KR100203931B1 - 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법에 관한 것으로, 반도체 칩 패키지의 몰딩 공정시 발생한 반도체 칩 패키지의 플래쉬를 제거하기 위한 디플래쉬 공정과 리드 프레임을 도금하기 위한 플레이팅 공정을 하나의 작업 라인에서 진행할 수 있도록 하기 위해서, 본 발명은 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 표면에 형성된 플래쉬를 제거하기 위한 화학적 디플래쉬 장치에 있어서, (A) 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 일측을 고정하여 이송하는 컨베이어 벨트와; (B) 상기 컨베이어 벨트의 이동 경로상에 설치되며, 디플래쉬 용액이 담겨있는 몸체와; 상기 몸체의 내부 일측에 설치되어 있는 도전판; 및 상기 도전판과 연결되는 양극과, 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임과 연결되는 음극을 갖는 정류기;로 구성된 제 1 디플래쉬 장치; 및 (C) 상기 컨베이어 벨트의 이동 경로상의 제 1 디플래쉬 장치의 몸체에 이웃하게 설치되며, 디플래쉬 용액이 담겨있는 몸체와; 상기 몸체 내부의 상기 컨베이어 벨트로 이송되는 상기 반도체 칩 패키지의 양쪽에 배치되며, 상기 제 1 디플래쉬 장치에서 이송된 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 고압수를 분사하는 노즐을 갖는 워터젯;을 포함하며, 상기 정류기를 통하여 전류를 인가하면, 디플래쉬 용액에 포함된 물의 전기분해에 의해서 상기 정류기의 음극과 연결된 리드 프레임 표면에서 발생되는 수소 기체가 상기 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜨게 하고, 상기 워터젯이 설치된 위치로 이송된 반도체 칩 패키지는 상기 웨터 젯의 노즐에서 분사되는 고압수에 의해 들뜬 상기 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 제거하는 것을 특징으로 하는 화학적 디플래쉬 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 반도체 칩 패키지의 제조공정 중에서 몰딩 공정 이후에 진행되는 디플래쉬 공정과 플레이팅 공정에 사용되는 장치 및 공정 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 칩 패키지의 몰딩 공정시 발생한 반도체 칩 패키지의 플래쉬를 제거하기 위한 디플래쉬 공정과 리드 프레임을 도금하기 위한 플레이팅 공정을 하나의 작업 라인에서 진행할 수 있도록 하는 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 칩 패키지의 제조공정에 있어서는 리드 프레임에 반도체 칩을 어태치하는 다이 어태치 공정이 이루어지고, 그 다이 어태치 공정이 끝난 후, 반도체 칩과 리드 프레임을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 공정이 이루어지며, 와이어 본딩 공정에 의해서 전기적으로 연결된 와이어를 보호하기 위한 몰딩 공정으로 이루어지게 되며, 몰딩 공정이 끝난 후에는 트림 및 포밍 공정을 거치게 된다.
몰딩 공정에서는 반도체 칩과 리드 프레임의 전기적인 연결을 보호하기 위한 패키지 몸체가 형성되는데, 이때 몰딩 공정에 사용되는 몰딩 컴파운드(molding compound)는 에폭시 수지(epoxy resin)를 많이 이용하고 있다.
상기에서와 같이 몰딩 공정에 사용되는 몰딩 컴파운드는 고온 및 고압으로 가압하여 유동성있는 물질로 만든후에 성형금형내의 런너를 통해서 투입되어 지는 데 이때, 리드 프레임의 댐바가 몰딩 컴파운드가 리드 프레임의 외부로 흘러 나가지 않도록 흐름을 방지하게 된다.
그러나, 상기와 같이 리드 프레임에 댐바를 형성한다 해도 일부의 몰딩 컴파운드가 댐바밖으로 흘러 나가게 되고, 몰딩 컴파운드의 온도가 하강하면서 리드 프레임의 표면에 굳어지게 되는 데 이를 플래쉬(flash)라 한다.
상기와 같이 몰딩 공정에서 발생한 플래쉬는 리드 프레임을 도금하는 플레이팅 공정(plating step)에서 도금이 원할히 이루어지지 않도록 하는 주요인이 되고 있다.
따라서, 플레이팅 공정을 진행하기 위해서는 반도체 칩 패키지에 형성된 플래쉬를 제거하는 디플래쉬 공정(deflash step)이 필요하게 된다.
이때, 디플래쉬 공정은 디플래쉬 장치에 반도체 칩 패키지를 투입하여 이루어지는 데 일반적으로 많이 사용되는 방법으로는 기계적인 방법이 주로 사용되어 왔다.
도 1은 종래의 기계적인 디플래쉬 공정의 흐름을 나타내는 공정도이고, 도 2는 종래의 기계적인 디플래쉬 장치의 구조를 나타내는 단면도이고, 도 3은 종래의 플레이팅 공정의 흐름을 나타내는 공정도이며, 도 4는 종래의 플레이팅 장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 1은 종래의 디플래쉬 공정(40)을 나타내는 공정도로서, 몰딩 공정에서 성형완료된 반도체 칩 패키지가 로딩되고(41), 그 로딩된 반도체 칩 패키지가 도 2에 도시된 디플래쉬 장치(101)에 투입되어 플래쉬가 제거되며(42), 플래쉬가 제거된 반도체 칩 패키지는 디플래쉬 장치로부터 언로딩된다(43).
도 2는 종래의 기계적인 디플래쉬 장치(101)의 구조를 나타내는 단면도로서, 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)을 수평방향으로 이동시킬 수 있도록 몸체(10A)의 내부에 컨베이어 벨트(22)가 설치되어 있고, 그 반도체 칩 패키지(14)의 상,하부에는 노즐(24)이 설치되어 있다.
이때, 노즐(24)에는 에어관(28)과 혼합액관(26)이 연결되어 있고, 그 에어관(28) 및 혼합액관(26)으로부터 들어온 공기와 혼합액이 노즐(24)을 통해 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)으로 분사되어 플래쉬를 제거한다.
계속해서, 도 3을 참조하여 플레이팅 공정(50)을 설명하면, 반도체 칩 패키지가 로딩되는 단계와(51), 반도체 칩 패키지가 로딩되어 산화막을 제거하기 위한 디스케일 공정으로 투입되고(52), 그 디스케일 공정을 지나 산화막이 제거된 반도체 칩 패키지는 표면을 활성화 시켜주는 액티베이션 공정으로 투입되어 지며(53), 그 액티베이션 공정이 끝나면 반도체 칩 패키지의 리드 프레임을 도금하기 위한 플레이팅 공정에 투입된다.(54)
플레이팅 공정을 끝낸 반도체 칩 패키지는 산성화 되어 있으므로 그 산성화 되어 있는 반도체 칩 패키지를 알칼리로 중화시켜 주는 포스트 클리닝 공정에 투입되고(55), 그 포스트 클리닝 공정을 끝마친 반도체 칩 패키지는 언로딩 되어진다.(56)
도 4는 종래의 플레이팅 장치(100)의 구조를 나타내는 도면으로서, 몸체(10)의 내부의 양측에 (+)도전판(12)이 설치되어 있고, 그 몸체(10)의 내부에는 플레이팅 용액(20)이 저장되어 있다.
이때, 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)의 일측이 컨베이어 벨트(18)에 고정된 상태로 이동되어지고, 몸체(10)에 저장되어 있는 플레이팅 용액(20)에 상기 컨베이어 벨트(18)에 의해 이동되어진 반도체 칩 패키지(14)가 투입되어 플레이팅이 이루어진다.
그런데, 디플래쉬 공정과 플레이팅 공정을 진행하는 장치의 반도체 칩 패키지의 이송방식이 상이하며, 디플래쉬 공정은 기계적인 방법으로 진행되는데 반하여 플레이팅 공정은 화학적으로 진행되기 때문에, 두 공정을 하나의 작업 라인에서 처리하는 것이 용이하지 않다.
따라서, 디플래쉬 공정과 플레이팅 공정이 별도의 두 단계로 진행되기 때문에, 반도체 칩 패키지의 제조 공정시간이 오래 걸리는 문제점이 있었다.
그러나, 디플래쉬 공정을 플레이팅 공정과 동일한 화학적인 방법으로 진행할 수 있고, 반도체 칩 패키지의 이송방식을 동일하게 할 수 있다면, 화학적인 방법으로 진행되는 플레이팅 공정과 함께 하나의 작업 라인에서의 처리가 가능할 것이다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 반도체 칩 패키지의 플래쉬를 제거하기 위한 디플래쉬 공정에 화학적인 방법을 사용하므로서 디플래쉬 공정과 플레이팅 공정을 하나의 단일 공정으로 일원화 시킴과 동시에 반도체 제조 공정시간을 단축하기 위한 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 기계적인 디플래쉬 공정의 흐름을 나타내는 공정도
도 2는 종래의 기계적인 디플래쉬 장치의 구조를 나타내는 단면도
도 3은 종래의 플레이팅 공정의 흐름을 나타내는 공정도
도 4는 종래의 플레이팅 장치의 구조를 나타내는 단면도
도 5는 본 발명에 따른 디플래쉬-플레이팅 공정의 흐름을 나타내는 공정도
도 6은 본 발명에 따른 화학적 제 1 디플래쉬 장치에서의 반응 상태를 보여주는 도면
도 7, 도 8, 도 9는 본 발명에 따른 화학적 제 1 디플래쉬장치에서 진행되는 화학적 디플래쉬 공정의 진행을 보여주는 진행도
도 10은 본 발명에 따른 고압수를 이용한 제 2 디플래쉬 장치의 구조를 나타내는 단면도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10,10A,10B : 몸체 12 : 도전판
14 : 반도체 칩 패키지 16 : 리드 프레임
18,22 : 컨베이어 벨트 20 : 플레이팅 용액
24 : 노즐 26 : 혼합액관
28 : 에어관 30 : 워터젯
32 : O2가스 34 : H2가스
36 : 디플래쉬 용액 38 : 정류기
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 표면에 형성된 플래쉬를 제거하기 위한 화학적 디플래쉬 장치에 있어서, (A) 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 일측을 고정하여 이송하는 컨베이어 벨트와; (B) 상기 컨베이어 벨트의 이동 경로상에 설치되며, 디플래쉬 용액이 담겨있는 몸체와; 상기 몸체의 내부 일측에 설치되어 있는 도전판; 및 상기 도전판과 연결되는 양극과, 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임과 연결되는 음극을 갖는 정류기;로 구성된 제 1 디플래쉬 장치; 및 (C) 상기 컨베이어 벨트의 이동 경로상의 제 1 디플래쉬 장치의 몸체에 이웃하게 설치되며, 디플래쉬 용액이 담겨있는 몸체와; 상기 몸체 내부의 상기 컨베이어 벨트로 이송되는 상기 반도체 칩 패키지의 양쪽에 배치되며, 상기 제 1 디플래쉬 장치에서 이송된 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 고압수를 분사하는 노즐을 갖는 워터젯;을 포함하며, 상기 정류기를 통하여 전류를 인가하면, 디플래쉬 용액에 포함된 물의 전기분해에 의해서 상기 정류기의 음극과 연결된 리드 프레임 표면에서 발생되는 수소 기체가 상기 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜨게 하고, 상기 워터젯이 설치된 위치로 이송된 반도체 칩 패키지는 상기 웨터 젯의 노즐에서 분사되는 고압수에 의해 들뜬 상기 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 제거하는 것을 특징으로 하는 화학적 디플래쉬 장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 전술된 화학적 디플래쉬 장치를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법을 제공한다. 즉, 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 표면에 형성된 플래쉬를 제거하기 위한 화학적 디플래쉬 공정과, 상기 화학적 디플래쉬 공정을 끝마친 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 대한 플레이팅 공정을 하나의 작업라인에서 진행하는 디플래쉬-플레이팅 방법으로서, 상기 화학적 디플래쉬 공정은, 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 일측이 컨베이어 벨트에 고정된 상태에서 상기 컨베이어 벨트를 따라서 디플래쉬 용액이 담긴 몸체로 투입하는 단계와; 상기 디플래쉬 용액에 투입된 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 마주보는 방향에 설치된 도전판에 양극을 연결하고, 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 음극을 연결한 상태에서 전류를 공급하여, 상기 디플래쉬 용액 내의 물의 전기분해에 의해 상기 리드 프레임의 표면에서 발생된 수소기체가 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜨게 하는 단계; 및 상기 도전판을 통과한 상기 반도체 칩 패키지에 고압수를 분사하여 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜬 플래쉬를 탈이시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디플래쉬-플레이팅 방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법에 대하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명에 따른 디플래쉬-플레이팅 공정의 흐름을 나타내는 공정도이다. 도 5를 참조하여 하나의 작업 라인에서 진행되는 디플래쉬-플레이팅 공정(60)을 설명하면, 몰딩 공정이 끝마친 반도체 칩 패키지는 리드 프레임과 패키지 몸체사이에 플래쉬가 발생하게 되고, 이때 그 플래쉬를 제거하기 위해 반도체 칩 패키지를 도 6 및 도 10에 도시된 화학적 디플래쉬 장치에 차례로 투입하는 로딩 단계와(61), 화학적 디플래쉬 장치에 투입된 반도체 칩 패키지의 플래쉬를 제거하는 단계와(62), 화학적 디플래쉬 장치에서 플래쉬가 제거된 반도체 칩 패키지는 리드 프레임에 산화막이 형성되어 있는 상태이므로 그 산화막을 제거하기 위한 디스케일 공정에 투입되고(63), 산화막이 제거된 반도체 칩 패키지의 리드 프레임을 활성화시키기 위한 액티베이션 공정으로 투입되어 지며(64), 그 액티베이션 공정을 거친 반도체 칩 패키지가 컨베이어 벨트에 의해 리드 프레임을 플레이팅하기 위한 틴 플레이팅(TIN PLATING)공정으로 이동되어 진다(65).
플레이팅 공정으로 이동된 반도체 칩 패키지의 도금이 완료되면, 그 반도체 칩 패키지의 리드 프레임은 산성화되므로 그 산성화된 리드 프레임을 중화시키기 위한 포스트 클리닝 공정을 거치게 된다(66).
상기와 같이 포스트 클리닝 공정을 거쳐서 플레이팅이 완료된 반도체 칩 패키지가 배출되는 언로딩 단계로 공정이 디플래쉬-플레이팅 공정은 완료된다(67).
상기에서 설명된 디플래쉬 공정으로 투입된 반도체 칩 패키지의 플래쉬는 제 1 디플래쉬 장치(102A)와 제 2 디플래쉬 장치(101A)를 차례로 거침으로써 플래쉬가 제거된다.
도 6은 본 발명에 따른 화학적 제 1 디플래쉬 장치(102A)를 나타내는 단면도이다. 도 7, 도 8 및 도 9는 도 6의 "A" 부분을 확대한 도면으로서, 플래쉬가 반도체 칩 패키지(14)에서 탈리되는 상황을 보여주는 진행도이다.
도 6을 참조하면, 화학적 방법을 이용하는 제 1 디플래쉬 장치(102A)는 몸체(10A)의 내부에 디플래쉬 용액(36)이 채워져 있고, 디플래쉬 용액(36)내부의 일측에는 도전판(12)이 설치되어 있으며, 타측에는 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임이 전기적으로 연결되어 있다. 도시되지는 않았지만, 도 10에 도시된 바와 같은 컨베이어 벨트(18)에 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)의 일측이 고정된 상태로 디플래쉬 용액(36) 내부로 투입된다.
이때, 상기 도전판(12)은 정류기(38)의 애노드(ANODE; 양극)에 연결되어 있고, 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)은 그 정류기(38)의 캐소드(CATHODE; 음극)에 연결되어 있다. 실질적으로는 반도체 칩 패키지의 리드 프레임(16)을 고정하고 있는 컨베이어 벨트에 정류기(38)의 캐소드가 연결되어 리드 프레임(16)과 전기적으로 연결된다.
화학적 제 1 디플래쉬 장치(102A)의 디플래쉬 용액(36)으로는 물을 전기분해할 수 있는 전해질이 사용되며, 본 발명에서는 KOH 수용액(KOH 45%, K2Sl2O3 12 %, Wetting Agent 1%, 물 42%)을 사용하고 있다.
또한, 도전판(12)의 재질은 서스(SUS)판 또는 티타늄(Titanium)판을 이용하고 있다.
다음으로 도 10을 참조하면, 화학적 제 1 디플래쉬 장치(102A)를 통과한 반도체 칩 패키지(14)는 컨베이어 벨트(18)에 의해 제 2 디플래쉬 장치의 몸체(10B)로 이동한다. 제 2 디플래쉬 장치(101A)는 컨베이어 벨트(18)에 의해 이송되는 반도체 칩 패키지(14)의 양측에 배치되며, 제 1 디플래쉬 장치(도 5의 102A)를 통과한 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)에 고압수를 분사하는 노즐(24)을 갖는 워터젯(30; water jet)을 포함한다. 이때, 반도체 칩 패키지(14)는 컨베이어 벨트(18)에 의해 몸체(10B)의 중심 부분을 통과하게 되고, 웨터 젯(30)은 반도체 칩 패키지(14)가 이동하는 경로의 양쪽에 설치된다.
이와 같이 구성된 화학적 디플래쉬 장치(101A, 102A)를 이용한 디플래쉬 공정을 설명하면, 먼저 컨베이어 벨트(18)에 의해 화학적 제 1 디플래쉬 장치(102A)의 디플래쉬 용액(36)의 내부로 반도체 칩 패키지(14)가 투입된 상태에서, 전원(미도시됨)으로부터 정류기(38)에 전기가 공급되면, 디플래쉬 용액(36)내의 물이 전기분해되면서 양극과 연결된 도전판(12)에서는 O2가스(32)가 발생하고, 음극과 연결된 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)에서는 H2가스(34)가 발생하게 된다.
이때, 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)에 발생하는 H2가스(34)는 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)의 표면에 붙어있는 플래쉬를 탈리시키게 된다.
도7, 도 8 및 도9를 참조하여 좀더 상세히 설명하면, 먼저, 리드 프레임(16)에 부착되어 있는 플래쉬에 H2가스(34)가 발생함과 동시에 플래쉬에 작용하여 리드 프레임(16)의 표면으로부터 분리되도록 작용하고, 더욱 더 많은 H2가스(34)가 발생하게 되면서 플래쉬의 리드 프레임(16)의 표면에 대한 접착력을 감소시켜 플래쉬를 리드 프레임(16)의 표면으로부터 들뜨게 한다.
다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이 컨베이어 벨트(18)에 의해 반도체 칩 패키지(14)가 제 2 디플래쉬 장치(101A)의 몸체(10B)로 이동하면, 워터젯(30)에서 뿜어지는 고압수에 의해 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)의 표면에서 들뜬 플래쉬는 쉽게 탈리된다.
이때, 반도체 칩 패키지(14)가 컨베이어 벨트(18)에 의해 이동되어지고, 상기 몸체(10A)에 설치되어 있는 워터젯(30)의 중앙으로 이동된다.
상기와 같은 고압수를 이용한 제 2 디플래쉬 장치(101A)는 반도체 칩 패키지(14)가 컨베이어 벨트(18)에 의해 몸체(10B)의 내부에 채워진 디플래쉬 용액(36)에 담겨진 후 이동하게 되면, 몸체(10B)의 내부에 설치되어 있는 워터젯(30)의 노즐(24)에서 고압으로 물을 분사하게 되면 반도체 칩 패키지(14)의 리드 프레임(16)에서 들뜬 플래쉬가 떨어지게 된다.
상기와 같은 구조의 화학적 제 1 디플래쉬 장치(102A)와 고압수를 이용한 제 2 디플래쉬 장치(101A)를 포함하는 화학적 디플래쉬 장치는 도 4에 도시된 기존의 플레이팅 장치와 동일하게 화학적인 방법으로 디플래쉬 공정을 진행하고, 반도체 칩 패키지의 리드 프레임(16)의 일측을 고정하는 컨베이어 벨트(18)로 반도체 칩 패키지(14)를 이송하기 때문에, 본 발명에 따른 화학적 디플래쉬 장치(101A, 102A)를 도 4에 도시된 바와 같은 기존의 플레이팅 장치에 연결·설치함으로써, 디플래쉬 공정과 플레이팅 공정을 하나의 작업 라인에서 처리할 수 있다.
따라서, 본 발명에서와 같이 화학적인 디플래쉬 장치를 사용하면, 디플래쉬 공정과 플레이팅 공정의 두 공정을 일원화시킬 수 있는 장점이 있으며, 두 공정을 단일화 시킴으로써 반도체 제조공정 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
Claims (5)
- 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 표면에 형성된 플래쉬를 제거하기 위한 화학적 디플래쉬 장치에 있어서,(A) 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 일측을 고정하여 이송하는 컨베이어 벨트와;(B) 상기 컨베이어 벨트의 이동 경로상에 설치되며, 디플래쉬 용액이 담겨있는 몸체와; 상기 몸체의 내부 일측에 설치되어 있는 도전판; 및 상기 도전판과 연결되는 양극과, 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임과 연결되는 음극을 갖는 정류기;로 구성된 제 1 디플래쉬 장치; 및(C) 상기 컨베이어 벨트의 이동 경로상의 제 1 디플래쉬 장치의 몸체에 이웃하게 설치되며, 디플래쉬 용액이 담겨있는 몸체와; 상기 몸체 내부의 상기 컨베이어 벨트로 이송되는 상기 반도체 칩 패키지의 양쪽에 배치되며, 상기 제 1 디플래쉬 장치에서 이송된 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 고압수를 분사하는 노즐을 갖는 워터젯;을 포함하며,상기 정류기를 통하여 전류를 인가하면, 디플래쉬 용액에 포함된 물의 전기분해에 의해서 상기 정류기의 음극과 연결된 리드 프레임 표면에서 발생되는 수소 기체가 상기 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜨게 하고, 상기 워터젯이 설치된 위치로 이송된 반도체 칩 패키지는 상기 웨터 젯의 노즐에서 분사되는 고압수에 의해 들뜬 상기 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 제거하는 것을 특징으로 하는 화학적 디플래쉬 장치.
- 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 표면에 형성된 플래쉬를 제거하기 위한 화학적 디플래쉬 공정과, 상기 화학적 디플래쉬 공정을 끝마친 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 대한 플레이팅 공정을 하나의 작업라인에서 진행하는 디플래쉬-플레이팅 방법으로서,상기 화학적 디플래쉬 공정은,상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 일측이 컨베이어 벨트에 고정된 상태에서 상기 컨베이어 벨트를 따라서 디플래쉬 용액이 담긴 몸체로 투입하는 단계와;상기 디플래쉬 용액에 투입된 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 마주보는 방향에 설치된 도전판에 양극을 연결하고, 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임에 음극을 연결한 상태에서 전류를 공급하여, 상기 디플래쉬 용액 내의 물의 전기분해에 의해 상기 리드 프레임의 표면에서 발생된 수소기체가 플래쉬를 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜨게 하는 단계; 및상기 도전판을 통과한 상기 반도체 칩 패키지에 고압수를 분사하여 상기 리드 프레임의 표면에서 들뜬 플래쉬를 탈이시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 디플래쉬-플레이팅 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 디플래쉬 장치에 사용되는 디플래쉬 용액은 KOH 용액인 것을 특징으로 하는 화학적 디플래쉬 장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 디플래쉬 공정은 KOH 용액을 이용하여 진행하는 것을 특징으로 하는 디플래쉬-플레이팅 방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 플레이팅 공정은,상기 디플래쉬 공정에 의해 상기 반도체 칩 패키지의 리드 프레임의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 디스케일 단계와;상기 리드 프레임을 도금하기 위해서 상기 리드 프레임의 표면을 활성화시키는 액티베이션 단계와;활성화된 상기 리드 프레임을 도금하는 플레이팅 단계와;상기 도금에 의해 산성화된 상기 리드 프레임을 중화시키는 포스트 클리닝 단계; 및상기 포스트 클리닝 단계를 거친 상기 반도체 칩 패키지를 언로딩하는 단계;를 포함하는 디플래쉬-플레이팅 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960044021A KR100203931B1 (ko) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960044021A KR100203931B1 (ko) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980025775A KR19980025775A (ko) | 1998-07-15 |
| KR100203931B1 true KR100203931B1 (ko) | 1999-07-01 |
Family
ID=19476272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960044021A KR100203931B1 (ko) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 화학적 디플래쉬 장치 및 그를 이용한 디플래쉬-플레이팅 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100203931B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103219252A (zh) * | 2012-01-20 | 2013-07-24 | 亚斯杰特股份有限公司 | 条状部件的去毛边方法及装置 |
| CN103572361A (zh) * | 2012-07-26 | 2014-02-12 | 亚斯杰特股份有限公司 | 带状部件的电解去毛刺方法和装置 |
-
1996
- 1996-10-04 KR KR1019960044021A patent/KR100203931B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103219252A (zh) * | 2012-01-20 | 2013-07-24 | 亚斯杰特股份有限公司 | 条状部件的去毛边方法及装置 |
| CN103219252B (zh) * | 2012-01-20 | 2015-09-30 | 亚斯杰特股份有限公司 | 条状部件的去毛边方法及装置 |
| CN103572361A (zh) * | 2012-07-26 | 2014-02-12 | 亚斯杰特股份有限公司 | 带状部件的电解去毛刺方法和装置 |
| KR101396845B1 (ko) * | 2012-07-26 | 2014-05-20 | 주식회사 에이에스티젯텍 | 스트립 형태 부품의 전해 디플래시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980025775A (ko) | 1998-07-15 |
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