JPS6024586B2 - 半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法 - Google Patents
半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法Info
- Publication number
- JPS6024586B2 JPS6024586B2 JP15640679A JP15640679A JPS6024586B2 JP S6024586 B2 JPS6024586 B2 JP S6024586B2 JP 15640679 A JP15640679 A JP 15640679A JP 15640679 A JP15640679 A JP 15640679A JP S6024586 B2 JPS6024586 B2 JP S6024586B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external leads
- semiconductor device
- treatment method
- lead frame
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 title claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 title description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 9
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- -1 cyanogen gold sodium Chemical compound 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSSFCXVJAUTKOQ-UHFFFAOYSA-N [K].N#CC#N Chemical compound [K].N#CC#N BSSFCXVJAUTKOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPVNYSRNJQOELF-UHFFFAOYSA-N [K].[Au].N#CC#N Chemical compound [K].[Au].N#CC#N PPVNYSRNJQOELF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYBXCIBWFOILPE-UHFFFAOYSA-N [Na].N#CC#N Chemical compound [Na].N#CC#N ZYBXCIBWFOILPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N chembl1408157 Chemical compound N=1C2=CC=CC=C2C(C(=O)O)=CC=1C1=CC=C(O)C=C1 KXZJHVJKXJLBKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- OQTOQAYHQVKZET-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile;silver Chemical compound [Ag].N#CC#N OQTOQAYHQVKZET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J tin(4+);disulfate Chemical compound [Sn+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置製造工程においてモールド後の外部
リードの仕上げめつきの前処理方法に係るものである。
リードの仕上げめつきの前処理方法に係るものである。
従来リードフレームのアイランド上にシリコン半導体素
子を接着し金紬線などで半導体素子の端子とりードフレ
ームの外部リードの端部とをボンディングしたる後、図
の如く樹脂モールド１を施す然る後完成半導体装置の外
部リードとなる部分２，３およびこれらの連結体４と外
周連結体５，６の付いたままでモールド部を除いて一般
に錫、半田または金などの仕上げめつきを施して、半田
付け性、耐食性を良くしたる後上記連結体の大部を除去
して個々の完成半導体装置とする。しかし、樹脂モール
ドを施す部分は図の斜線を施した部分１に局限されるべ
きであるが、半導体装置の露出脚となるリード部分２，
３やりード連結体４面上に食み出してモールド材がはっ
きり見えたり、肉眼では判然としない程度の薄い被膜を
形成したりする。これが半導体装置の露出脚となる外部
リードの全面仕上げめつきの障害となる、このモールド
材より食み出した付着膜を除去するために図に如きモー
ルド済みリードフレーム多数を界面活性剤添加の苛性ソ
ーダ液又はシアン化ソーダ液に浸潰したる後通電してリ
ードフレームをマイナス電解する。然る後リードフレー
ムの外部リード‘こなる露出リードや連結体をサンドプ
ラスト又は液体ホーニングを施して付着モールド膜を取
り除き仕上げめつきを施していた。したがってこれら除
去作業は手数がかかり能率が悪く完壁に食み出しモール
ド膜の除去を行うこと困難であったなどの欠点があった
。本発明はこれら欠点を除去するものである。
子を接着し金紬線などで半導体素子の端子とりードフレ
ームの外部リードの端部とをボンディングしたる後、図
の如く樹脂モールド１を施す然る後完成半導体装置の外
部リードとなる部分２，３およびこれらの連結体４と外
周連結体５，６の付いたままでモールド部を除いて一般
に錫、半田または金などの仕上げめつきを施して、半田
付け性、耐食性を良くしたる後上記連結体の大部を除去
して個々の完成半導体装置とする。しかし、樹脂モール
ドを施す部分は図の斜線を施した部分１に局限されるべ
きであるが、半導体装置の露出脚となるリード部分２，
３やりード連結体４面上に食み出してモールド材がはっ
きり見えたり、肉眼では判然としない程度の薄い被膜を
形成したりする。これが半導体装置の露出脚となる外部
リードの全面仕上げめつきの障害となる、このモールド
材より食み出した付着膜を除去するために図に如きモー
ルド済みリードフレーム多数を界面活性剤添加の苛性ソ
ーダ液又はシアン化ソーダ液に浸潰したる後通電してリ
ードフレームをマイナス電解する。然る後リードフレー
ムの外部リード‘こなる露出リードや連結体をサンドプ
ラスト又は液体ホーニングを施して付着モールド膜を取
り除き仕上げめつきを施していた。したがってこれら除
去作業は手数がかかり能率が悪く完壁に食み出しモール
ド膜の除去を行うこと困難であったなどの欠点があった
。本発明はこれら欠点を除去するものである。
即ち本発明はモールド済みリードフレームの外部リード
の仕上げめつき前処理としてアルカＩＪ金属を有するシ
アン鍔塩とシアン化アルカリ液を主体とする混合液中に
てプラス、マイナス電解を繰り返したる後高速ジェット
水流にてモールド樹脂被膜を飛散除去せしめる前処理方
法で操作簡単で能率よく除去効果完壁などの特徴を有す
る。本発明を詳細に実施例を挙げ説明する。
の仕上げめつき前処理としてアルカＩＪ金属を有するシ
アン鍔塩とシアン化アルカリ液を主体とする混合液中に
てプラス、マイナス電解を繰り返したる後高速ジェット
水流にてモールド樹脂被膜を飛散除去せしめる前処理方
法で操作簡単で能率よく除去効果完壁などの特徴を有す
る。本発明を詳細に実施例を挙げ説明する。
樹脂モールド済みＩＪードフレームを多数クリップし、
まずシアン鋼カリ １０タ′〆 シアン化カリ ２０夕／そ前面活性剤
少々 液温 ５０ｑＣの液中にて
上記りードフレームを電流密度約４Ａ′ｄめで５秒マイ
ナス電解（この場合は銅がめつさされる）、８秒プラス
電解（この場合は鋼めつきが除去される）を自動的に電
源犠牲を切り換えて繰り返し４分間行う。
まずシアン鋼カリ １０タ′〆 シアン化カリ ２０夕／そ前面活性剤
少々 液温 ５０ｑＣの液中にて
上記りードフレームを電流密度約４Ａ′ｄめで５秒マイ
ナス電解（この場合は銅がめつさされる）、８秒プラス
電解（この場合は鋼めつきが除去される）を自動的に電
源犠牲を切り換えて繰り返し４分間行う。
この場合マイナス電解の間はリードフレームに銅めつき
が行われ、このめつき銅は食み出し樹脂膜の下に潜り込
み、プラス電解マイナス電解の繰り返しの下で逐次内部
に被着鋼が進行して終りに樹脂膜を浮き上がらせる。し
たがって高速ジェット水流により容易に剥離除去される
ものである。この場合最終にはプラス電解で終るように
してめつき鋼層を外部リード面上に残さず取り除くよう
にしておくことが必要である。樹脂膜が強引に付着して
いる場合は上記工程を更に繰り返すと一層効果的である
。然る後高速ジェット水流にて付着モールド被膜を除去
すればモールド除去は完壁になる。なお、上記液中のシ
アン鋼カリの代りにシアン鋼ナトリウム、シアン金カリ
、シアン金ナトリウム、シアン銀カリ、シアン銀ナトリ
ウムなどのアルカリ金属を有するシアン鍵塩を用いても
同等の効果があった。
が行われ、このめつき銅は食み出し樹脂膜の下に潜り込
み、プラス電解マイナス電解の繰り返しの下で逐次内部
に被着鋼が進行して終りに樹脂膜を浮き上がらせる。し
たがって高速ジェット水流により容易に剥離除去される
ものである。この場合最終にはプラス電解で終るように
してめつき鋼層を外部リード面上に残さず取り除くよう
にしておくことが必要である。樹脂膜が強引に付着して
いる場合は上記工程を更に繰り返すと一層効果的である
。然る後高速ジェット水流にて付着モールド被膜を除去
すればモールド除去は完壁になる。なお、上記液中のシ
アン鋼カリの代りにシアン鋼ナトリウム、シアン金カリ
、シアン金ナトリウム、シアン銀カリ、シアン銀ナトリ
ウムなどのアルカリ金属を有するシアン鍵塩を用いても
同等の効果があった。
かかる前処理でモールド樹脂膜を除去したる後次の仕上
げ錫めつき液硫酸第１錫 ３０〜９０
夕／ク硫 酸 １７０＃′Ｚクル
モ光沢剤 １０〜３０ｃｃ／〆（独国の
マックスシュロッター社商品名）液 温
２０℃で錫めつき厚を数ミクロン施
し半田付け性、耐食性を良くして完成半導体装置として
個々に切り離してでき上がる。
げ錫めつき液硫酸第１錫 ３０〜９０
夕／ク硫 酸 １７０＃′Ｚクル
モ光沢剤 １０〜３０ｃｃ／〆（独国の
マックスシュロッター社商品名）液 温
２０℃で錫めつき厚を数ミクロン施
し半田付け性、耐食性を良くして完成半導体装置として
個々に切り離してでき上がる。
以上詳述せる如く本発明の方法は従来の方法に比し、モ
ールド樹脂膜除去容易で、かつ完壁である特徴を有する
ものである。
ールド樹脂膜除去容易で、かつ完壁である特徴を有する
ものである。
図はモールド済み連結リードフレームの説明用上面図、
１・・・・・・半導体装置のモールド部、２，３・・・
・・・半導体装置の露出外部リード、４，５，６・・・
・・・リードフレーム連結体。
１・・・・・・半導体装置のモールド部、２，３・・・
・・・半導体装置の露出外部リード、４，５，６・・・
・・・リードフレーム連結体。
Claims (1)
- １ モールド済み半導体装置リードフレームの外部リー
ドの仕上げめつきの前処理として、アルカリ金属を有す
るシアン錯塩、シアン化アルカリ、界面活性剤との混合
水溶液中に入れ外部リードをプラス電解をマイナス電解
を繰り返し施したる後高速ジエツト水流にてモールド樹
脂被膜を除去せしめることを特徴とする前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15640679A JPS6024586B2 (ja) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | 半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15640679A JPS6024586B2 (ja) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | 半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5679459A JPS5679459A (en) | 1981-06-30 |
| JPS6024586B2 true JPS6024586B2 (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=15627039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15640679A Expired JPS6024586B2 (ja) | 1979-12-04 | 1979-12-04 | 半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6024586B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118886U (ja) * | 1984-07-05 | 1986-02-03 | 敏 田中 | 鉛筆ホルダ− |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188830A (en) * | 1981-05-16 | 1982-11-19 | Toshiba Corp | Removing method for resin burr of semiconductor device |
| JPS58111358A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-02 | Kyushu Nogeden:Kk | モ−ルド済み半導体装置の外部リ−ド上のモ−ルド被膜膨潤装置 |
| JP2569512B2 (ja) * | 1986-12-05 | 1997-01-08 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
-
1979
- 1979-12-04 JP JP15640679A patent/JPS6024586B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118886U (ja) * | 1984-07-05 | 1986-02-03 | 敏 田中 | 鉛筆ホルダ− |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5679459A (en) | 1981-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5246565A (en) | High adherence copper plating process | |
| JPH03207900A (ja) | 金属部品のクリーニング方法 | |
| US2662831A (en) | Method of bonding copper to aluminum or aluminum alloys | |
| CN103757676A (zh) | 一种钛合金焦磷酸盐电镀铜方法 | |
| JPS6024586B2 (ja) | 半導体装置モ−ルド後の外部リ−ドのめつき前処理方法 | |
| CN110699713A (zh) | 一种无氰金合金电铸液及其使用方法 | |
| KR20090116515A (ko) | 연성인쇄회로기판의 고연성 Ａｕ 표면처리 도금방법 | |
| US2966448A (en) | Methods of electroplating aluminum and alloys thereof | |
| US2227454A (en) | Method of gold plating steel and ferrous alloys | |
| KR100529969B1 (ko) | 전해주조 기술을 이용한 할로우 주얼리 형성 방법 | |
| US3745096A (en) | Nonstick treatment of mold cavities | |
| CN106591898A (zh) | 一种接触器塑压件镀银工艺 | |
| JPS64818B2 (ja) | ||
| JPS5484835A (en) | Surface treatment of al and al alloy for soldering | |
| US4948674A (en) | Method of applying a metal layer of large adhesive strength on enamels | |
| US3878065A (en) | Process for forming solderable coating on alloys | |
| CN109183080A (zh) | 一种3d硬金工艺 | |
| JPS62230996A (ja) | アルミニウム基板にめつきをする方法 | |
| JPH02281749A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPS6129146B2 (ja) | ||
| JP2807359B2 (ja) | 錫を含む銅合金材のめっき方法 | |
| JPH02182886A (ja) | 銀めっき剥離方法 | |
| KR19990014612A (ko) | 금형 제조방법 | |
| JPS61136699A (ja) | リ−ドフレ−ムのメツキ方法 | |
| JPS5916265A (ja) | 蓄電池極板群の製造方法 |