JP5207591B2 - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の半導体装置は、上記の製造方法により得られることを特徴とする。
本方法では、半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することにより、半導体装置をシリコーン硬化物で封止する。このような金型を有する圧縮成形機としては、一般に使用されている圧縮成形機を用いることができ、半導体装置を挟持して、金型と半導体装置のキャビティに供給された硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することのできる上型と下型、これらを加圧するためのクランプ、硬化性シリコーン組成物を加熱により硬化させるためのヒーター等を備えていればよい。このような圧縮成形機としては、特開平8−244064号公報、特開平11−77733号公報、あるいは特開2000−277551号公報に記載されている圧縮成形機が例示され、特に、装置が簡単であることから、特開2000−277551号公報に記載されている圧縮成形機であることが好ましい。
(R1 3SiO1/2)a(R2 2SiO2/2)b(R3SiO3/2)c
で表されるオルガノポリシロキサンが例示される。上式中、R1、R2、およびR3は同じか、または異なり、置換もしくは非置換の一価炭化水素基またはエポキシ基含有一価有機基である。この一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示され、好ましくは、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは、メチル基、フェニル基である。また、エポキシ基含有一価有機基としては、2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基、2−(3,4−エポキシ−3−メチルシクロヘキシル)−2−メチルエチル基等のエポキシシクロアルキルアルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基が例示され、好ましくは、グリシドキシアルキル基、エポキシシクロアルキルアルキル基であり、特に好ましくは、3−グリシドキシプロピル基、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基である。
[G(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c
[E(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c
[G(CH3)2SiO1/2]a[(CH3)2SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c
[E(CH3)2SiO1/2]a[(CH3)2SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c
[GCH3SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c
[ECH3SiO2/2]b[C6H5SiO3/2]c
[G(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c'[CH3SiO3/2]c"
[E(CH3)2SiO1/2]a[C6H5SiO3/2]c'[CH3SiO3/2]c"
[C6H5SiO3/2]c'[GSiO3/2]c"
[C6H5SiO3/2]c'[ESiO3/2]c"
A−R5−(R4 2SiO)mR4 2Si−R5−A
で表されるオルガノポリシロキサンが挙げられる。上式中、R4は脂肪族不飽和結合を有さない置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のシクロアルキル基;フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基;3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基が例示され、好ましくはアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。また、上式中、R5は二価有機基であり、具体的には、エチレン基、メチルエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等のアルキレン基;エチレンオキシエチレン基、エチレンオキシプロピレン基、エチレンオキシブチレン基、プロピレンオキシプロピレン基等のアルキレンオキシアルキレン基が例示され、好ましくはアルキレン基であり、特に好ましくはエチレン基である。また、上式中、mは主鎖であるジオルガノシロキサンの重合度を表す1以上の整数であり、得られるシリコーン硬化物が良好な可撓性を有することから、mは10以上の整数であることが好ましく、その上限は限定されないが、500以下の整数であることが好ましい。
(XR4 2SiO1/2)d(SiO4/2)e
で表されるシロキサン残基である。上式中、R4は脂肪族不飽和結合を有さない置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくはアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。また、上式中、Xは単結合、水素原子、前記R1で表される基、エポキシ基含有一価有機基、またはアルコキシシリルアルキル基であり、このR 1 で表される基としては、前記と同様の基が例示され、エポキシ基含有一価有機基としては、2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基;2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等の3,4−エポキシシクロヘキシルアルキル基;4−オキシラニルブチル基、8−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基が例示され、アルコキシシリルアルキル基としては、トリメトキシシリルエチル基、トリメトキシシリルプロピル基、ジメトキシメチルシリルプロピル基、メトキシジメチルシリルプロピル基、トリエトキシシリルエチル基、トリプロポキシシリルプロピル基が例示される。但し、一分子中、少なくとも1個のXは単結合であり、この単結合を介して上記ジオルガノポリシロキサン中のR5に結合している。また、一分子中の少なくとも2個のXはエポキシ基含有一価有機基であることが必要であり、好ましくはグリシドキシアルキル基であり、特に好ましくは3−グリシドキシプロピル基である。また、上式中、dは正数であり、eは正数であり、d/eは0.2〜4の正数である。
R6 3SiO(R6 2SiO)nSiR6 3
で表されるオルガノシロキサンであることが好ましい。上式中、R6は同じか、または異なる、置換もしくは非置換の一価炭化水素基またはフェノール性水酸基含有一価有機基である。この一価炭化水素基としては、前記と同様の基が例示され、好ましくは、アルキル基、アリール基であり、特に好ましくは、メチル基、フェニル基である。また、フェノール性水酸基含有有機基としては、次のような基が例示される。なお、式中のR7は二価有機基であり、具体的には、エチレン基、メチルエチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等のアルキレン基;エチレンオキシエチレン基、エチレンオキシプロピレン基、エチレンオキシブチレン基、プロピレンオキシプロピレン基等のアルキレンオキシアルキレン基が例示され、好ましくはアルキレン基であり、特に好ましくはプロピレン基である。
本発明の半導体装置は、上記の方法により製造されることを特徴とする。このような半導体装置は、封止樹脂にボイドの混入がないので、外観不良や耐湿性の低下を招来することがない。また、本発明の半導体装置は、封止樹脂の厚さが精度良くコントロールされているので、電子機器の小型化、薄型化に対応することができる。
式:
X−CH2CH2−[(CH3)2SiO]33(CH3)2Si−CH2CH2−X
{式中、Xは、平均単位式:
[G(CH3)2SiO1/2]9[−(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6
(式中、Gは3−グリシドキシプロピル基を表す。)
で表されるシロキサン残基である。}
で表されるジメチルポリシロキサン(質量平均分子量=36,000、粘度=4,720mPa・s、エポキシ当量=360)31.0質量部、式:
硬化性シリコーン組成物の25℃における粘度を、E型粘度計(株式会社トキメック製のDIGITAL VISCOMETER DV-U-E II型)を用いて、回転数2.5rpmの条件で測定した。
硬化性シリコーン組成物を70mmHgで脱泡した後、幅10mm、長さ50mm、深さ2mmのキャビティを有する金型に充填し、150℃、2.5MPaの条件で60分間プレス硬化させた後、180℃のオーブン中で2時間2次加熱してシリコーン硬化物の試験片を作製した。この試験片をARES粘弾性測定装置(Reometric Scientific社製のRDA700)を使用し、ねじれ0.05%、振動数1Hzの条件で、25℃における複素粘弾性率を測定した。
硬化性シリコーン組成物約1cm3を、被着体{ガラス板(パルテック製のフロート板ガラス)、ニッケル板(パルテック製のSPCC−SB)、銅板(パルテック製のC1100P)、アルミニウム板(パルテック製のA1050P)、金メッキ板(日本テストパネル製のC2801P)}上に塗布し、125℃のオーブン中で2時間加熱した後、180℃のオーブン中で2時間加熱して接着性評価用試験体を作製した。これらの試験体からシリコーン硬化物をデンタルスパチュラを用いて剥がした際の剥離モードを顕微鏡下で目視により観察した。この剥離モードが、凝集破壊した場合をCF、薄皮が残った状態で界面剥離した場合をTCF、界面剥離した場合をAF、として評価した。
ポリイミド樹脂製フィルム(宇部興産株式会社製のUpilex125S、厚さ=125μm)上に金型{10mm×50mm×1mm(厚さ)}をセットし、硬化性シリコーン組成物を金型中に充填した後、テフロン(登録商標)シートで覆い、110℃で10分間プレス成型した。その後、金型からポリイミドに接着した半硬化状態のシリコーン硬化物を取り出し、180℃の熱風循環式オーブン中で2時間ポストキュアした。その後、室温まで冷却し、ポリイミド樹脂製フィルムの反りを次のようにして測定した。ポリイミド樹脂製フィルムを平らなテーブルの上に置き、長方形の距離の短い方向をテーブル上に固定し、反対側の端部2点のテーブルからの距離をノギスにより測定した。この2点の平均値を反りとした。
式:
X−CH2CH2−[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si−CH2CH2−X
{式中、Xは、平均単位式:
[G(CH3)2SiO1/2]9[−(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6
(式中、Gは3−グリシドキシプロピル基を表す。)
で表されるシロキサン残基である。}
で表されるジメチルポリシロキサン(質量平均分子量=78,000、粘度=22,000mPa・s、エポキシ当量=450)20.0質量部、ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート828、エポキシ当量=190)8.0質量部、式:
平均単位式:
X−CH2CH2−[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si−CH2CH2−X
{式中、Xは、平均単位式:
[G(CH3)2SiO1/2]9[−(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6
(式中、Gは3−グリシドキシプロピル基を表す。)
で表されるシロキサン残基である。}
で表されるジメチルポリシロキサン(質量平均分子量=78,000、粘度=22,000mPa・s、エポキシ当量=450)10.0質量部、式:
平均単位式:
X−CH2CH2−[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si−CH2CH2−X
{式中、Xは、平均単位式:
[G(CH3)2SiO1/2]9[−(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6
(式中、Gは3−グリシドキシプロピル基を表す。)
で表されるシロキサン残基である。}
で表されるジメチルポリシロキサン(質量平均分子量=78,000、粘度=22,000mPa・s、エポキシ当量=450)6.0質量部、式:
式:
X−CH2CH2−[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si−CH2CH2−X
{式中、Xは、平均単位式:
[G(CH3)2SiO1/2]9[−(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6
(式中、Gは3−グリシドキシプロピル基を表す。)
で表されるシロキサン残基である。}
で表されるジメチルポリシロキサン(質量平均分子量=78,000、粘度=22,000mPa・s、エポキシ当量=450)12.0質量部、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン1.0質量部、球状非晶質シリカ微粉末(株式会社アドマテックス製のアドマファイン、平均粒子径=1.5μm)38.0質量部、柱状晶硫酸バリウム粉末(堺化学工業株式会社製)15.0質量部、アミン系硬化促進剤を40質量%含有するビスフェノールA型エポキシ樹脂からなるカプセル型アミン系硬化促進剤(旭化成株式会社製のHX−3721)1.0質量部、鱗片状ガラス粉末(日本板硝子株式会社製、平均粒子径=15μm)8.0質量部、式:
平均単位式:
X−CH2CH2−[(CH3)2SiO]85(CH3)2Si−CH2CH2−X
{式中、Xは、平均単位式:
[G(CH3)2SiO1/2]9[−(CH3)2SiO1/2]1[SiO4/2]6
(式中、Gは3−グリシドキシプロピル基を表す。)
で表されるシロキサン残基である。}
で表されるジメチルポリシロキサン(質量平均分子量=78,000、粘度=22,000mPa・s、エポキシ当量=450)5.0質量部、式:
ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン株式会社製のエピコート828、エポキシ当量=190)27.0質量部、液状のメチルヘキサヒドロ無水フタル酸(日立化成工業株式会社製のHN−5500)11.0質量部、アミン系硬化促進剤を40質量%含有するビスフェノールA型エポキシ樹脂からなるカプセル型アミン系硬化促進剤(旭化成株式会社製のHX−3088)1.0質量部、球状非晶質シリカ微粉末(株式会社アドマテックス製のアドマファイン、平均粒子径=1.5μm)60.0質量部、および3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン1質量部を混合して硬化性エポキシ樹脂組成物を調製した。この硬化性エポキシ樹脂組成物およびエポキシ樹脂硬化物の特性を参考例1と同様に評価し、その結果を表1に示した。
分子鎖両末端がジメチルビニルシリル基で封鎖されたジメチルポリシロキサン(粘度=2,000mPa・s)85.3質量部、分子鎖両末端がトリメチルシリル基で封鎖されたメチルハイドロジェンポリシロキサン(粘度=50mPa・s)1.3質量部、白金の13−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(本組成物中の白金金属の含有量が質量単位で5ppmとなる量)、および乾式シリカ微粉末(平均一次粒子径=7〜16nm)12.3質量部を混合して硬化性シリコーン組成物を調製した。この硬化性シリコーン組成物およびシリコーン硬化物の特性について、硬化性シリコーン組成物の粘度を回転数20rpmで測定した以外は参考例1と同様に評価し、その結果を表1に示した。
本実施例において、図3で示した半導体装置を作製した。すなわち、70mm×160mmサイズのBT樹脂製回路基板(厚さ200μmのBT樹脂フィルムの片面に、厚さ17μmのエポキシ樹脂製接着剤層を介して厚さ18μmの銅箔が積層されており、この銅箔により回路パターンが形成され、この回路パターンのワイヤボンディングするための部分を除き、回路基板の表面は感光性ソルダーマスクにより被覆されている。)に厚さ35μmのエポキシ樹脂製ダイボンド剤層を介して10mm×10mmサイズの半導体チップを接合した。次に、この半導体チップのバンプと回路パターンとを電気的に接続するため金製ボンディングワイヤによりワイヤボンディングした。この回路基板には、合わせて27個の半導体チップが9個ずつ3ブロックに分けて実装されており、それぞれ回路パターンにワイヤーボンディングされている。
シリコーン硬化物で封止した半導体装置について、中心部の厚みと外周部の厚みの差が5%未満である場合を○、5%以上、10%未満である場合を△、10%以上である場合を×、として評価した。
半導体装置を個片に切断する前の、シリコーン硬化物で封止した回路基板の長辺側を固定した時の他端長辺側の高さを測定し、これを反りとして示した。
シリコーン硬化物の表面をポリプロピレン樹脂製へらで擦り、表面が白く傷ついた場合を×、薄く白くなる場合を△、白くならない場合を○、として評価した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例2で調製した硬化性シリコーン組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例3で調製した硬化性シリコーン組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例4で調製した硬化性シリコーン組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例5で調製した硬化性シリコーン組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例6で調製した硬化性シリコーン組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例7で調製した硬化性エポキシ樹脂組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
実施例1において、参考例1で調製した硬化性シリコーン組成物の代わりに参考例8で調製した硬化性シリコーン組成物を用いた以外は実施例1と同様にして半導体装置を作製した。この半導体装置の特性を実施例1と同様に評価し、その結果を表2に示した。
12 回路基板
14 シリコーン硬化物
16 半導体装置
20 固定プラテン
22 下型ベース
23 下型
24 ヒータ
26 下クランプストッパ
30 可動プラテン
32 上型ベース
33 上型ホルダ
34 上型
34a キャビティ凹部
36 クランパ
36a、36b エア孔
37 スプリング
38 ヒータ
39 上クランプストッパ
40a、40b 剥離性フィルム
42a、42b 供給ロール
44a、44b 巻取りロール
46 ガイドローラ
48 静電除去装置
50 硬化性シリコーン組成物
Claims (13)
- 半導体装置を金型中に載置して、該金型と該半導体装置との間に供給した硬化性シリコーン組成物を圧縮成形することによりシリコーン硬化物で封止した半導体装置を製造する方法であって、前記硬化性シリコーン組成物が、(A)エポキシ基含有シリコーンと(B)エポキシ樹脂用硬化剤から少なくともなり、前記(A)成分が、(A 1 )平均単位式:
(R 1 3 SiO 1/2 ) a (R 2 2 SiO 2/2 ) b (R 3 SiO 3/2 ) c
{式中、R 1 、R 2 、およびR 3 は同じか、または異なる、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、またはハロゲン置換アルキル基から選ばれる置換もしくは非置換の一価炭化水素基、またはグリシドキシアルキル基、エポキシシクロアルキルアルキル基、またはオキシラニルアルキル基から選ばれるエポキシ基含有一価有機基(但し、R 3 の20モル%以上はアリール基)であり、a、b、およびcはそれぞれ、0≦a≦0.8、0≦b≦0.8、0.2≦c≦0.9、かつa+b+c=1を満たす数である。}
で表され、一分子中に少なくとも2個の前記エポキシ基含有一価有機基を有するオルガノポリシロキサンおよび(A 2 )一般式:
A−R 5 −(R 4 2 SiO) m R 4 2 Si−R 5 −A
{式中、R 4 はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、またはハロゲン化アルキル基から選ばれる脂肪族不飽和結合を有さない置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、R 5 はアルキレン基またはアルキレンオキシアルキレン基であり、Aは平均単位式:
(XR 4 2 SiO 1/2 ) d (SiO 4/2 ) e
(式中、R 4 は前記と同じであり、Xは単結合、水素原子、前記R 4 で表される基、グリシドキシアルキル基、エポキシシクロアルキルアルキル基、またはオキシラニルアルキル基から選ばれるエポキシ基含有一価有機基、またはアルコキシシリルアルキル基であり、但し、一分子中、少なくとも1個のXは単結合であり、少なくとも2個のXは前記エポキシ基含有一価有機基であり、dは正数であり、eは正数であり、d/eは0.2〜4の正数である。)
で表されるシロキサン残基であり、mは1以上の整数である。}
で表されるジオルガノシロキサンの混合物、または前記(A 2 )成分のジオルガノポリシロキサンであり、前記(B)成分が、一般式:
R 6 3 SiO(R 6 2 SiO) n SiR 6 3
{式中、R 6 はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、またはハロゲン置換アルキル基から選ばれる置換もしくは非置換の一価炭化水素基、または次の一般式:
から選ばれるフェノール性水酸基含有一価有機基(但し、一分子中、少なくとも2個のR 6 は前記フェノール性水酸基含有一価有機基)であり、nは0〜1,000の整数である。}
で表されオルガノシロキサンであることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - (A 1 )成分と(A 2 )成分の混合物中、(A 2 )成分の含有量が(A 1 )成分100質量部に対して0.1〜800質量部であることを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
- (B)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して0.1〜500質量部であることを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
- 硬化性シリコーン組成物が、さらに、(C)硬化促進剤を含有することを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
- (C)成分がカプセル型アミン系硬化促進剤であることを特徴とする、請求項4記載の製造方法。
- (C)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して50質量部以下であることを特徴とする、請求項4記載の製造方法。
- 硬化性シリコーン組成物が、さらに、(D)充填剤を含有することを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
- (D)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して2,000質量部以下であることを特徴とする、請求項7記載の製造方法。
- 硬化性シリコーン組成物が、さらに、(E)有機エポキシ化合物を含有することを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
- (E)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して500質量部以下であることを特徴とする、請求項9記載の製造方法。
- 硬化性シリコーン組成物が、さらに、(F)カップリング剤を含有することを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
- (F)成分の含有量が、(A)成分100質量部に対して10質量部以下であることを特徴とする、請求項11記載の製造方法。
- シリコーン硬化物の複素弾性率が2GPa以下であることを特徴とする、請求項1記載の製造方法。
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