JPS63181337A - 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置 - Google Patents

樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置

Info

Publication number
JPS63181337A
JPS63181337A JP62012831A JP1283187A JPS63181337A JP S63181337 A JPS63181337 A JP S63181337A JP 62012831 A JP62012831 A JP 62012831A JP 1283187 A JP1283187 A JP 1283187A JP S63181337 A JPS63181337 A JP S63181337A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin
burr
molded
resin burr
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62012831A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotoshi Nomura
野村 廣敏
Tsutomu Kitamura
北村 勤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NOMURA SEIMITSU DENSHI KK
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
NOMURA SEIMITSU DENSHI KK
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NOMURA SEIMITSU DENSHI KK, Mitsubishi Electric Corp filed Critical NOMURA SEIMITSU DENSHI KK
Priority to JP62012831A priority Critical patent/JPS63181337A/ja
Publication of JPS63181337A publication Critical patent/JPS63181337A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、樹脂モールドされたリードフレームの樹脂バ
リ除去方法及びその装置に関するものであり、エポキシ
樹脂モールドされた銅系リードフレームの樹脂バリを除
去するために用いられるものである。
〈背景技術) 第5図は、エポキシ樹脂モールドされた銅系リードフレ
ームの断面構造を示す図である。同図において、リード
フレーム1のタブ2には、銀メッキ層3と金−シリコン
共晶合金層4とを介してシリコン半導体チップ5がダイ
ボンドされている。
シリコン半導体チップ5のアルミ電極部6は、リードフ
レーム1の各リードに金ワイヤ−7にてワイヤーボンデ
ィングされている。樹脂モールド部8はシリコン半導体
チップ5を封止するように充填されるものであるが−こ
の樹脂交填時にリードフレーム1のリード間やリード面
上に樹脂バリ9が付着する。付着した樹脂バリ9は、リ
ードフレーム1に半田メッキを施したり電気接続したり
する際に邪魔になるので除去する必要があるが、銅系の
リードフレームとエポキシ樹脂とは非常に馴染みが良い
ので、樹脂バリを除去することが困難であった。さらに
、長尺のフープ材についてバリ取りを行うことはもっと
困難であった。
従来、リードフレームに付着した樹脂バリを除去する方
法としては、化学的なエツチングを行う方法や、パフを
用いて物理的に研磨する方法等、種々の方法が提案され
ているが、いずれも銅系のリードフレームに付着したエ
ポキシ樹脂のバリを除去するには十分なものではなく、
バリが残ったり、あるいは、バリを完全に除去しようと
すると、リードフレームや樹脂モールド部を傷めて、最
終製品に不良が発生し、歩留まりを低下させるという問
題があった。
(発明の目的) 本発明は上述のような点に鑑みてなされたちのであり、
その目的とするところは、銅系リードフレームに付着し
たエポキシ樹脂のバリを容易に且つ完全に除去すること
ができ、しかも、リードフレームや樹脂モールド部など
を傷めることがほとんどない樹脂モールドされたリード
フレームの樹脂バリ除去方法を提供すると共に、併せて
、その方法の実施に用いる装置を提供するにある。
(発明の開示) 本発明に係る樹脂モールドされたリードフレームの樹脂
バリ除去方法にあっては、添付図面に示すように、エポ
キシ樹脂モールドされて樹脂バリ9が付着した銅系リー
ドフレーム1を苛性ソーダ水溶液を主成分とする電解脱
脂液中にて電解脱脂する工程と、前記電解脱脂された銅
系リードフレーム1上の樹脂バリ付着部分にジェット水
流を噴射する工程とを2回以上繰り返すものである。
第3図(a)(b)は電解脱脂処理の説明図である。
同図において、1はリードフレーム、8はエポキシ樹脂
部、9は樹脂バリを示している。説明の都合上、樹脂バ
リ9は一定の厚みを有するように描いであるが、実際に
は、樹脂バリ9はかなり薄いものであり、その厚みも一
定ではない、エポキシ樹脂モールドされたリードフレー
ム1を苛性ソーダ水溶液を主成分とする電解脱脂液中に
浸漬すると、苛性ソーダ水溶液はエポキシ樹脂に浸透し
、エポキシ樹脂を膨潤させる作用があるので、薄い樹脂
バリ9の部分は苛性ソーダ水溶液を含んで膨潤し、柔ら
かくなると共に、リードフレーム1を陰極として通電す
ることにより、リードフレーム1の表面から水素ガスが
発生する。このため、水素ガスの圧力により樹脂バリは
第3図(&)の領域Aに示すように、部分的に浮き上が
った状態となり、樹脂バリ9のリードフレーム1への付
着強度は低下する。
次に、樹脂バリ9の付着部分にジェット水流を噴射して
、付着強度の低下した樹脂バリ9を除去する。第4図(
、)(b)はジェット水流噴射処理の説明図である。同
図(a)の矢印で示すように、リードフレーム1の樹脂
バリ付着部分には各、7〜8本ずつのジェット水流を噴
射して、両側のリードに付着した樹脂バリ9を同時に除
去するものである。
ジェット水流の噴射角度については、リードフレーム1
を搬送しながら、搬送方向とは反対方向からリード面に
対して斜めに噴射することが好ましく、且つ、リードフ
レーム1の両側から樹脂モールド部8に向けて斜めに噴
射することが好ましい。
ジェット水流は、リードフレーム1の表と裏とについて
それぞれ噴射する必要がある。第4図(b)の実線の矢
印はリードフレーム1の一方の面にジェット水流を噴射
している様子を示しており、同図(b)の破線の矢印は
リードフレーム1の他方の面にジェット水流を噴射して
いる様子を示している。
以上の電解脱脂処理と水流噴射処理とを行うことによっ
て、例えば、第3図(b)に示すように、樹脂バリ9の
一部が除去され、樹脂バリ9がリードフレーム1の表面
を覆う面積は第3図(a)の場合に比べて少なくなる。
従って、2回目の電解脱脂処理を行うときには、さらに
深くまで電解脱脂液が浸透し、水素ガスの発生により第
3図(b)に示す領域Bの部分まで樹脂バリ9が浮き上
がり、付着強度が弱まった状態で2回目のジェット水流
の噴射を行うことにより、はとんど完全に樹脂バリ9を
除去することができる。
次に、併合発明に係る樹脂モールドされたリードフレー
ムの樹脂バリ除去装置は、第1図に示すように、エポキ
シ樹脂モールドされて樹脂バリが付着したフープ状の銅
系リードフレーム1を搬送するリードフレーム搬送装置
を備え、該リードフレーム搬送装置の搬送経路に沿って
、リードフレーム1を苛性ソーダ水溶液を主成分とする
電解脱脂液中にて電解脱脂するための電解脱脂槽10と
、電解脱脂された銅系リードフレーム1上の樹脂バリ付
着部分にジェット水流を噴射するジェット水流噴射装置
20とを配置して成るものである。
第1図に示す装置は、フープ状のリードフレームlをリ
ール状に巻き取って、搬送するものである。リードフレ
ーム1の搬送路が2列設けられているのは、2列のリー
ドフレーム1が同時に処理されるからであり、各列につ
いてリールが2段設けられているのは、一方のリールの
処理が完了した陵、直ちに他方のリールの処理を開始で
きるようにして、装置の遊び時間を少なくするためであ
る。供給側リール41.42は巻取側リール51゜52
と対応しており、供給側リール43.44は巻取側リー
ル53.54と対応している。フープ状のリードフレー
ム1は、リードフレー1、面を縦方向にして送られてい
る。リードフレーム1を搬送するためには、供給側のリ
ールからリードフレーム1を巻き戻しながら、巻取側の
リールを回転させてリードフレーム1を巻き取るもので
あり、これによって、リードフレーム1を略一定速度で
移動させるものである。リードフレーム1の材質として
は、銅系合金C7250を用いている。
第2図(&)に示すように、電解脱脂槽10における各
リードフレーム1が通過する脱脂槽12には、電解脱脂
液が底面からポンプ14により供給されており、上面か
らオーバーフローして、回収槽13に入り、濾過機を含
む管理槽11に導かれる。管理槽11においては、電解
脱脂液を濾過して浄化すると共に、その成分を管理する
ものであり、電解脱脂液はポンプ14により脱脂槽12
に再度供給される。電解脱脂に用いる電流密度の範囲は
、5〜IOA/da2が好ましく、少な過ぎると樹脂バ
リ9を除去する効果が低下し、多過ぎるとリードフレー
ム1が傷む。実施例では、電流密度は約7A/dm2で
、電解脱脂の作業時間は約30秒とした。電解脱脂槽1
0には、陽極が設けられている。この陽極は電解脱脂液
中に浸漬され、陰極となるリードフレーム1とはショー
トしないように配置される。陽極からは酸素ガスが発生
する。電解脱脂槽10から搬出されたリードフレーム1
は水洗されて、電解脱脂液を除去され、水流噴射装置1
0に送られる。
水流噴射装置10は、モータ22にて駆動される高圧ポ
ンプ23を備え、セラミック製の噴射ノズルから、ジェ
ット水流を噴射する。セラミック製の噴射ノズルとして
は、各種のものが市販されているが、口径が0.2mb
+程度のものが好ましい。
高圧水の圧力は、200〜300Kg/cII+2が好
ましい、各噴射ノズルからの噴射水量は、例えば7〜8
対の噴流ノズル1条について、毎分10リットル程度と
する。噴射した水は、水流噴射作業槽24により回収し
、r逸機21により浄化して高圧ポンプ23に循環させ
、再利用している。
本実施例にあっては、上述のような電解脱脂槽10と、
ジェット水流噴射装置20とを、リードフレーム1の搬
送経路に沿って2組配置しである。
電解脱脂処理とジェット水流の噴射処理を各2回行うこ
とにより、リードフレーム1上の樹脂バリ9はほとんど
完全に除去される。2段目のジェット水流噴射装置20
を出たところで、水洗機30により最後の水洗を行い、
エアーを噴射して水切りを行う、さらに熱風発生機31
を用いてリードフレーム1上に残った水分を乾燥させて
、リールに巻き取るものである。
なお、第1図に示す装置は、チップトランジスタの場合
のように、リード本数が少なく、樹脂モールド部が非常
に小さい場合に用いる装置であるので、フープ状のリー
ドフレームを用いて、リール状に巻き取る方式を採用し
ているが、CPUやロジックゲートナレイのような集積
回路チップを樹脂モールドした場合には、リードの本数
が増加し、モールド部の面櫃も大きくなるので、リール
状に巻き取ることは容易ではない。そこで、この場合に
は、短冊状のリードフレームを用いて、搬送ローラや搬
送コンベアにより、リードフレームの搬送を行うもので
ある。この場合、電解脱脂槽における搬送ローラは通電
性のものを用いて、リードフレームへの通電を確保する
必要がある。
(発明の効果) 以上のように、本発明にあっては、エポキシ樹脂モール
ドされて樹脂バリが付着した銅系リードフレームを苛性
ソーダ水溶液を主成分とする電解脱脂液中にて電解脱脂
する工程と、前記電解脱脂された銅系リードフレーム上
の樹脂バリ付着部分にジェット水流を噴射する工程とを
2回以上繰り返すようにしたから、1回目の電解脱脂処
理により樹脂バリが苛性ソーダ水溶液により膨潤し、且
つ、水素ガスの発生によって部分的に浮き上がってリー
ドフレームに対する付着強度が弱まり、この状態でジェ
ット水流を噴射することにより、樹脂バリを容易に剥離
させることができ、樹脂バリがある程度除去された段階
で、2回目の電解脱脂処理とジェット水流の噴射処理を
行うことにより、1回の電解脱脂処理とジェット水流の
噴射処理では除去できない深さまで樹脂バリを除去する
ことができ、しかも、電解脱脂処理時の電流密度やジェ
ット水流噴射処理時の水圧等は低く抑えることができる
ので、樹脂モールドされたリードフレームを傷めること
がほとんどないという優れた効果がある。
また、併合発明にあっては、エポキシ樹脂モールドされ
て樹脂バリが付着したフープ状の銅系リードフレームを
搬送するリードフレーム搬送装置を備え、該リードフレ
ーム搬送装置の搬送経路に沿って、リードフレームを苛
性ソーダ水溶液を主成分とする電解脱脂液中にて電解脱
脂するための電解脱脂槽と、電解脱脂された銅系リード
フレーム上の樹脂バリ付着部分にジェット水流を噴射す
るジェット水流噴射装置とを配置して成るものであるか
ら、特にフープ状で処理できるようにしたことにより、
電解脱脂処理と水流噴射処理とを続けて行う処理をリー
ドフレーム搬送装置の搬送動作により自動的に行うこと
ができ、樹脂バリの除去作業をほとんど人手を介さずに
連続的に行うことができ、最終製品のコスト低減に大き
く寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る樹脂モールドされたリードフレー
ムの樹脂バリ除去方法を実施するための装置を示す概略
構成図、第2図<1)は同上に用いる電解脱脂槽の一部
破断正面図、同図(b)は同上に用いる水流噴射装置の
正面図、同図(c)は同上に用いる水流噴射作業槽の一
部破断正面図、第3図(a) (b)は電解脱脂処理の
説明図、第4図(a) (b)は水流噴射処理の説明図
、第5図は樹脂モールドされたリードフレームの断面図
である。 1はリードフレーム、8はエポキシ樹脂部、9は樹脂バ
リ、10は電解脱脂槽、20は水流噴射装置である。 第2図(a) 第3図(a) 第3図(b) 第4図(a) 第4図(b) 第5図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エポキシ樹脂モールドされて樹脂バリが付着した
    銅系リードフレームを苛性ソーダ水溶液を主成分とする
    電解脱脂液中にて電解脱脂する工程と、前記電解脱脂さ
    れた銅系リードフレーム上の樹脂バリ付着部分にジェッ
    ト水流を噴射する工程とを2回以上繰り返すことを特徴
    とする樹脂モールドされたリードフレームの樹脂バリ除
    去方法。
  2. (2)エポキシ樹脂モールドされて樹脂バリが付着した
    フープ状の銅系リードフレームを搬送するリードフレー
    ム搬送装置を備え、該リードフレーム搬送装置の搬送経
    路に沿って、リードフレームを苛性ソーダ水溶液を主成
    分とする電解脱脂液中にて電解脱脂するための電解脱脂
    槽と、電解脱脂された銅系リードフレーム上の樹脂バリ
    付着部分にジェット水流を噴射するジェット水流噴射装
    置とを配置して成ることを特徴とする樹脂モールドされ
    たリードフレームの樹脂バリ除去装置。
JP62012831A 1987-01-22 1987-01-22 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置 Pending JPS63181337A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62012831A JPS63181337A (ja) 1987-01-22 1987-01-22 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62012831A JPS63181337A (ja) 1987-01-22 1987-01-22 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63181337A true JPS63181337A (ja) 1988-07-26

Family

ID=11816323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62012831A Pending JPS63181337A (ja) 1987-01-22 1987-01-22 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63181337A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007029307A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Noritz Corp キャビネット
JP2007244475A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Cleanup Corp 昇降式ラック
JP2015000490A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社カネカ 生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5467376A (en) * 1977-11-08 1979-05-30 Nec Corp Production of plastic molded type semiconductor device
JPS56135954A (en) * 1980-03-27 1981-10-23 Noge Denki Kogyo:Kk Treatment of outside lead of mold semiconductor device before plating

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5467376A (en) * 1977-11-08 1979-05-30 Nec Corp Production of plastic molded type semiconductor device
JPS56135954A (en) * 1980-03-27 1981-10-23 Noge Denki Kogyo:Kk Treatment of outside lead of mold semiconductor device before plating

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007029307A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Noritz Corp キャビネット
JP2007244475A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Cleanup Corp 昇降式ラック
JP2015000490A (ja) * 2013-06-13 2015-01-05 株式会社カネカ 生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9012263B1 (en) Method for treating a bond pad of a package substrate
JPS6396947A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JP2007123327A (ja) 半導体装置の製造方法
CN1770440A (zh) 半导体引线框及电镀方法,有半导体引线框的半导体封装
JPS63181337A (ja) 樹脂モ−ルドされたリ−ドフレ−ムの樹脂バリ除去方法及びその装置
JP2760339B2 (ja) リードフレームのばり取り方法およびリードフレーム用ばり取り装置
JP3494202B2 (ja) ウェハー状ワーク洗浄方法並びに当該洗浄方法に用いる洗浄バスケット及び洗浄ハウジング
JPH09148509A (ja) 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法
JP3112022B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2806712B2 (ja) 半導体装置の製造装置
US20020076905A1 (en) Method of eliminating silicon residual from wafer after dicing saw process
JP2008106339A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH03158492A (ja) めっき装置
KR20230090411A (ko) 반도체 패키징용 본딩 와이어 도금층 보이드 최소화 도금 기술
JPH07113159B2 (ja) めっき装置
JPS6129146B2 (ja)
KR100203931B1 (ko) 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법
JPS59175755A (ja) ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法
JP6742617B2 (ja) パワーモジュール基板の生産方法および生産装置
JPS6024586B2 (ja) 半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法
JP2658071B2 (ja) スポットめっきリードフレームの連続洗浄方法
KR19990054744A (ko) 리드 프레임 도금 장치와 그를 이용한 도금 방법
KR100283847B1 (ko) 몰드된 반도체 패키지의 디플래싱 장치 및 그 디플래싱 방법
JPH1084008A (ja) バリ取り方法および装置
JP2908157B2 (ja) 回路基板のエッチング方法およびエッチング装置