JP2015000490A - 生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】室温で液状状態の樹脂を含んだ熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いてトランスファ成形時の自動搬送を実施し、且つ、バリ取り工程でのバリを除去する方法を確立することで生産性を向上させるものである。【解決手段】タブレットの硬度がASKER硬度計でC型70〜D型80であり、前記タブレットをトランスファー成形した後、電解液中で電流密度1〜10A/dm2となるように電流を加え10〜1000s電解を実施し、その後水圧を1〜40MPa噴射することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。【選択図】なし
Description
本発明は生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法に関する。
従来、発光ダイオードとしてはパッケージを用いた表面実装タイプのものが製造されているが、そのパッケージ用材料としては、セラミックや熱可塑性樹脂であるポリアミド樹脂あるいはポリエステル樹脂等が主として用いられている。
ところが、セラミックをパッケージ用材料として用いた場合には、セラミックの成形加工性がよくなく一般に工業的な適用性が狭くなる。また、発光ダイオードの製造にはパッケージ内にエポキシ樹脂等の封止剤(モールド材)を充填することが一般的であるが、その場合、セラミックとエポキシ樹脂等の封止剤との線膨張係数の差が大きいため、熱応力等により封止剤にクラックが発生して発光ダイオードの信頼性を低下させるという問題もある。さらに、セラミックは光線反射率が低く発光ダイオードとしての光取り出し効率が低下してしまうという問題もある。
ポリアミド樹脂をパッケージ用材料として用いた場合には、ポリアミド樹脂は耐光劣化により着色するという問題があるため長期使用するとパッケージ表面での反射率が低下して発光ダイオードの輝度が低下するといった問題がある。また、ポリアミド樹脂の耐光劣化のため封止剤との接着性が低下して、発光ダイオードの信頼性を低下させるという問題もある。
ポリエステル樹脂をパッケージ用材料として用いた場合には、耐熱性が十分でないために耐はんだリフロー性に乏しく、工業的な適用性に制限があるという問題がある。
これらの問題を解決するため、熱硬化性樹脂に無機充填材及び白色顔料を配合してなる熱硬化性樹脂組成物が報告されている。例えば特許文献1には、エポキシ樹脂と無機充填材と白色顔料からなる光反射用樹脂組成物タブレット、及び該タブレットを用いたトランスファー成形で得られる発光ダイオード用パッケージが記載されている。しかしながら、熱硬化性樹脂を用いた半導体パッケージは熱可塑性樹脂を用いた半導体パッケージに比べてコストが高くなる問題がある。この原因として成形工程において、熱可塑性樹脂は可塑化と賦形のみなのに対して、熱硬化性樹脂は可塑化と賦形に加えて硬化が存在し、しかも可塑化と硬化とがほとんど同時に進行するため、未充填やボイド(void、気泡欠陥)により収率が低くなることが挙げられる。これに対し、一般には注入速度を上げることにより硬化する前に充填を完了させるような成形条件を設定している。しかしながら、熱硬化性樹脂成分には未硬化の状態で比較的低分子量の液状成分が含まれているため、注入速度を上げると多量のバリが発生する。
これらの問題を解決するため、熱硬化性樹脂に無機充填材及び白色顔料を配合してなる熱硬化性樹脂組成物が報告されている。例えば特許文献1には、エポキシ樹脂と無機充填材と白色顔料からなる光反射用樹脂組成物タブレット、及び該タブレットを用いたトランスファー成形で得られる発光ダイオード用パッケージが記載されている。しかしながら、熱硬化性樹脂を用いた半導体パッケージは熱可塑性樹脂を用いた半導体パッケージに比べてコストが高くなる問題がある。この原因として成形工程において、熱可塑性樹脂は可塑化と賦形のみなのに対して、熱硬化性樹脂は可塑化と賦形に加えて硬化が存在し、しかも可塑化と硬化とがほとんど同時に進行するため、未充填やボイド(void、気泡欠陥)により収率が低くなることが挙げられる。これに対し、一般には注入速度を上げることにより硬化する前に充填を完了させるような成形条件を設定している。しかしながら、熱硬化性樹脂成分には未硬化の状態で比較的低分子量の液状成分が含まれているため、注入速度を上げると多量のバリが発生する。
バリ取り方法としては、従来から化学化合物に浸漬させる方法、電解処理により行う方法、超高圧の水または研磨剤を含む水により行う方法、およびこれらを組み合わせた方法などが知られている(特許文献2、3)。しかしながら詳細なバリ取り条件の確立についてはあまり検討されておらず、先に記した多量のバリなどは除去できない場合があり、これが新たな欠陥となり収率が向上しない問題がある。
また、生産コストを低減させる方法として、近年、成形工程の自動搬送が注目されている。しかしながら、通常熱硬化性樹脂を用いたパッケージ材料は取り扱いやすいように一定量を円筒状に圧縮し固めたタブレットと呼ばれる材料が用いられるが、室温で液状状態の熱硬化性樹脂を用いるとタブレットが変形したり割れたりするため、半導体パッケージで一般的に用いられるトランスファ成形においてタブレットを自動搬送することが難しくコストが下がらない問題がある。
本発明は、室温で液状状態の樹脂を含んだ熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いてトランスファ成形時の自動搬送を実施し、且つ、バリ取り工程でのバリを除去する方法を確立することで生産性を向上させるものである。
かかる課題を解決するために本発明者らは鋭意研究の結果、上記課題を解決できることを見出し、本発明に至った。
すなわち本発明は、以下の構成を成す。
1).熱硬化性光反射用樹脂組を加圧することで得られるタブレットの硬度がASKER硬度計でC型70〜D型80であり、前記タブレットをトランスファー成形した後、電解液中で電流密度1〜10A/dm2となるように電流を加え10〜1000s電解を実施し、その後水圧を1〜40MPa噴射することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
2).前記タブレットの圧縮率(タブレット内での空隙が零の場合の理論比重とタブレットの実際の比重との比)が95%以上であることを特徴とする1)に記載の半導体パッケージの製造方法。
3).前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、室温(25℃)で液状状態の樹脂を全重量に対して1〜20wt%含むことを特徴とする1)に記載の半導体パッケージの製造方法。
4).前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、(A)SiH基と反応性を有する炭素―炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する分子量が1000未満のケイ素化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、 (D)SiH基と反応性を有する炭素―炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有し、分子量が1000以上であるシリコーン化合物、(E)無機充填材、を必須成分とする1)または3)に記載の半導体パッケージの製造方法。
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、室温で液状状態の樹脂を用いても成形工程で自動搬送が可能で且つ、成形工程で発生するバリもバリ取り工程で除去することができるため、生産性を向上させることが可能となる。
以下に本発明の生産性を向上させる半導体パッケージの製造方法について詳細に説明する。
熱硬化性光反射用樹脂組を加圧することで得られるタブレットの硬度がASKER硬度計でC型70〜D型80であり、前記タブレットをトランスファ成形した後、電解液中で電流密度1〜10A/dm2となるように電流を加え10〜1000s電解を実施し、その後水圧を1〜40MPa噴射することを特徴とする半導体パッケージの製造方法に関する。
(タブレット化工程)
本発明で言うタブレットは、トランスファ成形において熱硬化性光反射用樹脂組成物を供給する際に取り扱い易いように一定した形状を保持させるものである。タブレットの形状は、特に限定されず、円柱状、角柱状、円盤状、球状などの形状を含むが、トランスファ成形に一般的な円柱状が好ましい。タブレット成形条件は、特に限定されないが、室温(0〜35℃)で、0.5〜20MPa、1〜5秒程度の条件下において加圧成形、具体的にはタブレット成形可能なものであることが望まれる。
本発明で言うタブレットは、トランスファ成形において熱硬化性光反射用樹脂組成物を供給する際に取り扱い易いように一定した形状を保持させるものである。タブレットの形状は、特に限定されず、円柱状、角柱状、円盤状、球状などの形状を含むが、トランスファ成形に一般的な円柱状が好ましい。タブレット成形条件は、特に限定されないが、室温(0〜35℃)で、0.5〜20MPa、1〜5秒程度の条件下において加圧成形、具体的にはタブレット成形可能なものであることが望まれる。
自動搬送を目的としたタブレットを硬くする方法は特に限定しないが、組成物の観点から、熱硬化性樹脂の粘度増加や固体化、無機フィラーの粒径を小さくすることなどが好ましく、タブレット成形時の圧力を増加させることも好ましい。
(タブレットの圧縮率)
本発明で言うタブレット圧縮率は、タブレットの密度を熱硬化性光反射用樹脂組成物の真密度で割った数値を百分率で示したものである。タブレットの密度はタブレットの直径、高さ及び重量から算出して求める。熱硬化性光反射用樹脂組成物の真密度は、各原料の密度を密度計などにより測定し、樹脂組成物に含まれる各原料の割合から算出して求める。
本発明で言うタブレット圧縮率は、タブレットの密度を熱硬化性光反射用樹脂組成物の真密度で割った数値を百分率で示したものである。タブレットの密度はタブレットの直径、高さ及び重量から算出して求める。熱硬化性光反射用樹脂組成物の真密度は、各原料の密度を密度計などにより測定し、樹脂組成物に含まれる各原料の割合から算出して求める。
(タブレットの硬度測定)
以下に本発明のタブレットの硬度測定方法について説明する。図2は本発明で使用したデュロメータ(ASKER硬度計C型及びD型)を示している。デュロメータは指針1とダイヤル2、タブレットを抑える加圧面3、タブレットに押し当てる押針4から構成される。
以下に本発明のタブレットの硬度測定方法について説明する。図2は本発明で使用したデュロメータ(ASKER硬度計C型及びD型)を示している。デュロメータは指針1とダイヤル2、タブレットを抑える加圧面3、タブレットに押し当てる押針4から構成される。
本発明では、タブレットを図2(a)のように平板5の上に乗せ、タブレット6の直上からデュロメータの押針4を加圧面3がタブレット面と接するまで押し当てる。このときの指針1が指すダイヤル2の値を読み取る。
(成形工程)
本発明で言うトランスファ成形はタブレットを金型内のポットと呼ばれる箇所に入れて、プランジャで押し出すことによって金型内に樹脂を充填し、その後樹脂を硬化させる工程を経て、金型が型開きし、成形品を取り出す成形方法である。このタブレットを金型内のポットへ投入する及び成形品を金型から取り出す作業は自動搬送を実施することが好ましい。ただし、タブレットが柔らかすぎるとタブレットが変形するため金型内のポットに投入できず、タブレットが硬すぎても自動搬送の際に欠けが発生し自動搬送装置内での詰まりの原因となる。このため、タブレットの硬度はASKER硬度計でC型70〜D型80が好ましく、さらに好ましくはD型50〜70である。
また、成形条件については任意に設定可能であり、例えば成形温度についても任意であるが、硬化が速く成形サイクルが短く成形性が良好になりやすいという点においては100℃以上、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは150℃以上の温度が好ましい。上記のような各種方法によって成形した後、必要に応じて後硬化(アフターキュア)することも任意である。後硬化させた方が耐熱性は高くなり易い。
本発明で言うトランスファ成形はタブレットを金型内のポットと呼ばれる箇所に入れて、プランジャで押し出すことによって金型内に樹脂を充填し、その後樹脂を硬化させる工程を経て、金型が型開きし、成形品を取り出す成形方法である。このタブレットを金型内のポットへ投入する及び成形品を金型から取り出す作業は自動搬送を実施することが好ましい。ただし、タブレットが柔らかすぎるとタブレットが変形するため金型内のポットに投入できず、タブレットが硬すぎても自動搬送の際に欠けが発生し自動搬送装置内での詰まりの原因となる。このため、タブレットの硬度はASKER硬度計でC型70〜D型80が好ましく、さらに好ましくはD型50〜70である。
また、成形条件については任意に設定可能であり、例えば成形温度についても任意であるが、硬化が速く成形サイクルが短く成形性が良好になりやすいという点においては100℃以上、より好ましくは120℃以上、さらに好ましくは150℃以上の温度が好ましい。上記のような各種方法によって成形した後、必要に応じて後硬化(アフターキュア)することも任意である。後硬化させた方が耐熱性は高くなり易い。
(バリ取り工程)
上記の方法で得られた発光ダイオード用パッケージは、金属部を陰極として用いた電解を行い、その後金属部及び成形体に超高圧の水を噴射する。この工程は、電解を実施することでパッケージの金属面に水素を発生させ、その気体発生時の気圧により金属面とバリ間の密着力を弱くし、そのバリを超高圧の水を噴霧することにより除去するものである。
上記の方法で得られた発光ダイオード用パッケージは、金属部を陰極として用いた電解を行い、その後金属部及び成形体に超高圧の水を噴射する。この工程は、電解を実施することでパッケージの金属面に水素を発生させ、その気体発生時の気圧により金属面とバリ間の密着力を弱くし、そのバリを超高圧の水を噴霧することにより除去するものである。
本発明における電解において、電極は陽極、陰極ともに一般的な導電性材料、例えば金、白金、銀、銅、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、錫などの遷移金属類やそれらからなる合金、またはステンレスなどの炭素鋼類、グラファイト、インジウム錫酸化物などを使用することが可能である。電解質としては水溶性および電離度が高い無機塩または水酸化物、およびそれらの水和物が好ましく、例えば硫酸ナトリウム、硫酸水素ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ほう酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素カリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸水素カリウム、チオ硫酸カリウム、硝酸カリウム、亜硝酸カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、水酸化カリウム、硫酸マグネシウム、亜硫酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。電解液の濃度は10〜200g/Lが好ましく、さらには30〜100g/Lが好ましい。希薄すぎると電解が効率よく行われないため好ましくなく、濃すぎると電解焼けが生じたり、金属成分が溶出する可能性があるため好ましくない。電解条件は、電流密度で1〜10A/dm2が好ましく、さらには2〜7A/dm2が好ましい。
超高圧の水を噴霧する工程において、流体圧縮機は任意のものを使用してよいが、50MPa程度の水圧を安定して供給することができるものが好ましい。ノズルから噴射する時の水圧には特に限定はないが、1〜50MPaが好ましく、さらには5〜30MPaが好ましい。小さすぎるとバリが完全に除去されないため好ましくなく、大きすぎると、金属部または成形体が破壊される可能性があるため好ましくない。
(熱硬化性樹脂)
熱硬化性樹脂の種類は特に限定はなく公知のものを使用することができるが、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ヒドロシリル化付加反応型樹脂などが好適なものの例として挙げられる。
熱硬化性樹脂の種類は特に限定はなく公知のものを使用することができるが、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、ヒドロシリル化付加反応型樹脂などが好適なものの例として挙げられる。
熱硬化性樹脂は室温(25℃)で液体なものが多いが、液状成分が多くなるとタブレットの強度が低下し、自動搬送機内でタブレットが変形して詰まり易くなる。このため、室温で液状の熱硬化性樹脂を含有するものは自動搬送できなかったが、本発明の方法を用いると室温で液状状態の樹脂を全重量に対して1〜20wt%含む熱硬化性光反射用樹脂組成物のタブレットを自動搬送可能であることを見出した。ここで、液状の樹脂が1wt%以下であれば液状成分が少ないため、大きな強度低下は見られず一般的な方法でも自動搬送可能である。また、20wt%以上であれば硬度が本発明の値以下となり自動搬送が困難になる場合がある。
これらの中でも特に耐熱性および耐光性の観点からヒドロシリル化付加反応型樹脂を用いることが好ましい。具体的には、(A)SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、(D)SiH基と反応性を有する炭素―炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有し、分子量が1000以上であるシリコーン化合物、(E)無機充填材、を必須成分として含有することを特徴とする硬化性樹脂組成物であることが好ましい。
<(A)成分>
(A)成分はSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する化合物であれば特に限定されない。
(A)成分はSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する化合物であれば特に限定されない。
(A)成分の骨格としてはシロキサンであってもよい。この場合、具体的にはビニル基を有するシロキサン化合物、ポリシロキサンを例示することができ、例えば、
Rn(CH2=CH)mSiO(4−n−m)/2
(式中、Rは水素原子、水酸基、メチル基あるいはフェニル基から選ばれる基であり、n、mは0≦n<4、0<m≦4、0<n+m≦4を満たす数)で表される化合物であり、より具体的には、末端基あるいは側鎖基としてビニル基を有するポリジメチルシロキサン、ポリメチルハイドロジェンシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサンや、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサンなどを挙げることができる。
Rn(CH2=CH)mSiO(4−n−m)/2
(式中、Rは水素原子、水酸基、メチル基あるいはフェニル基から選ばれる基であり、n、mは0≦n<4、0<m≦4、0<n+m≦4を満たす数)で表される化合物であり、より具体的には、末端基あるいは側鎖基としてビニル基を有するポリジメチルシロキサン、ポリメチルハイドロジェンシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサンや、1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3,5,7−テトラビニルシクロテトラシロキサンなどを挙げることができる。
強度が高くなりやすい、接着性が高くなりやすいという点においては、(A)成分としては有機骨格を有するものが好ましい。
有機化合物としてはポリシロキサン−有機ブロックコポリマーやポリシロキサン−有機グラフトコポリマーのようなシロキサン単位(Si−O−Si)を含むものではなく、構成元素としてC、H、N、O、S及びハロゲン以外の元素を含まない化合物がより好ましい。シロキサン単位を含むものの場合は、半導体のパッケージとリードフレームや封止樹脂との接着性が低くなりやすいという問題がある。
<(B)成分>
(B)成分は、1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物である。(B)成分については1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物であれば特に制限がなく、例えば国際公開WO96/15194に記載される化合物で、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有するもの等が使用できる。
(B)成分は、1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物である。(B)成分については1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物であれば特に制限がなく、例えば国際公開WO96/15194に記載される化合物で、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有するもの等が使用できる。
これらのうち、入手性の面からは化1および化2に示すような1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する鎖状及び/又は環状オルガノポリシロキサンが好ましい。
さらに(A)成分との相溶性が良いという観点からは、下記化3で表される、1分子中に少なくとも2個のSiH基を有する環状オルガノポリシロキサンが好ましい。
化3で表される化合物中の置換基R1は、C、H、Oから構成されるものであることが好ましく、炭化水素基であることがより好ましく、メチル基であることがさらに好ましい。
化3で表される化合物としては、入手容易性の観点からは、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンであることが好ましい。
(B)成分の分子量は特に制約はなく任意のものが好適に使用できるが、より流動性を発現しやすいという観点からは低分子量のものが好ましく用いられる。この場合、好ましい分子量の下限は50であり、好ましい分子量の上限は100,000、より好ましくは1,000、さらに好ましくは700である。
(B)成分は単独もしくは2種以上のものを混合して用いることが可能である。
<(C)成分>
(C)成分はヒドロシリル化触媒である。
(C)成分はヒドロシリル化触媒である。
ヒドロシリル化触媒としては、ヒドロシリル化反応の触媒活性があれば特に限定されないが、例えば、白金の単体、アルミナ、シリカ、カーボンブラック等の担体に固体白金を担持させたもの、塩化白金酸、塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体、白金−オレフィン錯体(例えば、Pt(CH2=CH2)2(PPh3)2、Pt(CH2=CH2)2Cl2)、白金−ビニルシロキサン錯体(例えば、Pt(ViMe2SiOSiMe2Vi)n、Pt[(MeViSiO)4]m)、白金−ホスフィン錯体(例えば、Pt(PPh3)4、Pt(PBu3)4)、白金−ホスファイト錯体(例えば、Pt[P(OPh)3]4、Pt[P(OBu)3]4)(式中、Meはメチル基、Buはブチル基、Viはビニル基、Phはフェニル基を表し、n、mは、整数を示す。)、ジカルボニルジクロロ白金、カールシュテト(Karstedt)触媒、また、アシュビー(Ashby)の米国特許第3159601号および3159662号明細書中に記載された白金−炭化水素複合体、ならびにラモロー(Lamoreaux)の米国特許第3220972号明細書中に記載された白金アルコラート触媒が挙げられる。さらに、モディック(Modic)の米国特許第3516946号明細書中に記載された塩化白金−オレフィン複合体も本発明において有用である。
また、白金化合物以外の触媒の例としては、RhCl(PPh)3、RhCl3、RhAl2O3、RuCl3、IrCl3、FeCl3、AlCl3、PdCl2・2H2O、NiCl2、TiCl4、等が挙げられる。
これらの中では、触媒活性の点から塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−ビニルシロキサン錯体等が好ましい。また、これらの触媒は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
触媒の添加量は特に限定されないが、十分な硬化性を有し、かつ硬化性組成物のコストを比較的低く抑えるため好ましい添加量の下限は、(B)成分のSiH基1モルに対して10−8モル、より好ましくは10−6モルであり、好ましい添加量の上限は(β)成分のSiH基1モルに対して10−1モル、より好ましくは10−2モルである。
また、上記触媒には助触媒を併用することが可能であり、例としてトリフェニルホスフィン等のリン系化合物、ジメチルマレエート等の1、2−ジエステル系化合物、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−ブチン等のアセチレンアルコール系化合物、単体の硫黄等の硫黄系化合物、トリエチルアミン等のアミン系化合物等が挙げられる。助触媒の添加量は特に限定されないが、ヒドロシリル化触媒1モルに対しての好ましい添加量の下限は、10−2モル、より好ましくは10−1モルであり、好ましい添加量の上限は102モル、より好ましくは10モルである。
<(D)成分>
本発明の(D)成分は、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有し、分子量が1000以上のシリコーン化合物である。実質的にSi−O−Si結合からなるシロキサン骨格で構成されるシリコーン化合物を用いることにより、一般の有機系高分子を用いる場合と比較して、耐熱性、耐光性に優れた硬化物を得ることができる。さらに、(D)成分を用いることにより(E)成分の無機充填材と混合した場合に、より小さな線膨張係数を有しながら、靭性に優れた硬化物を与える硬化性樹脂組成物とすることができる。またCuをはじめとするリードフレームなどの金属基材の実質片面に成形したときに反りがほとんどない成形品を提供することができる。
(D)成分のシリコーン化合物は、実質的にその骨格がSi−O−Si結合で形成されている化合物であり、直鎖状、環状、分枝状、部分ネットワークを有するもの等種々のものを用いることができる。
本発明の(D)成分は、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有し、分子量が1000以上のシリコーン化合物である。実質的にSi−O−Si結合からなるシロキサン骨格で構成されるシリコーン化合物を用いることにより、一般の有機系高分子を用いる場合と比較して、耐熱性、耐光性に優れた硬化物を得ることができる。さらに、(D)成分を用いることにより(E)成分の無機充填材と混合した場合に、より小さな線膨張係数を有しながら、靭性に優れた硬化物を与える硬化性樹脂組成物とすることができる。またCuをはじめとするリードフレームなどの金属基材の実質片面に成形したときに反りがほとんどない成形品を提供することができる。
(D)成分のシリコーン化合物は、実質的にその骨格がSi−O−Si結合で形成されている化合物であり、直鎖状、環状、分枝状、部分ネットワークを有するもの等種々のものを用いることができる。
この場合、骨格に結合した置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、オクチル基等のアルキル基、フェニル基、2−フェニルエチル基、2−フェニルプロピル基等のアリール基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等のアルコキシ基、水酸基等の基を挙げることができる。これらのうち、耐熱性が高くなりやすいという点においては、メチル基、フェニル基、水酸基、メトキシ基が好ましく、メチル基、フェニル基がより好ましい。また、SiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を有する置換基としては、ビニル基、アリル基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシプロピル基、メタクリロキシプロピル基等を挙げることができるが、これらのうち反応性がよいという点においては、ビニル基が好ましい。
(D)成分の例としては次の式で表すことができるものであってもよい。
Rn(CH2=CH)mSiO(4-n-m)/2
(式中、Rは水酸基、メチル基あるいはフェニル基から選ばれる基であり、n、mは0≦n<4、0<m≦4、0<n+m≦4を満たす数)であらわされる分子量1000以上のシリコーン化合物である。
Rn(CH2=CH)mSiO(4-n-m)/2
(式中、Rは水酸基、メチル基あるいはフェニル基から選ばれる基であり、n、mは0≦n<4、0<m≦4、0<n+m≦4を満たす数)であらわされる分子量1000以上のシリコーン化合物である。
(D)成分の例としては、末端基あるいは側鎖基としてビニル基を有するポリジメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサンやこれら2種あるいは3種のランダムあるいはブロック共重合体、などを挙げることができる。(D)成分としては複数のものを混合して用いてもよい。
これらの内、反り抑制効果がより得られやすいという点においては、ビニル基を末端に有する直鎖状ポリシロキサンが好ましく、ビニル基を両末端に有する直鎖状ポリシロキサンがより好ましく、両末端にビニル基を有する直鎖状ポリジメチル−ポリジフェニルシロキサンあるいは直鎖状ポリメチルフェニルシロキサンがさらに好ましく、両末端にビニル基を有する直鎖状ポリジメチル−ポリジフェニルシロキサンあるいは直鎖状ポリメチルフェニルシロキサンであって、全置換基に対するフェニル基の量が10モル%以上であるシロキサンであることが特に好ましい。
(D)成分の分子量としては、重量平均分子量(Mw)が2,000以上であることが好ましく、5,000以上であることがより好ましく、10,000以上であることがさらに好ましい。分子量が高い場合にはさらに得られる硬化物が低応力となりやすい。また、(D)成分の分子量としては1,000,000以下であることが好ましく、100,000以下であることがより好ましい。分子量が大きい場合には(A)成分、(B)成分との相溶性が得られにくくなる。
(D)成分の量としては、(A)成分および(B)成分の合計の重量に対する(D)成分の重量が30重量%以上であることが好ましく、50重量%以上であることがより好ましく、80重量%以上であることがさらに好ましい。
(A)成分、(B)成分、(D)成分の混合比率は、必要な強度を失わない限りは特に限定されないが、(B)成分中のSiH基の数(Y)の(A)成分および(D)成分中のSiH基と反応性を有する炭素−炭素二重結合の数(X)に対する比において、好ましい範囲の下限はY/X≧0.3、より好ましくはY/X≧0.5、さらに好ましくはY/X≧0.7であり、好ましい範囲の上限は3≧Y/X、より好ましくは2≧Y/X、さらに好ましくは1.5≧Y/Xである。好ましい範囲からはずれた場合には十分な強度が得られなかったり、熱劣化しやすくなる場合がある。
(E)成分は無機充填材である。無機充填材としては種々のものを用いることができるが、特に光半導体の輝度を向上させる観点から白色顔料が好ましく、たとえば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、酸化ストロンチウム、酸化ニオブ、窒化ホウ素、チタン酸バリウム、硫化亜鉛、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、無機中空粒子などが挙げられる。無機中空粒子としては、たとえば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラスなどが挙げられる。これらの中でも、物性や取り扱いの容易性および入手性、コストの観点からまたは酸化チタンまたは酸化亜鉛が好ましい。
酸化チタンとしては種々のものを用いることができ、アナターゼ型であってもルチル型であってもよいが、光触媒作用がなく光反射用熱硬化性樹脂組成物が安定になりやすいという点ではルチル型であることが好ましい。また、酸化チタンの製造方法としても硫酸法、塩素法などいずれの方法により製造されたものも使用できる。
酸化亜鉛は樹脂組成物の白色性、光反射用、高強度、高弾性率、高粘度などの特性を同時に付与することができるとの観点から、酸化亜鉛が特に好ましい。酸化亜鉛としては、亜鉛華、活性亜鉛華、酸化亜鉛一種粉末、酸化亜鉛二種粉末、酸化亜鉛三種粉末、酸化亜鉛ウイスカーなどを好ましく用いることができる。中でも、不純物が少なく安価で大量入手が可能であることから、酸化亜鉛一種粉末を好ましく用いることができる。
(E)成分の平均粒径としては特に限定されず、種々のものが用いられるが、得られる樹脂硬化体の分光反射率が高くなりやすく、また光反射性熱硬化性樹脂組成物のタブレットがより硬くなるという観点からは、好ましくは1μm以下、より好ましくは0.3μm以下、さらに好ましくは0.25μm以下である。光反射用熱硬化性樹脂組成物のタブレットについては後述する。一方、熱硬化性樹脂組成物の流動性が高いという観点からは、好ましくは0.05μm以上、より好ましくは0.1μm以上である。平均粒径は、レーザー回折散乱式粒度分布計を用いて測定することができる。
(E)成分は表面処理が施されていても良い。(E)成分の表面処理では、(E)成分の表面に無機化合物および有機化合物から選ばれる少なくとも1種を被覆する。無機化合物としては、たとえば、アルミニウム化合物、ケイ素化合物、ジルコニウム化合物、スズ化合物、チタニウム化合物、アンチモン化合物などが挙げられ、また、有機化合物としては、多価アルコール、アルカノールアミン又はその誘導体、有機シロキサンなどの有機ケイ素化合物、高級脂肪酸およびその金属塩、有機金属化合物などが挙げられる。
(E)成分表面への無機化合物や有機化合物の被覆は、湿式法や乾式法の公知の方法を用いて、たとえば酸化チタンを乾式粉砕する際、湿式粉砕する際またはスラリー化する際に行うことができる。他にも、液相法、気相法など、種々の方法が挙げられる。
以下に、本発明の非限定的な実施例について説明する。
<使用化合物>
(熱硬化性樹脂の合成)
(合成例1)
5Lの四つ口フラスコに、攪拌装置、滴下漏斗および冷却管をセットした。このフラスコにトルエン1800gおよび1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン1440gを入れ、120℃のオイルバス中で加熱および攪拌した。これに、トリアリルイソシアヌレート200g、トルエン200gおよび白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3重量%含有)1.44mlの混合液を50分かけて滴下した。得られた溶液をそのまま6時間加温および攪拌した後、未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンおよびトルエンを減圧留去した。得られた化合物は、1H−NMRの測定により、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンのSiH基の一部がトリアリルイソシアヌレートと反応した下記一般式(4)に示す構造を有するものであることがわかった。
(熱硬化性樹脂の合成)
(合成例1)
5Lの四つ口フラスコに、攪拌装置、滴下漏斗および冷却管をセットした。このフラスコにトルエン1800gおよび1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン1440gを入れ、120℃のオイルバス中で加熱および攪拌した。これに、トリアリルイソシアヌレート200g、トルエン200gおよび白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3重量%含有)1.44mlの混合液を50分かけて滴下した。得られた溶液をそのまま6時間加温および攪拌した後、未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンおよびトルエンを減圧留去した。得られた化合物は、1H−NMRの測定により、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンのSiH基の一部がトリアリルイソシアヌレートと反応した下記一般式(4)に示す構造を有するものであることがわかった。
(合成例2)
500mL四つ口フラスコにトルエン200g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。
ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート11.0g、トルエン11.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0162gの混合液を30分かけて滴下した。滴下終了から6時間後に1H−NMRでアリル基の反応率が95%以上であることを確認し、冷却により反応を終了した。未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体を得た。
500mL四つ口フラスコにトルエン200g、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン50gを入れ、気相部を窒素置換した後、内温105℃で加熱、攪拌した。
ジアリルモノグリシジルイソシアヌレート11.0g、トルエン11.0g及び白金ビニルシロキサン錯体のキシレン溶液(白金として3wt%含有)0.0162gの混合液を30分かけて滴下した。滴下終了から6時間後に1H−NMRでアリル基の反応率が95%以上であることを確認し、冷却により反応を終了した。未反応の1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン及びトルエンを減圧留去し、無色透明の液体を得た。
1H−NMRの測定により、このものは1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンのSiH基の一部がジリアリルモノグリシジルイソシアヌレートと反応した以下の構造を有するものであることがわかった。また標準物質をジブロモエタンとした時の当量換算でSiH基7.5mmol/gを有することを確認した。
表1の内容に従って、各成分を配合して組成物1、組成物2を調整した。
表2に記載した各成分の配合量に従って、合計約100gになるように秤取り、下記の要領にて熱硬化性樹脂組成物を調整した。
別途調整した表1に記載の組成物1,2をカップ状の容器に秤取り、あらかじめ混合しておいたシリカと白色顔料の混合粉体を少量ずつ加えてプラスチック製スパチュラで混練した。さらに、電動カッターローラー(送り速度1.3min/mm、大島工業株式会社製、ER−440)を用いて混練した。ロール間のギャップを0.3mmに調整し、コンパウンドをロールに投入しコンパウンドがロールをパスする過程を1回の混練として30回混練してコンパウンドを得た。
別途調整した表1に記載の組成物1,2をカップ状の容器に秤取り、あらかじめ混合しておいたシリカと白色顔料の混合粉体を少量ずつ加えてプラスチック製スパチュラで混練した。さらに、電動カッターローラー(送り速度1.3min/mm、大島工業株式会社製、ER−440)を用いて混練した。ロール間のギャップを0.3mmに調整し、コンパウンドをロールに投入しコンパウンドがロールをパスする過程を1回の混練として30回混練してコンパウンドを得た。
(タブレット作製方法)
作製した硬化性樹脂組成物を、Φ13mmの金属製の杵と臼からなるタブレット製造冶具で0.39MPa、5秒間圧縮することにより、所定体積のタブレットを得た。
作製した硬化性樹脂組成物を、Φ13mmの金属製の杵と臼からなるタブレット製造冶具で0.39MPa、5秒間圧縮することにより、所定体積のタブレットを得た。
(成形方法)
Cu製のリードフレームの表面にNiを1μmの厚さでストライクめっきを施し、その上にAuで0.02μm〜0.03μmのめっきを施した縦50mm、横55mm、厚み0.25mmのリードフレームを使用した。成形後のMAPは縦15列、横12列で合計180個の樹脂成形体(リフレクター)が含まれる。各樹脂成形体は上面φ2.1mm、底面φ1.8mm(テーパー角度:15度)、高さ0.55mmで、横方向直径に沿って右端から0.45mmのところに幅0.20mmの熱硬化性樹脂組成物を硬化させた白色樹脂硬化体からなる電極スリットが縦に設けられている。各樹脂成形体間の間隔は縦横直径方向ともに1.1mmである。
Cu製のリードフレームの表面にNiを1μmの厚さでストライクめっきを施し、その上にAuで0.02μm〜0.03μmのめっきを施した縦50mm、横55mm、厚み0.25mmのリードフレームを使用した。成形後のMAPは縦15列、横12列で合計180個の樹脂成形体(リフレクター)が含まれる。各樹脂成形体は上面φ2.1mm、底面φ1.8mm(テーパー角度:15度)、高さ0.55mmで、横方向直径に沿って右端から0.45mmのところに幅0.20mmの熱硬化性樹脂組成物を硬化させた白色樹脂硬化体からなる電極スリットが縦に設けられている。各樹脂成形体間の間隔は縦横直径方向ともに1.1mmである。
トランスファー成形は、自動搬送装置のあるTOWA株式会社製Y1E2060を用いて実施した。作製したタブレットを自動搬送装置のホッパーに150個投入した。
成形条件は、170℃で3分間、型締力40ton、注入圧力12.2MPa、注入速度4mm/sとした。その後180℃/1hで後硬化させ、図1の(a)に示す成形体(MAP)を得た。成形体を拡大した図が(b)で、(b)の円形部分開口部の直径は2.1mmであった。樹脂成形体を上金型から脱型する際に、MAPの変形や界面剥離による破壊は発生しなかった。またMAPのリードフレーム部(図1−(c)の底面)には全体にフラッシュバリと呼ばれる厚さ1〜2μmの薄いバリを有していた。
成形条件は、170℃で3分間、型締力40ton、注入圧力12.2MPa、注入速度4mm/sとした。その後180℃/1hで後硬化させ、図1の(a)に示す成形体(MAP)を得た。成形体を拡大した図が(b)で、(b)の円形部分開口部の直径は2.1mmであった。樹脂成形体を上金型から脱型する際に、MAPの変形や界面剥離による破壊は発生しなかった。またMAPのリードフレーム部(図1−(c)の底面)には全体にフラッシュバリと呼ばれる厚さ1〜2μmの薄いバリを有していた。
(実施例1)
表2に記載の実施例1の処方(室温での液状成分は全重量に対して3.0wt %)で3.0kNの荷重を加えてタブレットを作製したところ、タブレットの硬度はASKER硬度計でD型38であった。また、タブレットの圧縮率は99.8%であった。本タブレットを用いてトランスファ成形を実施したところ、タブレットの自動搬送は金型のポットにタブレットが投入されるまでタブレットの変形や欠けなどは見られず、1時間運転しても装置にトラブルは発生しなかった。次に、成形したMAPを電解液に浸して電気分解を行った。電気分解にはアクトクリーン(ウイング製)60gを純水1Lで溶解させたものを電解液として用い、陽極にはSUS304、陰極には銅を用いた。電解条件は、最大印加電流密度8.0A/dm2、電解時間180秒とした。電解液の温度は50℃とした。
表2に記載の実施例1の処方(室温での液状成分は全重量に対して3.0wt %)で3.0kNの荷重を加えてタブレットを作製したところ、タブレットの硬度はASKER硬度計でD型38であった。また、タブレットの圧縮率は99.8%であった。本タブレットを用いてトランスファ成形を実施したところ、タブレットの自動搬送は金型のポットにタブレットが投入されるまでタブレットの変形や欠けなどは見られず、1時間運転しても装置にトラブルは発生しなかった。次に、成形したMAPを電解液に浸して電気分解を行った。電気分解にはアクトクリーン(ウイング製)60gを純水1Lで溶解させたものを電解液として用い、陽極にはSUS304、陰極には銅を用いた。電解条件は、最大印加電流密度8.0A/dm2、電解時間180秒とした。電解液の温度は50℃とした。
電解後、MAPの凹凸面に対し10MPaの超高圧水を噴射してバリの除去を行った。噴射ノズルにはφ0.8mmのストレートノズルを使用した。また、MAPを噴射方向に対して垂直に平行移動可能な電動ステージに設置し、送り速度20mm/sで、噴射ノズルの下を通過させ、MAP全面に超高圧水が接触するようにした。このときの噴射ノズル先端とMAPの距離は30mmとした。その後、凹凸面の裏側についても同様に超高圧水を噴射した。両面に噴射を行ったMAPは純水で洗浄し、エアーガンにより水切りを行った後、70℃で1時間乾燥を行った。
乾燥したサンプルの凹凸面を目視し、フラッシュバリの残っている成形体凹部の数を数えたところ、フラッシュバリの残っている成形体凹部は全成形体凹部の0%であった。
(比較例1)
表2に記載の比較例1の処方でタブレットを作製したところ、タブレットの硬度はASKER硬度計でC型50であった。本タブレットを用いてトランスファ成形を実施したところ、タブレットが変形し、開始後1分程度で自動搬送機内に詰まり成形できなかった。
表2に記載の比較例1の処方でタブレットを作製したところ、タブレットの硬度はASKER硬度計でC型50であった。本タブレットを用いてトランスファ成形を実施したところ、タブレットが変形し、開始後1分程度で自動搬送機内に詰まり成形できなかった。
(比較例2)
電解条件は、最大印加電流密度0.5A/dm2とし、それ以外は実施1と同様の操作を実施した。
乾燥したサンプルの凹凸面を目視し、フラッシュバリの残っている成形体凹部の数を数えたところ、フラッシュバリの残っている成形体凹部は全成形体凹部の約50%であった。
電解条件は、最大印加電流密度0.5A/dm2とし、それ以外は実施1と同様の操作を実施した。
乾燥したサンプルの凹凸面を目視し、フラッシュバリの残っている成形体凹部の数を数えたところ、フラッシュバリの残っている成形体凹部は全成形体凹部の約50%であった。
(比較例3)
電解後、MAPの凹凸面に対し0.5MPaの超高圧水を噴射してバリの除去を行った以外は実施例1と同様の操作を実施した。
電解後、MAPの凹凸面に対し0.5MPaの超高圧水を噴射してバリの除去を行った以外は実施例1と同様の操作を実施した。
乾燥したサンプルの凹凸面を目視し、フラッシュバリの残っている成形体凹部の数を数えたところ、フラッシュバリの残っている成形体凹部は全成形体凹部の90%存在した。
(比較例4)
電解後、MAPの凹凸面に対し50MPaの超高圧水を噴射してバリの除去を行った以外は実施例1と同様の操作を実施した。
電解後、MAPの凹凸面に対し50MPaの超高圧水を噴射してバリの除去を行った以外は実施例1と同様の操作を実施した。
超高圧水を噴射後のMAPを見ると、リードフレームから樹脂が剥がれていることを確認した。
(比較例5)
表2に記載の比較例1の処方で0.1kNの荷重タブレットを作製したところ、タブレットの硬度はASKER硬度計でC型50であった。また、タブレットの圧縮率は94.0%であった。本タブレットを用いてトランスファ成形を実施したところ、タブレットが割れて、開始後1分程度で自動搬送機内に詰まり成形できなかった。
表2に記載の比較例1の処方で0.1kNの荷重タブレットを作製したところ、タブレットの硬度はASKER硬度計でC型50であった。また、タブレットの圧縮率は94.0%であった。本タブレットを用いてトランスファ成形を実施したところ、タブレットが割れて、開始後1分程度で自動搬送機内に詰まり成形できなかった。
(比較例6)
表2に記載の実施例1の処方において室温で液状の熱硬化性樹脂(表1の合成例1生成物)を全重量に対して25wt%まで増加させ、その他の原料を均等に減少させたもので3.0kNの荷重を加えてタブレットを作製し、トランスファ成形を実施したところ、タブレットが変形し、開始後すぐに自動搬送機内に詰まり成形できなかった。
表2に記載の実施例1の処方において室温で液状の熱硬化性樹脂(表1の合成例1生成物)を全重量に対して25wt%まで増加させ、その他の原料を均等に減少させたもので3.0kNの荷重を加えてタブレットを作製し、トランスファ成形を実施したところ、タブレットが変形し、開始後すぐに自動搬送機内に詰まり成形できなかった。
1:指針
2:ダイヤル
3:加圧面
4:押針
5:平板
6:タブレット
2:ダイヤル
3:加圧面
4:押針
5:平板
6:タブレット
Claims (4)
- 熱硬化性光反射用樹脂組を加圧することで得られるタブレットの硬度がASKER硬度計でC型70〜D型80であり、前記タブレットをトランスファ成形した後、電解液中で電流密度1〜10A/dm2となるように電流を加え10〜1000s電解を実施し、その後水圧を1〜40MPa噴射することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
- タブレット圧縮率(タブレット内での空隙が零の場合の理論比重とタブレットの実際の比重との比)が95%以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、室温(25℃)で液状状態の樹脂を全重量に対して1〜20wt%含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記熱硬化性光反射用樹脂組成物が、(A)SiH基と反応性を有する炭素―炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する分子量が1000未満のケイ素化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有する化合物、(C)ヒドロシリル化触媒、 (D)SiH基と反応性を有する炭素―炭素二重結合を1分子中に少なくとも1個含有し、分子量が1000以上であるシリコーン化合物、(E)無機充填材、を必須成分とする請求項1または請求項3に記載の半導体パッケージの製造方法。
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2013
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