JPS59175755A - ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 - Google Patents
ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法Info
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- JPS59175755A JPS59175755A JP5088983A JP5088983A JPS59175755A JP S59175755 A JPS59175755 A JP S59175755A JP 5088983 A JP5088983 A JP 5088983A JP 5088983 A JP5088983 A JP 5088983A JP S59175755 A JPS59175755 A JP S59175755A
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-
- H—ELECTRICITY
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はワイヤボンディングに適した表面、特に薄い金
めつき層を有するプリント配線基板の製造方法に関する
ものである。
めつき層を有するプリント配線基板の製造方法に関する
ものである。
従来、発光ダイオード素子、集積回路素子等の半導体素
子塔載用のプリント配線基板においては、ワイヤボンデ
ィング性を得るだめに、プリント配線用基板表面の銅箔
層又は銅めっき層上にニッケｌし等、銅が浸透しにくい
金属をめっきし、さらにその上に高純度の金を０５μｍ
以上の厚さにめっきしていた。
子塔載用のプリント配線基板においては、ワイヤボンデ
ィング性を得るだめに、プリント配線用基板表面の銅箔
層又は銅めっき層上にニッケｌし等、銅が浸透しにくい
金属をめっきし、さらにその上に高純度の金を０５μｍ
以上の厚さにめっきしていた。
近年、ワイヤボンディング用プリント配線基板）用途砿
犬に伴なってコスト低下が要求され、金めつきの厚さを
薄くする傾向がある。例えば、特公昭５７−５７８６４
の如く金めつきの厚さを０．４μｍ以下にしても良好な
ワイヤボンディング性を得る方法が提案されている。
犬に伴なってコスト低下が要求され、金めつきの厚さを
薄くする傾向がある。例えば、特公昭５７−５７８６４
の如く金めつきの厚さを０．４μｍ以下にしても良好な
ワイヤボンディング性を得る方法が提案されている。
前記特公昭５７−５７８６４によれば、ワイヤホンディ
ング性に大きく影響するのはめつきする金の純度と表面
の汚れであり、高純度の金をめっきした後に表面を充分
に洗浄することによって、金めつきの厚さを０．４μｍ
以下にしても良好なワイヤボンディング性が得られると
記載されている。その説明によね、ば、実施例の記載が
不充分ではあるが、純水による３０分の超音波洗浄によ
って表面を充分に洗浄ｌ−でいる。
ング性に大きく影響するのはめつきする金の純度と表面
の汚れであり、高純度の金をめっきした後に表面を充分
に洗浄することによって、金めつきの厚さを０．４μｍ
以下にしても良好なワイヤボンディング性が得られると
記載されている。その説明によね、ば、実施例の記載が
不充分ではあるが、純水による３０分の超音波洗浄によ
って表面を充分に洗浄ｌ−でいる。
本発明者らは、種々の材質及び板厚のプリント配線用基
板において、種々のめつき及び厚みについて」二連の方
法を検討した結果、金めつきの厚さを０４μｍ以下にす
ると長期間の放置によってワイヤボンディング性が経時
劣化するという欠点を確認した。
板において、種々のめつき及び厚みについて」二連の方
法を検討した結果、金めつきの厚さを０４μｍ以下にす
ると長期間の放置によってワイヤボンディング性が経時
劣化するという欠点を確認した。
前記ワイヤボンディング性の経時劣化は主に金めつきの
ピンホーＩしが原因している。即ち、従来の通常の方法
では、ワイヤボンディング性が経時劣化しないために、
金めつきの厚さを０５ＩｌｒｒＬ以上にしていた。
ピンホーＩしが原因している。即ち、従来の通常の方法
では、ワイヤボンディング性が経時劣化しないために、
金めつきの厚さを０５ＩｌｒｒＬ以上にしていた。
本発明は薄い金めつき層を有するワイヤボンディング用
プリント配線基板の前記欠点を除去、改良した製造方法
を提供することを目的とし、ニッケル等、銅が浸透しに
くい金属を吸引流法によって緻密にめっき１〜でピンホ
ーＩしをほとんどなくし、さらにその上に高純度の金を
吸引流法によって緻密にめっきしてピンホーＩしをほと
んどなくすととによって、金めつきの厚さをＱ、４．７
ｚｍ以下にしても前記ワイヤボンディング性の経時劣化
のない、良好なワイヤボンディング性を得ることを特徴
とするものである。
プリント配線基板の前記欠点を除去、改良した製造方法
を提供することを目的とし、ニッケル等、銅が浸透しに
くい金属を吸引流法によって緻密にめっき１〜でピンホ
ーＩしをほとんどなくし、さらにその上に高純度の金を
吸引流法によって緻密にめっきしてピンホーＩしをほと
んどなくすととによって、金めつきの厚さをＱ、４．７
ｚｍ以下にしても前記ワイヤボンディング性の経時劣化
のない、良好なワイヤボンディング性を得ることを特徴
とするものである。
次に本発明を従来と比較しながら、図面に基づいて説明
する。
する。
第１図は従来の通常の方法によるワイヤボンディング用
プリント配線基板の縦断面図であり、プリント配線用基
板（１）１７）表面の銅箔層又は銅めっき層（２）上し
、さらにその上に純度９９． ｅ ９％以」二の高純度
の金（４）を０．４． Ｉｉ、ｍ以下の厚さにめっきし
ている。このワイヤホンディング用プリント配線基板は
主に金めつき層にピンホール（５）があるために、長期
間の放置によってワイヤボンディング性が経時劣化して
ぃ／こ。
プリント配線基板の縦断面図であり、プリント配線用基
板（１）１７）表面の銅箔層又は銅めっき層（２）上し
、さらにその上に純度９９． ｅ ９％以」二の高純度
の金（４）を０．４． Ｉｉ、ｍ以下の厚さにめっきし
ている。このワイヤホンディング用プリント配線基板は
主に金めつき層にピンホール（５）があるために、長期
間の放置によってワイヤボンディング性が経時劣化して
ぃ／こ。
これに対して第２図は本発明の吸引流法によるワイヤボ
ンディング用プリント配ａ基板の縦断面図であり、プリ
ント配線用基板（１）の表面の銅箔層又は銅めっき層（
２）上に、ニッケル等、銅が浸透１−にくい金属（３）
を吸引流法によって緻密にめっきしてピンホーｌしをほ
とんどなくし、さらにその上に純度９９．９９％以上の
高純度の金（４）を吸引流法によって緻密にめっき１−
てピンホールをほとＸ７どなくすことによって、金めつ
きの厚さを０．４μｍ以下にしても前記ワイＡ・ボンデ
ィング性の経時劣化のない、良好なワイヤホンディング
性が得られている。
ンディング用プリント配ａ基板の縦断面図であり、プリ
ント配線用基板（１）の表面の銅箔層又は銅めっき層（
２）上に、ニッケル等、銅が浸透１−にくい金属（３）
を吸引流法によって緻密にめっきしてピンホーｌしをほ
とんどなくし、さらにその上に純度９９．９９％以上の
高純度の金（４）を吸引流法によって緻密にめっき１−
てピンホールをほとＸ７どなくすことによって、金めつ
きの厚さを０．４μｍ以下にしても前記ワイＡ・ボンデ
ィング性の経時劣化のない、良好なワイヤホンディング
性が得られている。
次に本発明の吸引流法によるめっき法を図面に基づいて
説明する。
説明する。
第３図は吸引流法によるめっき装置の概略図であゆ、銅
、ニッケル等の陰極（６）の表面のめつき液をノズ１ｖ
（７）を通してポンプ（８）によって強制吸引しつつ、
ノズｌしく７）にまいた白金線を陽極（９）として陰極
（６）の表面ニニノケル、金等の金属をめっきするもの
である。
、ニッケル等の陰極（６）の表面のめつき液をノズ１ｖ
（７）を通してポンプ（８）によって強制吸引しつつ、
ノズｌしく７）にまいた白金線を陽極（９）として陰極
（６）の表面ニニノケル、金等の金属をめっきするもの
である。
また強制吸引するだめに陰極（６）の表面の周囲には壁
（１０）が設けである。なおノズル（７）及び壁（１０
）はガラス、プラスチックス等のめつき液に不溶性の材
質である。上述の吸引流法によるめっき法は、ノズ／ｌ
／数を増すことによって陰極面積を拡げることができる
という利点がある。この理由はノズル数を増しても液だ
まりが発生しないために、陰極の表面でのめつき液の攪
拌が全体にわたって充分性われることによるものである
。従って吸引流法によるめっき法が緻密なピンホーＩし
がほとんどない表面を与えることは明白である。
（１０）が設けである。なおノズル（７）及び壁（１０
）はガラス、プラスチックス等のめつき液に不溶性の材
質である。上述の吸引流法によるめっき法は、ノズ／ｌ
／数を増すことによって陰極面積を拡げることができる
という利点がある。この理由はノズル数を増しても液だ
まりが発生しないために、陰極の表面でのめつき液の攪
拌が全体にわたって充分性われることによるものである
。従って吸引流法によるめっき法が緻密なピンホーＩし
がほとんどない表面を与えることは明白である。
次に吸引流法によるニッケルめっきについて説明する。
めっき液として標準ワット浴を使用し、液温７０℃、ｐ
Ｈ４において、ノズル・陰極間距離５〜１０賜、ノスＩ
し内流速５〜１０ ”！／ｓｅｃ、ノズ！し比（陰極面
積からノズル外断面積を引いたもの／ノズル内断面積）
３〜１５の場合に電流密度１００〜３ （１０Ａ／ｄか
に１２ても緻密なピンホールがほとんどない表面が得ら
ねている。
Ｈ４において、ノズル・陰極間距離５〜１０賜、ノスＩ
し内流速５〜１０ ”！／ｓｅｃ、ノズ！し比（陰極面
積からノズル外断面積を引いたもの／ノズル内断面積）
３〜１５の場合に電流密度１００〜３ （１０Ａ／ｄか
に１２ても緻密なピンホールがほとんどない表面が得ら
ねている。
次に吸引流法による金め−）きについて説明する。
めっき液として中性金めつき液（日本エレクトロプレイ
テイングエンジニャ−ス社製、商品名テンペレックス４
０１）を使用し、液温７０″Ｃ〕、ｐＴ−Ｔ６において
、ノズル・陰極間距離５〜１０賜、ノズル内流速５〜１
０ ｍ／ｓｅｃ、ノスル比３〜１５の場合に電流密度３
０〜１００〜−・にしても緻密なピンホールがほとんど
ない表面が得られている。
テイングエンジニャ−ス社製、商品名テンペレックス４
０１）を使用し、液温７０″Ｃ〕、ｐＴ−Ｔ６において
、ノズル・陰極間距離５〜１０賜、ノズル内流速５〜１
０ ｍ／ｓｅｃ、ノスル比３〜１５の場合に電流密度３
０〜１００〜−・にしても緻密なピンホールがほとんど
ない表面が得られている。
次に本発明を実施例ならびに比蚊例について説明する。
実施例１
ガラスエポキシ基板表面の銅箔層上に、ニッケルを吸引
流法によって緻密にｌ 、Ｑ Ｉｉｍの厚さにめっき［
７、さらにその上に純度９９９９％以上の金を吸引流法
によって緻密に０．０８１ｚｍの厚さにめっきした。こ
のワイヤボンディング用プ１１ント配線基板をクリーン
ベンチ内に３０日間放置しても良好なワイヤホンデイン
グ性が得られた。
流法によって緻密にｌ 、Ｑ Ｉｉｍの厚さにめっき［
７、さらにその上に純度９９９９％以上の金を吸引流法
によって緻密に０．０８１ｚｍの厚さにめっきした。こ
のワイヤボンディング用プ１１ント配線基板をクリーン
ベンチ内に３０日間放置しても良好なワイヤホンデイン
グ性が得られた。
実施例２
而・ｊ熱ガラスエホギシ基板表面の銅めっき層上に。
ニッケルを吸引流法によって緻密に７１ｔｍの厚さにめ
っきし、さらにその上に純度９９．９９％以上の金を吸
引流法によって緻密に０．２ ｐ、ｍの厚さにめっきし
た。
っきし、さらにその上に純度９９．９９％以上の金を吸
引流法によって緻密に０．２ ｐ、ｍの厚さにめっきし
た。
このワイヤボンディング用プリント配線基板をクリーン
ペンチ内に３０日間放置しても良好なワイヤボンディン
グ性が得られた。
ペンチ内に３０日間放置しても良好なワイヤボンディン
グ性が得られた。
実施例３
ガラスポリイミド基板表面の銅めっき層上に、ニッケル
を吸引流法によって緻密に５７ｚｍの厚さにめっきし、
さらＫその上に純度９９．９９９６以上の金を吸引流法
によって緻密に０４μｍの厚さにめっきした。このワイ
ヤホンディング用プリント配線基板をクリー：／へ：／
チ内１／Ｃ３０日間放置しても良好ｉワイヤボンディン
グ性が得られた。
を吸引流法によって緻密に５７ｚｍの厚さにめっきし、
さらＫその上に純度９９．９９９６以上の金を吸引流法
によって緻密に０４μｍの厚さにめっきした。このワイ
ヤホンディング用プリント配線基板をクリー：／へ：／
チ内１／Ｃ３０日間放置しても良好ｉワイヤボンディン
グ性が得られた。
比較例１
ガラスエボギシ清板表面の銅箔層上に、ニッケルを通常
の方法によってＩＯｐｍの厚さにめっきし、さらにその
上に純度９９．９９％以上の金を通常の方法によって０
．０３ｔｔｍの厚きにめっきした。このワイヤボンディ
ング用プリント配線基板をクリーンベンチ内に１５日間
放置すると良好なワイヤボンディング性が得られなかっ
た。
の方法によってＩＯｐｍの厚さにめっきし、さらにその
上に純度９９．９９％以上の金を通常の方法によって０
．０３ｔｔｍの厚きにめっきした。このワイヤボンディ
ング用プリント配線基板をクリーンベンチ内に１５日間
放置すると良好なワイヤボンディング性が得られなかっ
た。
以上のことにより本発明によればニッケＩし等、銅が浸
透しにくい金属を吸引流法によって緻密にめっきしてピ
ンホールをほとんどなくし、さらにその上に高純度の金
を吸引流法によって緻密にめっきしてピンホーＩしをほ
とんど彦くすだめに、金めつきの厚さを０．４ ｐ、ｍ
以下にしても通常の洗浄方法において長期間の放置によ
ってワイヤボンディング性がＲＲ劣化し斤い。なお金め
つきの厚さを０．５ ｐｍ ｕ上にすればワイヤボンデ
ィング性の信頼性が高くなることは言う壕でない。従っ
て本発明の製造方法によるプリント配ｆｍＭ板はワイヤ
ボンディング性に関して信頼性が高いという利点がある
。よって本発明の製造方法はプリント配線基板の信頼性
向上に寄与すること大であり、プリント配線基板工業に
与える利益は大である。
透しにくい金属を吸引流法によって緻密にめっきしてピ
ンホールをほとんどなくし、さらにその上に高純度の金
を吸引流法によって緻密にめっきしてピンホーＩしをほ
とんど彦くすだめに、金めつきの厚さを０．４ ｐ、ｍ
以下にしても通常の洗浄方法において長期間の放置によ
ってワイヤボンディング性がＲＲ劣化し斤い。なお金め
つきの厚さを０．５ ｐｍ ｕ上にすればワイヤボンデ
ィング性の信頼性が高くなることは言う壕でない。従っ
て本発明の製造方法によるプリント配ｆｍＭ板はワイヤ
ボンディング性に関して信頼性が高いという利点がある
。よって本発明の製造方法はプリント配線基板の信頼性
向上に寄与すること大であり、プリント配線基板工業に
与える利益は大である。
第１図は従来の通常の方法によるワイヤホンディング用
プリント配線基板の縦断面図、第２図は本発明の吸引流
法によるワイヤボンディング用ブ°リント配線基板の縦
断面図、第３図は吸引流法によるめっき装置の概略図で
ある。 ｌ・ブ°リン１−配線用基板。 ２−銅箔層又は銅めっき層。 ３ 銅が浸透しにくい金属、 ４−高純度の金。 ５・・ビンホーｌし、 ６・・１１． ７−ノズル。 ８−ポンプ、 ９ 陽極、１〇−壁。 特許出願人の名称 イビデン株式会社 代表者 多賀潤一部 Ｓ／り ＄２１３
プリント配線基板の縦断面図、第２図は本発明の吸引流
法によるワイヤボンディング用ブ°リント配線基板の縦
断面図、第３図は吸引流法によるめっき装置の概略図で
ある。 ｌ・ブ°リン１−配線用基板。 ２−銅箔層又は銅めっき層。 ３ 銅が浸透しにくい金属、 ４−高純度の金。 ５・・ビンホーｌし、 ６・・１１． ７−ノズル。 ８−ポンプ、 ９ 陽極、１〇−壁。 特許出願人の名称 イビデン株式会社 代表者 多賀潤一部 Ｓ／り ＄２１３
Claims (1)
- Ｉ プリント配線用基板表面の銅箔層又は銅めっき層上
に、銅が浸透しにくい金属を吸引流法によって緻密にめ
っきし、さらにその上に高純度の金を吸引流法によって
緻密にしかも極めて薄くめっきすることを特徴とするワ
イヤホンディングに適した表面を有するプ（ｌント配線
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5088983A JPS59175755A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5088983A JPS59175755A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175755A true JPS59175755A (ja) | 1984-10-04 |
| JPH0153503B2 JPH0153503B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=12871295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5088983A Granted JPS59175755A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175755A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045459U (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜混成回路用配線体 |
| JPH03130960U (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | ||
| JPH05327187A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Ishihara Chem Co Ltd | プリント配線板及びその製造法 |
| US20130248894A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light-emitting element mounting package, manufacturing method of the same, and light-emitting element package |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP5088983A patent/JPS59175755A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045459U (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜混成回路用配線体 |
| JPH03130960U (ja) * | 1990-04-17 | 1991-12-27 | ||
| JPH05327187A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Ishihara Chem Co Ltd | プリント配線板及びその製造法 |
| US20130248894A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light-emitting element mounting package, manufacturing method of the same, and light-emitting element package |
| US9166132B2 (en) * | 2012-03-23 | 2015-10-20 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light-emitting element mounting package having heat radiation route, manufacturing method of the same, and light-emitting element package |
| US9276185B2 (en) | 2012-03-23 | 2016-03-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Light-emitting element mounting package having protruded wiring and recessed wiring, and light-emitting element package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0153503B2 (ja) | 1989-11-14 |
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