JP5953654B2 - 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5953654B2 JP5953654B2 JP2011101657A JP2011101657A JP5953654B2 JP 5953654 B2 JP5953654 B2 JP 5953654B2 JP 2011101657 A JP2011101657 A JP 2011101657A JP 2011101657 A JP2011101657 A JP 2011101657A JP 5953654 B2 JP5953654 B2 JP 5953654B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor light
- group
- emitting device
- molded body
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
- H01L2224/48228—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item the bond pad being disposed in a recess of the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
また、酸化チタンは光触媒性があるために、波長470nm程度以下の半導体発光素子を用いる際に、半導体発光素子やそれに励起される蛍光体の発光により酸化チタン粒子近傍の樹脂成形体が劣化する。そのため、青色領域の光を発する半導体発光素子、及び近紫外領域の光を発する半導体発光素子を用いた場合に、樹脂成形体の耐光性が著しく損なわれる。
さらに、酸化チタンは近紫外領域に吸収波長を持つために色が黄色味を帯びている。これは半導体発光素子からの発光スペクトルを変化させ、白色性、演色性に問題を生じさせる。特に現在積極的に研究されている白色半導体発光装置では白色性、演色性が大きな要求事項となっており、この点に於いても不利である。
樹脂成形体および金属配線を備える半導体発光装置用パッケージであって、
前記樹脂成形体は、先端の直径が500μmである圧子を、50mNの力で押し込んだときの押し込み深さが4μm以上30μm以下であり、かつ、ショアD硬度が25以上75以下である、半導体発光装置用パッケージ。
本発明の樹脂成形体は、先端の直径が500μmである圧子を、50mNの力で押し込んだときの押し込み深さが4μm以上30μm以下であることを特徴とする。樹脂成形体の押し込み深さは、MCT−W500(島津製作所製微小圧縮試験機)を用いて測定し、測定に用いる圧子の材質はダイヤモンドであり、サンプルと接する面は平面である。押し込み深さは、サンプルの柔らかさを表しており、柔らかい場合には押し込み深さの値が大きくなる。また、測定の際の温度は、常温(20℃±15℃(5〜35℃))で行う。
加えて、本発明の樹脂成形体は、ショアD硬度が25以上75以下である。ショアD硬度は、JIS K6253に従って、D型測定器(タイプDデュロメーター)を用い、樹脂成形体の表面に圧子を押し込み変形させ、その変形量を測定し数値化したものである。
樹脂成形体の押し込み深さ、及びショアD硬度をこの範囲内とすることで、本発明の樹脂成形体は半導体発光素子を物理的衝撃から保護する力と、ゴムのような弾性により熱や外力によって変形しても元の状態に戻る復元力を兼ね備えたものとなる。そのため、半導体発光装置に組み入れた際、半導体発光素子からの発熱量が大きい場合でも、金属と樹脂成形体との線膨張係数の違いにより界面に生じる力を吸収し、樹脂成形体から金属配線が剥がれにくくなる。また、耐リフロークラック性に優れ、樹脂を含む封止材や蛍光体層との接着性も向上する。加えて、硬度が高すぎない柔らかい材料のため、加工する際に屑が生じにくく、セラミックスのようなもろい材料でみられる、実装する際の割れや欠けが生じにくい。
押し込み深さが4μmよりも小さくなる従来の樹脂製パッケージの場合には、耐熱性や接着性に問題が生じる傾向にある。一方、特許文献3のようにシリコーン系の樹脂を材料として用いた場合には、ある程度良好な耐熱性が得られる。しかしながら、シリコーン系の樹脂を材料とした成形体はショアD硬度を従来のパッケージと近いレベルにまで高くすると材料が脆くなり、加工する際に屑が生じたり、実装する際に割れや欠けが生じるという知見を得た。また、フェニル基を含有するシリコーン材料からは比較的ショアD硬度の高い樹脂成形体が得られるが、耐熱性、耐光性が低下する問題があった。そして、シリコーン系の樹脂を用いた場合であっても、ショアD硬度を特定の値に制御しないと、所望の効果を奏しないことに想到した。本発明においては、上記押し込み深さに加えて、ショアD硬度を25以上75以下に調整することで、加工する際に屑が生じにくく、実装する際に割れや欠けが生じにくく、耐久性の高いパッケージを製造することができる。
以下、シリコーン樹脂の場合を例として説明する。なお、樹脂成形体に対して、成形前の組成物の状態を樹脂組成物として表現する。
本発明の樹脂成形体は、シリコーン樹脂組成物を硬化することで得られる。
シリコーン樹脂組成物は通常(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、(C)硬化触媒からなる。必要に応じ(D)添加剤を加えてもよい。
本発明におけるポリオルガノシロキサンとは、ケイ素原子が酸素を介して他のケイ素原子と結合した部分を持つ構造に有機基が付加している高分子物質をいう。本発明で用いるポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体であることが好ましい。これは、半導体発光装置用樹脂成形体を成形する際に、材料の扱いが容易となるからである。また、常温常圧下において固体のポリオルガノシロキサンは、一般的に硬化物としての硬度は比較的高いが、破壊に要するエネルギーが小さく靭性が低いものや、耐光性、耐熱性が不十分で光や熱により変色しやすいものが多い傾向にあるからである。
なお、上記常温とは20℃±15℃(5〜35℃)の範囲の温度をいい、常圧とは大気圧に等しい圧力をいい、ほぼ一気圧である。また、液体とは流動性がある状態をいう。なお本発明において流動性の有無は、対象物を水平より45度傾けた状態で30分間静置したときに、対象物が流れるかどうかによって判定する。
(R1R2R3SiO1/2)M(R4R5SiO2/2)D(R6SiO3/2)T(SiO4/2)Q ・・・(1)
ここで、上記式(1)中、R1からR6は独立して、有機官能基又は水素原子である。またM、D、TおよびQは0から1未満であり、M+D+T+Q=1を満足する数である。なお、有機官能基については後述するが、具体的には置換または非置換の1価炭化水素基が好ましく、中でもメチル基、フェニル基、ビニル基、長鎖(炭素数1〜20)アルキル基などが好ましく用いられる。
主なポリオルガノシロキサンを構成する単位は、1官能型[R3SiO0.5](トリオルガノシルヘミオキサン)、2官能型[R2SiO](ジオルガノシロキサン)、3官能型[RSiO1.5](オルガノシルセスキオキサン)、4官能型[SiO2](シリケート)であり、これら4種の単位の構成比率を変えることにより、ポリオルガノシロキサンの性状の違いが出てくるので、所望の特性が得られるように適宜選択し、ポリオルガノシロキサンの合成を行う。
上記構成単位が1〜3官能型のポリオルガノシロキサンは、オルガノクロロシラン(一般式RnSiCl4-n(n=1〜3))と呼ばれる一連の有機ケイ素化合物をもとにして合成することができる。例えば、メチルクロロシランは塩化メチルとケイ素SiとをCu触媒下高温で直接反応させて合成することができ、また、ビニル基などの有機基を持つシラン類は、一般の有機合成化学の手法によって合成することができる。
単離されたオルガノクロロシランを、単独で、あるいは任意の割合で混合し、水により加水分解を行うとシラノールが生成し、このシラノールが脱水縮合するとシリコーンの基本骨格であるポリオルガノシロキサンが合成される。
ポリオルガノシロキサンは、硬化のメカニズムにより分類すると、通常、付加重合硬化タイプ、縮重合硬化タイプ、紫外線硬化タイプ、パーオキサイド架硫タイプなどのポリオルガノシロキサンを挙げることができる。これらの中では、付加重合硬化タイプ(付加型ポリオルガノシロキサン)、および縮合硬化タイプ(縮合型ポリオルガノシロキサン)が好適である。中でも、副生成物の発生が無く、また、反応が可逆性でないヒドロシリル化(付加重合)によって硬化する付加型ポリオルガノシロキサンより好適である。これは、成形加工時に副生成物が発生すると、成形容器内の圧を上昇させたり、硬化材料中に泡として残存したりする傾向にあるからである。
樹脂成形体の押し込み深さ、およびショアD硬度を上記範囲に制御するためには、常温常圧下液状で硬化物がゴム弾性を有するショアA硬度が20から90の付加型液状シリコーンゴムの使用が好ましい。シリコーンはその性状によりオイル、ゴム、レジンに分類されるが、シリコーンゴムは網状構造の分子からなり、架橋点の数は通常数百個の[R2SiO]単位ごとに数個程度である。架橋点を増してゆくと分子の自由度が小さくなり、ゴム弾性が失われ、ショアD硬度は高く、押し込み深さは小さくなるが、架橋度は特に押し込み深さへの影響が大きい傾向にある。また、シリコーンがゴムの性状を有するには、通常、式(1)のT+Qの値が0.4未満、好ましくは0.3未満、最も好ましくは0.2未満である。また、複数のシリコーンの混合物であっても、シリコーン混合物の硬化物がゴムの性状を有するものであればよく、その場合には混合物全体のT+Qの値が前述の範囲であることが好ましい。M,D,T,Qの値をコントロールすることによって、押し込み深さとショアD硬度をそれぞれ制御することができる。
なお、式1のM,D,T,Qの値は、シリコーンの29Si−NMR分析等によって測定することができる。
以下、付加型ポリオルガノシロキサン、および縮合型ポリオルガノシロキサンについて説明する。
付加型ポリオルガノシロキサンとは、ポリオルガノシロキサン鎖が、付加反応により架橋されたものをいう。代表的なものとしては、例えばビニルシラン等の(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物と、例えばヒドロシラン等の(A2)ヒドロシリル基を含有するケイ素化合物とを総ヒドロシリル基量が0.5倍以上、2.0倍以下となる量比で混合し、Pt触媒などの付加縮合触媒の存在下反応させて得られるSi−C−C−Si結合を架橋点に有する化合物等を挙げることができる。
RnSiO[(4-n)/2] ・・・(2)
で表わされる、1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも2個有するポリオルガノシロキサンが挙げられる。
ただし、式(2)中、Rは同一または異種の置換または非置換の1価炭化水素基、アルコキシ基、または水酸基で、nは1≦n<2を満たす正の数である。
上記(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物においてアルケニル基とは、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基などの炭素数2〜8のアルケニル基であることが好ましい。Rが炭化水素基である場合は、メチル基、エチル基などのアルキル基、ビニル基、フェニル基等の炭素数1〜20の1価炭化水素基から選択される。好ましくは、メチル基、エチル基、フェニル基である。
Rは炭素数1〜8のアルコキシ基や水酸基であってもよいが、アルコキシ基や水酸基の含有率は、(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物の10重量%以下であることが好ましい。また、nは1≦n<2を満たす正の数であるが、この値が2以上であると樹脂成形体用材料とリードフレーム等の導電体との接着に十分な強度が得られなくなり、1未満のようなポリオルガノシロキサンの合成は一般に困難である。
一般に、Rにフェニル基が多くなるほど硬化後のシリコーン樹脂はその強度が増加し、ショアD硬度が高くなり、押し込み深さは小さくなる。フェニル基の含有量によって、ショアD硬度と押し込み深さのどちらも影響を受ける。
両末端ビニルポリジメチルシロキサン
DMS−V00、DMS−V03、DMS−V05、DMS−V21、DMS−V22、DMS−V25、DMS−V31、DMS−V33、DMS−V35、DMS−V41、DMS−V42、DMS−V46、DMS−V52(いずれもGelest社製)
両末端ビニルジメチルシロキサン−ジフェニルシロキサンコポリマー
PDV−0325、PDV−0331、PDV−0341、PDV−0346、PDV−0525、PDV−0541、PDV−1625、PDV−1631、PDV−1635、PDV−1641、PDV−2331、PDV−2335(いずれもGelest社製)
両末端ビニルフェニルメチルシロキサン
PMV−9925(Gelest社製)
トリメチルシリル基封鎖ビニルメチルシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマー
VDT−123、VDT−127、VDT−131、VDT−153、VDT−431、VDT−731、VDT−954(いずれもGelest社製)
ビニルT−構造ポリマー
VTT−106、MTV−124(いずれもGelest社製)
両末端ヒドロシリルポリジメチルシロキサン
DMS−H03、DMS−H11、DMS−H21、DMS−H25、DMS−H31、DMS−H41(いずれもGelest社製)
両末端トリメチルシリル封鎖メチルヒドロシロキサン−ジメチルシロキサンコポリマーHMS−013、HMS−031、HMS−064、HMS−071、HMS−082、HMS−151、HMS−301、HMS−501(いずれもGelest社製)
また、ヒドロシリル化を起こす反応点(架橋点)の個数は、アルケニル基およびヒドロシリル基ともに白色顔料を含まない樹脂自体中において0.15mmol/g以上、20mmol/g以下であることが好ましい。さらに好ましくは0.25mmol/g以上、10mmol/g以下である。
樹脂の架橋密度を上げると分子間の絡まりが固定化され、押し込み深さは小さく、ショアD硬度は大きくなる方向だが、押し込み深さに対する影響が、ショアD硬度に対する影響よりも大きい傾向にある。
原料となるポリオルガノシロキサンの分子量が大きいほど、分子鎖の絡み合いが多くなり、物理的な架橋とみなすことができ、押し込み深さは小さく、ショアD硬度は大きくなる方向だが、押し込み深さに対する影響が、ショアD硬度に対する影響よりも大きい傾向にある。
縮合型ポリオルガノシロキサンとしては、例えば、アルキルアルコキシシランの加水分解・重縮合で得られるSi−O−Si結合を架橋点に有する化合物を挙げることができる。具体的には、下記一般式(3)および/又は(4)で表わされる化合物、或いはそのオリゴマーを加水分解・重縮合して得られる重縮合物が挙げられる。これらの縮合型ポリオルガノシロキサンは2種以上を併用しても構わない。
ポリオルガノシロキサンは、一般に半導体発光装置に用いた場合、半導体発光素子や半導体素子を配置する基板、樹脂成形体等との接着性が弱いことがあるが、これらと密着性が高いポリオルガノシロキサンとするため、特に、以下の[1]および[2]のうち1つ以上の特徴を有する縮合型ポリオルガノシロキサンが好ましい。
[1]ケイ素含有率が20重量%以上である。
[2]測定した固体Si−核磁気共鳴(NMR)スペクトルにおいて、下記(a)および/または(b)のSiに由来するピークを少なくとも1つ有する。
(b)ピークトップの位置がジメチルシリコーンゴムのジメチルシロキシケイ素を基準としてケミカルシフト−80ppm以上、−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピーク。
なお、縮合型ポリオルガノシロキサンにおいては、縮合反応の進行に伴い脱離成分が発生するが、成形加工方法により、該成分の成形加工性への影響が大きくない場合に用いることができる。その場合には、特に縮合型ポリオルガノシロキサン中のシラノール含有率が0.01重量%以上、10重量%以下であることが好ましい。シラノール含有率が上記範囲未満では架橋点が少なくなって硬化物が柔らかくなりすぎる懸念があり、一方シラノール含有率が上記範囲を超えて多くなると架橋点が多くなるため硬化物が脆くなり、また縮合時の脱離成分も多くなって成形収縮など成形加工性にも影響することがある。
本発明において(B)白色顔料は、樹脂の硬化を阻害しない公知の顔料を適宜選択する事ができる。白色顔料としては無機および/または有機の材料を用いる事ができる。ここで白色とは、無色であり透明ではない事をいう。すなわち可視光領域に特異な吸収波長を持たない物質により入射光を乱反射させる事により発する色をいう。
また、白色顔料として用いることができる有機微粒子としては、弗素樹脂粒子、グアナミン樹脂粒子、メラミン樹脂粒子、アクリル樹脂粒子、シリコーン樹脂粒子等の樹脂粒子などを挙げることができるが、いずれもこれらに限定されるものではない。中でも白色度が高く少量でも光反射効果高く変質しにくい点からは、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛などが特に好ましい。また、材料硬化時の熱伝導率向上の点からは、アルミナ、窒化硼素などが特に好ましい。また、樹脂成形体の熱伝導率が良好となる観点からも、アルミナが特に好ましい。
これらは、単独もしくは2種以上混合して用いる事ができる。
酸化チタンを用いる場合は、光触媒性、分散性、白色性等の問題が出ない程度に含有することができ、耐候性を高めるなどの目的で無機系の表面処理を施した酸化チタンが好ましく、アルミナ等、他の白色顔料との併用も好ましい。
アルミナ中にアルミニウム、酸素以外の元素を不純物として含むと可視光領域に吸収を持つために着色するために好ましくない。
また本発明において、樹脂成形体の熱伝導率は前述のとおり高い方が好ましいが、熱伝導率を高くするためには、アルミナとして純度が98%以上のものを用いることが好ましく、純度99%以上のアルミナを用いることがより好ましく、特に低ソーダアルミナを用いることが好ましい。更に、熱伝導率が高い窒化ホウ素、窒化アルミニウム、繊維状アルミナ等の白色顔料を単独でまたはアルミナと併用して用いることも好ましく、特に純度が99%以上の窒化ホウ素を用いることが好ましい。
アスペクト比が上記範囲である場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。
本発明では、アスペクト比が上記範囲であることにより、(B)白色顔料の形状としては、球状、真球状に形成されたものは好ましくない。また、極端に細長い形状のものも、かえって反射率を低下させてしまうため、本発明に用いる(B)白色顔料としてはやはり好ましくない。
本発明では、アスペクト比が上記範囲に含まれる粒子が(B)白色顔料全体の60体積%以上、より好ましくは70体積%以上、特に好ましくは80体積%以上を占めることが好ましく、必ずしも全ての(B)白色顔料中の粒子が上記アスペクト比の範囲を満たさなければいけないわけではないことは当業者が当然に理解できる事項である。
一次粒子径が小さすぎると白色顔料による散乱光強度が小さいため樹脂成形体の反射率が低くなる傾向があり、一次粒子径が大きすぎると白色顔料による散乱強度は大きくなるが、前方散乱傾向になるため成形体としての反射率は小さくなる傾向にある。なお、樹脂組成物中の白色顔料の充填率を上げる等の目的で、一次粒子径が2μmよりも大きい白色顔料を併用することもできる。
一方、一次粒子が凝集してできる凝集粒子を二次粒子といい、二次粒子径は粉体を適当な分散媒(例えばアルミナの場合は水)に分散させて、例えばレーザー回折式粒度分析計等で測定した粒径を言う。一次粒子の粒子径にばらつきがある場合は、数個(例えば10個)の粒子をSEM観察し、その平均値を粒子径とすることができる。また、測定の際、個々の粒子径が球状でない場合は最も長い値、すなわち長軸の長さを粒子径とする。
一次粒子径xと二次粒子径yの比y/xが上記範囲である場合には、散乱により高反射率を発現しやすく、特に近紫外領域の短波長の光の反射が大きい。これにより、かかる樹脂成形体を用いた半導体発光装置において、LED出力を向上させることができる。
白色顔料の含有量が上記範囲内であると反射率、成形性等が良好である。上記下限未満では光線が透過してしまい半導体発光装置の反射効率が低下する傾向にあり、上限以上では原料組成物の流動性が悪化して成形性が低下する傾向となる。
また、樹脂成形体用材料の熱伝導率を0.4〜3.0の範囲にするためには、(B)白色顔料としてアルミナを樹脂成形体用材料全体量に対して40〜90重量部添加することが好ましい。あるいは、(B)白色顔料として窒化硼素を樹脂成形体用材料全体量に対して30〜90重量部添加することが好ましい。なお、アルミナと窒化硼素を併用してもよい。
白色顔料、シリカ微粒子、無機物繊維などのフィラー量も押し込み深さとショアD硬度に影響する。フィラー量が多くなると組成物全体が硬くなり、ショアD硬度は大きく、押し込み深さは小さくなる方向で、どちらも同じ程度に影響を受ける。
フィラー自身が弾性を有するような場合は、そのフィラー特性により押し込み深さとショアD硬度も影響を受けるが、その程度はフィラーの物性に依存する。一般的な無機フィラーであれば、ショアD硬度、押し込み深さともに同じ程度の影響と推定できる。
フィラーの形状によっても押し込み深さとショアD硬度への影響は異なってくる。球状の場合と針状の場合では、フィラー量が同じでも影響が異なり、特に、押し込み深さは針状フィラーやガラス繊維では小さくなる傾向が大きい。
本発明における(C)硬化触媒とは、(A)のポリオルガノシロキサンを硬化させる触媒である。ポリオルガノシロキサンは触媒により重合反応が加速されて硬化する。この触媒はポリオルガノシロキサンの硬化機構により付加重合用触媒、縮合重合用触媒がある。
これらの触媒は半導体発光装置用樹脂組成物として配合した際の安定性、被膜の硬度、無黄変性、硬化性などを考慮して選択される。
添加量が上記範囲であると半導体発光装置用樹脂組成物の硬化性、保存安定性、樹脂成形体の品質が良好である。添加量が上限値を超えると樹脂成形体材料の保存安定性に問題が生じ、下限値未満では硬化時間が長くなり樹脂成形体の生産性の低下、未硬化成分による樹脂成形体の品質低下が起こる可能性がある。
本発明に用いる樹脂組成物中には、上記(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、(C)硬化触媒以外に、本発明の要旨を損なわない限り、必要に応じて(D)添加剤として、上記以外の成分の1種、または2種以上を任意の比率および組み合わせで含有させることができる。
例えば、前記樹脂組成物中には、さらに硬化速度制御剤を含有することが好ましい。ここで硬化速度制御剤とは、樹脂組成物を成形する際に、その成形効率を向上させるために硬化速度を制御するためのものであり、硬化遅延剤または硬化促進剤が挙げられる。
また、硬化速度制御剤は反応率にも影響を与える場合があることから、これらの制御剤により、樹脂成形体の押し込み深さやショアD硬度を制御することができる。
例えば、硬化促進剤により成形体内部よりも表面の反応率が上がると、押し込み深さは小さくなるが、成形品全体としての物性はあまり変わらないことになり、ショアD硬度への影響は小さい。硬化遅延剤により、全体の反応率が低下する場合にはショアD硬度も小さくなる。
脂肪族不飽和結合を含有する化合物としては、3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチン、3−ヒドロキシ−3−フェニル−1−ブチン、3−(トリメチルシリルオキシ)−3−メチル−1−ブチン、1−エチニル−1−シクロヘキサノール等のプロパギルアルコール類、エン−イン化合物類、ジメチルマレート等のマレイン酸エステル類等が例示される。脂肪族不飽和結合を含有する化合物の中でも、三重結合を有する化合物が好ましい。
有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフィン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフォン類、トリオルガノフォスファイト類等が例示される。イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾール、チアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイド等が例示される。窒素含有化合物としては、アンモニア、1〜3級アルキルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジン等が例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第一スズ2水和物、カルボン酸第一スズ等が例示される。有機過酸化物としては、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香酸t−ブチル等が例示される。
これらの硬化遅延剤のうち、遅延活性が良好で原料も入手しやすいという観点から、ベンゾチアゾール、チアゾール、ジメチルマレート、3−ヒドロキシ−3−メチル−1−ブチン、3−(トリメチルシリルオキシ)−3−メチル−1−ブチン、1−エチニル−1−シクロヘキサノールが好ましい。
硬化遅延剤の添加量は種々設定できるが、使用する(C)硬化触媒1モルに対する好ましい添加量の下限は10-1モル、より好ましくは1モルであり、好ましい添加量の上限は103モル、より好ましくは50モルである。また、これらの硬化遅延剤は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
上記イミダゾール類としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、商品名としては、2E4MZ、2PZ−CN、2PZ−CNS(四国化成工業株式会社)等がある。硬化促進剤の添加量は、(A)ポリオルガノシロキサンと(C)硬化触媒の合計100重量部に対して、0.1〜10重量部の範囲で添加することが好ましい。
本発明に使用するシリカ微粒子は、特に限定されるものではないが、BET法による比表面積が、通常50m2/g以上のものが用いられ、好ましくは80m2/g以上、さらに好ましくは100m2/g以上である。また、比表面積は、通常300m2/g以下、好ましくは200m2/g以下である。
比表面積が小さすぎるとシリカ微粒子の添加効果が十分発揮できず、大きすぎると樹脂中への分散処理が困難になる。シリカ微粒子は、例えば親水性のシリカ微粒子の表面に存在するシラノール基と表面改質剤を反応させることにより表面を疎水化したものを使用してもよい。
シリカ微粒子としては、例えばフュームドシリカを挙げることができる。フュームドシリカは、H2とO2との混合ガスを燃焼させた1100〜1400℃の炎でSiCl4ガスを酸化、加水分解させることにより作製される。フュームドシリカの一次粒子は、平均粒径が5〜50nm程度の非晶質の二酸化ケイ素(SiO2)を主成分とする球状の超微粒子であり、この一次粒子がそれぞれ凝集し、粒径が数百nmである二次粒子を形成する。
フュームドシリカは、超微粒子であるとともに、急冷によって作製されるため、表面の構造が化学的に活性な状態となっている。
具体的には、例えば日本アエロジル株式会社製「アエロジル」(登録商標)が挙げられ、親水性アエロジル(登録商標)の例としては、「90」、「130」、「150」、「200」、「300」、疎水性アエロジル(登録商標)の例としては、「R8200」、「R972」、「R972V」、「R972CF」、「R974」、「R202」、「R805」、「R812」、「R812S」、「RY200」、「RY200S」「RX200」が挙げられる。
この流動性調整剤としてのヒドロキシル基含有直鎖状ポリオルガノシロキサンは、分子中にアルケニル基および/またはSiH基等のヒドロシリル化付加反応に関与する官能基を含有しないものであり、分子中のヒドロキシル基は分子鎖末端のケイ素原子に結合したものであっても、分子鎖非末端(分子鎖途中)のケイ素原子に結合したものであっても、これらの両方に結合したものであってもよいが、好ましくは分子鎖両末端のケイ素原子に結合したヒドロキシル基を含有する直鎖状ポリオルガノシロキサン(すなわち、ポリ(α、ω−ジヒドロキシジオルガノ)シロキサン)であることが望ましい。
流動性調整剤の配合量は(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対して、通常、0〜10重量部、好ましくは0.1〜5重量部、より好ましくは0.5〜3重量部程度である。
これらを添加する場合の含有量は、少なすぎると目的の効果が得られず、多すぎると樹脂組成物の粘度が高くなって加工性に影響するので、十分な効果が発現し、材料の加工性を損なわない範囲で適宜選択すればよい。通常、(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し500重量部以下、好ましくは200重量部以下である。
本発明において使用できる接着性改良剤は、特に限定されるものではないが、金属との接着性を向上させる官能基として、例えば、シラノール基、アルコキシ基、アミノ基、イミノ基、メタクリル基、アクリル基、チオール基、エポキシ基、エーテル基、カルボニル基、カルボキシル基、スルホン酸基等が含有されている化合物を用いる事が出来る。中でも耐熱性の観点からシラノール基、アルコキシ基が好適である。なお、前記官能基は1種のみ含有されていてもよく、2種以上含有されていてもよい。
好ましいシランカップリング剤としては、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン等のエポキシ官能基を有するアルコキシシラン類;3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシメチルトリメトキシシラン、メタクリロキシメチルトリエトキシシラン、アクリロキシメチルトリメトキシシラン、アクリロキシメチルトリエトキシシラン等のメタクリル基あるいはアクリル基を有するアルコキシシラン類が例示できる。
シランカップリング剤でフィラーと樹脂との親和性を制御することによっても、押し込み深さ、およびショアD硬度をコントロールすることができる。フィラーと樹脂との親和性を上げることで、ショアD硬度も上がる方向だが、押し込み深さを小さくする効果が比較的高い傾向にある。
本発明に用いる樹脂組成物の、25℃における剪断速度100s-1での粘度は、10Pa・s以上10,000Pa・s以下であることが好ましい。上記粘度は、半導体装置用樹脂成形体を成形する際の成形効率の観点から、50Pa・s以上であることが好ましく、100Pa・sであることがより好ましい。一方上限は、5,000Pa・s以下であることがより好ましく、2,000Pa・s以下であることがより好ましい。樹脂組成物の粘度が上記範囲にある場合、樹脂成形体の成形を容易とすることができる。
25℃における剪断速度100s-1での粘度は、例えばARES−G2−歪制御型レオメータ(ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン株式会社製)を用いて測定することができる。
本発明のパッケージを構成する樹脂成形体は、150℃で3分間熱硬化させた時の熱伝導率が0.4以上であることが好ましく、0.6以上であることがより好ましい。一方上限は3.0以下であることが好ましく、2.0以下であることがより好ましい。硬化時の熱伝導率は、例えばアイフェイズ・モバイル(アイフェイズ社製)を用いて測定することができる。
本発明のパッケージにおいては、前述のように熱伝導率を高くすることが可能であり、これによって半導体発光素子の発する熱を効果的に放熱することができるので、半導体発光装置の耐久性を向上することができる。
本発明のパッケージを構成する樹脂成形体は、可視光について高反射率を維持できることが好ましい。具体的には、波長460nmの光の反射率が80%以上であることが好ましく、85%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。
加えて、可視光のうち短波長のものについても高反射率を維持できることが好ましい。具体的には、波長400nmの光の反射率が60%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。
本発明の半導体発光装置用パッケージは金属配線を備える。本発明において金属配線は、樹脂成形体とともにパッケージを構成し、外部電源から半導体発光素子へ電源を供給する役割を有する。そのため、金属配線は少なくとも電源を供給できればよく、その全体が導電性の金属である必要はない。例えば、絶縁材料の表面に金属メッキが施されている場合も金属配線に含まれる。本発明における金属配線は、具体的には金属リードフレームや、配線基板における配線として半導体発光装置に組み込まれる。また、金属配線は、少なくとも樹脂成形体と接触する部分は金属であることが好ましい。
なお、上記金属配線の表面粗さ(Ra)は、例えば金属配線の金属表面を表面処理することで調整することができる。電気めっきで表面処理を施す時には、めっき浴の種類、皮膜中の不純物、めっきの厚さによって表面粗さ(Ra)を制御することができる。
金属配線がリードフレームの場合には、Cu系素材(Cu−Fe−Pなど)、Fe系素材(Fe−42%Niなど)その他の機械的強度、電気伝導度、熱伝導度、耐食性などの優れた母材を使用でき、電気めっきにより、インナーリード部にはAu、Ag、Ptなどの貴金属めっき、その下地めっきにNi、Co、Cu、アウターリード部にはAg、Au、Pt、半田、Sn−Pbなどをめっきすることができる。溶液中での還元反応を利用して対象物の表面に化学的にめっき金属を析出させる無電解めっきによって、表面処理してもよい。
また、めっきはリードフレーム加工前、リードフレーム加工後(プレス加工後)、パッケージング後(樹脂モールド後)のいずれに実施してもよく、めっきの種類や用途、形状、生産性、パッケージとしてのトータルコストと性能面から適宜選択できるが、リードフレーム加工後が望ましい。
本発明の半導体発光装置用パッケージの成形方法としては、圧縮成形法やトランスファー成形法や射出成形法が好ましく用いられる。これらの中でも、原料組成物のロスが少なく二次加工が不要である(すなわちバリが発生しにくい)点、及び樹脂成形体の成形工程の自動化、成形サイクルの短縮化、成形品のコスト削減が可能になる等の利点が多い射出成形法、特に液状射出成形法(LIM成形)が特に好ましく用いられる。
射出時間は材料によって変わるが、通常数秒あるいは1秒以下である。硬化(成形)時間は材料のゲル化速度や硬化速度に応じて適宜選択され、通常3秒以上、1200秒以下、好ましくは5秒以上、900秒以下、さらに好ましくは10秒以上、600秒以下である。
本発明の半導体発光装置用パッケージは、可視光のみならず、紫色よりも短い波長の近紫外光、紫外光についても高反射率を維持することができることが特徴である。具体的には、460nmの光の反射率が90%以上であることが好ましく、92%以上であることがより好ましい。また、波長360nmおよび400nmの光の反射率が60%以上であることが好ましく、80%以上であることがより好ましく、90%以上であることが更に好ましい。
ここで、樹脂成形体の反射率は、本発明の樹脂成形体用材料を熱硬化させて、厚さ0.4mmに成形した成形体を測定した場合の反射率をいう。熱硬化は、例えば、10kg/cm2の圧力下、150℃で3分間、硬化させることにより行うことができる。
成形体の厚みが十分大きければ反射率は厚みにそれほど依存しないが、通常、同じ材料では厚みが大きいと反射率が高く厚みが小さくなるほど反射率も低下する。実用上、小型のパッケージでは樹脂成形体の厚みを十分に大きくできないため、薄くても高い反射率を維持する樹脂成形体が好ましい。外形が1cm角よりも小さい市販のパッケージ底面の絶縁材料の厚みは0.3mm〜0.6mm程度のものが多いことから、本発明では厚さ0.4mmの樹脂成形体を測定した値を反射率とした。
樹脂成形体の反射率は、樹脂の種類(例えば、樹脂の屈折率を変えることにより反射率を制御することができる。)やフィラーの種類、フィラーの粒径や含有量などにより制御することができる。半導体発光素子の発光色が紫外〜近紫外である場合には反射材フィラーはアルミナを主成分とすることが好ましく、青色である場合にはアルミナ及び/又はチタニアを主成分とすることが好ましい。
本発明の半導体発光装置用パッケージは、半導体発光素子を搭載して半導体発光装置として用いられる。半導体発光装置の概要を、図を用いて説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
図3のように蛍光体層が半導体発光素子と離れている場合には封止材を蛍光体層と半導体発光素子との間に用いる場合もあり、図1及び図2のように蛍光体層が半導体発光素子と密着している場合には、蛍光体層が封止材の役割も兼ねる。
図3のように、蛍光体を封止材に混合せず、半導体発光素子から離れた場所に別途蛍光体層9を形成することも可能である。図3の形態では、封止材層8(透明封止層)の上に蛍光体層9をポッティングやスクリーン印刷などにより直接形成したり、別工程にて透明な基板の上(図示せず)に蛍光体層9をスクリーン印刷やダイコーティングなどの方法で設けたものを透明な封止材層の上に戴置したりすることにより製造することができる。このような態様の場合、半導体発光素子1と蛍光体層9とが間隔をおいて配置されているため、蛍光体層9が半導体発光素子1からの光のエネルギーにより劣化することを防ぐことができ、また発光装置の出力も向上させることができる。
このとき半導体発光素子1と蛍光体層9との間隔は、通常0.10mm以上、好ましくは0.15mm以上、より好ましくは0.18mm以上である。一方、蛍光体層9と半導体発光素子1との距離が短いほど、発光装置を小型化することが可能であり、その観点からは、半導体発光素子の上面からの封止材の厚さは、通常1cm以下、好ましくは5mm以下、より好ましくは1mm以下である。
なお、反射材2と蛍光体層9の間に生じる間隙には、透光性を有する封止材層8を配置することが好ましい。図3に示されるような蛍光体層9においては、蛍光の自己再吸収とRGB各色蛍光体間の再吸収を低減するため、用いる蛍光体を各色ごとに塗り分けた多層構造としたり、ストライプ状、あるいはドット状などのパターンを形成したりしてもよい。
なお、発光素子の光を波長変換せずそのまま利用する場合には蛍光体層9に代えて蛍光体を添加しない透明な封止材を用いる。あるいは、蛍光体層9を設けず、封止材層を蛍光体を含む封止材層4とすることもできる。
フェニル基非含有シリコーンA1(ビニル基:1.2mmol/g含有、シリカ微粒子を添加して粘度を1000mPa・sに調整したもの。白金錯体触媒:8ppm含有。)とフェニル基非含有シリコーンB1(ビニル基:0.3mmol/g含有、ヒドロシリル基:1.8mmol/g含有、シリカ微粒子を添加して粘度を2100mPa・sに調整したもの。)とを1:1で混合し、攪拌により見かけ上均一な、白金濃度4ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(1)を得た。
フェニル基非含有シリコーンA2(ビニル基:0.3mmol/g含有、白金錯体触媒:8ppm含有、粘度:3700mPa・s)と、フェニル基非含有シリコーンB2(ビニル基:0.1mmol/g含有、ヒドロシリル基:4.6mmol/g含有、粘度:600mPa・s)と、硬化遅延剤としてアルキニル基を0.2mmol含むフェニル基非含有シリコーンC(ビニル基:0.2mmol/g含有、ヒドロシリル基:0.1mmol/g含有、アルキニル基:0.2mmol/g含有、粘度:500mPa・s)とを10:1:0.5で混合し、白金濃度7ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(2)を得た。
フェニル基含有シリコーンA3(ビニル基:4mmol/g含有、白金:26ppm含有、粘度:10000mPa・s)とフェニル基含有シリコーンB3(ビニル基:2mmol/g含有、ヒドロシリル基:7mmol/g含有、50mPa・s)とを1:1で混合し、攪拌により見かけ上均一な、白金濃度13ppmの液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(3)を得た。
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製両末端シラノールジメチルシリコーンオイルXC96−723を385g、メチルトリメトキシシランを10.28g、及び、触媒としてジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.791gを、攪拌翼と、分留管、ジムロートコンデンサ及びリービッヒコンデンサとを取り付けた500ml三つ口フラスコ中に計量し、室温にて15分間触媒の粗大粒子が溶解するまで攪拌した。この後、反応液を100℃まで昇温して触媒を完全溶解し、ジムロートコンデンサを用いて100℃全還流下で30分間500rpmで攪拌しつつ初期加水分解を行った。
続いて留出ラインをリービッヒコンデンサ側に切り替えて、窒素をSV20で液中に吹き込み生成メタノール及び水分、副生する低沸点ケイ素化合物を窒素に随伴させて留去しつつ100℃、500rpmにて1時間攪拌した。引き続き窒素を吹き込みながら130℃に昇温し、その温度に保持して5時間重合反応を継続し、粘度120mPa・sの反応液を得た。なお、ここで「SV」とは「Space Velocity」の略であり、単位時間当たりの気体吹き込み体積を指す。例えば、SV20とは1時間に反応液の20倍の体積の窒素を吹き込むことをいう。
窒素の吹き込みを停止し反応液をいったん室温まで冷却した後、ナス型フラスコに反応液を移し、ロータリーエバポレーターを用いてオイルバス上120℃、圧力1kPaで50分間、微量に残留しているメタノール及び水分、低沸点ケイ素化合物を留去し、粘度230mPa・sに調整した。得られた反応液100重量部あたり触媒のジルコニウムテトラアセチルアセトネート粉末0.133重量部を添加、攪拌し、縮合型の液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン(4)を得た。
[樹脂成形体用材料の調製、試験片の作製]
上記合成例で得られた液状熱硬化性ポリオルガノシロキサン、アルミナ(平均粒子径:1.2μm、α結晶径:0.3μm)、丸み状アルミナ(平均粒子径:36μm)、チタニア(一次粒子の平均粒子径0.25μm)、表面処理(トリメチルシリル処理)済みフュームドシリカ、溶融球状シリカ(平均粒子径:40μmまたは4.5μm)を表1に示す重量比で配合し、攪拌により白色顔料とシリカを液状熱硬化性ポリオルガノシロキサンに分散させ、白色の樹脂成形体用材料1〜7を得た。これらの材料を、熱プレス機にて150℃、10kg/cm2、硬化時間180秒の条件で硬化させ、直径13mm、厚さ1mm未満、1mm及び3mmの円形の樹脂成形体1〜7を得た。
ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリフタルアミド(アモデルA−4122)の、厚さ2mmの板材より小片を切り出し、樹脂成形体8とした。
数μm〜100μm径の球状シリカと、白色顔料としてチタニアを分散させて、ショアD硬度が90以上となるように、原料中の多分岐シロキサンの含有量を調整することでシリコーン樹脂の架橋密度を制御したシリコーン系パッケージ材料硬化物を、厚さ550μmの小片とし、樹脂成形体9を得た。樹脂成形体9に含まれるフィラーの量を測定したところ、球状シリカが45重量%、酸化チタンが13重量%含まれていた。
島津微小圧縮試験機MCT−W500−Jを用い、上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ1mm)に、先端の直径が500μmφのフラット圧子(材質:ダイヤモンド)にて0Nから500mNの負荷力を与え、50mNの負荷力を受けるまでの試験片の変形量(=押し込んだ深さ)を計測した。
樹脂成形体8及び9についても同様に押し込み深さを測定した。結果を表2に示す。
上記樹脂成形体1〜5の各試験片(厚さ1mm未満)について、コニカミノルタ社製SPECTROPHOTOMETER CM−2600dを用いて測定径6mmにて波長360nmから740nmにおける光の反射率を測定した。各試験片の厚さは表2に示すとおりである。
樹脂成形体6および7についても同様に反射率を測定した。波長400nm及び波長460nmにおける光の反射率を測定した。結果を表2に示す。
上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ3mm)を、200℃の恒温器で10分間以上ポストキュアした後、試験片2枚を重ね、ゴム・プラスチック硬度計KORI Durometer KR−25Dを用いて、JIS K6253に従い、試験片の中心付近のショアD硬度を測定した。
樹脂成形体8及び9についても同様にショアD硬度を測定した。樹脂成形体9は試験片が非常に脆く測定中に試験片が割れたが、硬度は90以上と推定された。結果を表2に示す。
上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ1mm)より、5mm角のピース4個を切り出し、ガラス製のサンプル瓶に入れ20回(約4回/秒)振って、ガラス瓶内壁への微粉の付着の有無を目視観察した。樹脂成形体6及び7については、樹脂成形体8及び9の樹脂材料から成る外形5mm角のLEDパッケージ4個を用い、樹脂成形体1〜7と同様に評価した。結果を表2に示す。
樹脂成形体7、9の、硬度の高いシリコーン材料では、試験片が欠けたことによると思われる微粉が観察され、脆い材料であることがわかった。
樹脂成形体1、樹脂成形体8、及び樹脂成形体9の各材料由来の3.5mm×2.8mmサイズのLEDパッケージサンプル(樹脂材料および金属配線から成形)について以下の手法にて金属配線と樹脂材料との間の接着性評価を行なった。パッケージのカップの内側を赤色の水性インクで満たし、5分間放置した後、インクを拭き取り、金属リードフレームと樹脂の間を伝ってカップの外側へ染み出したインクの有無を光学顕微鏡で確認した。
樹脂成形体1及び樹脂成形体9のパッケージは、金属配線と白色樹脂材料との間に全く赤色が確認されなかったのに対して、樹脂成形体8のパッケージはカップの外側の金属配線と白色樹脂材料の間に赤インクの染み出しが確認され、リードフレームと白色樹脂との間に剥離が有ったことがわかった。320℃のホットプレートで30秒間加熱したパッケージサンプルについても同様に評価したところ、同じ結果が得られた。
樹脂成形体用材料1、2、及び6を、Agプレート(表面粗さ(Ra):0.07)上に、直径13mm、厚さ1mmとなるよう塗布した後、PIフィルム(ポリイミドフィルム)を材料にかぶせ、PIフィルムの上におもり(Agプレート)を乗せ、Agプレート間に1mm厚のスペーサーをはさんだ状態で、150℃のオーブン中で60分間硬化を行った。
PIフィルムをゆっくり剥がし、次いで樹脂成形体とAgプレートとの接着面をスパチュラで剥がしたところ、樹脂成形体材料6を硬化させた樹脂成形体6は、Agプレートから剥がすために力を必要とせず、簡単に剥がすことができた。一方、樹脂成形体材料1及び2を硬化させた樹脂成形体1及び2は、Agプレートから剥がすために、比較的強い力が必要であった。
上記樹脂成形体1〜7の各試験片(厚さ1mm)、樹脂成形体8の厚さ2mmの板材、樹脂成形体9の小片を、200℃の恒温器で1週間保管し、保管前後での外観変化を目視観察した。結果を表2に併せて示す。
樹脂成形体7(フェニル基含有シリコーンからなる成形体)および8(アモデル品)の試験片および板材では変色が認められたが、その他のサンプルでは明確な変化は観察されなかった。
2 反射材
3 ボンディングワイヤー
4 蛍光体を含む封止材層(蛍光体層)
5 リード電極
6 反射材被覆部の厚さ
7 接続部
8 封止材層
9 窓部(蛍光体層)
Claims (6)
- (A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、及び(C)硬化触媒からなるシリコーン樹脂組成物の硬化物である、樹脂成形体および金属配線を備える半導体発光装置用パッケージであって、
(A)ポリオルガノシロキサン100重量部に対し、(B)白色顔料を20重量部以上、900重量部以下含有し、
かつ、上記(A)ポリオルガノシロキサン、(B)白色顔料、及び(C)硬化触媒が、それぞれ以下の特徴を有し、
(1)(A)ポリオルガノシロキサンは、常温常圧下において液体かつSi−C−C−Si結合を架橋点に有する付加型ポリオルガノシロキサンであって、
付加重合反応前の原料として(A1)下記一般式(2)で表されるアルケニル基を有するケイ素含有化合物と、(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素含有化合物とを、(A1)アルケニル基を有するケイ素含有化合物1モル(アルケニル基のモル数)に対して、(A2)ヒドロシリル基を有するケイ素含有化合物(ヒドロシリル基のモル数)が0.5モル以上、3.0モル以下の量比で含有し、
RnSiO[(4-n)/2] ・・・ (2)
但し、式(2)において、Rは同一又は異種の置換もしくは非置換の1価炭化水素基、アルコキシ基、もしくは水酸基で、nは1≦n<2を満たす正の数である。
(2)(B)白色顔料が、
アルミナ、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム、窒化ホウ素、アルミナホワイト、コロイダルシリカ、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム、ホウ酸アルミニウム、クレー、タルク、カオリン、雲母、及び合成雲母からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、
(3)(C)硬化触媒が、白金族金属触媒であり、
更に、前記樹脂成形体は、先端の直径が500μmである圧子を、50mNの力で押し込んだときの押し込み深さが4μm以上30μm以下であり、かつ、ショアD硬度が25以上75以下である、半導体発光装置用パッケージ。 - 上記式(2)のRの65%以上がメチル基であることを特徴とする請求項1に記載の半
導体発光装置用パッケージ。 - 前記樹脂成形体は、厚さ0.4mmにおいて、波長460nmの光反射率が90%以上である、請求項1または2に記載の半導体発光装置用パッケージ。
- 前記樹脂成形体は、厚さ0.4mmにおいて、波長400nmの光反射率が60%以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。
- 前記金属配線は、前記樹脂成形体と少なくとも一部が接触しており、該前記樹脂成形体と接触する部分の表面粗さ(Ra)が0.05以上0.5以下である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ。
- 半導体発光素子、請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光装置用パッケージ、ボンディングワイヤー、および蛍光体層を有する半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011101657A JP5953654B2 (ja) | 2010-07-30 | 2011-04-28 | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010172643 | 2010-07-30 | ||
JP2010172643 | 2010-07-30 | ||
JP2011101657A JP5953654B2 (ja) | 2010-07-30 | 2011-04-28 | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012049505A JP2012049505A (ja) | 2012-03-08 |
JP5953654B2 true JP5953654B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=45901938
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010261391A Expired - Fee Related JP5682257B2 (ja) | 2010-07-30 | 2010-11-24 | 半導体発光装置用樹脂組成物 |
JP2011101657A Expired - Fee Related JP5953654B2 (ja) | 2010-07-30 | 2011-04-28 | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010261391A Expired - Fee Related JP5682257B2 (ja) | 2010-07-30 | 2010-11-24 | 半導体発光装置用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5682257B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013201380A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 反射材及び照明装置 |
US9651821B2 (en) | 2012-05-18 | 2017-05-16 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Surface-modified metal oxide particle material, dispersion liquid, silicone resin composition, silicone resin composite body, optical semiconductor light emitting device, lighting device, and liquid crystal imaging device |
JP6298244B2 (ja) * | 2012-05-18 | 2018-03-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 表面修飾金属酸化物粒子材料、分散液、シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂複合体、光半導体発光装置、照明器具及び液晶画像装置 |
KR101974353B1 (ko) * | 2013-01-11 | 2019-05-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
JP6355210B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2018-07-11 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 半導体装置および半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物 |
KR101446501B1 (ko) | 2013-10-23 | 2014-10-07 | 주식회사 에이치알에스 | 액정표시장치의 백라이트유닛 완충 스페이서 기재용 액상 실리콘 고분자 조성물 |
JP6917570B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-08-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP2019153661A (ja) * | 2018-03-02 | 2019-09-12 | ローム株式会社 | 接着構造体、及び半導体モジュール |
JP7250560B2 (ja) * | 2019-02-20 | 2023-04-03 | 旭化成株式会社 | 紫外線発光装置 |
TWI777125B (zh) * | 2020-01-22 | 2022-09-11 | 晶智達光電股份有限公司 | 雷射元件封裝結構 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6461707A (en) * | 1987-08-26 | 1989-03-08 | Dow Corning | Contact position sensitive lightwaveguide |
JP3207286B2 (ja) * | 1993-03-22 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP3464527B2 (ja) * | 1994-05-27 | 2003-11-10 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 硬化性樹脂組成物および硬化樹脂 |
JP3447249B2 (ja) * | 1999-10-13 | 2003-09-16 | タイテック株式会社 | 振とう台敷着用のシート |
JP2001347618A (ja) * | 2000-06-06 | 2001-12-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 化粧材 |
JP2005201803A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Mitsutoyo Corp | 薄膜の密着力評価方法及び硬さ試験機 |
DE602005013968D1 (de) * | 2004-08-04 | 2009-05-28 | Toagosei Co Ltd | Polyorganosiloxan und härtbare zusammensetzung daraus |
JP2006284453A (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-19 | Sony Corp | 薄膜密着性評価方法 |
JP2007123565A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板および発光装置 |
KR101143671B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2012-05-09 | 도시바 마테리알 가부시키가이샤 | 발광 모듈과 그것을 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치 |
US7527838B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-05-05 | Momentive Performance Materials Inc. | Architectural unit possessing translucent silicone rubber component |
JP4949130B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-06-06 | 信越化学工業株式会社 | 蛍光体充填硬化性シリコーン樹脂組成物およびその硬化物 |
JP2009026821A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体用封止剤及びトップビュー型光半導体素子 |
JP5117799B2 (ja) * | 2007-09-07 | 2013-01-16 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物 |
JP2009084511A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Sekisui Chem Co Ltd | 光半導体用封止シート及び光半導体素子 |
JP2009135485A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
JP2009173773A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Toshiba Corp | シリコーン樹脂組成物および半導体装置 |
JP2009246334A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-10-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 光反射用熱硬化性樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 |
WO2009119841A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 三菱化学株式会社 | 硬化性ポリシロキサン組成物、並びに、それを用いたポリシロキサン硬化物、光学部材、航空宇宙産業用部材、半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
JP2009272616A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-11-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 表面実装型発光装置及びその製造方法 |
JP2010018786A (ja) * | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体ケース形成用白色熱硬化性シリコーン樹脂組成物及び光半導体ケース |
JP5667740B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2015-02-12 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置 |
JP2010050236A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP2010106243A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体装置用シリコーン樹脂組成物 |
JP5329905B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2013-10-30 | 株式会社カネカ | ポリシロキサン系組成物およびそれから得られる硬化物 |
JP2010109034A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物及び発光ダイオード素子 |
JP2010070767A (ja) * | 2009-12-02 | 2010-04-02 | Suzuka Fuji Xerox Co Ltd | ハイブリッド組成物およびハイブリッド組成物の製造方法 |
-
2010
- 2010-11-24 JP JP2010261391A patent/JP5682257B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-04-28 JP JP2011101657A patent/JP5953654B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5682257B2 (ja) | 2015-03-11 |
JP2012049505A (ja) | 2012-03-08 |
JP2012046714A (ja) | 2012-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5953654B2 (ja) | 半導体発光装置用パッケージ及び半導体発光装置 | |
JP6217831B2 (ja) | 樹脂成形体用材料、及び樹脂成形体の製造方法 | |
KR101342287B1 (ko) | 반도체 발광 장치용 패키지 및 발광 장치 | |
JP5739418B2 (ja) | ケイ素含有硬化性組成物、該ケイ素含有硬化性組成物の硬化物及び該ケイ素含有硬化性組成物より形成されるリードフレーム基板 | |
JP2011140550A (ja) | 光学素子ケース成形用付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置 | |
JP5821316B2 (ja) | 半導体発光装置用樹脂パッケージの製造方法及び該半導体発光装置用樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置の製造方法 | |
KR20130116813A (ko) | Led의 리플렉터용 열경화성 실리콘 수지 조성물, 및 이를 이용한 led용 리플렉터 및 광반도체 장치 | |
TW201333119A (zh) | 硬化性矽酮組合物、其硬化產品及光半導體裝置 | |
JP2012256651A (ja) | 半導体発光装置用樹脂パッケージ及びその製造方法並びに該樹脂パッケージを有してなる半導体発光装置 | |
JP5919903B2 (ja) | 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法 | |
JP2012124428A (ja) | 半導体発光装置用樹脂成形体 | |
JP2013183013A (ja) | 半導体発光装置用パッケージシート、その製造方法、半導体発光装置用パッケージ、その製造方法及び半導体発光装置 | |
JP2012064928A (ja) | 半導体発光装置用樹脂成形体用材料及び樹脂成形体 | |
JP5879739B2 (ja) | 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置 | |
JP7042125B2 (ja) | 硬化性樹脂組成物並びに該樹脂組成物を用いた硬化物、封止剤及び光半導体装置 | |
JP2012049519A (ja) | 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置 | |
JP5834519B2 (ja) | 半導体発光装置用の樹脂成形体用材料およびその成形体 | |
JP7042126B2 (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置。 | |
JP2012238767A (ja) | 半導体発光装置パッケージ用樹脂組成物、半導体発光装置パッケージ及びその製造方法 | |
JP2017183506A (ja) | 樹脂成形体用材料 | |
JP2013001824A (ja) | 半導体発光装置用シリコーン樹脂組成物 | |
JP7360910B2 (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。 | |
JP7360911B2 (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。 | |
JP2019199500A (ja) | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた光半導体装置 | |
JP2015079829A (ja) | ポリシロキサン系組成物を封止材として用いてなる光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151020 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953654 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |