JP5953654B2 - 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光ダイオード等の発光素子を備えた半導体発光装置、およびそれに用いられる樹脂成形体と金属配線とを備える半導体発光装置用パッケージに関する。
半導体発光素子を備える半導体発光装置は図1に示す様に半導体発光素子1、樹脂成形体2、ボンディングワイヤー3、蛍光体層4、リードフレーム5等から構成される。また、パッケージは、リード電極などの導電性金属配線及び絶縁性の樹脂成形体からなる。
従来、樹脂成形体としてはポリアミド等の熱可塑性樹脂に白色顔料を配合した絶縁性材料から成形されたものが一般的に用いられてきた(例えば特許文献1参照)。発光に指向性が求められる半導体発光装置は、半導体発光素子から全方向に発せられた光を目的とする方向に集めるために樹脂成形体やリードフレームなどの金属配線、及び反射材等で反射させ、光の利用効率を上げている。ポリアミドなどの熱可塑性樹脂は透光性であるため、樹脂に白色顔料を配合した成形体とすることで、樹脂と白色顔料との屈折率の差を利用し半導体発光素子からの光を反射し半導体発光装置としての発光効率を高めるように設計されている。
上記特許文献1の樹脂成形体では、白色顔料を使用した場合であっても、白色顔料の種類によってはその反射効率が十分でなく吸収や透過する光線も出てしまうため、結果として半導体発光素子からの光を目的の向きに集中できずに半導体発光装置としての効率が下がってしまう場合があった。
また、ポリアミド樹脂を用いたパッケージは、ポリアミド樹脂が熱可塑性樹脂であるため、環境問題より融点の高い鉛フリー半田が積極的に使用されリフロー温度が高くなる傾向にある現状では、耐熱性が不十分で、熱による軟化が発生するという問題がある。また、ポリアミド樹脂は紫外線、熱により、光劣化、熱劣化が起こるため、近年実用化が進んでいる青色〜近紫外線半導体発光素子のようなエネルギーの高い波長領域まで発光域を持つ発光素子を用いた場合、光による劣化が特に問題となる。また、より明るい発光素子が求められている現状においては、半導体発光素子から発せられる光束の大きな光とこれに伴う発熱により、熱劣化、光劣化の問題がより顕在化する。
一方、耐熱性が求められる場合は焼結されたアルミナを配合したセラミックが絶縁材料として用いられる(例えば特許文献2参照)。セラミックを用いたパッケージは耐熱性が良いが、製造に際し成形後に高温での焼結工程が必要である。焼結工程では加熱に要する熱・電気等のエネルギーが多量に必要であり、また焼結により成形体の大きさ、形状が変化するために不良品が発生しやすく量産性に問題があった。
これに対して近年、樹脂にポリオルガノシロキサンを用い、白色顔料として酸化チタンを用いたシリコーン樹脂組成物を成形したケースも提案されている(例えば特許文献3参照)。樹脂にポリオルガノシロキサンを用いる事により、ポリアミド樹脂を用いたものと比べ耐熱性の向上が図られる。
特開2002−283498号公報 特開2004−288937号公報 特開2009−155415号公報
樹脂にポリオルガノシロキサンを用いている上記特許文献3においては、白色顔料に酸化チタンを用いているので次の様な問題が生じる。まず、樹脂組成物を調製する工程において、樹脂であるポリオルガノシロキサンに酸化チタンを配合し混合する場合には、酸化チタンの樹脂に対する分散性が低い。このため、樹脂組成物を硬化した後の樹脂成形体において、酸化チタンが均一に分散しておらず樹脂成形体内での反射率に分布があり、その結果半導体発光装置から発せられる光線の均一性の点で問題がある。
また、酸化チタンは光触媒性があるために、波長470nm程度以下の半導体発光素子を用いる際に、半導体発光素子やそれに励起される蛍光体の発光により酸化チタン粒子近傍の樹脂成形体が劣化する。そのため、青色領域の光を発する半導体発光素子、及び近紫外領域の光を発する半導体発光素子を用いた場合に、樹脂成形体の耐光性が著しく損なわれる。
さらに、酸化チタンは近紫外領域に吸収波長を持つために色が黄色味を帯びている。これは半導体発光素子からの発光スペクトルを変化させ、白色性、演色性に問題を生じさせる。特に現在積極的に研究されている白色半導体発光装置では白色性、演色性が大きな要求事項となっており、この点に於いても不利である。
一方、上記説明したように、半導体発光装置では半導体発光素子からの発熱があり、特に明るい発光素子が求められる場合にはその発熱も大きくなる。そのため、発熱により樹脂成形体が膨張することで半導体発光装置のパッケージが膨張し、樹脂成形体とリードフレームとの線膨張係数の差によって樹脂成形体からリードフレームや封止材、蛍光体層が剥がれやすくなるという新たな問題が生じた。この接着性、耐熱性の問題に対しては、上記特許文献3では一定の解決がされているものの、成形後の硬度が非常に高くなるため、加工する際に屑が生じることがあったり、実装する際に割れや欠けが生じるという新たな課題を有していた。本発明はこのような課題を解決したものであり、耐熱性に優れ、かつ、樹脂成形体からリードフレームや封止材が剥離しにくいパッケージであって、さらには物理的衝撃に強く、割れや欠けが生じないパッケージを提供することを目的とする。
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、樹脂成形体が特定の押し込み深さを有し、かつ、特定のショアD硬度を有するパッケージを用いることで、上記課題を解決できることを見出した。
即ち本発明は以下のとおりである。
樹脂成形体および金属配線を備える半導体発光装置用パッケージであって、
前記樹脂成形体は、先端の直径が500μmである圧子を、50mNの力で押し込んだときの押し込み深さが4μm以上30μm以下であり、かつ、ショアD硬度が25以上75以下である、半導体発光装置用パッケージ。
また、前記樹脂成形体は、厚さ0.4mmにおいて、波長460nmの光反射率が90%以上であること、及び波長400nmの光反射率が60%以上であることが好ましい態様である。
また、前記樹脂成形体は、シリコーン系の材料を成形したものであることが好ましく、特にこのシリコーン系の材料が、ポリオルガノシロキサン、白色顔料及び硬化触媒を含有することが更に好ましい態様である。
また、前記金属配線は、前記樹脂成形体と少なくとも一部が接触しており、前記樹脂成形体と接触する部分の表面粗さ(Ra)が0.05以上0.5以下であることが好ましい態様である。
また、本発明の別の態様は、半導体発光素子、上記記載の半導体発光装置用パッケージ、ボンディングワイヤー、および蛍光体層を有する半導体発光装置である。
本発明の半導体発光装置用パッケージは、耐熱性に優れ、樹脂成形体と金属配線が剥離しにくく、さらには物理的衝撃に強く、割れや欠けが生じないパッケージを得ることができる。
半導体発光装置の一態様の構成を概略的に示す断面図である。 本発明の半導体発光装置の別の一態様を表す概念図である。 本発明の半導体発光装置の別の一態様を表す概念図である。
本発明の半導体発光装置用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)は、樹脂成形体および金属配線を備える。また、本発明の半導体発光装置は、その好ましい態様において、上記パッケージの他、半導体発光素子、ボンディングワイヤーおよび蛍光体層を少なくとも有している。
<1.樹脂成形体>
本発明の樹脂成形体は、先端の直径が500μmである圧子を、50mNの力で押し込んだときの押し込み深さが4μm以上30μm以下であることを特徴とする。樹脂成形体の押し込み深さは、MCT−W500(島津製作所製微小圧縮試験機)を用いて測定し、測定に用いる圧子の材質はダイヤモンドであり、サンプルと接する面は平面である。押し込み深さは、サンプルの柔らかさを表しており、柔らかい場合には押し込み深さの値が大きくなる。また、測定の際の温度は、常温(20℃±15℃(5〜35℃))で行う。
加えて、本発明の樹脂成形体は、ショアD硬度が25以上75以下である。ショアD硬度は、JIS K6253に従って、D型測定器(タイプDデュロメーター)を用い、樹脂成形体の表面に圧子を押し込み変形させ、その変形量を測定し数値化したものである。
半導体発光装置用パッケージは半導体発光素子を外部環境や物理的衝撃から保護する働きが求められるため、パッケージ全体としてある程度以上の強度、硬度が必要である。一方、樹脂成形体の微小領域では、熱や外力によってリードフレームと樹脂成形体との界面に生じる力を緩和できる柔軟性を備えていることが望まれる。
樹脂成形体の押し込み深さ、及びショアD硬度をこの範囲内とすることで、本発明の樹脂成形体は半導体発光素子を物理的衝撃から保護する力と、ゴムのような弾性により熱や外力によって変形しても元の状態に戻る復元力を兼ね備えたものとなる。そのため、半導体発光装置に組み入れた際、半導体発光素子からの発熱量が大きい場合でも、金属と樹脂成形体との線膨張係数の違いにより界面に生じる力を吸収し、樹脂成形体から金属配線が剥がれにくくなる。また、耐リフロークラック性に優れ、樹脂を含む封止材や蛍光体層との接着性も向上する。加えて、硬度が高すぎない柔らかい材料のため、加工する際に屑が生じにくく、セラミックスのようなもろい材料でみられる、実装する際の割れや欠けが生じにくい。
本発明者らの検討によると、押し込み深さとショアD硬度はある程度の相関性を有することが解っている。そのため、押し込み深さが大きくなるほど、ショアD硬度は小さくなる傾向にあるが、パッケージとしてのマクロな強度や硬さの指標としてはショアD硬度が、パッケージ樹脂部の微小領域の柔軟性の指標としては押し込み深さが好適であり、ショアD硬度と押し込み深さとを個別に制御して、それぞれを特定範囲にすることで良好な物性が発現することを見出した。
押し込み深さが4μmよりも小さくなる従来の樹脂製パッケージの場合には、耐熱性や接着性に問題が生じる傾向にある。一方、特許文献3のようにシリコーン系の樹脂を材料として用いた場合には、ある程度良好な耐熱性が得られる。しかしながら、シリコーン系の樹脂を材料とした成形体はショアD硬度を従来のパッケージと近いレベルにまで高くすると材料が脆くなり、加工する際に屑が生じたり、実装する際に割れや欠けが生じるという知見を得た。また、フェニル基を含有するシリコーン材料からは比較的ショアD硬度の高い樹脂成形体が得られるが、耐熱性、耐光性が低下する問題があった。そして、シリコーン系の樹脂を用いた場合であっても、ショアD硬度を特定の値に制御しないと、所望の効果を奏しないことに想到した。本発明においては、上記押し込み深さに加えて、ショアD硬度を25以上75以下に調整することで、加工する際に屑が生じにくく、実装する際に割れや欠けが生じにくく、耐久性の高いパッケージを製造することができる。
一方、押し込み深さが30μmよりも大きくなる場合、ショアD硬度が25よりも小さくなる場合には、樹脂成形体が柔らかくなりすぎて、パッケージとした場合に、パッケージの強度や金属配線などとの接着性が問題となる。
上記押し込み深さの下限値は、5μm以上であることが好ましい。また上限値としては25μm以下であることが好ましく、20μm以下であることがより好ましい。上記範囲の場合には、樹脂成形体の接着性がより向上する。また、ショアD硬度は、30以上であることが好ましく、35以上であることがより好ましい。ショアD硬度の上限は、70以下であることが好ましく、65以下であることがより好ましい。上記範囲の場合には、より物理的衝撃に強く、割れや欠けがより生じにくいパッケージとなる。
本発明において、押し込み深さおよびショアD硬度を測定する樹脂成形体は、樹脂成形体材料を硬化させたものであるが、硬化条件は樹脂の性質に応じて調整する必要があり、金型にて成形する場合に金型から容易に離型する程度に樹脂が硬化すればよい。熱硬化性の樹脂組成物を用いる場合には、例えば、150℃、3分間の条件で硬化させた後の樹脂成形体を測定する。
上記樹脂成形体の押し込み深さ、およびショアD硬度は、樹脂の架橋密度を調整したり、後述する硬化速度制御剤の種類や含有量を調整したり、樹脂成形体に含有させるフィラー(白色顔料など)の量を調整したりすることで、それぞれを個別に上記範囲に制御することができる。
本発明の樹脂成形体は、押し込み深さ、およびショアD硬度が上記範囲を充足するものであれば、その種類に特段の制限はなく、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂などが用いられ、耐熱性、耐光性、柔軟性、成形性などの観点からシリコーン樹脂が好ましい。
以下、シリコーン樹脂の場合を例として説明する。なお、樹脂成形体に対して、成形前の組成物の状態を樹脂組成物として表現する。
<2.樹脂組成物>
本発明の樹脂成形体は、シリコーン樹脂組成物を硬化することで得られる。
シリコーン樹脂組成物は通常(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、(C)硬化触媒からなる。必要に応じ(D)添加剤を加えてもよい。
<2−1.(A)ポリオルガノシロキサン>
本発明におけるポリオルガノシロキサンとは、ケイ素原子が酸素を介して他のケイ素原子と結合した部分を持つ構造に有機基が付加している高分子物質をいう。本発明で用いるポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体であることが好ましい。これは、半導体発光装置用樹脂成形体を成形する際に、材料の扱いが容易となるからである。また、常温常圧下において固体のポリオルガノシロキサンは、一般的に硬化物としての硬度は比較的高いが、破壊に要するエネルギーが小さく靭性が低いものや、耐光性、耐熱性が不十分で光や熱により変色しやすいものが多い傾向にあるからである。
なお、上記常温とは20℃±15℃(5〜35℃)の範囲の温度をいい、常圧とは大気圧に等しい圧力をいい、ほぼ一気圧である。また、液体とは流動性がある状態をいう。なお本発明において流動性の有無は、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置したときに、対象物が流れるかどうかによって判定する。
上記ポリオルガノシロキサンは、通常、シロキサン結合を主鎖とする有機重合体をいい、例えば以下に示す一般組成式(1)で表される化合物や、その混合物が挙げられる。
(R123SiO1/2M(R45SiO2/2D(R6SiO3/2T(SiO4/2Q ・・・(1)
ここで、上記式(1)中、R1からR6は独立して、有機官能基又は水素原子である。またM、D、TおよびQは0から1未満であり、M+D+T+Q=1を満足する数である。なお、有機官能基については後述するが、具体的には置換または非置換の1価炭化水素基が好ましく、中でもメチル基、フェニル基、ビニル基、長鎖(炭素数1〜20)アルキル基などが好ましく用いられる。
主なポリオルガノシロキサンを構成する単位は、1官能型[R3SiO0.5](トリオルガノシルヘミオキサン)、2官能型[R2SiO](ジオルガノシロキサン)、3官能型[RSiO1.5](オルガノシルセスキオキサン)、4官能型[SiO2](シリケート)であり、これら4種の単位の構成比率を変えることにより、ポリオルガノシロキサンの性状の違いが出てくるので、所望の特性が得られるように適宜選択し、ポリオルガノシロキサンの合成を行う。
上記構成単位が1〜3官能型のポリオルガノシロキサンは、オルガノクロロシラン(一般式RnSiCl4-n(n=1〜3))と呼ばれる一連の有機ケイ素化合物をもとにして合成することができる。例えば、メチルクロロシランは塩化メチルとケイ素SiとをCu触媒下高温で直接反応させて合成することができ、また、ビニル基などの有機基を持つシラン類は、一般の有機合成化学の手法によって合成することができる。
単離されたオルガノクロロシランを、単独で、あるいは任意の割合で混合し、水により加水分解を行うとシラノールが生成し、このシラノールが脱水縮合するとシリコーンの基本骨格であるポリオルガノシロキサンが合成される。
ポリオルガノシロキサンは、硬化触媒の存在下で、熱エネルギーや光エネルギー等を与えることにより硬化させる事ができる。ここで硬化とは、流動性を示す状態から、流動性を示さない状態に変化することをいい、例えば、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置した際に流動が見られる状態を未硬化状態といい、全く流動しない状態を硬化状態として判断することができる。
ポリオルガノシロキサンは、硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのポリオルガノシロキサンを挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ(付加型ポリオルガノシロキサン)、および縮合硬化タイプ(縮合型ポリオルガノシロキサン)が好適である。中でも、副生成物の発生が無く、また、反応が可逆性でないヒドロシリル化(付加重合)によって硬化する付加型ポリオルガノシロキサンより好適である。これは、成形加工時に副生成物が発生すると、成形容器内の圧を上昇させたり、硬化材料中に泡として残存したりする傾向にあるからである。
樹脂成形体の押し込み深さ、およびショアD硬度を上記範囲に制御するためには、常温常圧下液状で硬化物がゴム弾性を有するショアA硬度が20から90の付加型液状シリコーンゴムの使用が好ましい。シリコーンはその性状によりオイル、ゴム、レジンに分類されるが、シリコーンゴムは網状構造の分子からなり、架橋点の数は通常数百個の[R2SiO]単位ごとに数個程度である。架橋点を増してゆくと分子の自由度が小さくなり、ゴム弾性が失われ、ショアD硬度は高く、押し込み深さは小さくなるが、架橋度は特に押し込み深さへの影響が大きい傾向にある。また、シリコーンがゴムの性状を有するには、通常、式(1)のT+Qの値が0.4未満、好ましくは0.3未満、最も好ましくは0.2未満である。また、複数のシリコーンの混合物であっても、シリコーン混合物の硬化物がゴムの性状を有するものであればよく、その場合には混合物全体のT+Qの値が前述の範囲であることが好ましい。M,D,T,Qの値をコントロールすることによって、押し込み深さとショアD硬度をそれぞれ制御することができる。
なお、式1のM,D,T,Qの値は、シリコーンの29Si−NMR分析等によって測定することができる。
以下、付加型ポリオルガノシロキサン、および縮合型ポリオルガノシロキサンについて説明する。
<2−1−1.付加型ポリオルガノシロキサン>
付加型ポリオルガノシロキサンとは、ポリオルガノシロキサン鎖が、付加反応により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシラン等の(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物と、例えばヒドロシラン等の(A2)ヒドロシリル基を含有するケイ素化合物とを総ヒドロシリル基量が0.5倍以上、2.0倍以下となる量比で混合し、Pt触媒などの付加縮合触媒の存在下反応させて得られるSi−C−C−Si結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。
(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物としては、下記一般式(2)
nSiO[(4-n)/2] ・・・(2)
で表わされる、1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するポリオルガノシロキサンが挙げられる。
ただし、式(2)中、Rは同一または異種の置換または非置換の1価炭化水素基、アルコキシ基、または水酸基で、nは1≦n<2を満たす正の数である。
上記(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物においてアルケニル基とは、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基などの炭素数2〜8のアルケニル基であることが好ましい。Rが炭化水素基である場合は、メチル基、エチル基などのアルキル基、ビニル基、フェニル基等の炭素数1〜20の1価炭化水素基から選択される。好ましくは、メチル基、エチル基、フェニル基である。
それぞれのRは異なってもよいが、耐紫外線(UV)性が要求される場合には、上記式中Rのうちの65%程度以上がメチル基であることが好ましく、上記式中Rのうちの80%以上がメチル基であることがより好ましい。
Rは炭素数1〜8のアルコキシ基や水酸基であってもよいが、アルコキシ基や水酸基の含有率は、(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物の10重量%以下であることが好ましい。また、nは1≦n<2を満たす正の数であるが、この値が2以上であると樹脂成形体用材料とリードフレーム等の導電体との接着に十分な強度が得られなくなり、1未満のようなポリオルガノシロキサンの合成は一般に困難である。
一般に、Rにフェニル基が多くなるほど硬化後のシリコーン樹脂はその強度が増加し、ショアD硬度が高くなり、押し込み深さは小さくなる。フェニル基の含有量によって、ショアD硬度と押し込み深さのどちらも影響を受ける。
上記(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物としては、例えばビニルシラン、ビニル基含有ポリオルガノシロキサンを挙げることができ、これらを1種単独で、または2種以上を任意の比率および組み合わせで用いることができる。上記の中でも分子内に2個以上のビニル基を有するビニル基含有ポリオルガノシロキサンが好ましい。
分子内に2個以上のビニル基を有するビニル基含有ポリオルガノシロキサンとして具体的には以下のものが挙げられる。
両末端ビニルポリジメチルシロキサン
DMS−V00、DMS−V03、DMS−V05、DMS−V21、DMS−V22、DMS−V25、DMS−V31、DMS−V33、DMS−V35、DMS−V41、DMS−V42、DMS−V46、DMS−V52(いずれもGelest社製)
両末端ビニルジメチルシロキサン−ジフェニルシロキサンコポリマー
PDV−0325、PDV−0331、PDV−0341、PDV−0346、PDV−0525、PDV−0541、PDV−1625、PDV−1631、PDV−1635、PDV−1641、PDV−2331、PDV−2335(いずれもGelest社製)
両末端ビニルフェニルメチルシロキサン
PMV−9925(Gelest社製)
トリメチルシリル基封鎖ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
VDT−123、VDT−127、VDT−131、VDT−153、VDT−431、VDT−731、VDT−954(いずれもGelest社製)
ビニルT−構造ポリマー
VTT−106、MTV−124(いずれもGelest社製)
また、(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素含有化合物としては、例えばヒドロシラン、ヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンを挙げることができ、これらを1種単独で、または2種以上を任意の比率および組み合わせで用いることができる。上記の中でも分子内に2個以上のヒドロシリル基を有するヒドロシリル基含有ポリオルガノシロキサンが好ましい。
分子中に2個以上のヒドロシリル基を含有するポリオルガノシロキサンとして具体的には以下のものが挙げられる。
両末端ヒドロシリルポリジメチルシロキサン
DMS−H03、DMS−H11、DMS−H21、DMS−H25、DMS−H31、DMS−H41(いずれもGelest社製)
両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーHMS−013、HMS−031、HMS−064、HMS−071、HMS−082、HMS−151、HMS−301、HMS−501(いずれもGelest社製)
本発明における上記(A1)アルケニル基を有するケイ素化合物および(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素化合物の使用量は、(A1)アルケニル基を有するケイ素化合物1モル(アルケニル基のモル数)に対して、(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素化合物(ヒドロシリル基のモル数)が通常0.5モル以上であり、好ましくは0.7モル以上、より好ましくは0.8モル以上であり、また、通常3.0モル以下、好ましくは2.0モル以下、より好ましくは1.5モル以下である。アルケニル基に対するヒドロシリル基のモル数をコントロールすることにより硬化後の未反応末端基の残存量を低減し、点灯使用時の着色や剥離等の経時変化が少ない硬化物を得ることができる。
また、ヒドロシリル化を起こす反応点(架橋点)の個数は、アルケニル基およびヒドロシリル基ともに白色顔料を含まない樹脂自体中において0.15mmol/g以上、20mmol/g以下であることが好ましい。さらに好ましくは0.25mmol/g以上、10mmol/g以下である。
樹脂の架橋密度を上げると分子間の絡まりが固定化され、押し込み深さは小さく、ショアD硬度は大きくなる方向だが、押し込み深さに対する影響が、ショアD硬度に対する影響よりも大きい傾向にある。
また、後述する白色顔料添加前の樹脂の粘度としては、取り扱いのし易さから、通常100,000mPa・s以下、好ましくは20,000mPa・s以下、さらに好ましくは10,000mPa・s以下である。下限は特には制限されないが、揮発度(沸点)との関係上、一般的には15mPa・s以上である。
さらに、このポリオルガノシロキサンのポリスチレンを標準物質として測定したゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる重量平均分子量は500以上、100,000以下であることが好ましい。より好ましくは700以上50,000以下である。さらに、揮発成分を少なくする(他部材との接着性を維持するため)目的から1,000以上、また、成形前の材料の取扱いのし易さから25,000以下であることがより好ましい。更に好ましくは20,000以下、特に好ましくは10,000以下である。
原料となるポリオルガノシロキサンの分子量が大きいほど、分子鎖の絡み合いが多くなり、物理的な架橋とみなすことができ、押し込み深さは小さく、ショアD硬度は大きくなる方向だが、押し込み深さに対する影響が、ショアD硬度に対する影響よりも大きい傾向にある。
<2−1−2.縮合型ポリオルガノシロキサン>
縮合型ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合で得られるSi−O−Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。具体的には、下記一般式(3)および/又は(4)で表わされる化合物、或いはそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物が挙げられる。これらの縮合型ポリオルガノシロキサンは2種以上を併用しても構わない。
SiXn1 4-n ・・・(3)
式(3)中、Xは、加水分解性基を表わし、Y1は、1価の有機基を表わし、nは、X基の数を表わす1以上の整数を表わす。但し、4≧nである。
(SiXt1 4-t-1u2 ・・・(4)
式(4)中、Xは、加水分解性基を表わし、Y1は、1価の有機基を表わし、Y2は、u価の有機基を表わし、tは、1以上、3以下の整数を表わし、uは、2以上の整数を表わす。
縮合型ポリオルガノシロキサンは公知のものを使用することができ、例えば、特開2006−77234号公報、特開2006−291018号公報、特開2006−316264号公報、特開2006−336010号公報、特開2006−348284号公報、および国際公開2006/090804号パンフレットに記載の半導体発光デバイス用部材が好適である。
縮合型ポリオルガノシロキサンの中で、特に好ましい材料について、以下に説明する。
ポリオルガノシロキサンは、一般に半導体発光装置に用いた場合、半導体発光素子や半導体素子を配置する基板、樹脂成形体等との接着性が弱いことがあるが、これらと密着性が高いポリオルガノシロキサンとするため、特に、以下の[1]および[2]のうち1つ以上の特徴を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。
[1]ケイ素含有率が20重量%以上である。
[2]測定した固体Si−核磁気共鳴(NMR)スペクトルにおいて、下記(a)および/または(b)のSiに由来するピークを少なくとも1つ有する。
(a)ピークトップの位置がジメチルシリコーンゴムのジメチルシロキシケイ素を基準としてケミカルシフト−40ppm以上、0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク。
(b)ピークトップの位置がジメチルシリコーンゴムのジメチルシロキシケイ素を基準としてケミカルシフト−80ppm以上、−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピーク。
本発明においては、上記の特徴[1]および[2]のうち、特徴[1]を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。さらに好ましくは、上記の特徴[1]および[2]を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。
なお、縮合型ポリオルガノシロキサンにおいては、縮合反応の進行に伴い脱離成分が発生するが、成形加工方法により、該成分の成形加工性への影響が大きくない場合に用いることができる。その場合には、特に縮合型ポリオルガノシロキサン中のシラノール含有率が0.01重量%以上、10重量%以下であることが好ましい。シラノール含有率が上記範囲未満では架橋点が少なくなって硬化物が柔らかくなりすぎる懸念があり、一方シラノール含有率が上記範囲を超えて多くなると架橋点が多くなるため硬化物が脆くなり、また縮合時の脱離成分も多くなって成形収縮など成形加工性にも影響することがある。
本発明の樹脂組成物中における(A)ポリオルガノシロキサンの含有量は、熱硬化等により成形が可能な限り特段限定されないが、通常、樹脂組成物中に10重量%以上、好ましくは20重量%以上、更に好ましくは25重量%以上、特に好ましくは含有される。一方上限は、通常60重量%以下であり、50重量%以下であることが好ましく、40重量%以下であることがより好ましい。(A)ポリオルガノシロキサンの含有量が上記範囲より少ないと組成物の粘度が高くなって成形が困難になることがある。また含有量が上記範囲を超えて多い場合は、組成物の粘度が低くなりすぎて成形性が悪化するとともに、硬化物の押し込み深さ及びショアD硬度を本発明の範囲にコントロールすることが難しくなる場合がある。
<2−2.(B)白色顔料>
本発明において(B)白色顔料は、樹脂の硬化を阻害しない公知の顔料を適宜選択する事ができる。白色顔料としては無機および/または有機の材料を用いる事ができる。ここで白色とは、無色であり透明ではない事をいう。すなわち可視光領域に特異な吸収波長を持たない物質により入射光を乱反射させる事により発する色をいう。
白色顔料として用いることができる無機粒子としては、アルミナ(以下「酸化アルミニウム」と称する場合がある)、酸化ケイ素、酸化チタン(チタニア)、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム(ジルコニア)等の金属酸化物;炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム等の金属塩;窒化ホウ素、アルミナホワイト、コロイダルシリカ、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ホウ酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、合成雲母などが挙げられる。
また、白色顔料として用いることができる有機微粒子としては、弗素樹脂粒子、グアナミン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子等の樹脂粒子などを挙げることができるが、いずれもこれらに限定されるものではない。中でも白色度が高く少量でも光反射効果高く変質しにくい点からは、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛などが特に好ましい。また、材料硬化時の熱伝導率向上の点からは、アルミナ、窒化硼素などが特に好ましい。また、樹脂成形体の熱伝導率が良好となる観点からも、アルミナが特に好ましい。
これらは、単独もしくは2種以上混合して用いる事ができる。
酸化チタンを用いる場合は、光触媒性、分散性、白色性等の問題が出ない程度に含有することができ、耐候性を高めるなどの目的で無機系の表面処理を施した酸化チタンが好ましく、アルミナ等、他の白色顔料との併用も好ましい。
酸化チタンとしては具体的には富士チタン工業社製のTA−100、TA−200、TA−300、TA−500等のTAシリーズや、TR−840等のTRシリーズ、石原産業社製のTTOシリーズ、MCシリーズ、CR−ELシリーズ、PTシリーズ、STシリーズ、FTLシリーズ、タイペークWHITE等が挙げられ、アルミナとしては具体的には日本軽金属社製A30シリーズ、ANシリーズ、A40シリーズ、MMシリーズ、LSシリーズ、AHPシリーズ、アドマテックス社製「Admafine Alumina AD−5タイプ、AO−8タイプ、日本バイコウスキー社製CRシリーズ、大明化学工業社製タイミクロン、Aldrich社製10μm径アルミナ粉末、昭和電工社製A−42シリーズ、A−43シリーズ、A−50シリーズ、ASシリーズ、AL−43シリーズ、AL−47シリーズ、AL−160SGシリーズ、A−170シリーズ、AL−170シリーズ、住友化学社製AMシリーズ、ALシリーズ、AMSシリーズ、AESシリーズ、AKPシリーズ、AAシリーズ等が挙げられ、ジルコニアとしては具体的には第一希元素化学工業社製UEP−100等が挙げられ、酸化亜鉛としては具体的にはハクスイテック社製酸化亜鉛2種等が挙げられる。
(A)ポリオルガノシロキサンの屈折率と(B)白色顔料の屈折率差が大きいほど、少量の白色顔料添加でも白色度がより高く、反射・散乱効率の良い半導体発光装置用樹脂成形体を得ることができる。(A)ポリオルガノシロキサンの屈折率は通常1.4から1.55程度なので、屈折率が1.76のアルミナ粒子を(B)白色顔料として好適に用いることができる。
本発明に用いる組成物においては、白色顔料がアルミナであることが好ましい。アルミナのの結晶形態は問わないが、化学的に安定で融点が高く、かつ機械的強度や硬度、電気絶縁抵抗が高いという特性を持つα−アルミナが好適に使用できる。
アルミナ中にアルミニウム、酸素以外の元素を不純物として含むと可視光領域に吸収を持つために着色するために好ましくない。
また本発明において、樹脂成形体の熱伝導率は前述のとおり高い方が好ましいが、熱伝導率を高くするためには、アルミナとして純度が98%以上のものを用いることが好ましく、純度99%以上のアルミナを用いることがより好ましく、特に低ソーダアルミナを用いることが好ましい。更に、熱伝導率が高い窒化ホウ素、窒化アルミニウム、繊維状アルミナ等の白色顔料を単独でまたはアルミナと併用して用いることも好ましく、特に純度が99%以上の窒化ホウ素を用いることが好ましい。
上記(B)白色顔料のアスペクト比は1.2〜4.0であることが好ましく、1.2〜3.0であることがより好ましい。
アスペクト比が上記範囲である場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。
アスペクト比は、粒子等の形状を定量的に表現する簡便な方法として一般に用いられており、本発明ではSEMなどの電子顕微鏡観察により計測した粒子の長軸長さ(最大長径)を短軸長さ(長径に垂直方向で最も長い部分の長さ)で除して求めるものとする。軸長さにばらつきがある場合は、複数の粒子(例えば10個)をSEMで計測し、その平均値から算出することができる。あるいは、30個、100個を計測しても同様の算出結果を得ることができる。
アスペクト比は、粒子の形状が繊維状や棒状か、あるいは球状かの指標となり、粒子が繊維状の場合はアスペクト比が大きくなり、粒子が真球状の場合は1.0となる。
本発明では、アスペクト比が上記範囲であることにより、(B)白色顔料の形状としては、球状、真球状に形成されたものは好ましくない。また、極端に細長い形状のものも、かえって反射率を低下させてしまうため、本発明に用いる(B)白色顔料としてはやはり好ましくない。
本発明では、アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子が(B)白色顔料全体の60体積%以上、より好ましくは70体積%以上、特に好ましくは80体積%以上を占めることが好ましく、必ずしも全ての(B)白色顔料中の粒子が上記アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。
アスペクト比を上記範囲とするためには、白色顔料の表面処理をしたり、研磨したりする等の一般的な方法を採ればよい。また、白色顔料を破砕(粉砕)して微細化することや、白色顔料を焼成により生成することによっても、達成できる。
本発明における(B)白色顔料は、形状が破砕形状であるものが好ましい。ここで破砕形状とは、主に白色顔料を破砕(粉砕)によって微細化した不定形の形状をいい、破砕後の処理により結晶の角が少ない丸みを帯びた形状となったもの、焼成などによって生成した球状でない形状も含まれる。破砕形状の白色顔料を使用した材料では、球状の白色顔料を使用した材料に比べ、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光(特に、波長360nm〜460nmの光)の反射が大きい。また、球状の顔料に比べて、経済面でも有利な場合がある。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。
また、本発明における(B)白色顔料の一次粒子径は、0.1μm以上2μm以下であることが好ましい。下限は好ましくは0.15μm以上、更に好ましくは0.2μm以上であり、上限は好ましくは1μm以下、更に好ましくは0.8μm以下、特に好ましくは0.5μm以下である。
一次粒子径が小さすぎると白色顔料による散乱光強度が小さいため樹脂成形体の反射率が低くなる傾向があり、一次粒子径が大きすぎると白色顔料による散乱強度は大きくなるが、前方散乱傾向になるため成形体としての反射率は小さくなる傾向にある。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、一次粒子径が2μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。
本発明における一次粒子とは、粒子間の界面が明瞭に観察することができる最小単位の粒子のことであり、複数の一次粒子が凝集したバルク状粒子は除かれる。また、一次粒子径は走査型電子顕微鏡(SEM)などの電子顕微鏡観察により計測した粒子径をいい、観察する方向によって面積が異なる場合には、面積が最大となる方向から観察した際の長軸の長さを一次粒子径とする。
一方、一次粒子が凝集してできる凝集粒子を二次粒子といい、二次粒子径は粉体を適当な分散媒(例えばアルミナの場合は水)に分散させて、例えばレーザー回折式粒度分析計等で測定した粒径を言う。一次粒子の粒子径にばらつきがある場合は、数個(例えば10個)の粒子をSEM観察し、その平均値を粒子径とすることができる。また、測定の際、個々の粒子径が球状でない場合は最も長い値、すなわち長軸の長さを粒子径とする。
一方、上記白色顔料は、二次粒子の中心粒径が、0.2μm〜10μmであるものが好ましく、0.2μm〜5μmであるものがより好ましい。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、二次粒子径が10μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。なお、中心粒径とは積算%の体積基準粒度分布曲線が50%の横軸と交差するポイントの粒子径を言い、一般的に50%粒子径(D50)、メディアン径と呼ばれるものを指す。
また、本発明における(B)白色顔料の一次粒子径xと二次粒子径yの比y/xは、通常1以上、好ましくは1より大きく、特に好ましくは1.2以上であり、また、通常10以下、好ましくは5以下である。
一次粒子径xと二次粒子径yの比y/xが上記範囲である場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。
本発明において半導体発光装置用樹脂成形体材料中の(B)白色顔料の含有量は、使用する顔料の粒径や種類、ポリオルガノシロキサンと顔料の屈折率差により適宜選択され、通常(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し通常20重量部以上、好ましくは50重量部以上、更に好ましくは100重量部以上であり、通常900重量部以下、好ましくは600重量部以下、更に好ましくは400重量部以下である。
白色顔料の含有量が上記範囲内であると反射率、成形性等が良好である。上記下限未満では光線が透過してしまい半導体発光装置の反射効率が低下する傾向にあり、上限以上では原料組成物の流動性が悪化して成形性が低下する傾向となる。
また、樹脂成形体用材料の熱伝導率を0.4〜3.0の範囲にするためには、(B)白色顔料としてアルミナを樹脂成形体用材料全体量に対して40〜90重量部添加することが好ましい。あるいは、(B)白色顔料として窒化硼素を樹脂成形体用材料全体量に対して30〜90重量部添加することが好ましい。なお、アルミナと窒化硼素を併用してもよい。
白色顔料、シリカ微粒子、無機物繊維などのフィラー量も押し込み深さとショアD硬度に影響する。フィラー量が多くなると組成物全体が硬くなり、ショアD硬度は大きく、押し込み深さは小さくなる方向で、どちらも同じ程度に影響を受ける。
フィラー自身が弾性を有するような場合は、そのフィラー特性により押し込み深さとショアD硬度も影響を受けるが、その程度はフィラーの物性に依存する。一般的な無機フィラーであれば、ショアD硬度、押し込み深さともに同じ程度の影響と推定できる。
フィラーの形状によっても押し込み深さとショアD硬度への影響は異なってくる。球状の場合と針状の場合では、フィラー量が同じでも影響が異なり、特に、押し込み深さは針状フィラーやガラス繊維では小さくなる傾向が大きい。
<2−3.(C)硬化触媒>
本発明における(C)硬化触媒とは、(A)のポリオルガノシロキサンを硬化させる触媒である。ポリオルガノシロキサンは触媒により重合反応が加速されて硬化する。この触媒はポリオルガノシロキサンの硬化機構により付加重合用触媒、縮合重合用触媒がある。
付加重合用触媒としては、(A1)成分中のアルケニル基と(A2)成分中のヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を促進するための触媒であり、この付加縮合触媒の例としては、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類との錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。なお、この付加縮合触媒の配合量は触媒量とすることができるが、通常、白金族金属として(A1)および(A2)成分の合計重量に対して通常1重量ppm以上、好ましくは2重量ppm以上であり、通常500重量ppm以下、好ましくは100重量ppm以下である。これにより触媒活性を高いものとすることができる。
縮合重合用触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、有機酸などの酸、アンモニア、アミン類などのアルカリ、金属キレート化合物などを用いることができ、好適なものとしてTi、Ta、Zr、Al、Hf、Zn、Sn、Ptのいずれか1種以上を含む金属キレート化合物を用いることができる。なかでも、金属キレート化合物は、Ti、Al、Zn、Zrのいずれか1種以上を含むものが好ましく、Zrを含むものがさらに好ましく用いられる。
これらの触媒は半導体発光装置用樹脂組成物として配合した際の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。
縮合重合用触媒の配合量は、上記式(3)および/または(4)で表される成分の合計重量に対して通常0.01重量%以上、好ましくは0.05重量%以上である。上限は、通常10重量%以下であり、6重量%以下であることが好ましい。
添加量が上記範囲であると半導体発光装置用樹脂組成物の硬化性、保存安定性、樹脂成形体の品質が良好である。添加量が上限値を超えると樹脂成形体材料の保存安定性に問題が生じ、下限値未満では硬化時間が長くなり樹脂成形体の生産性の低下、未硬化成分による樹脂成形体の品質低下が起こる可能性がある。
<2−4.(D)添加剤>
本発明に用いる樹脂組成物中には、上記(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、(C)硬化触媒以外に、本発明の要旨を損なわない限り、必要に応じて(D)添加剤として、上記以外の成分の1種、または2種以上を任意の比率および組み合わせで含有させることができる。
例えば、前記樹脂組成物中には、さらに硬化速度制御剤を含有することが好ましい。ここで硬化速度制御剤とは、樹脂組成物を成形する際に、その成形効率を向上させるために硬化速度を制御するためのものであり、硬化遅延剤または硬化促進剤が挙げられる。
また、硬化速度制御剤は反応率にも影響を与える場合があることから、これらの制御剤により、樹脂成形体の押し込み深さやショアD硬度を制御することができる。
例えば、硬化促進剤により成形体内部よりも表面の反応率が上がると、押し込み深さは小さくなるが、成形品全体としての物性はあまり変わらないことになり、ショアD硬度への影響は小さい。硬化遅延剤により、全体の反応率が低下する場合にはショアD硬度も小さくなる。
硬化遅延剤としては、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物、有機過酸化物等が挙げられ、これらを併用してもかまわない。
脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチン、3−ヒドロキシ−3−フェニル−1−ブチン、3−(トリメチルシリルオキシ)−3−メチル−1−ブチン、1−エチニル−1−シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン−イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が例示される。脂肪族不飽和結合を含有する化合物の中でも、三重結合を有する化合物が好ましい。
有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフィン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフォン類、トリオルガノフォスファイト類等が例示される。イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイド等が例示される。窒素含有化合物としては、アンモニア、1〜3級アルキルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジン等が例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第一スズ2水和物、カルボン酸第一スズ等が例示される。有機過酸化物としては、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香酸t−ブチル等が例示される。
これらの硬化遅延剤のうち、遅延活性が良好で原料も入手しやすいという観点から、ベンゾチアゾール、チアゾール、ジメチルマレート、3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチン、3−(トリメチルシリルオキシ)−3−メチル−1−ブチン、1−エチニル−1−シクロヘキサノールが好ましい。
硬化遅延剤の添加量は種々設定できるが、使用する(C)硬化触媒1モルに対する好ましい添加量の下限は10-1モル、より好ましくは1モルであり、好ましい添加量の上限は103モル、より好ましくは50モルである。また、これらの硬化遅延剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
硬化促進剤としては、熱硬化性樹脂の硬化を促進させるものであれば特に制限はなく、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7−テトラフェニルボレート等が挙げられ、中でも高い反応促進性を示す点でイミダゾール類を用いるのが好ましい。
上記イミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、商品名としては、2E4MZ、2PZ−CN、2PZ−CNS(四国化成工業株式会社)等がある。硬化促進剤の添加量は、(A)ポリオルガノシロキサンと(C)硬化触媒の合計100重量部に対して、0.1〜10重量部の範囲で添加することが好ましい。
硬化速度制御剤の種類や配合量を上記のように設定することにより、樹脂組成物の成形が容易となる。例えば、金型への充填率が高くなったり、射出成形において金型からの漏れがなく、バリが生成しにくくなったりするメリットが得られる。
その他、半導体装置用樹脂成形体用材料の流動性コントロールや白色顔料の沈降抑制の目的でシリカ微粒子を含有させることができる。上記シリカ微粒子の含有量は、通常、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し60重量部以下、好ましくは40重量部以下である。
本発明に使用するシリカ微粒子は、特に限定されるものではないが、BET法による比表面積が、通常50m2/g以上のものが用いられ、好ましくは80m2/g以上、さらに好ましくは100m2/g以上である。また、比表面積は、通常300m2/g以下、好ましくは200m2/g以下である。
比表面積が小さすぎるとシリカ微粒子の添加効果が十分発揮できず、大きすぎると樹脂中への分散処理が困難になる。シリカ微粒子は、例えば親水性のシリカ微粒子の表面に存在するシラノール基と表面改質剤を反応させることにより表面を疎水化したものを使用してもよい。
表面改質剤としては、アルキルシラン類の化合物が挙げられ、具体例としてジメチルジクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン、オクチルシラン、ジメチルシリコーンオイルなどが挙げられる。表面改質剤によって樹脂組成物表面の性質が調整されるため、成形品全体としての物性よりも、押し込み深さの制御に有効である。
シリカ微粒子としては、例えばフュームドシリカを挙げることができる。フュームドシリカは、H2とO2との混合ガスを燃焼させた1100〜1400℃の炎でSiCl4ガスを酸化、加水分解させることにより作製される。フュームドシリカの一次粒子は、平均粒径が5〜50nm程度の非晶質の二酸化ケイ素(SiO2)を主成分とする球状の超微粒子であり、この一次粒子がそれぞれ凝集し、粒径が数百nmである二次粒子を形成する。
フュームドシリカは、超微粒子であるとともに、急冷によって作製されるため、表面の構造が化学的に活性な状態となっている。
具体的には、例えば日本アエロジル株式会社製「アエロジル」(登録商標)が挙げられ、親水性アエロジル(登録商標)の例としては、「90」、「130」、「150」、「200」、「300」、疎水性アエロジル(登録商標)の例としては、「R8200」、「R972」、「R972V」、「R972CF」、「R974」、「R202」、「R805」、「R812」、「R812S」、「RY200」、「RY200S」「RX200」が挙げられる。
また、樹脂組成物の粘度を調整するため、流動性調整剤(増粘剤)を含有させることができる。流動性調整剤としては、25℃における粘度が、通常、0.001Pa・s〜3Pa・s、好ましくは0.001Pa・s〜1Pa・s、より好ましくは0.001Pa・s〜0.7Pa・sであり、ヒドロキシル価が、通常、1.0×10-2〜7.7×10-5mol/g、好ましくは1.0×10-2〜9.5×10-5mol/g、より好ましくは1.0×10-2〜10.3×10-5mol/gであり、一分子中に少なくとも1個のケイ素原子に結合したヒドロキシル基(すなわちシラノール基)を含有する、直鎖状ポリオルガノシロキサンを配合することができる。
この流動性調整剤としてのヒドロキシル基含有直鎖状ポリオルガノシロキサンは、分子中にアルケニル基および/またはSiH基等のヒドロシリル化付加反応に関与する官能基を含有しないものであり、分子中のヒドロキシル基は分子鎖末端のケイ素原子に結合したものであっても、分子鎖非末端(分子鎖途中)のケイ素原子に結合したものであっても、これらの両方に結合したものであってもよいが、好ましくは分子鎖両末端のケイ素原子に結合したヒドロキシル基を含有する直鎖状ポリオルガノシロキサン(すなわち、ポリ(α、ω−ジヒドロキシジオルガノ)シロキサン)であることが望ましい。
このケイ素原子に結合した有機基としてはメチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基やフェニル基等のアリル基などの一価炭化水素基が挙げられ、該ポリオルガノシロキサンの主鎖を構成するジオルガノシロキサン繰返し単位としてはジメチルシロキサン単位、ジフェニルシロキサン単位、メチルフェニルシロキサン単位等の一種または二種以上の組み合わせであることが好ましい。具体的には、ポリ(α、ω‐ジヒドロキシジメチルシロキサン)、ポリ(α、ω‐ジヒドロキシジフェニルシロキサン)、ポリ(α、ω‐ジヒドロキシメチルフェニルシロキサン)、α、ω‐ジヒドロキシ(ジメチルシロキサン・ジフェニルシロキサン)共重合体、α、ω‐ジヒドロキシ(ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン)共重合体等が挙げられる。
流動性調整剤の配合量は(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対して、通常、0〜10重量部、好ましくは0.1〜5重量部、より好ましくは0.5〜3重量部程度である。
また、材料の熱硬化後の強度、靭性を高める目的で、ガラス繊維などの無機物繊維を含有させてもよい。その他、硬化物の線膨張係数を下げる目的で、石英ビーズ、ガラスビーズ等を含有させることができる。
これらを添加する場合の含有量は、少なすぎると目的の効果が得られず、多すぎると樹脂組成物の粘度が高くなって加工性に影響するので、十分な効果が発現し、材料の加工性を損なわない範囲で適宜選択すればよい。通常、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し500重量部以下、好ましくは200重量部以下である。
また、樹脂組成物およびこれから得られる成形体とリードフレームなどの金属配線、またはその他金属材料との接着性を改善することを目的として接着性改良剤を含有させることができる。接着性改良剤の含有量は、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し、少なくとも0.5重量部以上、通常16重量部以上、好ましくは20重量部以上、より好ましくは25重量部以上、特に好ましくは50重量部以上であり、また、上限は124重量部以下、通常65重量部以下、好ましくは55重量部以下である。
本発明において使用できる接着性改良剤は、特に限定されるものではないが、金属との接着性を向上させる官能基として、例えば、シラノール基、アルコキシ基、アミノ基、イミノ基、メタクリル基、アクリル基、チオール基、エポキシ基、エーテル基、カルボニル基、カルボキシル基、スルホン酸基等が含有されている化合物を用いる事が出来る。中でも耐熱性の観点からシラノール基、アルコキシ基が好適である。なお、前記官能基は1種のみ含有されていてもよく、2種以上含有されていてもよい。
このような接着性改良剤としては、例えばシランカップリング剤や金属と良好な接着性を発現する官能基(金属接着性基)を含有する重合物などを挙げることができる。
好ましいシランカップリング剤としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキシシラン類;3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等のメタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシラン類が例示できる。
また、上記樹脂組成物中には、その他、イオンマイグレーション(エレクトロケミカルマイグレーション)防止剤、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤などを本発明の目的および効果を損なわない範囲において含有させることができる。
カップリング剤としては例えば上述のシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤は、(A)ポリオルガノシロキサンなどの樹脂と(B)白色顔料との結合を強化することができる。シランカップリング剤としては、分子中に有機基と反応性のある官能基と加水分解性のケイ素基を各々少なくとも1個有する化合物であれば特に限定されない。有機基と反応性のある基としては、取扱い性の点からエポキシ基、メタクリル基、アクリル基、イソシアネート基、イソシアヌレート基、ビニル基、カルバメート基から選ばれる少なくとも1個の官能基が好ましく、硬化性および接着性の点から、エポキシ基、メタクリル基、アクリル基が特に好ましい。加水分解性のケイ素基としては取扱い性の点からアルコキシシリル基が好ましく、反応性の点からメトキシシリル基、エトキシシリル基が特に好ましい。
樹脂組成物中にシランカップリング剤を含有する場合の配合量は、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し、通常0.1重量部以上、好ましくは0.5重量部以上である。一方上限値は、通常10重量部以下、好ましくは7重量部以下である。含有量を上記範囲とすることで、シランカップリング剤が有する結合強化作用を十分に発揮することができる。
シランカップリング剤でフィラーと樹脂との親和性を制御することによっても、押し込み深さ、およびショアD硬度をコントロールすることができる。フィラーと樹脂との親和性を上げることで、ショアD硬度も上がる方向だが、押し込み深さを小さくする効果が比較的高い傾向にある。
<2−5.樹脂組成物の粘度>
本発明に用いる樹脂組成物の、25℃における剪断速度100s-1での粘度は、10Pa・s以上10,000Pa・s以下であることが好ましい。上記粘度は、半導体装置用樹脂成形体を成形する際の成形効率の観点から、50Pa・s以上であることが好ましく、100Pa・sであることがより好ましい。一方上限は、5,000Pa・s以下であることがより好ましく、2,000Pa・s以下であることがより好ましい。樹脂組成物の粘度が上記範囲にある場合、樹脂成形体の成形を容易とすることができる。
25℃における剪断速度100s-1での粘度は、例えばARES−G2−歪制御型レオメータ(ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製)を用いて測定することができる。
前述の通り、上記粘度は、樹脂組成物に流動性調整剤(増粘剤)を添加したり、(B)白色顔料の量、粒径や粒度分布を調整したりすることで、上記範囲に制御することができる。
<2−6.樹脂成形体の熱伝導率>
本発明のパッケージを構成する樹脂成形体は、150℃で3分間熱硬化させた時の熱伝導率が0.4以上であることが好ましく、0.6以上であることがより好ましい。一方上限は3.0以下であることが好ましく、2.0以下であることがより好ましい。硬化時の熱伝導率は、例えばアイフェイズ・モバイル(アイフェイズ社製)を用いて測定することができる。
一般に半導体発光装置においては、半導体発光素子から発せられる光により発熱が生じ、特に該素子の出力が大きい場合は発熱量がより大きくなる。この場合、発熱により樹脂成形体に隣接する蛍光体層の劣化が生じ、該装置の耐久性を低下させてしまう。
本発明のパッケージにおいては、前述のように熱伝導率を高くすることが可能であり、これによって半導体発光素子の発する熱を効果的に放熱することができるので、半導体発光装置の耐久性を向上することができる。
<2−7.樹脂成形体の反射率>
本発明のパッケージを構成する樹脂成形体は、可視光について高反射率を維持できることが好ましい。具体的には、波長460nmの光の反射率が80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。
加えて、可視光のうち短波長のものについても高反射率を維持できることが好ましい。具体的には、波長400nmの光の反射率が60%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。
樹脂成形体の反射率は、樹脂組成物を150℃で3分間熱硬化させて、厚さ0.4mmに成形した硬化物について測定した場合の反射率をいう。樹脂成形体の反射率は、樹脂の種類や白色顔料の種類、白色顔料の粒径や形状、含有量などにより制御することができる。
<3.金属配線>
本発明の半導体発光装置用パッケージは金属配線を備える。本発明において金属配線は、樹脂成形体とともにパッケージを構成し、外部電源から半導体発光素子へ電源を供給する役割を有する。そのため、金属配線は少なくとも電源を供給できればよく、その全体が導電性の金属である必要はない。例えば、絶縁材料の表面に金属メッキが施されている場合も金属配線に含まれる。本発明における金属配線は、具体的には金属リードフレームや、配線基板における配線として半導体発光装置に組み込まれる。また、金属配線は、少なくとも樹脂成形体と接触する部分は金属であることが好ましい。
本発明において上記金属配線は、樹脂成形体と接触する部分の表面粗さ(Ra)が、0.05以上0.5以下であることが好ましい。表面粗さ(Ra)を上記範囲とすることで、樹脂成形体と金属配線の接着性が向上し、半導体発光装置として長期間使用しても、金属配線が樹脂成形体から剥離しなくなる。
上記金属配線の表面粗さ(Ra)の好ましい範囲は、0.05以上、0.4以下であることが好ましい。金属配線の表面粗さ(Ra)が0.05未満では樹脂成形体との密着性やワイヤボンディング性が低下する傾向にある。
なお、上記金属配線の表面粗さ(Ra)は、例えば金属配線の金属表面を表面処理することで調整することができる。電気めっきで表面処理を施す時には、めっき浴の種類、皮膜中の不純物、めっきの厚さによって表面粗さ(Ra)を制御することができる。
金属配線の表面粗さ(Ra)は、JIS B0601:2001に規定されている方法を用いて測定することができる。
本発明の半導体発光装置の金属配線に用いる金属としては、Ag、Al、Au、白金族元素、Ni等の、銀白色を呈する金属が例示される。特に金属として銀又は銀合金を用いた場合には、発光装置とした場合に、本導体発光素子を固定するボンディングワイヤーと金属配線との接着性が向上するため好ましい。また、単層の金属膜で構成してもよいが、好ましくは積層構造とし、その表層を上記例示した光反射性の良好な金属で形成し、下層を他の金属例えば銅、鉄、鋼、Al、Ti、Ni、Co、Cr、Pt、W、Ti−Wなどとすることが好ましい。
電気めっきは、添着すべき金属を含む溶液中で、めっきの対象物を陰極として電気を流し、対象物表面に上記金属を還元析出させる方法で、Cu合金およびFe合金などを陰極として、銀、金、錫、ニッケル、はんだ、パラジウムなどをめっきすることができる。
金属配線がリードフレームの場合には、Cu系素材(Cu−Fe−Pなど)、Fe系素材(Fe−42%Niなど)その他の機械的強度、電気伝導度、熱伝導度、耐食性などの優れた母材を使用でき、電気めっきにより、インナーリード部にはAu、Ag、Ptなどの貴金属めっき、その下地めっきにNi、Co、Cu、アウターリード部にはAg、Au、Pt、半田、Sn−Pbなどをめっきすることができる。溶液中での還元反応を利用して対象物の表面に化学的にめっき金属を析出させる無電解めっきによって、表面処理してもよい。
また、めっきはリードフレーム加工前、リードフレーム加工後(プレス加工後)、パッケージング後(樹脂モールド後)のいずれに実施してもよく、めっきの種類や用途、形状、生産性、パッケージとしてのトータルコストと性能面から適宜選択できるが、リードフレーム加工後が望ましい。
<4.半導体発光装置用パッケージの成形方法>
本発明の半導体発光装置用パッケージの成形方法としては、圧縮成形法やトランスファー成形法や射出成形法が好ましく用いられる。これらの中でも、原料組成物のロスが少なく二次加工が不要である(すなわちバリが発生しにくい)点、及び樹脂成形体の成形工程の自動化、成形サイクルの短縮化、成形品のコスト削減が可能になる等の利点が多い射出成形法、特に液状射出成形法(LIM成形)が特に好ましく用いられる。
射出成形に用いる射出成形機のシリンダー設定温度は材料に応じて適宜選択でき、通常100℃以下、好ましくは80℃以下、さらに好ましくは60℃以下である。金型温度は80℃以上、300℃以下。好ましくは100℃以上、250℃以下、さらに好ましくは、130℃以上、200℃以下である。
射出時間は材料によって変わるが、通常数秒あるいは1秒以下である。硬化(成形)時間は材料のゲル化速度や硬化速度に応じて適宜選択され、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。
圧縮成形法に用いる圧縮成形機の成形温度も材料に応じて適宜選択でき、通常80℃以上、300℃以下、好ましくは100℃以上、250℃以下、さらに好ましくは130℃以上、200℃以下である。硬化(成形)時間は材料の硬化速度に応じて選択され、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。
トランスファー成形に用いるトランスファー成形機の成形温度も材料に応じて適宜選択され、通常80℃以上、300℃以下、好ましくは100℃以上、250℃以下、さらに好ましくは130℃以上、200℃以下である。硬化(成形)時間も材料のゲル化速度や硬化速度に応じて選択されるが、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。
いずれの成形法でも必要に応じて後硬化を行う事ができ、後硬化温度は100℃以上、300℃以下、好ましくは150℃以上、250℃以下、さらに好ましくは170℃以上、200℃以下である。後硬化時間は通常3分以上、24時間以下、好ましくは5分以上、10時間以下、さらに好ましくは10分以上、5時間以下である。
本発明の半導体発光装置用パッケージが備える金属配線は、予め配線を有する基板を作成し、その基板上に金型を用いて樹脂成形体を射出成形する方法や、金属配線としてリードフレームを金型内に配置して樹脂成形体を射出成形する方法(インサート成形)などにより製造することができる。
<5.半導体発光装置用パッケージの反射率、厚み>
本発明の半導体発光装置用パッケージは、可視光のみならず、紫色よりも短い波長の近紫外光、紫外光についても高反射率を維持することができることが特徴である。具体的には、460nmの光の反射率が90%以上であることが好ましく、92%以上であることがより好ましい。また、波長360nmおよび400nmの光の反射率が60%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。
ここで、樹脂成形体の反射率は、本発明の樹脂成形体用材料を熱硬化させて、厚さ0.4mmに成形した成形体を測定した場合の反射率をいう。熱硬化は、例えば、10kg/cm2の圧力下、150℃で3分間、硬化させることにより行うことができる。
成形体の厚みが十分大きければ反射率は厚みにそれほど依存しないが、通常、同じ材料では厚みが大きいと反射率が高く厚みが小さくなるほど反射率も低下する。実用上、小型のパッケージでは樹脂成形体の厚みを十分に大きくできないため、薄くても高い反射率を維持する樹脂成形体が好ましい。外形が1cm角よりも小さい市販のパッケージ底面の絶縁材料の厚みは0.3mm〜0.6mm程度のものが多いことから、本発明では厚さ0.4mmの樹脂成形体を測定した値を反射率とした。
樹脂成形体の反射率は、樹脂の種類(例えば、樹脂の屈折率を変えることにより反射率を制御することができる。)やフィラーの種類、フィラーの粒径や含有量などにより制御することができる。半導体発光素子の発光色が紫外〜近紫外である場合には反射材フィラーはアルミナを主成分とすることが好ましく、青色である場合にはアルミナ及び/又はチタニアを主成分とすることが好ましい。
本発明の半導体発光装置用パッケージは、通常、チップ装着面と前記チップ装着面と反対側に底面を有する。この場合、前記チップ装着面と底面の間の距離、すなわち半導体発光装置用パッケージの厚みは、通常100μm以上、好ましくは200μm以上である。また、通常3,000μm以下であり、好ましくは2,000μm以下、更に好ましくは1,000μm以下である。厚みを上記範囲とすることで、パッケージの反射率、強度ともに良好となる。
以下、本発明の実施の態様を、図を用いて詳細に説明する。
本発明の半導体発光装置用パッケージは、半導体発光素子を搭載して半導体発光装置として用いられる。半導体発光装置の概要を、図を用いて説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
図1、図2及び図3には、本発明に係る半導体発光装置の一例が示され、半導体発光素子1、樹脂成形体2およびリードフレーム5からなるパッケージ、ボンディングワイヤー3、蛍光体層4等から構成されている。
図3のように蛍光体層が半導体発光素子と離れている場合には封止材を蛍光体層と半導体発光素子との間に用いる場合もあり、図1及び図2のように蛍光体層が半導体発光素子と密着している場合には、蛍光体層が封止材の役割も兼ねる。
半導体発光素子1は、近紫外領域の波長を有する光を発する近紫外半導体発光素子、紫領域の波長の光を発する紫半導体発光素子、青領域の波長の光を発する青色半導体発光素子などを用いることが可能であり、350nm以上520nm以下の波長を有する光を発する。図1〜図3においては半導体発光素子が1つのみ記載されているが、複数個の半導体発光素子を線状、平面状に配置することも可能である。半導体発光素子1を平面状に配置することで容易に面照明とすることができ、該実施態様は、より光出力を大きくしたい場合に好適である。
パッケージを形成する樹脂成形体2は、リードフレーム5と接触する部分を含んでおり、本発明においては樹脂成形体2の押し込み深さ、およびショアD硬度が特定の範囲にあるため、リードフレーム5との接着性が良好である。また、リードフレーム5における樹脂成形体2との接触部分の表面粗さ(Ra)が特定の値であると、更に接着性が良好となる。
ボンディングワイヤー3は、半導体発光素子1をパッケージに固定するとともに、その導電性によりリード電極から半導体発光素子1への電力供給の役割を担う。ボンディングワイヤー3は、リードフレーム5に圧着し、熱及び超音波の振動を与えることで接着させるが、リードフレーム5の表面が銀または銀合金である場合には、当該接着性が向上し、好ましい態様である。
蛍光体層4は、蛍光体及びバインダー樹脂の混合物であり、半導体発光素子1からの励起光を蛍光に変換する。蛍光体層4に含まれる蛍光体は、半導体発光素子1の励起光の波長に応じて適宜選択される。白色光を発する発光装置であれば、青色励起光を発する半導体発光素子の場合であれば、緑色及び赤色の蛍光体を蛍光体層に含ませることで白色光を生成することができる。紫色励起光を発する半導体発光素子の場合であれば、青色及び黄色の蛍光体を蛍光体層に含ませる場合や、青色、緑色、及び赤色の蛍光体を蛍光体層に含ませる場合などが挙げられる。
図1及び図2における蛍光体層4はバインダー樹脂と蛍光体を混合させてなり、封止材としての役割も有している。
図3のように、蛍光体を封止材に混合せず、半導体発光素子から離れた場所に別途蛍光体層9を形成することも可能である。図3の形態では、封止材層8(透明封止層)の上に蛍光体層9をポッティングやスクリーン印刷などにより直接形成したり、別工程にて透明な基板の上(図示せず)に蛍光体層9をスクリーン印刷やダイコーティングなどの方法で設けたものを透明な封止材層の上に戴置したりすることにより製造することができる。このような態様の場合、半導体発光素子1と蛍光体層9とが間隔をおいて配置されているため、蛍光体層9が半導体発光素子1からの光のエネルギーにより劣化することを防ぐことができ、また発光装置の出力も向上させることができる。
このとき半導体発光素子1と蛍光体層9との間隔は、通常0.10mm以上、好ましくは0.15mm以上、より好ましくは0.18mm以上である。一方、蛍光体層9と半導体発光素子1との距離が短いほど、発光装置を小型化することが可能であり、その観点からは、半導体発光素子の上面からの封止材の厚さは、通常1cm以下、好ましくは5mm以下、より好ましくは1mm以下である。
なお、反射材2と蛍光体層9の間に生じる間隙には、透光性を有する封止材層8を配置することが好ましい。図3に示されるような蛍光体層9においては、蛍光の自己再吸収とRGB各色蛍光体間の再吸収を低減するため、用いる蛍光体を各色ごとに塗り分けた多層構造としたり、ストライプ状、あるいはドット状などのパターンを形成したりしてもよい。
なお、発光素子の光を波長変換せずそのまま利用する場合には蛍光体層9に代えて蛍光体を添加しない透明な封止材を用いる。あるいは、蛍光体層9を設けず、封止材層を蛍光体を含む封止材層4とすることもできる。
以下、本発明について、実施例を用いて更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例により何ら限定されるものではない。
[ポリオルガノシロキサンの合成例1]
フェニル基非含有シリコーンA1(ビニル基:1.2mmol/g含有、シリカ微粒子を添加して粘度を1000mPa・sに調整したもの。白金錯体触媒:8ppm含有。)とフェニル基非含有シリコーンB1(ビニル基:0.3mmol/g含有、ヒドロシリル基:1.8mmol/g含有、シリカ微粒子を添加して粘度を2100mPa・sに調整したもの。)とを1:1で混合し、攪拌により見かけ上均一な、白金濃度4ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)を得た。
[ポリオルガノシロキサンの合成例2]
フェニル基非含有シリコーンA2(ビニル基:0.3mmol/g含有、白金錯体触媒:8ppm含有、粘度:3700mPa・s)と、フェニル基非含有シリコーンB2(ビニル基:0.1mmol/g含有、ヒドロシリル基:4.6mmol/g含有、粘度:600mPa・s)と、硬化遅延剤としてアルキニル基を0.2mmol含むフェニル基非含有シリコーンC(ビニル基:0.2mmol/g含有、ヒドロシリル基:0.1mmol/g含有、アルキニル基:0.2mmol/g含有、粘度:500mPa・s)とを10:1:0.5で混合し、白金濃度7ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(2)を得た。
[ポリオルガノシロキサンの合成例3]
フェニル基含有シリコーンA3(ビニル基:4mmol/g含有、白金:26ppm含有、粘度:10000mPa・s)とフェニル基含有シリコーンB3(ビニル基:2mmol/g含有、ヒドロシリル基:7mmol/g含有、50mPa・s)とを1:1で混合し、攪拌により見かけ上均一な、白金濃度13ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(3)を得た。
[ポリオルガノシロキサンの合成例4]
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製両末端シラノールジメチルシリコーンオイルXC96−723を385g、メチルトリメトキシシランを10.28g、及び、触媒としてジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.791gを、攪拌翼と、分留管、ジムロートコンデンサ及びリービッヒコンデンサとを取り付けた500ml三つ口フラスコ中に計量し、室温にて15分間触媒の粗大粒子が溶解するまで攪拌した。この後、反応液を100℃まで昇温して触媒を完全溶解し、ジムロートコンデンサを用いて100℃全還流下で30分間500rpmで攪拌しつつ初期加水分解を行った。
続いて留出ラインをリービッヒコンデンサ側に切り替えて、窒素をSV20で液中に吹き込み生成メタノール及び水分、副生する低沸点ケイ素化合物を窒素に随伴させて留去しつつ100℃、500rpmにて1時間攪拌した。引き続き窒素を吹き込みながら130℃に昇温し、その温度に保持して5時間重合反応を継続し、粘度120mPa・sの反応液を得た。なお、ここで「SV」とは「Space Velocity」の略であり、単位時間当たりの気体吹き込み体積を指す。例えば、SV20とは1時間に反応液の20倍の体積の窒素を吹き込むことをいう。
窒素の吹き込みを停止し反応液をいったん室温まで冷却した後、ナス型フラスコに反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上120℃、圧力1kPaで50分間、微量に残留しているメタノール及び水分、低沸点ケイ素化合物を留去し、粘度230mPa・sに調整した。得られた反応液100重量部あたり触媒のジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.133重量部を添加、攪拌し、縮合型の液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(4)を得た。
<実施例1〜5、比較例1〜2>
[樹脂成形体用材料の調製、試験片の作製]
上記合成例で得られた液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン、アルミナ(平均粒子径:1.2μm、α結晶径:0.3μm)、丸み状アルミナ(平均粒子径:36μm)、チタニア(一次粒子の平均粒子径0.25μm)、表面処理(トリメチルシリル処理)済みフュームドシリカ、溶融球状シリカ(平均粒子径:40μmまたは4.5μm)を表1に示す重量比で配合し、攪拌により白色顔料とシリカを液状熱硬化性ポリオルガノシロキサンに分散させ、白色の樹脂成形体用材料1〜7を得た。これらの材料を、熱プレス機にて150℃、10kg/cm2、硬化時間180秒の条件で硬化させ、直径13mm、厚さ1mm未満、1mm及び3mmの円形の樹脂成形体1〜7を得た。
<比較例3>
ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリフタルアミド(アモデルA−4122)の、厚さ2mmの板材より小片を切り出し、樹脂成形体8とした。
<比較例4>
数μm〜100μm径の球状シリカと、白色顔料としてチタニアを分散させて、ショアD硬度が90以上となるように、原料中の多分岐シロキサンの含有量を調整することでシリコーン樹脂の架橋密度を制御したシリコーン系パッケージ材料硬化物を、厚さ550μmの小片とし、樹脂成形体9を得た。樹脂成形体9に含まれるフィラーの量を測定したところ、球状シリカが45重量%、酸化チタンが13重量%含まれていた。
[押し込み深さ測定]
島津微小圧縮試験機MCT−W500−Jを用い、上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ1mm)に、先端の直径が500μmφのフラット圧子(材質:ダイヤモンド)にて0Nから500mNの負荷力を与え、50mNの負荷力を受けるまでの試験片の変形量(=押し込んだ深さ)を計測した。
樹脂成形体8及び9についても同様に押し込み深さを測定した。結果を表2に示す。
[試験片の反射率測定]
上記樹脂成形体1〜5の各試験片(厚さ1mm未満)について、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETER CM−2600dを用いて測定径6mmにて波長360nmから740nmにおける光の反射率を測定した。各試験片の厚さは表2に示すとおりである。
樹脂成形体6および7についても同様に反射率を測定した。波長400nm及び波長460nmにおける光の反射率を測定した。結果を表2に示す。
[ショアD硬さ測定]
上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ3mm)を、200℃の恒温器で10分間以上ポストキュアした後、試験片2枚を重ね、ゴム・プラスチック硬度計KORI Durometer KR−25Dを用いて、JIS K6253に従い、試験片の中心付近のショアD硬度を測定した。
樹脂成形体8及び9についても同様にショアD硬度を測定した。樹脂成形体9は試験片が非常に脆く測定中に試験片が割れたが、硬度は90以上と推定された。結果を表2に示す。
[脆さ評価]
上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ1mm)より、5mm角のピース4個を切り出し、ガラス製のサンプル瓶に入れ20回(約4回/秒)振って、ガラス瓶内壁への微粉の付着の有無を目視観察した。樹脂成形体6及び7については、樹脂成形体8及び9の樹脂材料から成る外形5mm角のLEDパッケージ4個を用い、樹脂成形体1〜7と同様に評価した。結果を表2に示す。
樹脂成形体7、9の、硬度の高いシリコーン材料では、試験片が欠けたことによると思われる微粉が観察され、脆い材料であることがわかった。
[接着性評価試験1]
樹脂成形体1、樹脂成形体8、及び樹脂成形体9の各材料由来の3.5mm×2.8mmサイズのLEDパッケージサンプル(樹脂材料および金属配線から成形)について以下の手法にて金属配線と樹脂材料との間の接着性評価を行なった。パッケージのカップの内側を赤色の水性インクで満たし、5分間放置した後、インクを拭き取り、金属リードフレームと樹脂の間を伝ってカップの外側へ染み出したインクの有無を光学顕微鏡で確認した。
樹脂成形体1及び樹脂成形体9のパッケージは、金属配線と白色樹脂材料との間に全く赤色が確認されなかったのに対して、樹脂成形体8のパッケージはカップの外側の金属配線と白色樹脂材料の間に赤インクの染み出しが確認され、リードフレームと白色樹脂との間に剥離が有ったことがわかった。320℃のホットプレートで30秒間加熱したパッケージサンプルについても同様に評価したところ、同じ結果が得られた。
[接着性評価試験2]
樹脂成形体用材料1、2、及び6を、Agプレート(表面粗さ(Ra):0.07)上に、直径13mm、厚さ1mmとなるよう塗布した後、PIフィルム(ポリイミドフィルム)を材料にかぶせ、PIフィルムの上におもり(Agプレート)を乗せ、Agプレート間に1mm厚のスペーサーをはさんだ状態で、150℃のオーブン中で60分間硬化を行った。
PIフィルムをゆっくり剥がし、次いで樹脂成形体とAgプレートとの接着面をスパチュラで剥がしたところ、樹脂成形体材料6を硬化させた樹脂成形体6は、Agプレートから剥がすために力を必要とせず、簡単に剥がすことができた。一方、樹脂成形体材料1及び2を硬化させた樹脂成形体1及び2は、Agプレートから剥がすために、比較的強い力が必要であった。
[耐熱性評価]
上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ1mm)、樹脂成形体8の厚さ2mmの板材、樹脂成形体9の小片を、200℃の恒温器で1週間保管し、保管前後での外観変化を目視観察した。結果を表2に併せて示す。
樹脂成形体7(フェニル基含有シリコーンからなる成形体)および8(アモデル品)の試験片および板材では変色が認められたが、その他のサンプルでは明確な変化は観察されなかった。
比較例1の樹脂成形体6は、硬度が低いために比較的弱い力でAgプレートから剥がれ、接着性に問題があった。フェニル基含有シリコーンからなる比較例2の樹脂成形体7は、硬度は高いが、やや脆くなる傾向があり欠けが出やすく、耐熱性が低下した。市販のポリフタルアミドの樹脂成形体8は硬度が高く、欠けも全く出なかったが、パッケージの評価で金属配線と樹脂の間からのインク漏れが観察され、200℃での変色も大きかった。シリコーン樹脂の架橋密度制御により硬度を上げた比較例4の樹脂成形体9は、脆いために多くの欠けが発生した。
1 半導体発光素子
2 反射材
3 ボンディングワイヤー
4 蛍光体を含む封止材層(蛍光体層)
5 リード電極
6 反射材被覆部の厚さ
7 接続部
8 封止材層
9 窓部(蛍光体層)

Claims (6)

  1. (A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、及び(C)硬化触媒からなるシリコーン樹脂組成物の硬化物である、樹脂成形体および金属配線を備える半導体発光装置用パッケージであって、
    (A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し、(B)白色顔料を20重量部以上、900重量部以下含有し、
    かつ、上記(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、及び(C)硬化触媒が、それぞれ以下の特徴を有し、
    (1)(A)ポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体かつSi−C−C−Si結合を架橋点に有する付加型ポリオルガノシロキサンであって、
    付加重合反応前の原料として(A1)下記一般式(2)で表されるアルケニル基を有するケイ素含有化合物と、(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素含有化合物とを、(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物1モル(アルケニル基のモル数)に対して、(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素含有化合物(ヒドロシリル基のモル数)が0.5モル以上、3.0モル以下の量比で含有し、
    nSiO[(4-n)/2] ・・・ (2)
    但し、式(2)において、Rは同一又は異種の置換もしくは非置換の1価炭化水素基、アルコキシ基、もしくは水酸基で、nは1≦n<2を満たす正の数である
    2)(B)白色顔料が、
    アルミナ、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、窒化ホウ素、アルミナホワイト、コロイダルシリカ、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ホウ酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、及び合成雲母からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、
    (3)(C)硬化触媒が、白金族金属触媒であり
    更に、前記樹脂成形体は、先端の直径が500μmである圧子を、50mNの力で押し込んだときの押し込み深さが4μm以上30μm以下であり、かつ、ショアD硬度が25以上75以下である、半導体発光装置用パッケージ。
  2. 記式(2)のRの65%以上がメチル基であることを特徴とする請求項1に記載の半
    導体発光装置用パッケージ。
  3. 前記樹脂成形体は、厚さ0.4mmにおいて、波長460nmの光反射率が90%以上である、請求項1または2に記載の半導体発光装置用パッケージ。
  4. 前記樹脂成形体は、厚さ0.4mmにおいて、波長400nmの光反射率が60%以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。
  5. 前記金属配線は、前記樹脂成形体と少なくとも一部が接触しており、該前記樹脂成形体と接触する部分の表面粗さ(Ra)が0.05以上0.5以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。
  6. 半導体発光素子、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ、ボンディングワイヤー、および蛍光体層を有する半導体発光装置。
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