JPH08222676A - リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、樹脂バリを容易に除去することが
できるリードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導
体装置の製造方法を提供するものである。 【構成】 本発明に使用されるリードフレーム１は、例
えば、鉄ニッケル合金（４２アロイ）や銅合金の薄板を
打抜きや化学処理することにより、半導体素子を搭載す
るアイランド２と、一部がモールド樹脂により封止され
るリード４と、リード間を連結するダムバー１４とが形
成されるとともに、アイランド２とリード４の一部、す
なわち、透明なモールド樹脂で封止される領域に一次的
にＡｇメッキが施されている。このように、メッキの有
無によるリードフレームと透明なモールド樹脂との密着
力の差を利用することで、密着力の弱い無メッキ領域で
は樹脂バリの除去が容易になるとともに、密着力の強い
メッキ領域ではアイランド及びリードが透明なモールド
樹脂とより強固に結びつき、パッケージクラックやリー
ド抜けが生じ難くなっている。
できるリードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導
体装置の製造方法を提供するものである。 【構成】 本発明に使用されるリードフレーム１は、例
えば、鉄ニッケル合金（４２アロイ）や銅合金の薄板を
打抜きや化学処理することにより、半導体素子を搭載す
るアイランド２と、一部がモールド樹脂により封止され
るリード４と、リード間を連結するダムバー１４とが形
成されるとともに、アイランド２とリード４の一部、す
なわち、透明なモールド樹脂で封止される領域に一次的
にＡｇメッキが施されている。このように、メッキの有
無によるリードフレームと透明なモールド樹脂との密着
力の差を利用することで、密着力の弱い無メッキ領域で
は樹脂バリの除去が容易になるとともに、密着力の強い
メッキ領域ではアイランド及びリードが透明なモールド
樹脂とより強固に結びつき、パッケージクラックやリー
ド抜けが生じ難くなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びこれ
を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
透明なモールド樹脂を用いる樹脂封止型半導体装置用の
リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法に関する。
を用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
透明なモールド樹脂を用いる樹脂封止型半導体装置用の
リードフレームおよびこれを用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より発光ダイオードやフォトＩＣ等
の光学系の半導体素子を透明なモールド樹脂により封止
した樹脂封止型半導体装置が知られている。この種の樹
脂封止型半導体装置の製造方法を図４を参照に説明す
る。まず、同図（ａ）に示すように、耐食性向上等のた
め斜線部で示すように全体にＡｇメッキが施されたリー
ドフレーム１のアイランド２に、ウエハプロセスで発光
ダイオードやフォトＩＣ等が形成された半導体素子３を
Ａｇペーストやハンダ等で固着し、半導体素子３のボン
ディングパッドとこれに対応するリード４の先端部をＡ
ｕ線５によりワイヤボンディングする。
の光学系の半導体素子を透明なモールド樹脂により封止
した樹脂封止型半導体装置が知られている。この種の樹
脂封止型半導体装置の製造方法を図４を参照に説明す
る。まず、同図（ａ）に示すように、耐食性向上等のた
め斜線部で示すように全体にＡｇメッキが施されたリー
ドフレーム１のアイランド２に、ウエハプロセスで発光
ダイオードやフォトＩＣ等が形成された半導体素子３を
Ａｇペーストやハンダ等で固着し、半導体素子３のボン
ディングパッドとこれに対応するリード４の先端部をＡ
ｕ線５によりワイヤボンディングする。
【０００３】次いで、同図（ｂ）に示すように、半導体
素子３を搭載しワイヤボンディングを行ったリードフレ
ーム１をキャビティ８を有する上金型６と下金型７で挟
持し、透明のモールド樹脂１０をゲート９から注入して
熱硬化させて半導体素子３とリード４の一部を封止す
る。最後に樹脂封止を行ったリードフレームを金型から
取り出し、リードフレームからリードを切断した後、図
５に示すように、樹脂封止部１１から導出するリード４
を加工することで、透明なモールド樹脂を用いる樹脂封
止型半導体装置を製造する。
素子３を搭載しワイヤボンディングを行ったリードフレ
ーム１をキャビティ８を有する上金型６と下金型７で挟
持し、透明のモールド樹脂１０をゲート９から注入して
熱硬化させて半導体素子３とリード４の一部を封止す
る。最後に樹脂封止を行ったリードフレームを金型から
取り出し、リードフレームからリードを切断した後、図
５に示すように、樹脂封止部１１から導出するリード４
を加工することで、透明なモールド樹脂を用いる樹脂封
止型半導体装置を製造する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＩＣやＬＳ
Ｉ等の樹脂封止型半導体装置に使用されるモールド樹脂
には、熱膨張係数，樹脂強度等を調整するためのフィラ
ー（＝充填材）や、金型との離型性をよくするための離
型剤が混入されている。しかし、光学系の半導体素子を
搭載する樹脂封止型半導体装置に使用されるモールド樹
脂は、透明度の低下を防止するためフィラーや離型剤が
ほとんど混入されていないため、樹脂封止工程で次のよ
うな問題が生じていた。
Ｉ等の樹脂封止型半導体装置に使用されるモールド樹脂
には、熱膨張係数，樹脂強度等を調整するためのフィラ
ー（＝充填材）や、金型との離型性をよくするための離
型剤が混入されている。しかし、光学系の半導体素子を
搭載する樹脂封止型半導体装置に使用されるモールド樹
脂は、透明度の低下を防止するためフィラーや離型剤が
ほとんど混入されていないため、樹脂封止工程で次のよ
うな問題が生じていた。
【０００５】図６に示すように、フィラーが混入されて
いないモールド樹脂では、バリ１２が発生しやすく、し
かも離型剤が混入されていないので、上述のバリ１２や
ゲート部に残留するゲートバリ１３などの樹脂バリとリ
ードフレーム１（またはリード４）との密着力が強く、
その除去が困難であった。本発明は、上述した問題点に
鑑み、樹脂バリを容易に除去することができるリードフ
レーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方
法を提供するものである。
いないモールド樹脂では、バリ１２が発生しやすく、し
かも離型剤が混入されていないので、上述のバリ１２や
ゲート部に残留するゲートバリ１３などの樹脂バリとリ
ードフレーム１（またはリード４）との密着力が強く、
その除去が困難であった。本発明は、上述した問題点に
鑑み、樹脂バリを容易に除去することができるリードフ
レーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方
法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発
明のリードフレームは、半導体素子とリードフレームと
を透明なモールド樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置
に使用されるリードフレームにおいて、前記モールド樹
脂により封止される領域のみメッキを施したことを特徴
とするものである。
達成するために次のような構成をとる。すなわち、本発
明のリードフレームは、半導体素子とリードフレームと
を透明なモールド樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置
に使用されるリードフレームにおいて、前記モールド樹
脂により封止される領域のみメッキを施したことを特徴
とするものである。
【０００７】上記リードフレームを好適に実施すること
ができる本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、
モールド樹脂により封止される領域のみメッキが施され
たリードフレームと半導体素子とを固着する工程と、前
記工程後に前記半導体素子のボンディングパッドとこれ
に対応するリードの先端部を金属線によりワイヤボンデ
ィングする工程と、前記工程後にリードフレームを透明
なモールド樹脂で封止する工程と、前記工程後に樹脂バ
リを除去する工程とを有するものである。
ができる本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、
モールド樹脂により封止される領域のみメッキが施され
たリードフレームと半導体素子とを固着する工程と、前
記工程後に前記半導体素子のボンディングパッドとこれ
に対応するリードの先端部を金属線によりワイヤボンデ
ィングする工程と、前記工程後にリードフレームを透明
なモールド樹脂で封止する工程と、前記工程後に樹脂バ
リを除去する工程とを有するものである。
【０００８】
【作用】本発明者は、樹脂バリの除去が容易なリードフ
レーム及び製造方法について種々の実験と検討を加えて
結果、モールド樹脂で封止される領域のみメッキを施し
たリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造
すれば樹脂バリを容易に除去できることを見いだした。
すなわち、本発明では、同じリードフレームでもメッキ
が施されている領域よりもメッキが施されていない領域
の方が、透明なモールド樹脂との密着力が弱いという現
象を利用して、樹脂バリの除去を容易にしようとするも
のである。
レーム及び製造方法について種々の実験と検討を加えて
結果、モールド樹脂で封止される領域のみメッキを施し
たリードフレームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造
すれば樹脂バリを容易に除去できることを見いだした。
すなわち、本発明では、同じリードフレームでもメッキ
が施されている領域よりもメッキが施されていない領域
の方が、透明なモールド樹脂との密着力が弱いという現
象を利用して、樹脂バリの除去を容易にしようとするも
のである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図１を参照しつつ
説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同一の符
号を付している。図１に示すように、本発明に使用され
るリードフレーム１は、例えば、鉄ニッケル合金（４２
アロイ）や銅合金の薄板を打抜きや化学処理することに
より、半導体素子を搭載するアイランド２と、一部がモ
ールド樹脂により封止されるリード４と、リード間を連
結するダムバー１４とが形成されるとともに、アイラン
ド２とリード４の一部、すなわち、透明なモールド樹脂
で封止される領域に一次的にＡｇメッキが施されてい
る。
説明する。尚、従来と同一部分や相当部分には同一の符
号を付している。図１に示すように、本発明に使用され
るリードフレーム１は、例えば、鉄ニッケル合金（４２
アロイ）や銅合金の薄板を打抜きや化学処理することに
より、半導体素子を搭載するアイランド２と、一部がモ
ールド樹脂により封止されるリード４と、リード間を連
結するダムバー１４とが形成されるとともに、アイラン
ド２とリード４の一部、すなわち、透明なモールド樹脂
で封止される領域に一次的にＡｇメッキが施されてい
る。
【００１０】このように、メッキの有無によるリードフ
レームと透明なモールド樹脂との密着力の差を利用する
ことで、密着力の弱い無メッキ領域では樹脂バリの除去
が容易になるとともに、密着力の強いメッキ領域ではア
イランド及びリードが透明なモールド樹脂とより強固に
結びつき、パッケージクラックやリード抜けが生じ難く
なっている。
レームと透明なモールド樹脂との密着力の差を利用する
ことで、密着力の弱い無メッキ領域では樹脂バリの除去
が容易になるとともに、密着力の強いメッキ領域ではア
イランド及びリードが透明なモールド樹脂とより強固に
結びつき、パッケージクラックやリード抜けが生じ難く
なっている。
【００１１】次に、本発明のリードフレームを用いた樹
脂封止型半導体装置の製造方法を図２を参照に説明す
る。まず、同図（ａ）に示すように、アイランド２とリ
ード４の一部、すなわち、点線で示すモールド樹脂で封
止される領域に一次的にＡｇメッキ（斜線部）が施され
たリードフレーム１を用意する。かかるリードフレーム
１は、固定マスク方式やムービングマスク方式の部分メ
ッキ装置を使用して部分的にメッキが施されている。
脂封止型半導体装置の製造方法を図２を参照に説明す
る。まず、同図（ａ）に示すように、アイランド２とリ
ード４の一部、すなわち、点線で示すモールド樹脂で封
止される領域に一次的にＡｇメッキ（斜線部）が施され
たリードフレーム１を用意する。かかるリードフレーム
１は、固定マスク方式やムービングマスク方式の部分メ
ッキ装置を使用して部分的にメッキが施されている。
【００１２】そしてリードフレーム１のアイランド２
に、ウエハプロセスで発光ダイオードやフォトＩＣ等が
形成された半導体素子３をＡｇペーストやハンダ等で固
着し、半導体素子３のボンディングパッドとこれに対応
するリード４の先端部をＡｕ線５によりワイヤボンディ
ングする。次いで、同図（ｂ）に示すように、従来と同
様に、半導体素子３を搭載しワイヤボンディングを行っ
たリードフレーム１をキャビティ８を有する上金型６と
下金型７で挟持し、透明なモールド樹脂１０をゲート９
から注入して熱硬化させて半導体素子３とリード４の一
部を封止する。
に、ウエハプロセスで発光ダイオードやフォトＩＣ等が
形成された半導体素子３をＡｇペーストやハンダ等で固
着し、半導体素子３のボンディングパッドとこれに対応
するリード４の先端部をＡｕ線５によりワイヤボンディ
ングする。次いで、同図（ｂ）に示すように、従来と同
様に、半導体素子３を搭載しワイヤボンディングを行っ
たリードフレーム１をキャビティ８を有する上金型６と
下金型７で挟持し、透明なモールド樹脂１０をゲート９
から注入して熱硬化させて半導体素子３とリード４の一
部を封止する。
【００１３】次に同図（ｃ）に示すように、樹脂封止を
行ったリードフレーム１を金型から取り出し、バリ取り
装置でバリ１２及びゲートバリ１３のいわゆる樹脂バリ
の除去を行う。このとき樹脂バリ１２，１３は密着力の
弱い無メッキ領域に発生するので容易に除去することが
できる。次に、リードフレーム１の樹脂封止部１１以外
の領域を斜線部で示すように、耐食性向上やハンダ濡れ
性向上のため二次的なメッキを施す。このメッキは、部
分メッキを施したときと同種のＡｇメッキでも良く、ま
た、プリント基板との実装性を考慮して異種のハンダメ
ッキを施してもよい。
行ったリードフレーム１を金型から取り出し、バリ取り
装置でバリ１２及びゲートバリ１３のいわゆる樹脂バリ
の除去を行う。このとき樹脂バリ１２，１３は密着力の
弱い無メッキ領域に発生するので容易に除去することが
できる。次に、リードフレーム１の樹脂封止部１１以外
の領域を斜線部で示すように、耐食性向上やハンダ濡れ
性向上のため二次的なメッキを施す。このメッキは、部
分メッキを施したときと同種のＡｇメッキでも良く、ま
た、プリント基板との実装性を考慮して異種のハンダメ
ッキを施してもよい。
【００１４】最後にリードフレームからリードを切断し
た後、樹脂封止部１１から導出するリード４を加工する
ことで、図５に示すような透明なモールド樹脂を用いる
樹脂封止型半導体装置を製造する。次に、本発明のリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置と従来のリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂バリの
密着強度の比較を行った実験結果について説明する。こ
の実験では、リードフレームの材質が４２アロイ及び銅
で、それぞれ一次的にＡｇメッキしたものと、メッキし
てないものの計４種類のリードフレームを使用して、透
明モールド樹脂（日東電工社製；製品名ＮＴ−６００）
を１５０℃で２分の条件で成形し、１５０℃で３時間の
条件で硬化させて樹脂封止を行い、リード引き抜き法で
密着力を測定した。その結果は図３に示すように、Ａｇ
メッキを施していないリードフレームの方が密着力が低
いことは明かである。
た後、樹脂封止部１１から導出するリード４を加工する
ことで、図５に示すような透明なモールド樹脂を用いる
樹脂封止型半導体装置を製造する。次に、本発明のリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置と従来のリー
ドフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂バリの
密着強度の比較を行った実験結果について説明する。こ
の実験では、リードフレームの材質が４２アロイ及び銅
で、それぞれ一次的にＡｇメッキしたものと、メッキし
てないものの計４種類のリードフレームを使用して、透
明モールド樹脂（日東電工社製；製品名ＮＴ−６００）
を１５０℃で２分の条件で成形し、１５０℃で３時間の
条件で硬化させて樹脂封止を行い、リード引き抜き法で
密着力を測定した。その結果は図３に示すように、Ａｇ
メッキを施していないリードフレームの方が密着力が低
いことは明かである。
【００１５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明では、同じ
リードフレームでもメッキが施されている領域よりもメ
ッキが施されていない領域の方が、透明なモールド樹脂
との密着力が弱いという現象を利用して、樹脂バリの除
去を容易にしているので、樹脂バリ除去作業の負荷と後
工程での不良率を低減できる。
リードフレームでもメッキが施されている領域よりもメ
ッキが施されていない領域の方が、透明なモールド樹脂
との密着力が弱いという現象を利用して、樹脂バリの除
去を容易にしているので、樹脂バリ除去作業の負荷と後
工程での不良率を低減できる。
【図１】本発明のリードフレームを示す説明図。
【図２】本発明の製造方法を示す説明図。
【図３】本発明の実験結果を示す説明図。
【図４】従来の製造方法を示す説明図。
【図５】樹脂封止型半導体装置の斜視図
【図６】従来の問題点を示す説明図。
１ リードフレーム ２ アイランド ３ 半導体素子 ４ リード ５ Ａｕ線 ６，７ 金型 １１ 樹脂封止部 12,13 樹脂バリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ 23/31 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子とリードフレームとを透明なモ
ールド樹脂で封止する樹脂封止型半導体装置に使用され
るリードフレームにおいて、前記モールド樹脂により封
止される領域にメッキを施したことを特徴とするリード
フレーム。 - 【請求項２】モールド樹脂により封止される領域にメッ
キが施されたリードフレームと半導体素子とを固着する
工程と、前記工程後に前記半導体素子のボンディングパ
ッドとこれに対応するリードの先端部を金属線によりワ
イヤボンディングする工程と、前記工程後にリードフレ
ームを透明なモールド樹脂で封止する工程と、前記工程
後に樹脂バリを除去する工程とを有する樹脂封止型半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025086A JP2686240B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025086A JP2686240B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222676A true JPH08222676A (ja) | 1996-08-30 |
| JP2686240B2 JP2686240B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=12156123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7025086A Expired - Lifetime JP2686240B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2686240B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303508A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Hitachi Ltd | パッケージケースと半導体モジュール |
| JP2001015682A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子装置 |
| US7029256B2 (en) * | 2001-10-02 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for removing cleaning compound flash from mold vents |
| US7264456B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574184A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Metallic thin strip for installing semiconductor light-emitting element |
| JPS61283134A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP7025086A patent/JP2686240B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574184A (en) * | 1980-06-10 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Metallic thin strip for installing semiconductor light-emitting element |
| JPS61283134A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-13 | Sharp Corp | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
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| JP2001015682A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型電子装置 |
| US7029256B2 (en) * | 2001-10-02 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for removing cleaning compound flash from mold vents |
| US7264456B2 (en) | 2001-10-10 | 2007-09-04 | Micron Technology, Inc. | Leadframe and method for reducing mold compound adhesion problems |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2686240B2 (ja) | 1997-12-08 |
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