JP2013201380A

JP2013201380A - 反射材及び照明装置

Info

Publication number: JP2013201380A
Application number: JP2012070043A
Authority: JP
Inventors: Takuya Honma; 卓也本間; Sohiko Betsuda; 惣彦別田; Hirotaka Tanaka; 裕隆田中; Kiyoshi Nishimura; 潔西村
Original assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Current assignee: Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date: 2012-03-26
Filing date: 2012-03-26
Publication date: 2013-10-03

Abstract

【課題】反射率の高い反射剤及び照明装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の一例に係る反射剤及び照明装置は、バインダーを具備する。実施形態の一例に係る反射剤及び照明装置は、バインダーに添加された平均粒径の異なる２種類のフィラーを具備する。実施形態に係る反射剤は、発光モジュールの反射層に用いられる。また、実施形態の一例に係る反射剤及び照明装置は、フィラーの２種類の平均粒径を平均粒径が大きい順にＤ１、Ｄ２とした場合に、数式：０．１≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、反射材及び照明装置に関する。

近年、照明分野において、発光素子の発光効率の高効率化が進んでいる。発光効率の高効率化に伴い、高反射率を有する構成材料が要求されている。例えば、発光素子が搭載された発光モジュールでは、有機系バインダーにＡｌ_２Ｏ_３などの無機系酸化物が添加された反射コート材が用いられている。なお、発光素子が搭載される金属基板として、金属基板上に絶縁樹脂層が設けられ、絶縁樹脂層上にセラミック層が設けられた基板がある。

特開２０１０−２１４３４号公報特開平８−２３６９４５号公報

本発明が解決しようとする課題は、反射率の高い反射剤及び照明装置を提供することである。

実施形態に係る反射剤は、バインダーを有する。実施形態に係る反射剤は、前記バインダーに添加された平均粒径の異なる２種類のフィラーであって、該フィラーの２種類の平均粒径を平均粒径が大きい順にＤ１、Ｄ２とした場合に、数式：０．１≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足するフィラーを具備する。実施形態に係る反射剤は、発光モジュールの反射層に用いられる。

図１は、セラミック基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの断面図の一例を示す図である。図２は、金属基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの断面図の一例を示す図である。図３は、発光モジュールの平面図の一例を示す平面図である。図４は、発光モジュールを装着した照明装置の一例を示す縦断面図である。

（実施形態）
開示の反射剤は、発光素子における反射層に用いられる。反射剤は、バインダーと、バインダーに添加された平均粒径の異なる２種類のフィラーとを有する。発光素子は、任意の発光素子であって良く、例えば、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ）素子や有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などである。発光素子は、例えば、スポットライトやダウンライト、防犯灯、ブラケットライト、ペンダントライトなど、任意の照明装置に用いられる。

バインダーは、無機バインダー又は有機バインダーであり、任意のバインダーであって良い。無機バインダーは、例えば、ＳｉＯ_２である。有機バインダーは、例えば、ポリイミドである。フィラーは、無機系酸化物であり、好ましくは、白色系の無機酸化物フィラーである。白色系の無機酸化物フィラーとは、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３である。

ここで、フィラーの２種類の平均粒径を平均粒径が大きい順にＤ１、Ｄ２とした場合に、数式：０．１≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足することが好ましい。（Ｄ２／Ｄ１）が１である場合には、フィラーの平均粒径に差がないことを示す。平均粒径に差を設けるという観点から、０．４以下であることが好ましい。また、２種類の平均粒径に差がありすぎると、相対的に平均粒径が小さいフィラーが、相対的に平均粒径が大きいフィラーの隙間を効率的に埋めることができないと考えられる。このことから、（Ｄ２／Ｄ１）が０．１以上であることが好ましい。また、０．１５≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足することがより好ましく、更に好ましくは、０．２≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．３を満足する場合である。

また、例えば、フィラーの平均粒径Ｄ１は、１００μｍ以下であるとともに、平均粒径Ｄ１が３μｍ以上となる。また、フィラーのバインダーに対する添加量は、任意であって良い。また、例えば、フィラーのバインダーに対する添加量は、８０ｖｏｌ％〜９８ｖｏｌ％であることが好ましい。フィラーのバインダーに対する添加量を９８ｖｏｌ％とすることで、下地との密着性を向上可能であり、剥離が生じる可能性を減少させることが可能となる。また、反射剤自体にクラックが発生する可能性を低減可能である。また、フィラーのバインダーに対する添加量を８０ｖｏｌ％以上とすることで、透過率を抑制出来、これにより、下地の影響が低減可能となる。また、２種類の平均粒径が異なるフィラーの混合比は、任意であって良い。２種類の平均粒径が異なるフィラーの混合比は、好ましくは、Ｄ１：Ｄ２＝５：１〜２：１（ｖｏｌ％）であり、より好ましくは、Ｄ１：Ｄ２＝４：１（ｖｏｌ％）である。この範囲外であると、隙間が埋まりにくいためである。

また、開示の反射剤が用いられる発光モジュールは、基板と、基板上に設けられた白色レジスト層と、反射層とを有する。また、開示の反射剤が用いられる反射層は、白色レジスト層上に設けられる。以下では、図１〜図３を用いて、開示の反射剤が用いられる発光素子の構造の一例を示す。以下では、セラミック基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの断面図の一例、金属基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの断面図の一例、発光モジュールの平面図の一例について順に説明する。

図１は、セラミック基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの断面図の一例を示す図である。図１に示す例では、開示の反射剤が用いられた発光モジュール１は、セラミック基板２と、配線パターン３と、白色レジスト層４と、反射層５と、発光素子６と、ダイボンド材７と、反射枠８と、封止樹脂層９と、半田層１０と、金属ヒートスプレッダ１１とを有する。

配線パターン３は、セラミック基板２の上面と下面とに所定のパターンで設けられる。配線パターン３は、例えば、セラミック基板２の上面及び下面の全面に貼り合わせることで接合された銅層から、エッチングにより不要な部位を除去することで形成される。配線パターン３は、例えば、銅と、ニッケルと、金の三層構造をなしており、銅層は配線パターン３のベース層を形成し、ニッケル層が配線パターン３の中間層を形成し、金層が配線パターン３の表層を形成する。なお、図１に示す例では、配線パターン３がセラミック基板２の上面と下面との両方に形成される場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、セラミック基板２の上面だけに合っても良い。なお、配線パターン３は、三層構造をなしていなくても良く、二層以下の構造でも良く、四層以上の構造でも良い。

白色レジスト層４は、セラミック基板２の上面に設けられる。白色レジスト層４は、例えば、フィラーを含まない白色の合成樹脂で形成される。白色レジスト層４は、例えばエポキシ樹脂からなる樹脂材で形成される。ただし、白色レジスト層４は、これに限定されるものではなく、白色レジスト層４がフィラーを含んでも良い。白色レジスト層は、例えば、スクリーン印刷によりセラミック基板２上に塗布される。白色レジスト層４は、発光素子６からセラミック基板２側に出射された高エネルギーの光を光の利用方向に反射する。

ここで、セラミック基板２の上面に設けられる配線パターン３と白色レジスト層４との関係について示す。配線パターン３は、セラミック基板２上に直接設けても良く、白色レジスト層４上に設けられても良い。また、配線パターン３は、セラミック基板２上に直接設けられる場合には、配線パターン３の上面に白色レジスト層４が設けられる。この場合、例えば、白色レジスト層４は、配線パターン３が設けられた箇所のうち、後述のダイボンド材７を介して発光素子６と配線パターン３とが接合される箇所を除いた箇所の上部に対して設けられる。

反射層５は、開示の反射剤を用いて形成される。反射層５は、白色レジスト層４上に設けられる。反射層５は、発光素子６からセラミック基板２側に出射された高エネルギーの光を光の利用方向に反射する。反射層５は、例えば、スクリーン印刷により白色レジスト層４上に塗布される。

反射層５と白色レジスト層４との関係について補足する。反射層５には、フィラーを含む反射剤が用いられており、白色レジスト層４と比較して反射率が高い。図１に示す例では、基板はセラミック基板２であり、セラミック基板２の上部に直接配線パターン３を設けることができ、セラミック基板２上に白色レジスト層４をあえて設けなくても良い。図１に示す例では、反射層５に加えて白色レジスト層４を更に設けることで、反射層５の厚さを薄くしても十分な反射率を得ることが可能となり、簡単かつ安価に実現可能となる。

発光素子６は、光を発光する。例えば、発光素子６が青色ＬＥＤチップで形成される場合には、サファイア製の透光性素子基板の一面に半導体発光層と一対の素子電極を設けて形成される。半導体発光層は、例えば、４５５ｎｍ〜４６５ｎｍのピーク波長を有した青色の光を放射する。青色の光は、半導体発光層から光の利用方向である表側に出射されるだけではなく、素子基板を透過して発光素子６の裏側にも出射される。なお、裏側に出射される光のエネルギー強度の方が、表側に出射される光のエネルギー強度より強い。なお、発光素子６は、青色ＬＥＤチップで形成される場合に限定されるものではなく、任意の色のＬＥＤチップで形成されても良く、有機ＥＬ素子で形成されても良く、任意の発光素子で形成されて良い。

発光素子６は、ダイボンド材７を用いて、配線パターン３と接合される。図１に示す例では、列が延びる方向に隣接した発光素子６各々は、配線パターン３を介して、他の発光素子６の異極電極同士が接続される。なお、ダイボンド材７は、例えば、透明なシリコーン樹脂である。

反射枠８は、例えば、白色のシリコーン樹脂で形成される。図１に示す例では、反射枠８が反射層５上に設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、セラミック基板２上に設けられても良い。反射枠８は、例えば、未硬化の状態で発光素子６が設けられる領域を囲んで塗布され、硬化処理されることで接着される。

封止樹脂層９は、反射枠８により囲まれる領域に充填される。封止樹脂層９は、透光性材料が用いられる。封止樹脂層９は、例えば、透明シリコーン樹脂により形成される。封止樹脂層９は、例えば、白色の照明光を得ることを目的として黄色の蛍光体が用いられている。

半田層１０は、セラミック基板２の下面に設けられ、後述の金属ヒートスプレッダ１１をセラミック基板２と接合する。金属ヒートスプレッダ１１は、セラミック基板２の熱を放出する。すなわち、金属ヒートスプレッダ１１は、発光素子６の温度が上がり過ぎることを抑制する結果、発光素子６の発光性能と発光色を維持することが可能となる。

図２は、金属基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの断面図の一例を示す図である。図２では、図１を用いて説明したセラミック基板２を用いた場合における発光モジュールの断面図と同一の箇所については、同一の符号を用いて説明する。また、以下では、セラミック基板２を用いた場合における発光モジュールと同様の点については、適宜説明を省略する。

図２に示す例では、図１に示したセラミック基板２を用いた場合と比較して、発光モジュール１ａが、セラミック基板２の代わりに、金属基板２１を有する。金属基板２１は、例えば、熱伝導性に優れた金属を用いて形成される。詳細な一例をあげて説明すると、金属基板２１は、アルミニウム、又は、アルミニウムを含むアルミニウム合金を用いて形成される金属ベース２１ａと、金属ベース２１ａ上に積層された絶縁層２１ｂを有する。絶縁層２１ｂは、例えば、合成樹脂で形成される。絶縁層２１ｂの厚みは、金属ベース２１ａの厚みと比較して薄くて良い。

また、図２に示す例では、発光モジュール１ａが、配線パターン３の代わりに、互いに平行な給電パターンを有する配線パターン２２を有する場合を例に示した。なお、図２に示す例では、配線パターン２２は、三層構造を有する場合を例に示した。詳細な一例をあげて説明すると、配線パターン２２は、ベース層Ａと、中間層Ｂと、表層Ｃとを有する場合を例に示した。配線パターン２２は、配線パターン３と同一の材料を用いて、配線パターン３と同様の手法にて形成される。

また、図２に示す例では、発光モジュール１ａが、発光素子６の実装位置を決める目安として用いられるアライメントマーク２３を更に有する場合を例に示した。図２に示す例では、アライメントマーク２３は、配線パターン２２を間にはさんで両側に設けられる。アライメントマーク２３は、例えば、配線パターン３と同一の材料を用いて、配線パターン３と同様の手法にて形成される。

また、図２に示す例では、発光モジュール１ａが、金属反射部位２４と、金属反射部位２４を覆うように設けられた白色レジスト層４と、白色レジスト層４を覆うように設けられた反射層５とを有する。

図２に示す例では、金属反射部位２４は、略四角形状であるが、これに限定されるものではなく、任意の形状であって良い。図２に示す例では、金属反射部位２４は、絶縁層２１ｂに接合固着される。金属反射部位２４は、例えば、銅を用いて形成される。金属反射部位２４は、例えば、配線パターン３のベース層Ａと同一の材料を用いて、配線パターン３と同様の手法を用いて形成される。

図２に示す例では、発光素子６が、ダイボンド材７を用いて反射層５上に接着され、反射層５上に接着された発光素子６各々がボンディングワイヤ２５で直列に接続される場合を例に示した。言い換えると、ボンディングワイヤ２５は、列が延びる方向に隣接した発光素子６の異極の素子電極同士を接続するように設けられる場合を例に示した。また、図２に示す例では、発光素子６の列の一端に配置された発光素子６と、隣接された配線パターン２２とが、端部ボンディングワイヤ２６で接続される場合を例に示した。なお、ボンディングワイヤ２５及び端部ボンディングワイヤ２６は、例えば、金属細線で形成される。より詳細な一例をあげて説明すると、ボンディングワイヤ２５及び端部ボンディングワイヤ２６は、例えば、金の細線を用いて形成される。

図３は、発光モジュールの平面図の一例を示す平面図である。図３に示す例では、説明の便宜上、図２に示した金属基板を用いた実施形態の一例における発光モジュールの平面図を示した。図３に示す例では、金属基板２１の四隅に、発光モジュール１ａを固定するためのねじ通し部２７が設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、ねじ通し部２７を有さなくても良い。なお、ねじ通し部２７は、例えば、金属基板２１の四隅に溝を設けることで形成される。

なお、図２に示す例では、発光モジュール１ａが金属反射部位２４を有する場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、金属反射部位２４を有さなくても良い。また、例えば、上述した実施形態では、白色レジスト層４にフィラーが含まれない場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、白色レジスト層４にフィラーが含まれても良い。この場合、白色レジスト層４に含まれるフィラーの割合を反射層５と比較し低くなるようにしても良い。

また、図１に示す例では、反射層５が白色レジスト層４上に設けられる場合を用いて説明したが、これに限定されるものではなく、白色レジスト層４を設けなくても良い。また、図１に示す例では、発光モジュール１がアライメントマーク２３を有さない場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、アライメントマーク２３を更に有しても良い。また、図１に示す例では、発光素子６各々が配線パターン３により接続される場合を例に示したが、これに限定されるものではなく、図２に示すようにボンディングワイヤで接続されても良い。

上述したように、実施形態に係る反射剤は、バインダーと、酸化物にて形成された平均粒径の異なる２種類のフィラーであって、前記バインダーに添加されたフィラーとを具備する。この結果、反射率の高い反射剤及び照明装置を提供することが可能となる。具体的には、フィラーの充填率が高くなる結果、反射率の高い反射剤及び照明装置を提供可能となる。

また、２種類の異なる平均粒径を有するフィラーを用いることで、平均粒径を考慮しない場合と比較して、フィラーの充填率が高く透過率の低い反射材を実現可能となる。また、透過率の低い、言い換えると、反射率の高い反射剤を実現可能となる結果、高効率の発光モジュールや照明装置が実現可能となる。

また、平均粒径を考慮しない場合と比較してフィラーの量を相対的に少なくしても高い反射率が得られる結果、フィラーの量を少なくすることが可能である。この結果、平均粒径を考慮しない場合と比較して、接着機能を果たす有機系バインダーの占める割合を増加でき、下地との密着性を向上可能であり、剥離が生じる可能性を減少させることが可能となる。また、反射剤自体にクラックが発生する可能性を低減可能である。

また、上述したように、フィラーの２種類の平均粒径を平均粒径が大きい順にＤ１、Ｄ２とした場合に、数式：０．１≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足する。他の範囲と比較して透過率を低くすることができ、反射率の高い反射剤及び照明装置を提供可能となる。

また、上述したように、Ｄ１が１００μｍ以下であるとともに、Ｄ１が３μｍ以上となる。また、発光モジュールは、基板と、基板上に設けられた白色レジスト層と、反射層とを有し、反射層は、白色レジスト層上に設けられる。この結果、反射層を相対的に薄くすることが可能となる。また、反射層を相対的に薄くすることができる結果、反射層を厚くする場合と比較して熱膨張率差をあまり考慮しなくて良いという有利な効果を奏し、バインダーに対するフィラーの添加量に対する制限が減少するという有利な効果を奏する。

上述した発光モジュールによれば、フィラーが混入された反射剤を用いて形成された反射層５上に複数の発光素子６を実装することで、各発光素子６がその裏側に出射する高エネルギーの光を光の利用方向に反射させることが可能となる。反射層５の反射面は、銀の層からなる反射面と比較して低波長域の光成分を反射することができる分、銀メッキ層の反射面と比較して優れた光反射性能を実現可能となる。また、上述の反射剤を用いて反射層５が形成されることで、前記高エネルギーの光に晒されても劣化を防止することが可能となる。

ここで、この高エネルギーの光の一部は、反射層５を透過すると考えられる。反射層５を透過した透過光は、白色レジスト層４に入射して白色レジスト層４で光の利用方向に反射される。この結果、一次、二次の光反射が起こることで、発光素子６の裏側に出射された光の反射性能を向上可能となる。言い換えると、光の取出し性能が向上されることで、発光モジュール１の発光効率を向上可能となる。

また、上述したように、反射層５の下部に白色レジスト層４を設けることで、反射層５をできる限り薄くしたとしても、十分な反射性能を実現可能となる。また、反射層５のみを設けて白色レジスト層４を設けない場合と比較して、フィラーの使用量を少なくすることが可能となる。また、反射層５の厚さを薄くすることができる結果、反射層５の熱膨張率と発光モジュールの他の材料との間における熱膨張率に差が生じることを防止することも可能となる。

図４は、発光モジュールを装着した照明装置の一例を示す縦断面図である。図４に示す例では、照明装置１００は、発光モジュール１を備える。また、照明装置１００は、本体３１、口金部材３２ａ、アイレット部３２ｂ、カバー３３、制御部３４、電気配線３４ａ、電極接合部３４ａ−１、電気配線３４ｂ、電極接合部３４ｂ−１を備える。

発光モジュール１は、本体３１の鉛直方向の上面に配置される。発光モジュール１は、セラミック基板２を備える。セラミック基板２は、低熱伝導率の陶磁素材、例えば、セラミックスにより形成される。セラミック基板２の熱伝導率は、例えば、３００［Ｋ］大気雰囲気下において、約９９．５質量％のアルミニウムの熱伝導率である２２５［Ｗ／ｍ・Ｋ］よりも小さい。

セラミック基板２は、機械的強度、寸法精度も高いため、発光モジュール１を量産する際の歩留まり向上、発光モジュール１の製造コストの低減、発光モジュール１の長寿命化に寄与する。また、セラミックスは、可視光の反射率が高いため、ＬＥＤモジュールの発光効率を向上させる。

図４に示す例では、発光モジュール１が、発光素子６として、セラミック基板２の鉛直方向の上面の円周上に配置された青色ＬＥＤ４１と、セラミック基板２の鉛直方向の上面の中心付近に配置された赤色ＬＥＤ４２とを有する場合を示した。赤色ＬＥＤ４２は、青色ＬＥＤ４１と比較して、発光素子の温度の上昇とともに発光素子の発光量がさらに低下する。すなわち、赤色ＬＥＤ４２は、青色ＬＥＤ４１と比較して、発光素子の温度の上昇とともに発光素子の発光量がより低下するという点で熱特性が劣る。第１の実施形態は、セラミック基板２が、低熱伝導率の陶磁素材であるので、青色ＬＥＤ４１が発した熱がセラミック基板２を介して赤色ＬＥＤ４２へ伝導することを抑制し、赤色ＬＥＤ４２の発光効率の悪化を抑制する。

なお、図４では、青色ＬＥＤ４１及び赤色ＬＥＤ４２は、数を省略して記載している。すなわち、第１のＬＥＤ群として、複数の青色ＬＥＤ４１が、セラミック基板２の鉛直方向の上面の円周上に配置される。また、第２のＬＥＤ群として、複数の赤色ＬＥＤ４２が、セラミック基板２の鉛直方向の上面の中心付近に配置される。

複数の青色ＬＥＤ４１を含む第１のＬＥＤ群は、反射枠８により上部から被覆される。反射枠８は、セラミック基板２の鉛直方向の上面において、断面が略半円状又は略台形であって、複数の青色ＬＥＤ４１を被覆するように円環状に形成される。また、複数の赤色ＬＥＤ４２を含む第２のＬＥＤ群は、反射枠８により形成される円環の内側の面と、セラミック基板２とで形成される凹部ごと、封止樹脂層９により上部から被覆される。

反射枠８及び封止樹脂層９は、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂等の各種樹脂を部材として形成することができる。封止樹脂層９は、蛍光体を含まない、拡散性が高い透明樹脂であってもよい。反射枠８及び封止樹脂層９は、異なる種類の樹脂により形成される。そして、反射枠８の光の屈折率ｎ１、封止樹脂層９の光の屈折率ｎ２、本体３１及びカバー３３により形成される空間に封入される気体の光の屈折率ｎ３は、例えば、ｎ３＜ｎ１＜ｎ２の大小関係を有する。以下、本体３１及びカバー３３により形成される空間に封入される気体を「封入気体」と呼ぶ。封入気体は、例えば、大気である。

また、発光モジュール１は、電極接合部３４ａ−１と接続される。また、発光モジュール１は、電極接合部３４ｂ−１と接続される。

本体３１は、熱伝導性の良好な金属、例えば、アルミニウムで形成される。本体３１は、横断面が略円の円柱状をなし、一端にカバー３３が取り付けられ、他端に口金部材３２ａが取り付けられる。また、本体３１は、外周面が、一端から他端へ向かい順次径が小さくなる略円錐状のテーパー面をなすように形成される。本体３１は、外観がミニクリプトン電球におけるネック部のシルエットに近似する形状に構成される。本体３１は、外周面に、一端から他端に向かい放射状に突出する図示しない多数の放熱フィンが一体形成される。

口金部材３２ａは、例えば、エジソンタイプのＥ形口金で、ネジ山を備えた銅板製の筒状のシェル、シェルの下端の頂部に電気絶縁部を介して設けられた導電性のアイレット部３２ｂを備える。シェルの開口部が、本体３１の他端の開口部と電気的に絶縁して固定される。シェル及びアイレット部３２ｂは、制御部３４における図示しない回路基板の電力入力端子から導出された図示しない入力線が接続される。

カバー３３は、グローブを構成し、例えば、乳白色のポリカーボネートで一端に開口を備えるミニクリプトン電球のシルエットに近似させた滑らかな曲面状に形成される。カバー３３は、発光モジュール１の発光面を覆うように開口端部が本体３１に嵌め込まれて固定される。これにより、一端にカバー３３であるグローブを有し、他端にＥ形の口金部材３２ａが設けられた、全体の外観形状がミニクリプトン電球のシルエットに近似し、ミニクリプトン電球に代替が可能な口金付ランプとして、照明装置１００が構成される。なお、カバー３３を本体３１に固定する方法は、接着、嵌合、螺合、係止等、何れの方法であってもよい。

制御部３４は、セラミック基板２に実装された青色ＬＥＤ４１及び赤色ＬＥＤ４２の点灯を制御する図示しない制御回路を、外部と電気的に絶縁するように収容する。制御部３４は、電源装置とも称する。制御部３４は、制御回路による制御により、交流電圧を直流電圧に変換して青色ＬＥＤａ２に及び赤色ＬＥＤ４２へ供給する。また、制御部３４は、制御回路の出力端子に青色ＬＥＤ４１及び赤色ＬＥＤ４２へ給電するための電気配線３４ａが接続される。また、制御部３４は、制御回路の入力端子に、第２の電気配線３４ｂが接続される。電気配線３４ａ及び電気配線３４ｂは、絶縁被覆される。

電気配線３４ａは、本体３１に形成された図示しない貫通孔及び図示しないガイド溝を介して本体３１の一端の開口部に導出される。電気配線３４ａは、絶縁被覆が剥離された先端部分である電極接合部３４ａ−１が、発光モジュール１と接合される。

また、電気配線３４ｂは、本体３１に形成された図示しない貫通孔及び図示しないガイド溝を介して本体３１の一端の開口部に導出される。電気配線３４ｂは、絶縁被覆が剥離された先端部分である電極接合部３４ｂ−１が、発光モジュール１と接合される。

このようにして、制御部３４は、シェル及びアイレット部３２ｂを介して入力された電力を、電気配線３４ａを介して青色ＬＥＤ４１及び赤色ＬＥＤ４２へ供給する。そして、制御部３４は、青色ＬＥＤ４１及び赤色ＬＥＤ４２へ供給した電力を、電気配線３４ｂを介して回収する。

以上述べた少なくとも一つの実施形態の反射剤によれば、酸化物にて形成された平均粒径の異なる２種類のフィラーであってバインダーに添加されたフィラーを含むことで、
反射率の高い反射剤及び照明装置を提供することが可能となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

（実施例１〜４）
２種類の異なる平均粒径を有するＡｌ_２Ｏ_３とポリイミドとが混合された反射剤を用いて、基板（Ａｌ_２Ｏ_３セラミック）上に形成された厚みが３５μｍの反射層の透過率を測定した。なお、透過率としては、ＬＥＤ素子により照射される光の波長の一例となる４６０ｎｍにおける直線光と拡散光の透過率を測定した。また、２種類の平均粒径が異なるフィラーの混合比は、４：１（ｖｏｌ％）であり、フィラーのバインダーに対する添加量は、９０ｖｏｌ％とした。測定時には、全光線（拡散反射率＋直線透過率のトータル）反射率計を用いて測定を行った。測定は、室温下で測定面積を５ｍｍとして行った。

表１及び表２に測定結果を示す。表１は、２種類の異なる平均粒径の比ごとの測定結果を示すテーブルであり、表２は、縦軸を透過率、横軸をＤ２／Ｄｌとする表である。表１及び表２に示すように、フィラーの２種類の平均粒径を平均粒径が大きい順にＤ１、Ｄ２とした場合に、数式：０．１≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４において良好な値が得られた。また、０．１５≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足することがより好ましく、更に好ましくは、０．２≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．３を満足する場合である。

１発光モジュール
２セラミック基板
４白色レジスト層
５反射層
６発光素子
１００照明装置

Claims

バインダーと；
前記バインダーに添加された平均粒径の異なる２種類のフィラーであって、該フィラーの２種類の平均粒径を平均粒径が大きい順にＤ１、Ｄ２とした場合に、数式：０．１≦（Ｄ２／Ｄ１）≦０．４を満足するフィラーと；
を具備する発光モジュールの反射層用の反射剤。
前記Ｄ１が１００μｍ以下であるとともに、該Ｄ１が３μｍ以上であることを特徴とする請求項２に記載の反射剤。
請求項１又は２記載の反射剤と；
基板と；
前記基板上に設けられた白色レジスト層と；
前記反射剤によって前記白色レジスト層上に形成された反射層と；
前記基板上に設けられた発光素子と；
を具備することを特徴とする発光モジュール。
器具本体と；
前記器具本体に設けられた請求項３に記載の発光モジュールと；
前記発光モジュールを点灯する電源装置と；
を具備することを特徴とする照明装置。