JPH0496238A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0496238A JPH0496238A JP20656290A JP20656290A JPH0496238A JP H0496238 A JPH0496238 A JP H0496238A JP 20656290 A JP20656290 A JP 20656290A JP 20656290 A JP20656290 A JP 20656290A JP H0496238 A JPH0496238 A JP H0496238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- flash
- hollow sealing
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 glycidylamine type Chemical compound 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであって
、より詳しくは、リードフレームをインサートして中空
封止体を一体成形した際に、リードフレーム上、とくに
リードフレームと樹脂との境界面上に発生するフラッシ
ュバリを、成形体に何らの損傷も与えずに、効率的に除
去し、高品質の半導体装置を製造する方法に関する。
、より詳しくは、リードフレームをインサートして中空
封止体を一体成形した際に、リードフレーム上、とくに
リードフレームと樹脂との境界面上に発生するフラッシ
ュバリを、成形体に何らの損傷も与えずに、効率的に除
去し、高品質の半導体装置を製造する方法に関する。
(従来の技術およびその問題点)
IC,LSIなどの半導体素子は、周囲の温度や湿度の
変化、あるいは微細なゴミやほこりに影響され、その特
性が微妙に変化してしまうことや、機械的振動や衝撃に
よって破損し易いことなどの理由で半導体素子を封止し
たパッケージとして使用に供されている。
変化、あるいは微細なゴミやほこりに影響され、その特
性が微妙に変化してしまうことや、機械的振動や衝撃に
よって破損し易いことなどの理由で半導体素子を封止し
たパッケージとして使用に供されている。
パッケージ方式としては、大別して気密封正方式と樹脂
封止方式とに分けられ、気密封止方式では、−船釣には
セラミックスが用いられているが、熱硬化性樹脂を用い
ることも試みられている。熱硬化性樹脂を用いる場合に
は樹脂中空封止体(箱型樹脂成形体)の中央部に設けら
れたリードフレームのアイランドに接着剤によって固着
された半導体素子は、インサート成形によって樹脂中空
封止体内に封入され、その両端がパッケージの内側と外
側に開放されたリードフレームとポンディングワイヤー
によって連結されている。
封止方式とに分けられ、気密封止方式では、−船釣には
セラミックスが用いられているが、熱硬化性樹脂を用い
ることも試みられている。熱硬化性樹脂を用いる場合に
は樹脂中空封止体(箱型樹脂成形体)の中央部に設けら
れたリードフレームのアイランドに接着剤によって固着
された半導体素子は、インサート成形によって樹脂中空
封止体内に封入され、その両端がパッケージの内側と外
側に開放されたリードフレームとポンディングワイヤー
によって連結されている。
ところで、リードフレームをインサートして樹脂中空封
止体を一体成形するには、金型内にリードフレームをイ
ンサートした後、この金型内で熱硬化性樹脂を射出成形
あるいはトランスファー成形することにより、リードフ
レームと樹脂中空封止体とを一体成形するものであるが
、この成形方法においては、リードフレームの表面、ど
くにリードフレームと樹脂中空封止体との接点部分、つ
まりリードフレームの内部リード部および外部リード部
のコーナ一部に5樹脂のフラッシュバリが発生し、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を妨げることに
なり、また微細なゴミの混入さえきらう半導体装置にと
って、このようなフラッシュバリは完全に除去しなけれ
ばならない問題である。
止体を一体成形するには、金型内にリードフレームをイ
ンサートした後、この金型内で熱硬化性樹脂を射出成形
あるいはトランスファー成形することにより、リードフ
レームと樹脂中空封止体とを一体成形するものであるが
、この成形方法においては、リードフレームの表面、ど
くにリードフレームと樹脂中空封止体との接点部分、つ
まりリードフレームの内部リード部および外部リード部
のコーナ一部に5樹脂のフラッシュバリが発生し、リー
ドフレームと半導体素子との電気的接続を妨げることに
なり、また微細なゴミの混入さえきらう半導体装置にと
って、このようなフラッシュバリは完全に除去しなけれ
ばならない問題である。
従来より、このようなフラッシュバリを除去する方法と
しては、たとえば砥粒を用いるブラスト法、薬品を用い
てフラッシュバリを溶解剥離する方法、あるいは液体を
高圧噴射してフラッシュバリを除去する方法などが知ら
れている。
しては、たとえば砥粒を用いるブラスト法、薬品を用い
てフラッシュバリを溶解剥離する方法、あるいは液体を
高圧噴射してフラッシュバリを除去する方法などが知ら
れている。
しかしながら、上記ブラスト方法では、樹脂モールド部
の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマス
キングしなければならず、製造工程が複雑になるという
問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラッ
シュバリを剥離させることは可能であっても、完全にフ
ラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシン
グなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表面
が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。ま
た、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームに付
着しているフラッシュバリを除去するためには、100
kg/cm2以上の高圧液体を噴射する必要があり、
そのため樹脂モールド部にクラックが生じ易いという問
題点があった。
の表面が損傷するため、樹脂モールド部分の表面をマス
キングしなければならず、製造工程が複雑になるという
問題点があった。また、薬品を用いる方法では、フラッ
シュバリを剥離させることは可能であっても、完全にフ
ラッシュバリを取除くことができず、さらにブラッシン
グなどを行なう必要があるため、樹脂モールド部の表面
が損傷し、上記ブラスト法と同様の問題点があった。ま
た、液体を高圧噴射する方法では、リードフレームに付
着しているフラッシュバリを除去するためには、100
kg/cm2以上の高圧液体を噴射する必要があり、
そのため樹脂モールド部にクラックが生じ易いという問
題点があった。
本発明者らは、前記フラッシュバリの除去方法について
、研究を重ねてきたところであり、すでに、インサート
成形前のリードフレームの露出部分、すなわち樹脂中空
封止体と接触しない部分に、融点または軟化点が該封止
体の成形温度以上であって、かつ該封止体を溶解するこ
とのない溶媒に可洛な有機高分子物質を塗布しておき、
このリードフレームを金型内に設置した状態で樹脂を射
出またはトランスファー成形によって一体成形し、得ら
れた樹脂封止体を前記溶媒に浸してリードフレーム上の
有機高分子物質を溶解除去することによって、その上面
に発生したフラッシュバリを同時に除去する方法を先に
開発した。
、研究を重ねてきたところであり、すでに、インサート
成形前のリードフレームの露出部分、すなわち樹脂中空
封止体と接触しない部分に、融点または軟化点が該封止
体の成形温度以上であって、かつ該封止体を溶解するこ
とのない溶媒に可洛な有機高分子物質を塗布しておき、
このリードフレームを金型内に設置した状態で樹脂を射
出またはトランスファー成形によって一体成形し、得ら
れた樹脂封止体を前記溶媒に浸してリードフレーム上の
有機高分子物質を溶解除去することによって、その上面
に発生したフラッシュバリを同時に除去する方法を先に
開発した。
本発明者らは、前記発明をさらに改良する過程において
、さらに簡単な手段で確実にフラッシュバリのみを除去
する方法について研究を継続してきたところ、新たに、
リードフレームを陰極として電解処理を行った後に高圧
水を噴射することにより、樹脂モールド部を損傷するこ
となく、リードフレーム上に発生するフラッシュバリを
完全に除去することができるという新たな知見を得、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至ったものである
。
、さらに簡単な手段で確実にフラッシュバリのみを除去
する方法について研究を継続してきたところ、新たに、
リードフレームを陰極として電解処理を行った後に高圧
水を噴射することにより、樹脂モールド部を損傷するこ
となく、リードフレーム上に発生するフラッシュバリを
完全に除去することができるという新たな知見を得、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至ったものである
。
(発明の目的)
そこで、本発明の目的は、リードフレームや樹脂モール
ド部の損傷を伴うことなく、フラッシュバリを除去する
方法を提供することにある。
ド部の損傷を伴うことなく、フラッシュバリを除去する
方法を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、前記目的を達成するために提案されたもので
あって、電解処理と高圧水噴射を組み合わせた点に特徴
を有するものである。
あって、電解処理と高圧水噴射を組み合わせた点に特徴
を有するものである。
すなわち、本発明によれば、リードフレームをインサー
トして熱硬化性樹脂からなる中空封止体を一体成形した
後、リードフレームを陰極として電解処理を行い、さら
に高圧水を噴射することによってリードフレーム上に発
生したフラッシュバリを除去することを特徴とする半導
体装置の製造方法、が提供される。
トして熱硬化性樹脂からなる中空封止体を一体成形した
後、リードフレームを陰極として電解処理を行い、さら
に高圧水を噴射することによってリードフレーム上に発
生したフラッシュバリを除去することを特徴とする半導
体装置の製造方法、が提供される。
この方法によれば、リードフレームを陰極とすることに
より、リードフレームより水素が発生し、この水素の発
生がリードフレーム上のフラッシュバリを浮き上らせ、
その後に高圧の水を噴射することにより、該フラッシュ
バリを完全に除去することができるものである。従来方
法においては、リードフレームを陽極として電解処理を
行っており、この場合は、リードフレームが酸化して黒
色化してしまい、しかも、フラッシュバリの除去もスム
ーズに行われない。
より、リードフレームより水素が発生し、この水素の発
生がリードフレーム上のフラッシュバリを浮き上らせ、
その後に高圧の水を噴射することにより、該フラッシュ
バリを完全に除去することができるものである。従来方
法においては、リードフレームを陽極として電解処理を
行っており、この場合は、リードフレームが酸化して黒
色化してしまい、しかも、フラッシュバリの除去もスム
ーズに行われない。
また、本発明によれば、電解処理を行う際の電解液をア
ルカリ性にすることにより、リードフレームや樹脂モー
ルド部の損傷を著しく防止することができる。
ルカリ性にすることにより、リードフレームや樹脂モー
ルド部の損傷を著しく防止することができる。
すなわち、本発明の重要な技術的特徴は、リードフレー
ムをインサートして一体成形した樹脂中空封止体のリー
ドフレームを陰極として、かつアルカリ性の電解液で電
解処理を行う点にある。
ムをインサートして一体成形した樹脂中空封止体のリー
ドフレームを陰極として、かつアルカリ性の電解液で電
解処理を行う点にある。
電解処理
本発明の電解処理は、前述したようにリードフレームを
陰極とする。この際、電解液には、たとえば、NaOH
を主成分とし、これに少量のアニオン系、非イオン系の
界面活性剤およびEDTAなどのキレート剤などを配合
することができる。電流密度は1ないし30 A /
dcm2、好ましくは3ないしI OA、 / dcm
2であり、処理温度は室温ないし80℃、好ましくは3
0ないし50℃、処理時間は旧5ないし10分、好まし
くは1ないし3分である。
陰極とする。この際、電解液には、たとえば、NaOH
を主成分とし、これに少量のアニオン系、非イオン系の
界面活性剤およびEDTAなどのキレート剤などを配合
することができる。電流密度は1ないし30 A /
dcm2、好ましくは3ないしI OA、 / dcm
2であり、処理温度は室温ないし80℃、好ましくは3
0ないし50℃、処理時間は旧5ないし10分、好まし
くは1ないし3分である。
このような条件で、電解処理を行うと、リードフレーム
面、つまりフラッシュバリの下から水素が発生し、リー
ドフレーム上のフラッシュバリを浮き上らせる作用をす
る。
面、つまりフラッシュバリの下から水素が発生し、リー
ドフレーム上のフラッシュバリを浮き上らせる作用をす
る。
高圧水噴射
前記電解処理によって浮き上ったフラッシュバリは、噴
射圧力100ないし1500kgf/cm2.好ましく
は200ないし500 kgf/cm2で、噴射ノズル
より高圧水を噴射することにより、容易に除去すること
ができる。高圧水のの噴射時間は1ないし30秒、好ま
しくは3ないし20秒で完全にフラッシュバリを除去す
ることができ、この方法によれば、砥粒を用いたブラス
ト法にくらべてリードフレームの損傷が著しく抑制する
ことができるとともに、粉塵の発生が全くなく、薬品に
よる溶解剥離方式と比べても、樹脂モールドの損傷がな
いという点で、高度のクリーン度ならびに精密度が要求
される半導体装置の製造方法として適しているものであ
ることが理解されよう。
射圧力100ないし1500kgf/cm2.好ましく
は200ないし500 kgf/cm2で、噴射ノズル
より高圧水を噴射することにより、容易に除去すること
ができる。高圧水のの噴射時間は1ないし30秒、好ま
しくは3ないし20秒で完全にフラッシュバリを除去す
ることができ、この方法によれば、砥粒を用いたブラス
ト法にくらべてリードフレームの損傷が著しく抑制する
ことができるとともに、粉塵の発生が全くなく、薬品に
よる溶解剥離方式と比べても、樹脂モールドの損傷がな
いという点で、高度のクリーン度ならびに精密度が要求
される半導体装置の製造方法として適しているものであ
ることが理解されよう。
(発明の好適態様)
リードフレームをインサートして樹脂で成形した状態の
中空封止体の断面の一例を示す第1図において、1の中
空封止体は、リードフレーム2と密着性のよい熱硬化性
樹脂、たとえば、ビスフェノールA型、ノボラック型、
グリシジルアミン型などのエポキシ樹脂、ポリアミノビ
スマレイミド、ポリピロメリットイミドなとのイミド系
樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが
使用され、射出成形、あるいはトランスファー成形によ
ってリードフレーム2をインサートした一体成形によっ
て中空封止体が成形される。
中空封止体の断面の一例を示す第1図において、1の中
空封止体は、リードフレーム2と密着性のよい熱硬化性
樹脂、たとえば、ビスフェノールA型、ノボラック型、
グリシジルアミン型などのエポキシ樹脂、ポリアミノビ
スマレイミド、ポリピロメリットイミドなとのイミド系
樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが
使用され、射出成形、あるいはトランスファー成形によ
ってリードフレーム2をインサートした一体成形によっ
て中空封止体が成形される。
インサート成形の条件は、使用する樹脂によっても異る
が、エポキシ樹脂を使用した場合には、10ないし50
0 kg/cm2、温度150ないし200℃で1ない
し5分の成形条件が好ましい。
が、エポキシ樹脂を使用した場合には、10ないし50
0 kg/cm2、温度150ないし200℃で1ない
し5分の成形条件が好ましい。
リードフレーム2は42アロイや銅合金からなり、成形
の際、このリードフレームの表面、とくに、リードフレ
ームの外部リード部2aおよび内部リード部2bの樹脂
中空封止体とのコーナ一部にフラッシュバリ3が発生す
る。
の際、このリードフレームの表面、とくに、リードフレ
ームの外部リード部2aおよび内部リード部2bの樹脂
中空封止体とのコーナ一部にフラッシュバリ3が発生す
る。
そこで、本発明においては、前述した方法によりリード
フレーム2を陰極として電解処理を行い、ついで高圧水
を噴射することによってフラッシュバリ3を完全に除去
するものである。
フレーム2を陰極として電解処理を行い、ついで高圧水
を噴射することによってフラッシュバリ3を完全に除去
するものである。
フラッシュバリを除去した後の樹脂中空封止体は、第2
図に示されるように、リードフレームのアイランド部2
cに半導体素子4が搭載され、ボンディングワイヤー5
でリードフレームと半導体素子が連結された後、透明な
いし透明の、プラスチック板、石英ガラス板、サファイ
ヤ板、アルミナ板などの蓋材6を接着することによって
気富封止された半導体装置となる。
図に示されるように、リードフレームのアイランド部2
cに半導体素子4が搭載され、ボンディングワイヤー5
でリードフレームと半導体素子が連結された後、透明な
いし透明の、プラスチック板、石英ガラス板、サファイ
ヤ板、アルミナ板などの蓋材6を接着することによって
気富封止された半導体装置となる。
(発明の効果)
本発明によれば、リードフレーム上に発生したフラッシ
ュバリを、樹脂モールドおよびリードフレームに損傷を
与えることなく、容易に、しかも確実に除去することが
でき、高品質の半導体装置を提供することができる。
ュバリを、樹脂モールドおよびリードフレームに損傷を
与えることなく、容易に、しかも確実に除去することが
でき、高品質の半導体装置を提供することができる。
(実施例)
以下実施例により本発明の詳細な説明する。
第1図に示すリードフレームの内部リード部2bとアイ
ランド部2Cに厚さ1.5μmの金メツキを施した42
アロイ製のリードフレームをトランスファー成形機の金
型内の所定の位置にインサートした。次いでノボラック
型エポキシ樹脂系成形材料を、温度175℃、圧カフ
0 kg/cm2、時間2 minの条件でインサート
成形した後、温度175℃で4時間の後硬化を行なって
第1図に示すような樹脂中空封止体を得た。該中空封止
体のリードフレーム、とくに内部リード部2bおよびア
イランド部2cには樹脂のフラッシュパリが発生してお
り、このまま半導体素子のボンディングを実施すること
は不可能であった。
ランド部2Cに厚さ1.5μmの金メツキを施した42
アロイ製のリードフレームをトランスファー成形機の金
型内の所定の位置にインサートした。次いでノボラック
型エポキシ樹脂系成形材料を、温度175℃、圧カフ
0 kg/cm2、時間2 minの条件でインサート
成形した後、温度175℃で4時間の後硬化を行なって
第1図に示すような樹脂中空封止体を得た。該中空封止
体のリードフレーム、とくに内部リード部2bおよびア
イランド部2cには樹脂のフラッシュパリが発生してお
り、このまま半導体素子のボンディングを実施すること
は不可能であった。
そこで該中空封止体を50℃に加温した5%のNaOH
水溶液に浸し、リードフレームを陰極として水溶液中に
陽極をセットした。次いで、両極間に3ボルトの直流を
電流密度が10 A / dm2になるように通電し、
30秒間保持した。
水溶液に浸し、リードフレームを陰極として水溶液中に
陽極をセットした。次いで、両極間に3ボルトの直流を
電流密度が10 A / dm2になるように通電し、
30秒間保持した。
つぎに該中空封止体をとり出し水洗した後、口径0.5
+nmのノズルから圧力300 kg/cm2で水を噴
射したところ、リードフレーム上のフラッシュバリに3
秒間噴射するだけでパリはリードフレームから完全に剥
離し除去され、一方リードフレームや樹脂モールド部の
損傷は認められなかった。
+nmのノズルから圧力300 kg/cm2で水を噴
射したところ、リードフレーム上のフラッシュバリに3
秒間噴射するだけでパリはリードフレームから完全に剥
離し除去され、一方リードフレームや樹脂モールド部の
損傷は認められなかった。
以上のようにパリを除去した中空封止体を乾燥後、リー
ドフレームのアイランドに半導体素子をエポキシ系銀ペ
ーストでダイボンディングし、さらに内部リードと素子
の電極とを金線でボンディングを行った。ボンディング
は支障な〈実施でき、ボンディング強度も規格値を満た
していた。
ドフレームのアイランドに半導体素子をエポキシ系銀ペ
ーストでダイボンディングし、さらに内部リードと素子
の電極とを金線でボンディングを行った。ボンディング
は支障な〈実施でき、ボンディング強度も規格値を満た
していた。
このように、成形後リードフレームを陰極として電解処
理を行なった後に高圧水を噴射する本発明の方法では、
噴射する水圧が比較的低圧で済む結果、リードフレーム
や樹脂モールド部を損傷することなくフラッシュバリを
除去することができる。
理を行なった後に高圧水を噴射する本発明の方法では、
噴射する水圧が比較的低圧で済む結果、リードフレーム
や樹脂モールド部を損傷することなくフラッシュバリを
除去することができる。
第1図は、成形直後の樹脂中空封止体の状態の例を示す
断面図であり、 第2図は、フラッシュバリを除去した後の気富月止され
た半導体装置の一例を示す断面図である。 図中、 l−・・樹脂中空封止体 2・・・リードフレーム 2a・・・リードフレームの外部リード部2b・・・リ
ードフレームの内部リード部2cm リードフレームの
アイランド部3・・・フラッシュバリ 4・・−半導体素子 5−・・ボンディングワイヤ 6・・・蓋材 第2図 4牛専佳索予
断面図であり、 第2図は、フラッシュバリを除去した後の気富月止され
た半導体装置の一例を示す断面図である。 図中、 l−・・樹脂中空封止体 2・・・リードフレーム 2a・・・リードフレームの外部リード部2b・・・リ
ードフレームの内部リード部2cm リードフレームの
アイランド部3・・・フラッシュバリ 4・・−半導体素子 5−・・ボンディングワイヤ 6・・・蓋材 第2図 4牛専佳索予
Claims (2)
- (1)リードフレームをインサートして熱硬化性樹脂か
らなる中空封止体を一体成形した後、リードフレームを
陰極として電解処理を行い、さらに高圧水を噴射するこ
とによってリードフレーム上に発生したフラッシュバリ
を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (2)前記電解処理が、アルカリ性の電解液によって行
われる請求項(1)記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20656290A JP3112022B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20656290A JP3112022B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0496238A true JPH0496238A (ja) | 1992-03-27 |
JP3112022B2 JP3112022B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=16525452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20656290A Expired - Lifetime JP3112022B2 (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3112022B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0794559A2 (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-10 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
US5836071A (en) * | 1996-12-26 | 1998-11-17 | Texas Instrument Incorporated | Method to produce known good die using temporary wire bond, die attach and packaging |
JP2010000500A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Commiss Energ Atom | フレキシブルキャリア上に堆積された金属膜から彫刻欠陥を除去する方法 |
CN102956763A (zh) * | 2011-08-29 | 2013-03-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
JP2015000490A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 株式会社カネカ | 生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法 |
JP2016083817A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 化研テック株式会社 | バリ除去用電解液組成物およびバリの除去方法 |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP20656290A patent/JP3112022B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0794559A2 (en) * | 1996-03-05 | 1997-09-10 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
EP0794559A3 (en) * | 1996-03-05 | 1998-03-18 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
US5956574A (en) * | 1996-03-05 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
US5836071A (en) * | 1996-12-26 | 1998-11-17 | Texas Instrument Incorporated | Method to produce known good die using temporary wire bond, die attach and packaging |
JP2010000500A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Commiss Energ Atom | フレキシブルキャリア上に堆積された金属膜から彫刻欠陥を除去する方法 |
CN102956763A (zh) * | 2011-08-29 | 2013-03-06 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
JP2015000490A (ja) * | 2013-06-13 | 2015-01-05 | 株式会社カネカ | 生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法 |
JP2016083817A (ja) * | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 化研テック株式会社 | バリ除去用電解液組成物およびバリの除去方法 |
CN105986308A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-10-05 | 化研科技株式会社 | 除溢料用电解液组合物以及溢料的除去方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3112022B2 (ja) | 2000-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9012263B1 (en) | Method for treating a bond pad of a package substrate | |
KR920008249B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR900007230B1 (ko) | 반도체 장치용 리드프레임 | |
US7833827B1 (en) | Method of making a semiconductor chip assembly with a bumped terminal, a filler and an insulative base | |
KR100731850B1 (ko) | 구리를 기본으로 한 본드패드에 종래의 와이어를 결합시킬수 있는 방법 및 이를 위한 장치 | |
JP2002299538A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体パッケージ | |
JPH0496238A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US5362370A (en) | Method for the electrolytic removal of plastic mold flash or bleed from the metal surfaces of semiconductor devices or similar electronic components | |
US20080290482A1 (en) | Method of packaging integrated circuits | |
JP2760339B2 (ja) | リードフレームのばり取り方法およびリードフレーム用ばり取り装置 | |
JP2009099871A (ja) | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
JP6998761B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
JP2810309B2 (ja) | 半導体装置用箱型樹脂成形体の製造方法 | |
US3876461A (en) | Semiconductor process | |
JP2662015B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20230411175A1 (en) | Method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as such semiconductor package assembly | |
JPS61283134A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JP4195735B2 (ja) | 電子部品の樹脂部材接合面の前処理方法 | |
JPH04199661A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0251260A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2622104B2 (ja) | 電子装置パッケージの製造方法 | |
JP2904192B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS63181337A (ja) | 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置 | |
KR0128165B1 (ko) | 초소형전자 패키지내로 수분 및 오염물질의 침투를 줄이기 위한 방법 | |
JP3720391B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 10 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |