹脂（２） （ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂＋酸無水物）溶　　
剤：メチルエチルケトン 硬化条件：１５０℃、１時間 例３　ポリイミド樹脂 溶　　剤：Ｎ−メチルピロリドン 硬化条件：１５０℃、１時間→３００℃、３０分 例４　シリコーン変性ポリイミド樹脂 （変性率　１０重量％） 溶　　剤二Ｎ−メチルピロリドン 硬化条件：１５０℃、１時間→２５０℃、１時間 例５　メラミン樹脂 溶　　剤：キシレン 硬化条件：１５０℃、１時間 次いで、上記の５種類の処理液を用い前述の実施例１に
基づいて樹脂封止した半導体装置および従来の技術によ
り処理液を用いずに樹脂封止した半導体装置の特性を比
較試験した。
試験は８０℃、８５％（相対湿度）で４８時間放置しパ
フケージの含水率を０．２％以上にした後ハンダデイツ
プ処理を施したもののパッケージクランクを調べた。そ
の結果を第１表に示す。
第　　　１　　　表 また、１２１℃、２気圧　８５％（相対湿度）のＰＣＴ
試験を行ない半導体装置の信頼性試験を行なった。その
結果を第２表に示す。
第２表 上記第１表、第２表に示したクランク発生率および半導
体不良率によって明らかなように、ダイパッド等に処理
液を施して所定の接着性樹脂被覆層を形成させモールド
樹脂により成形、封止したものは無処理の場合と比較し
て信頼性の優れた半導体装置を得ることができる。
なお、ダイパッド等に対する処理液の付着部すなわち接
着性樹脂被覆層は、実施例１〜３に示した範囲に限定せ
ず、半導体装置の詳細な形状、使用環境等で定める所望
の信頼度に応じて選定しても、上記実施例と同様の効果
を奏する。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば樹脂封止するーリ
ードフレームのインナーリード全域、ダイパッド部分、
リード線、半導体素子の少なくもいずれかが接着性樹脂
被覆層を介在させているので、樹脂のモールド成形、封
止後の外力あるいは温度変化等により、リード、フレー
ムのダイパッド部分、リード線および半導体素子の少な
くもいずれかと封止樹脂との界面における剥離が生じ難
くなるので、外部よりの湿気等水分の侵入の恐れのない
、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明による半導体装置の実
施例を示す断面図、第２図は本発明の第１の実施例であ
るり、−ドフレームのインナーリード全域、ダイパッド
部、リード線の全面に被覆層を施す場合を示す工程図、
第３図は本発明の第２の実施例である被覆層がＵＶ硬化
樹脂系である場合を示す工程図、第４図はダイパッドの
裏面のみに被覆層を部分的に施す場合を示す工程図であ
る。 １・・・リードフレームのインナーリード　ｐ・・・リ
ードフレームのアウターリード、２・・・半導体、３・
・・ダイパッド、４・・・リード線、５・・・被覆層、
６・・・モールド材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　樹脂封止半導体装置において、少なくともリードフレ
    ームのインナーリードの全域、ダイパッド部分、リード
    線および半導体素子のいずれかに接着性樹脂材料からな
    る被覆層を介在させ、樹脂封止されていることを特徴と
    する半導体装置。
JP8898788A 1988-04-13 1988-04-13 半導体装置 Pending JPH01261853A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0322465A (ja) * 1989-06-20 1991-01-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH04106964A (ja) * 1990-08-27 1992-04-08 Nec Corp 半導体装置
US6107690A (en) * 1995-09-26 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Coated semiconductor die/leadframe assembly and method for coating the assembly

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5536975A (en) * 1978-09-06 1980-03-14 Matsushita Electronics Corp Resin sealed type semiconductor device
JPS5627941A (en) * 1979-08-17 1981-03-18 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS59107547A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS60183749A (ja) * 1984-03-02 1985-09-19 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置
JPS60195955A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61253845A (ja) * 1985-05-07 1986-11-11 Mitsui Toatsu Chem Inc リ−ドフレ−ム
JPS62274647A (ja) * 1986-05-22 1987-11-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5536975A (en) * 1978-09-06 1980-03-14 Matsushita Electronics Corp Resin sealed type semiconductor device
JPS5627941A (en) * 1979-08-17 1981-03-18 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
JPS59107547A (ja) * 1982-12-13 1984-06-21 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS60183749A (ja) * 1984-03-02 1985-09-19 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体装置
JPS60195955A (ja) * 1984-03-19 1985-10-04 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS61253845A (ja) * 1985-05-07 1986-11-11 Mitsui Toatsu Chem Inc リ−ドフレ−ム
JPS62274647A (ja) * 1986-05-22 1987-11-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0322465A (ja) * 1989-06-20 1991-01-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
JPH04106964A (ja) * 1990-08-27 1992-04-08 Nec Corp 半導体装置
US6107690A (en) * 1995-09-26 2000-08-22 Micron Technology, Inc. Coated semiconductor die/leadframe assembly and method for coating the assembly
US6445060B1 (en) 1995-09-26 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Coated semiconductor die/leadframe assembly and method for coating the assembly

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