JPH02182886A - 銀めっき剥離方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野１ 本発明は、ＩＣ用銀めつきリードフレームの製造の内、
特に銀めっき剥離方法に関するものである。

［従来の技術］ ＩＣ用リードフレームは、銅又は鉄合金で作られた板状
材料をプレス又はフォトエツチング法で所望の形状に加
工した後、ＩＣチップを搭載する部分又は金線或はアル
ミ線をボンデングするインナーリートピン先端に金又は
銀メツキを行う。

最近は、低コスト化の観点から殆ど銀メツキが施されて
いる。

銀めっき方法は、ＫＣ用リードフレームの形状に成形加
工した材料を清節化した後、めっき不要部を軟質ゴムシ
ート等でマスクし、ＩＣチップ載ｆ１部やインナーリー
トピン先端部の銀めっき必要部のみ、高温高速のめっき
液を吹き付け、電流を流す、いわゆる部分めっき法によ
って製造される。

銀めっきは、インナーリートピンのＬ面だけか必要であ
るか、軟質ゴムシートを用いた機械的なマスクシール法
では限界があり、インナーリードピン側面にも銀めっき
液が流れ出し通電によって銀めっきか施されてしまう。

インナーリードピン側面の銀めっきは、ワイヤボンデン
グに全く寄与しないたけでなくＩＣパッケージの側止樹
脂とのｕｉ着力が悪いため、ＩＣの耐湿信頼性を著しく
低下させる。

そのためインナーリードピン側面の不要な銀めっきを除
去するため通常は、銀めっき後にｔＩｉ剥離工程を設け
る。銀めっき液の流れ出しによるめっきされたインナー
ソートピン側面の不要な銀めっきは、ＩＣチップ載置部
やインナーリートピン先端部より薄いので銅剥離工程を
経ることにより、ＩＣチップ蔵置部やインナーリードピ
ン先端部も銀か剥離されるか、インナーソートピン側面
の銀は殆ど皆無になり、ＩＣ用ソートフレームの耐湿信
頼性か向−ヒする。

＃Ｎ剥離法としては、一般的に電解剥離法と化学剥離法
とかある。前者はシアン系剥離液中でＩＣ用リードフレ
ームを陽極にして銀を溶解剥離させるものである。後者
は電解せずに薬液で銀を化学的に剥離する方法である。

［発明が解決しようとする課題］ 電解剥離法は、　＋ｆ）電流かＩＣ用ソートフレームの
端部に集中し、銀めっきの必要なインナーリートピン先
端部やＩｃチップ４＆置部の端部の銀めっき厚か極端に
薄くなる。　（２＞　ｘ　ｃ用リードフレームを陽極と
して溶解した銀か陰極（多くはステンレス板）上で析出
し、浮遊物となって漂い、ＩＣ用リードフレームＬに付
着する。■シアンガスを発生し作業上有害である。

化学剥離法は、Φ液寿命か短いためこの方法たけで＃Ｍ
剥離を行うと液劣化が進み、Ｒ１の交換頻度か多くなる
。中銀剥離速度か遅い。■薬液価額が高い、（Φ銅剥離
速度は、銀溶解量に左右され、常に均一てない。す銅剥
離むらが生しやすい等の欠点を持つ。

従ってどちらか一方のみの銀剥離性ては、ＩＣ用ソート
フレームの側面にめっきされた銀を剥離しようとすると
、銀の必要部の特性を低下させ、又銀剥離液の老化か激
しくなる。

〔課題を解決するための手段］ ＩＣ用リードフレームのチップ・ａＺｉ部やインナーリ
ート先端部の側面の不要な銀めっきを除去する方法とし
て、先ず電解剥離法を行い、次ぎに化学剥離法で仕ｈ′
Ａｍを行う二段剥離法を新規に提供するにある。

［作用］′ 上記二段！４１１法を採用することにより、両者の欠点
を補完して、ＩＣ用ソートフレームの側面の銀めっきを
ＩＣチップ・ｉ！　置部や、インナーリート先端部の銀
面の特性を低下させず、且つ剥離液の泡化の防止作用を
実現するものである。

二段剥離法で処理するＩＣ用リードフレーム材は、銅合
金材及び鉄合金材の何れでもよいか、望ましくは、４２
合金やコバール等の鉄合金か好まし・　い　。

［実施例］ 以下に銀めっき剥離方法の一実施例について説明する。

４２合金条（ｔ　＝　０．２５ｍ　ｍ　）を所望の形状
に打ち抜いたＩＣ用リードフレーム材を脱脂、酸洗によ
り清浄化した後、全面に密着性向丘のために薄く銅スト
ライクめっきを設け、と換防止剤に浸漬してから、銀め
っきの不要部を軟質ゴムシートで機械的にマスクし、銀
めっきを必要とするＩＣ用リードフレームの中心部に高
温の銀めっき（メルテウクス製ハイランドシルバー８０
）を高速で吹き付け、電流を流して銀を約８ｇｍ設けた
。

次ぎに本発明の提案である二段剥離法を実施した。

先ずＮａＣＮ　（シアン化ナトリウム１３０ｇ７１水Ｒ
液中で、ＩＣ用ソートフレーム材を陰極にして、２　Ａ
／ｄゴて１５秒間通電し、インナーリードピン側面の銀
を一部剥離した後、銀化学剥離液（メルテックス製エン
ストリップ１０８　・１００ｇ／ｌ＋ＮａＣＮ　（シア
ン化ナトリウム）２５ｇ／４１）に２０秒浸漬し、その
あとに水洗乾燥を行い、インナーリートピン側面の銅剥
離状況及び鋼心要部のめっき外観を観察した。更にｔＣ
チップ儀置部の銀めっき厚をＩＣ用ソートフレームの対
角線して測定し、銀剥離量のばらつきを検討した 第１図は、Ａ点からの距離に対する銀めっきの厚さを表
わした線図で、ｌは本発明例、２以下は比較用で、２は
電解′Ａ１１のみを本発明例と同条件で３０秒行ったフ
レーム、３は化学剥離のみを２と同条件で４０秒行った
フレーム、４はｔＲ剥離を全く行わないフレームである
。第２図は、ＩＣ用り一トフレームの平面図て、銀めつ
き厚さの対角線Ｊ−の測定点（Ａ点、Ｂ点）を表わした
ものである。

この結果、銅剥離なし４のフレームに比して。

銀剥離を行ったフレームは、その方法の如何を問わず、
インナーリートビン側面の銀か剥離されていることかわ
かった。第１図のＩＣチップ載置部の銀めっき厚をＩＣ
用リードフレームの対角線上て測定した結果よれば、本
発明例１はインナーリートピン側面の＃剥離と共にＩＣ
チップＪ！置部の銀めっきかほぼ均一・に剥離され、端
部の選択的な溶解は認められない。

比較例の電解剥離のみ２ては、ＩＣチップ載置部端部か
選択的に溶解し、剥離電流か端部に集中することかわか
る。化学剥離のみ３では、場所による銀剥離量に差はな
く、均一に剥離することが出来たか、剥離量が５０００
フレーム（ｌフレーム長１４０ｍｍ）を超えると剥離速
度か遅くなり、側面の銀が残るようになるので、剥離時
間を長くしていかねばならず実用上問題となった。

［発明の効果］ 本発明は、以上説明したように構成されているのて、以
下に記載されるような効果を奏する。

銀剥離は、元来全面銅ストライクめっきの剥離の延長と
して考えられたものであるか、銀の密着性を向−ヒさせ
るために、最初全面に銅ストライクめっきを設け［１め
っきを施した後、銅ストライクめっきを剥離するが、そ
の時過剰に剥離し、銀不要部の銀も併て取り去る技術で
ある。

本発明の二段剥離法を用いれば銅ストライクめっきの剥
離にも何等支障を生しないことが確認できた。

電解剥離のみては、約５日間連続通電すると、陰極ステ
ンレス板上に析出した銀が浮遊してＩＣ用リードフレー
ムに付着する場合があったが、本発明では、電解′Ａ離
液の寿命か延び、陰極上の銀析出量が少なくなることか
判明した。

又化学剥離のみに比べ、剥離液の更新回数が１／３と大
幅に減少し省資源に大きくＲ献する。

【図面の簡単な説明】

第１ＵＡは、Ａ点からの距離に対する銀めっきの厚さを
表わした線図て、第２図は、ＩＣ用リードフレームの平
面図で、銀めっき厚さの対角線」二の測定点（Ａ点、Ｂ
点）を表わしたものである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 先ず電解剥離法を行い、次ぎに化学剥離法で仕上剥離を
   行う二段剥離法を特徴とする銀めっき剥離方法