JPH0153503B2 - - Google Patents
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- JPH0153503B2 JPH0153503B2 JP5088983A JP5088983A JPH0153503B2 JP H0153503 B2 JPH0153503 B2 JP H0153503B2 JP 5088983 A JP5088983 A JP 5088983A JP 5088983 A JP5088983 A JP 5088983A JP H0153503 B2 JPH0153503 B2 JP H0153503B2
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- Japan
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- wire bonding
- plating
- printed wiring
- suction flow
- plated
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はワイヤボンデイングに適した表面、特
に薄い金めつき層を有するプリント配線基板の製
造方法に関するものである。
に薄い金めつき層を有するプリント配線基板の製
造方法に関するものである。
従来、発光ダイオード素子、集積回路素子等の
半導体素子搭載用のプリント配線基板において
は、ワイヤボンデイング性を得るために、プリン
ト配線用基板表面の銅箔層又は銅めつき層上にニ
ツケル等、銅が浸透しにくい金属をめつきし、さ
らにその上に高純度の金を0.5μｍ以上の厚さにめ
つきしていた。近年、ワイヤボンデイング用プリ
ント配線基板の用途拡大に伴なつてコスト低下が
要求され、金めつきの厚さを薄くする傾向があ
る。例えば、特公昭57−57864の如く金めつきの
厚さを0.4μｍ以下にしても良好なワイヤボンデイ
ング性を得る方法が提案されている。
半導体素子搭載用のプリント配線基板において
は、ワイヤボンデイング性を得るために、プリン
ト配線用基板表面の銅箔層又は銅めつき層上にニ
ツケル等、銅が浸透しにくい金属をめつきし、さ
らにその上に高純度の金を0.5μｍ以上の厚さにめ
つきしていた。近年、ワイヤボンデイング用プリ
ント配線基板の用途拡大に伴なつてコスト低下が
要求され、金めつきの厚さを薄くする傾向があ
る。例えば、特公昭57−57864の如く金めつきの
厚さを0.4μｍ以下にしても良好なワイヤボンデイ
ング性を得る方法が提案されている。
前記特公昭57−57864によれば、ワイヤボンデ
イング性に大きく影響するのはめつきする金の純
度と表面の汚れであり、高純度の金をめつきした
後に表面を充分に洗浄することによつて、金めつ
きの厚さを0.4μｍ以下にしても良好なワイヤボン
デイング性が得られると記載されている。その説
明によれば、実施例の記載が不充分ではあるが、
純水による30分の超音波洗浄によつて表面を充分
に洗浄している。
イング性に大きく影響するのはめつきする金の純
度と表面の汚れであり、高純度の金をめつきした
後に表面を充分に洗浄することによつて、金めつ
きの厚さを0.4μｍ以下にしても良好なワイヤボン
デイング性が得られると記載されている。その説
明によれば、実施例の記載が不充分ではあるが、
純水による30分の超音波洗浄によつて表面を充分
に洗浄している。
本発明者らは、種々の材質及び板厚のプリント
配線用基板において、種々のめつき及び厚みにつ
いて上述の方法を検討した結果、金めつきの厚さ
を0.4μｍ以下にすると長期間の放置によつてワイ
ヤボンデイング性が経時劣化するという欠点を確
認した。前記ワイヤボンデイング性の経時劣化は
主に金めつきのピンホールが原因している。即
ち、従来の通常の方法では、ワイヤボンデイング
性が経時劣化しないために、金めつきの厚さを
0.5μｍ以上にしていた。
配線用基板において、種々のめつき及び厚みにつ
いて上述の方法を検討した結果、金めつきの厚さ
を0.4μｍ以下にすると長期間の放置によつてワイ
ヤボンデイング性が経時劣化するという欠点を確
認した。前記ワイヤボンデイング性の経時劣化は
主に金めつきのピンホールが原因している。即
ち、従来の通常の方法では、ワイヤボンデイング
性が経時劣化しないために、金めつきの厚さを
0.5μｍ以上にしていた。
本発明は薄い金めつき層を有するワイヤボンデ
イング用プリント配線基板の前記欠点を除去、改
良した製造方法を提供することを目的とし、ニツ
ケル等、銅が浸透しにくい金属を吸引流法によつ
て緻密にめつきしてピンホールをほとんどなく
し、さらにその上に高純度の金を吸引流法によつ
て緻密にめつきしてピンホールをほとんどなくす
ことによつて、金めつきの厚さを0.4μｍ以下にし
ても前記ワイヤボンデイング性の経時劣化のな
い、良好なワイヤボンデイング性を得ることを特
徴とするものである。
イング用プリント配線基板の前記欠点を除去、改
良した製造方法を提供することを目的とし、ニツ
ケル等、銅が浸透しにくい金属を吸引流法によつ
て緻密にめつきしてピンホールをほとんどなく
し、さらにその上に高純度の金を吸引流法によつ
て緻密にめつきしてピンホールをほとんどなくす
ことによつて、金めつきの厚さを0.4μｍ以下にし
ても前記ワイヤボンデイング性の経時劣化のな
い、良好なワイヤボンデイング性を得ることを特
徴とするものである。
次に本発明を従来と比較しながら、図面に基づ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は従来の通常の方法によるワイヤボンデ
イング用プリント配線基板の縦断面図であり、プ
リント配線用基板１の表面の銅箔層又は銅めつき
層２上に、ニツケル等、銅が浸透しにくい金属３
をめつきし、さらにその上に純度99.99％以上の
高純度の金４を0.4μｍ以下の厚さにめつきしてい
る。このワイヤボンデイング用プリント配線基板
は主に金めつき層にピンホール５があるために、
長期間の放置によつてワイヤボンデイング性が経
時劣化していた。これに対して第２図は本発明の
吸引流法によるワイヤボンデイング用プリント配
線基板の縦断面図であり、プリント配線用基板１
の表面の銅箔層又は銅めつき層２上に、ニツケル
等、銅が浸透しにくい金属３を吸引流法によつて
緻密にめつきしてピンホールをほとんどなくし、
さらにその上に純度99.99％以上の高純度の金４
を吸引流法によつて緻密にめつきしてピンホール
をほとんどなくすことによつて、金めつきの厚さ
を0.4μｍ以下にしても前記ワイヤボンデイング性
の経時劣化のない、良好なワイヤボンデイング性
が得られている。
イング用プリント配線基板の縦断面図であり、プ
リント配線用基板１の表面の銅箔層又は銅めつき
層２上に、ニツケル等、銅が浸透しにくい金属３
をめつきし、さらにその上に純度99.99％以上の
高純度の金４を0.4μｍ以下の厚さにめつきしてい
る。このワイヤボンデイング用プリント配線基板
は主に金めつき層にピンホール５があるために、
長期間の放置によつてワイヤボンデイング性が経
時劣化していた。これに対して第２図は本発明の
吸引流法によるワイヤボンデイング用プリント配
線基板の縦断面図であり、プリント配線用基板１
の表面の銅箔層又は銅めつき層２上に、ニツケル
等、銅が浸透しにくい金属３を吸引流法によつて
緻密にめつきしてピンホールをほとんどなくし、
さらにその上に純度99.99％以上の高純度の金４
を吸引流法によつて緻密にめつきしてピンホール
をほとんどなくすことによつて、金めつきの厚さ
を0.4μｍ以下にしても前記ワイヤボンデイング性
の経時劣化のない、良好なワイヤボンデイング性
が得られている。
次に本発明の吸引流法によるめつき法を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
第３図は吸引流法によるめつき装置の概略図で
あり、銅、ニツケル等の陰極６の表面のめつき液
をノズル７を通してポンプ８によつて強制吸引し
つつ、ノズル７にまいた白金線を陽極９として陰
極６の表面にニツケル、金等の金属をめつきする
ものである。また強制吸引するために陰極６の表
面の周囲には壁１０が設けてある。なおノズル７
及び壁１０はガラス、プラスチツクス等のめつき
液に不溶性の材質である。上述の吸引流法による
めつき法は、ノズル数を増すことによつて陰極面
積を拡げることができるという利点がある。この
理由はノズル数を増しても液だまりが発生しない
ために、陰極の表面でのめつき液の撹拌が全体に
わたつて充分行われることによるものである。従
つて吸引流法によるめつき法が緻密なピンホール
がほとんどない表面を与えることは明白である。
あり、銅、ニツケル等の陰極６の表面のめつき液
をノズル７を通してポンプ８によつて強制吸引し
つつ、ノズル７にまいた白金線を陽極９として陰
極６の表面にニツケル、金等の金属をめつきする
ものである。また強制吸引するために陰極６の表
面の周囲には壁１０が設けてある。なおノズル７
及び壁１０はガラス、プラスチツクス等のめつき
液に不溶性の材質である。上述の吸引流法による
めつき法は、ノズル数を増すことによつて陰極面
積を拡げることができるという利点がある。この
理由はノズル数を増しても液だまりが発生しない
ために、陰極の表面でのめつき液の撹拌が全体に
わたつて充分行われることによるものである。従
つて吸引流法によるめつき法が緻密なピンホール
がほとんどない表面を与えることは明白である。
次に吸引流法によるニツケルめつきについて説
明する。めつき液として標準ワツト浴を使用し、
液温70℃、PH４において、ノズル・陰極間距離５
〜10mm、ノズル内流速５〜10ｍ／sec、ノズル比
（陰極面積からノズル外断面積を引いたもの／ノ
ズル内断面積）３〜15の場合に電流密度100〜
300A／ｄm2にしても緻密なピンホールがほとん
どない表面が得られている。
明する。めつき液として標準ワツト浴を使用し、
液温70℃、PH４において、ノズル・陰極間距離５
〜10mm、ノズル内流速５〜10ｍ／sec、ノズル比
（陰極面積からノズル外断面積を引いたもの／ノ
ズル内断面積）３〜15の場合に電流密度100〜
300A／ｄm2にしても緻密なピンホールがほとん
どない表面が得られている。
次に吸引流法による金めつきについて説明す
る。めつき液として中性金めつき液（日本エレク
トロプレイテイングエンジニヤース社製、商品名
テンペレツクス401）を使用し、液温70℃、PH６
において、ノズル・陰極間距離５〜10mm、ノズル
内流速５〜10ｍ／sec、ノズル比３〜15の場合に
電流密度30〜100A／ｄm2にしても緻密なピンホ
ールがほとんどない表面が得られている。
る。めつき液として中性金めつき液（日本エレク
トロプレイテイングエンジニヤース社製、商品名
テンペレツクス401）を使用し、液温70℃、PH６
において、ノズル・陰極間距離５〜10mm、ノズル
内流速５〜10ｍ／sec、ノズル比３〜15の場合に
電流密度30〜100A／ｄm2にしても緻密なピンホ
ールがほとんどない表面が得られている。
次に本発明を実施例ならびに比較例について説
明する。
明する。
実施例 １
ガラスエポキシ基板表面の銅箔層上に、ニツケ
ルを吸引流法によつて緻密に10μｍの厚さにめつ
きし、さらにその上に純度99.99％以上の金を吸
引流法によつて緻密に0.03μｍの厚さにめつきし
た。このワイヤボンデイング用プリント配線基板
をクリーンベンチ内に30日間放置しても良好なワ
イヤボンデイング性が得られた。
ルを吸引流法によつて緻密に10μｍの厚さにめつ
きし、さらにその上に純度99.99％以上の金を吸
引流法によつて緻密に0.03μｍの厚さにめつきし
た。このワイヤボンデイング用プリント配線基板
をクリーンベンチ内に30日間放置しても良好なワ
イヤボンデイング性が得られた。
実施例 ２
耐熱ガラスエポキシ基板表面の銅めつき層上
に、ニツケルを吸引流法によつて緻密に7μｍの
厚さにめつきし、さらにその上に純度99.99％以
上の金を吸引流法によつて緻密に0.2μｍの厚さに
めつきした。このワイヤボンデイング用プリント
配線基板をクリーンベンチ内に30日間放置しても
良好なワイヤボンデイング性が得られた。
に、ニツケルを吸引流法によつて緻密に7μｍの
厚さにめつきし、さらにその上に純度99.99％以
上の金を吸引流法によつて緻密に0.2μｍの厚さに
めつきした。このワイヤボンデイング用プリント
配線基板をクリーンベンチ内に30日間放置しても
良好なワイヤボンデイング性が得られた。
実施例 ３
ガラスポリイミド基板表面の銅めつき層上に、
ニツケルを吸引流法によつて緻密に5μｍの厚さ
にめつきし、さらにその上に純度99.99％以上の
金を吸引流法によつて緻密に0.4μｍの厚さにめつ
きした。このワイヤボンデイング用プリント配線
基板をクリーンベンチ内に30日間放置しても良好
なワイヤボンデイング性が得られた。
ニツケルを吸引流法によつて緻密に5μｍの厚さ
にめつきし、さらにその上に純度99.99％以上の
金を吸引流法によつて緻密に0.4μｍの厚さにめつ
きした。このワイヤボンデイング用プリント配線
基板をクリーンベンチ内に30日間放置しても良好
なワイヤボンデイング性が得られた。
比較例 １
ガラスエポキシ基板表面の銅箔層上に、ニツケ
ルを通常の方法によつて10μｍの厚さにめつき
し、さらにその上に純度99.99％以上の金を通常
の方法によつて0.03μｍの厚さにめつきした。こ
のワイヤボンデイング用プリント配線基板をクリ
ーンベンチ内に15日間放置すると良好なワイヤボ
ンデイング性が得られなかつた。
ルを通常の方法によつて10μｍの厚さにめつき
し、さらにその上に純度99.99％以上の金を通常
の方法によつて0.03μｍの厚さにめつきした。こ
のワイヤボンデイング用プリント配線基板をクリ
ーンベンチ内に15日間放置すると良好なワイヤボ
ンデイング性が得られなかつた。
以上のことにより本発明によればニツケル等、
銅が浸透しにくい金属を吸引流法によつて緻密に
めつきしてピンホールをほとんどなくし、さらに
その上に高純度の金を吸引流法によつて緻密にめ
つきしてピンホールをほとんどなくすために、金
めつきの厚さを0.4μｍ以下にしても通常の洗浄方
法において長期間の放置によつてワイヤボンデイ
ング性が経時劣化しない。なお金めつきの厚さを
0.5μｍ以上にすればワイヤボンデイング性の信頼
性が高くなることは言うまでない。従つて本発明
の製造方法によるプリント配線基板はワイヤボン
デイング性に関して信頼性が高いという利点があ
る。よつて本発明の製造方法はプリント配線基板
の信頼性向上に寄与すること大であり、プリント
配線基板工業に与える利益は大である。
銅が浸透しにくい金属を吸引流法によつて緻密に
めつきしてピンホールをほとんどなくし、さらに
その上に高純度の金を吸引流法によつて緻密にめ
つきしてピンホールをほとんどなくすために、金
めつきの厚さを0.4μｍ以下にしても通常の洗浄方
法において長期間の放置によつてワイヤボンデイ
ング性が経時劣化しない。なお金めつきの厚さを
0.5μｍ以上にすればワイヤボンデイング性の信頼
性が高くなることは言うまでない。従つて本発明
の製造方法によるプリント配線基板はワイヤボン
デイング性に関して信頼性が高いという利点があ
る。よつて本発明の製造方法はプリント配線基板
の信頼性向上に寄与すること大であり、プリント
配線基板工業に与える利益は大である。
第１図は従来の通常の方法によるワイヤボンデ
イング用プリント配線基板の縦断面図、第２図は
本発明の吸引流法によるワイヤボンデイング用プ
リント配線基板の縦断面図、第３図は吸引流法に
よるめつき装置の概略図である。 １……プリント配線用基板、２……銅箔層又は
銅めつき層、３……銅が浸透しにくい金属、４…
…高純度の金、５……ピンホール、６……陰極、
７……ノズル、８……ポンプ、９……陽極、１０
……壁。
イング用プリント配線基板の縦断面図、第２図は
本発明の吸引流法によるワイヤボンデイング用プ
リント配線基板の縦断面図、第３図は吸引流法に
よるめつき装置の概略図である。 １……プリント配線用基板、２……銅箔層又は
銅めつき層、３……銅が浸透しにくい金属、４…
…高純度の金、５……ピンホール、６……陰極、
７……ノズル、８……ポンプ、９……陽極、１０
……壁。
Claims (1)
- １ プリント配線用基板表面の銅箔層又は銅めつ
き層上に、銅が浸透しにくい金属を吸引流法によ
つて緻密にめつきし、さらにその上に高純度の金
を吸引流法によつて緻密にしかも極めて薄くめつ
きすることを特徴とするワイヤボンデイングに適
した表面を有するプリント配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5088983A JPS59175755A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5088983A JPS59175755A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175755A JPS59175755A (ja) | 1984-10-04 |
| JPH0153503B2 true JPH0153503B2 (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=12871295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5088983A Granted JPS59175755A (ja) | 1983-03-25 | 1983-03-25 | ワイヤボンデイングに適した表面を有するプリント配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175755A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6045459U (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜混成回路用配線体 |
| JP2531469Y2 (ja) * | 1990-04-17 | 1997-04-02 | 三菱重工業株式会社 | 高温、高圧用フレキシブルジヨイント |
| JPH05327187A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Ishihara Chem Co Ltd | プリント配線板及びその製造法 |
| JP6293995B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2018-03-14 | 新光電気工業株式会社 | 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ |
-
1983
- 1983-03-25 JP JP5088983A patent/JPS59175755A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59175755A (ja) | 1984-10-04 |
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