JP2904192B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法では、半導
体素子の能動回路を形成する拡散工程を終了したウェハ
は、半導体素子の能動回路を形成していない裏面を研削
する裏面研削を行い、その後、電気的特性測定工程を経
て組立工程に投入される。
体素子の能動回路を形成する拡散工程を終了したウェハ
は、半導体素子の能動回路を形成していない裏面を研削
する裏面研削を行い、その後、電気的特性測定工程を経
て組立工程に投入される。
【０００３】組立工程の流れは、ウェハを各半導体素子
に分割するペレッタイズ工程、リードフレームに接着剤
を介して半導体素子を接着するダイアタッチ工程、半導
体素子上の電極とリードフレーム上のリードとを接合す
るボンディング工程、半導体素子の樹脂封止を行う樹脂
封止工程、樹脂封止後に後樹脂を完全に硬化させるエー
ジング工程、樹脂封止後の半導体半製品の外部リードめ
っき工程、外部リード加工工程、半導体半製品の電気的
特性を測定する選別工程の順となっている。
に分割するペレッタイズ工程、リードフレームに接着剤
を介して半導体素子を接着するダイアタッチ工程、半導
体素子上の電極とリードフレーム上のリードとを接合す
るボンディング工程、半導体素子の樹脂封止を行う樹脂
封止工程、樹脂封止後に後樹脂を完全に硬化させるエー
ジング工程、樹脂封止後の半導体半製品の外部リードめ
っき工程、外部リード加工工程、半導体半製品の電気的
特性を測定する選別工程の順となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
素子の能動回路を形成した面にリードフレームを接着し
た後に樹脂封止を行う半導体装置にあっては、ウェハの
半導体素子の能動回路を形成していない裏面（以下、単
に半導体素子の裏面とする）を研削する裏面研削工程後
から樹脂封止工程に至るまでに、半導体素子裏面が洗浄
されることはなく、各工程の途中でウェハ裏面または半
導体素子裏面へ付着した物質がその後樹脂封止工程にお
いても付着したまま樹脂封止されて残留付着物となる場
合があった。
素子の能動回路を形成した面にリードフレームを接着し
た後に樹脂封止を行う半導体装置にあっては、ウェハの
半導体素子の能動回路を形成していない裏面（以下、単
に半導体素子の裏面とする）を研削する裏面研削工程後
から樹脂封止工程に至るまでに、半導体素子裏面が洗浄
されることはなく、各工程の途中でウェハ裏面または半
導体素子裏面へ付着した物質がその後樹脂封止工程にお
いても付着したまま樹脂封止されて残留付着物となる場
合があった。
【０００５】かかる残留付着物は、一般にエポキシ系の
封止樹脂とは接着性が悪い油脂成分である場合が多く、
この油脂成分は、特に半導体素子加熱後に接着性の低下
を生じる傾向が強くなり、また、半導体装置の吸湿時に
おいても、この油脂成分の介在により半導体素子と封止
樹脂界面との密着強度は著しく低下する。
封止樹脂とは接着性が悪い油脂成分である場合が多く、
この油脂成分は、特に半導体素子加熱後に接着性の低下
を生じる傾向が強くなり、また、半導体装置の吸湿時に
おいても、この油脂成分の介在により半導体素子と封止
樹脂界面との密着強度は著しく低下する。
【０００６】このため、従来の半導体装置の製造方法
は、かかる残留付着物が原因となって、樹脂封止後に半
導体素子裏面と封止樹脂との界面が剥離してしまう可能
性を有していた。この剥離は実装時に半導体装置表面に
亀裂を引き起こす可能性が極めて高い為、信頼性に関わ
る問題となっている。
は、かかる残留付着物が原因となって、樹脂封止後に半
導体素子裏面と封止樹脂との界面が剥離してしまう可能
性を有していた。この剥離は実装時に半導体装置表面に
亀裂を引き起こす可能性が極めて高い為、信頼性に関わ
る問題となっている。
【０００７】また、上記従来例にあっては、ダイアタッ
チ工程に前後して封止工程に至るまでの間にリードフレ
ームの洗浄が行われることはなく、リードフレームの表
面に油脂系の残留物質が付着している場合もあり、上述
の半導体素子の裏面の場合と同様にして、この残留付着
物が原因となってリードフレーム及び封止樹脂界面に剥
離が生じる可能性があった。
チ工程に前後して封止工程に至るまでの間にリードフレ
ームの洗浄が行われることはなく、リードフレームの表
面に油脂系の残留物質が付着している場合もあり、上述
の半導体素子の裏面の場合と同様にして、この残留付着
物が原因となってリードフレーム及び封止樹脂界面に剥
離が生じる可能性があった。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、かかる従来例の有する不都合
を改善し、半導体素子の裏面又はリードフレームと、封
止樹脂間における剥離を防止し半導体装置の信頼性の向
上を図ることを、その目的とする。
を改善し、半導体素子の裏面又はリードフレームと、封
止樹脂間における剥離を防止し半導体装置の信頼性の向
上を図ることを、その目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体素子の
能動回路が形成された面に対してリードフレームを接着
するダイアタッチ工程と、リードフレームが接着された
半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程とを備えた半導
体装置の製造方法において、ダイアタッチ工程と樹脂封
止工程との間に、半導体素子の能動回路形成面の反対側
の面を洗浄する素子裏面洗浄工程を設ける構成を採って
いる。
能動回路が形成された面に対してリードフレームを接着
するダイアタッチ工程と、リードフレームが接着された
半導体素子を樹脂封止する樹脂封止工程とを備えた半導
体装置の製造方法において、ダイアタッチ工程と樹脂封
止工程との間に、半導体素子の能動回路形成面の反対側
の面を洗浄する素子裏面洗浄工程を設ける構成を採って
いる。
【００１０】半導体素子裏面への残留付着物は、ダイア
タッチ工程より樹脂封止工程までの聞に最も多くなる
が、その間に、素子裏面洗浄工程を設け、かかる残留付
着物の除去が行われる。
タッチ工程より樹脂封止工程までの聞に最も多くなる
が、その間に、素子裏面洗浄工程を設け、かかる残留付
着物の除去が行われる。
【００１１】また、上述の半導体装置がリードオンチッ
プ構造を採ると共に、ダイアタッチ工程が、能動回路が
形成された面を上方に向けた半導体素子に対して上方か
らテープ状の接着層を介してリードフレームを接着する
手法を採る構成としても良い。
プ構造を採ると共に、ダイアタッチ工程が、能動回路が
形成された面を上方に向けた半導体素子に対して上方か
らテープ状の接着層を介してリードフレームを接着する
手法を採る構成としても良い。
【００１２】さらに、上記の構成にあっては、素子裏面
洗浄工程を樹脂封止工程の直前とすることが望ましい。
洗浄工程を樹脂封止工程の直前とすることが望ましい。
【００１３】また、素子裏面洗浄工程は、プラズマ洗浄
又は紫外線洗浄により行っても良く、或いは、有機溶
剤，純水，中性洗剤，酸，塩基又は高圧エアーを用いて
行っても良い。
又は紫外線洗浄により行っても良く、或いは、有機溶
剤，純水，中性洗剤，酸，塩基又は高圧エアーを用いて
行っても良い。
【００１４】さらに、上記の構成に加えて、ダイアタッ
チ工程と樹脂封止工程との間，或いはダイアタッチ工程
に前後して、リードフレームを洗浄するリードフレーム
洗浄工程を設けても良い。
チ工程と樹脂封止工程との間，或いはダイアタッチ工程
に前後して、リードフレームを洗浄するリードフレーム
洗浄工程を設けても良い。
【００１５】その場合、リードフレーム洗浄工程は、ヘ
キサン，エチルエーテル，トルエン，キシレン又はガソ
リン等の有機溶剤を用いて行っても良い。
キサン，エチルエーテル，トルエン，キシレン又はガソ
リン等の有機溶剤を用いて行っても良い。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１乃至図
４に基づいて説明する。
４に基づいて説明する。
【００１７】本実施形態は、半導体素子１２の能動回路
が形成された面１２ａ上に接着層を介してリードフレー
ム１３を接着するダイアタッチ工程６と、リードフレー
ム１３が接着された半導体素子１２を樹脂封止する樹脂
封止工程９を備えたリードオンチップ（ＬＯＣ）構造の
半導体装置１１の製造方法１０を示している。
が形成された面１２ａ上に接着層を介してリードフレー
ム１３を接着するダイアタッチ工程６と、リードフレー
ム１３が接着された半導体素子１２を樹脂封止する樹脂
封止工程９を備えたリードオンチップ（ＬＯＣ）構造の
半導体装置１１の製造方法１０を示している。
【００１８】ここで、ＬＯＣ構造とは、ダイアタッチ工
程６が、能動回路が形成された面１２ａを上方に向けた
半導体素子１２に対して上方からテープ状の接着層を介
してリードフレーム１３を接着する手法を採ることによ
り形成される半導体装置１１の一構造をいう。
程６が、能動回路が形成された面１２ａを上方に向けた
半導体素子１２に対して上方からテープ状の接着層を介
してリードフレーム１３を接着する手法を採ることによ
り形成される半導体装置１１の一構造をいう。
【００１９】半導体装置の製造方法１０を図１に基づい
てさらに詳説すると、まず、半導体素子１２を構成する
シリコンウェハ１７（図４）に能動回路の回路パターン
を露光し且つそれを現像した後エッチングを行ってさら
に不純物拡散を行うことによりウェハ１７の片面上に能
動回路を無数に形成するウェハ処理工程１があり、その
後、ウェハ１７の能動回路を形成していない反対側の面
（背面）を研削して半導体素子１２の厚さとする背面研
削工程２を経て、電気的特性測定工程３を介して、さら
に、ウェハ１７は、ペレッタイズ工程４により各半導体
素子単位に分割される。
てさらに詳説すると、まず、半導体素子１２を構成する
シリコンウェハ１７（図４）に能動回路の回路パターン
を露光し且つそれを現像した後エッチングを行ってさら
に不純物拡散を行うことによりウェハ１７の片面上に能
動回路を無数に形成するウェハ処理工程１があり、その
後、ウェハ１７の能動回路を形成していない反対側の面
（背面）を研削して半導体素子１２の厚さとする背面研
削工程２を経て、電気的特性測定工程３を介して、さら
に、ウェハ１７は、ペレッタイズ工程４により各半導体
素子単位に分割される。
【００２０】一方、リードフレーム１３は、図２（Ｂ）
に示すように、その表面全体について、後述する封止樹
脂１４との密着を妨げる油脂成分等からなる残留付着物
１５の洗浄が行われる。かかるリードフレーム洗浄工程
５の直後に、ダイアタッチ工程６により、当該リードフ
レーム１３はテープ状の接着層を介して、能動回路面１
２ａを上面に向けた状態の半導体素子１２に対して上方
から接着される。
に示すように、その表面全体について、後述する封止樹
脂１４との密着を妨げる油脂成分等からなる残留付着物
１５の洗浄が行われる。かかるリードフレーム洗浄工程
５の直後に、ダイアタッチ工程６により、当該リードフ
レーム１３はテープ状の接着層を介して、能動回路面１
２ａを上面に向けた状態の半導体素子１２に対して上方
から接着される。
【００２１】ダイアタッチ工程６により互いに接着され
た後、半導体素子１２上の能動回路の電極とリードフレ
ーム１３のリードとは、ボンディング工程７により、互
いに接合される。
た後、半導体素子１２上の能動回路の電極とリードフレ
ーム１３のリードとは、ボンディング工程７により、互
いに接合される。
【００２２】そしてその後、半導体素子１２の能動回路
が形成されていない方の面（以下，裏面と称する）１２
ｂが、図２（Ａ）に示す如く洗浄が行われる。このと
き、半導体素子１２の裏面１２ｂ以外の部分は、洗浄が
行われないように、マスキングをしても良く、また或い
は、リードフレーム１３も同時に洗浄を行っても良い。
なお、リードフレーム１３の洗浄を同時に行う場合に
は、前述したダイアタッチ工程６の直前でのリードフレ
ーム１３の洗浄は行う必要がなくなり、作業効率の向上
となる。
が形成されていない方の面（以下，裏面と称する）１２
ｂが、図２（Ａ）に示す如く洗浄が行われる。このと
き、半導体素子１２の裏面１２ｂ以外の部分は、洗浄が
行われないように、マスキングをしても良く、また或い
は、リードフレーム１３も同時に洗浄を行っても良い。
なお、リードフレーム１３の洗浄を同時に行う場合に
は、前述したダイアタッチ工程６の直前でのリードフレ
ーム１３の洗浄は行う必要がなくなり、作業効率の向上
となる。
【００２３】素子裏面洗浄工程８の後は、図３に示すよ
うに、樹脂封止工程９により、半導体素子１２及びリー
ドフレーム１３の内側領域が封止樹脂１４で封止されて
外部から遮蔽される。そして、この樹脂封止工程９の後
には、図示しない、樹脂を完全に硬化させるエージング
工程，樹脂封止後の半導体半製品の外部リードめっき工
程，外部リード加工工程，半導体半製品の電気的特性を
測定する選別工程を経て半導体装置１１が完成する。
うに、樹脂封止工程９により、半導体素子１２及びリー
ドフレーム１３の内側領域が封止樹脂１４で封止されて
外部から遮蔽される。そして、この樹脂封止工程９の後
には、図示しない、樹脂を完全に硬化させるエージング
工程，樹脂封止後の半導体半製品の外部リードめっき工
程，外部リード加工工程，半導体半製品の電気的特性を
測定する選別工程を経て半導体装置１１が完成する。
【００２４】本実施形態では、半導体素子１２の裏面１
２ｂを洗浄する素子裏面洗浄工程８を、樹脂封止工程９
の直前に行うため、半導体素子１２に残留付着物１５が
生じ易いダイアタッチ工程６から樹脂封止工程９の間に
おいて生じる当該残留付着物１５が半導体素子１２の裏
面１２ｂから除去され、その後に行われる樹脂封止工程
９において、封止樹脂１４が半導体素子１２の裏面１２
ｂに良好に密着する。このため、樹脂封止後における半
導体素子１２の裏面１２ｂからの封止樹脂１４の剥離が
防止され、同時に封止樹脂１４の亀裂の発生を有効に防
止し、半導体装置１１の信頼性の向上を図ることが可能
である。
２ｂを洗浄する素子裏面洗浄工程８を、樹脂封止工程９
の直前に行うため、半導体素子１２に残留付着物１５が
生じ易いダイアタッチ工程６から樹脂封止工程９の間に
おいて生じる当該残留付着物１５が半導体素子１２の裏
面１２ｂから除去され、その後に行われる樹脂封止工程
９において、封止樹脂１４が半導体素子１２の裏面１２
ｂに良好に密着する。このため、樹脂封止後における半
導体素子１２の裏面１２ｂからの封止樹脂１４の剥離が
防止され、同時に封止樹脂１４の亀裂の発生を有効に防
止し、半導体装置１１の信頼性の向上を図ることが可能
である。
【００２５】特に、本実施形態では、ＬＯＣ構造の半導
体装置１１について、上記の手法を採っているため、当
該残留付着物の発生を生じ易いＬＯＣ構造の半導体装置
１１について、より効果的に封止樹脂１４の剥離及び亀
裂の発生を防止し、信頼性の向上が図られている。
体装置１１について、上記の手法を採っているため、当
該残留付着物の発生を生じ易いＬＯＣ構造の半導体装置
１１について、より効果的に封止樹脂１４の剥離及び亀
裂の発生を防止し、信頼性の向上が図られている。
【００２６】また、リードフレーム洗浄工程５をダイア
タッチ工程６の前に設けているため、少なくともダイア
タッチ工程６以前に付着した油脂成分等の残留付着物が
リードフレーム１３から除去され、その後に行われる樹
脂封止工程９において、封止樹脂１４がリードフレーム
１３に良好に密着する。このため、樹脂封止後における
リードフレーム１３からの封止樹脂１４の剥離が防止さ
れ、同時に封止樹脂１４の亀裂の発生を有効に防止し、
より半導体装置１１の信頼性の向上を図ることが可能で
ある。
タッチ工程６の前に設けているため、少なくともダイア
タッチ工程６以前に付着した油脂成分等の残留付着物が
リードフレーム１３から除去され、その後に行われる樹
脂封止工程９において、封止樹脂１４がリードフレーム
１３に良好に密着する。このため、樹脂封止後における
リードフレーム１３からの封止樹脂１４の剥離が防止さ
れ、同時に封止樹脂１４の亀裂の発生を有効に防止し、
より半導体装置１１の信頼性の向上を図ることが可能で
ある。
【００２７】なお、上述の素子裏面洗浄工程８は、ダイ
アタッチ工程６と樹脂封止工程９の間であれば、いつ行
っても良い。また、前述のリードフレーム洗浄工程５
は、ダイアタッチ工程６の直前よりもさらに早期に行っ
ても良いが、ダイアタッチ工程６と樹脂封止工程９の間
で特に樹脂封止工程９の直前に、素子裏面洗浄工程８と
同時に行うことが望ましい。即ち、それにより、樹脂封
止工程９までに残留付着物１５が付着する可能性を最も
低減させることが可能となると共に素子裏面洗浄工程８
とリードフレーム洗浄工程５の二つの工程が同時に行わ
れるため、作業能率の向上を図ることが可能となる。
アタッチ工程６と樹脂封止工程９の間であれば、いつ行
っても良い。また、前述のリードフレーム洗浄工程５
は、ダイアタッチ工程６の直前よりもさらに早期に行っ
ても良いが、ダイアタッチ工程６と樹脂封止工程９の間
で特に樹脂封止工程９の直前に、素子裏面洗浄工程８と
同時に行うことが望ましい。即ち、それにより、樹脂封
止工程９までに残留付着物１５が付着する可能性を最も
低減させることが可能となると共に素子裏面洗浄工程８
とリードフレーム洗浄工程５の二つの工程が同時に行わ
れるため、作業能率の向上を図ることが可能となる。
【００２８】尚、各洗浄工程５，８における洗浄の手法
としては、プラズマ洗浄、紫外線洗浄、有機溶剤による
洗浄、純水による洗浄、中性洗剤による洗浄、酸または
塩基による洗浄、高圧エアーによる洗浄等が挙げられ
る。ここで、上記紫外線洗浄における紫外線とは、短波
長の可視光から紫外光にまたがる範囲の光をいう。ま
た、各洗浄工程においては、上述した手段を複数組み合
わせて行っても良い。
としては、プラズマ洗浄、紫外線洗浄、有機溶剤による
洗浄、純水による洗浄、中性洗剤による洗浄、酸または
塩基による洗浄、高圧エアーによる洗浄等が挙げられ
る。ここで、上記紫外線洗浄における紫外線とは、短波
長の可視光から紫外光にまたがる範囲の光をいう。ま
た、各洗浄工程においては、上述した手段を複数組み合
わせて行っても良い。
【００２９】また、図５に示すように、ＬＯＣ構造を採
らない通常の手法（例えば、リードフレーム１３の上方
から能動回路面を下方に向けて半導体素子１２を接着す
る手法）により製造される半導体装置１１Ａの製造方法
についても、上述の場合と同様にリードフレーム洗浄工
程５及び素子裏面洗浄工程８を設けても良い。
らない通常の手法（例えば、リードフレーム１３の上方
から能動回路面を下方に向けて半導体素子１２を接着す
る手法）により製造される半導体装置１１Ａの製造方法
についても、上述の場合と同様にリードフレーム洗浄工
程５及び素子裏面洗浄工程８を設けても良い。
【００３０】
（第１実施例）次に、本発明の第１実施例について図６
乃至図８を参照して詳細に説明する。この第１実施例で
は、リードフレーム洗浄工程５を樹素封止工程９の直前
に設け、素子裏面洗浄工程８と同時に行う場合を示して
いる（参照図１）。即ち、ダイアタッチ工程６後から樹
脂封止工程９前においては、半導体素子１２の能動回路
を形成していない裏面１２ｂ及びリードフレーム１３の
外面には、封止樹脂１４と半導体素子１２またはリード
フレーム１３との界面の接着を妨げる油脂成分等の残留
付着物１５が付着している。
乃至図８を参照して詳細に説明する。この第１実施例で
は、リードフレーム洗浄工程５を樹素封止工程９の直前
に設け、素子裏面洗浄工程８と同時に行う場合を示して
いる（参照図１）。即ち、ダイアタッチ工程６後から樹
脂封止工程９前においては、半導体素子１２の能動回路
を形成していない裏面１２ｂ及びリードフレーム１３の
外面には、封止樹脂１４と半導体素子１２またはリード
フレーム１３との界面の接着を妨げる油脂成分等の残留
付着物１５が付着している。
【００３１】上述の状態から図６に示すように、ダイア
タッチ工程６後の半導体装置１２及びリードフレーム１
３に、半導体素子１２の裏面１２ｂに付着している残留
付着物１５に、プラズマ１８Ａ（或いは紫外線でも良
い）を照射して当該残留付着物１５を除去する（リード
フレーム洗浄工程５又は素子裏面洗浄工程８）。
タッチ工程６後の半導体装置１２及びリードフレーム１
３に、半導体素子１２の裏面１２ｂに付着している残留
付着物１５に、プラズマ１８Ａ（或いは紫外線でも良
い）を照射して当該残留付着物１５を除去する（リード
フレーム洗浄工程５又は素子裏面洗浄工程８）。
【００３２】また、図７に示すように、リードフレーム
洗浄工程５，又は素子裏面洗浄工程８において、有機溶
剤１８Ｂ（中性洗剤，酸またはアルカリ）を半導体素子
２の裏面に吹き付け（図７（Ａ））、その後、純水１８
Ｃを高速で吹き付け（図７（Ｂ））、しかる後に乾燥さ
せる方法を採っても良い。
洗浄工程５，又は素子裏面洗浄工程８において、有機溶
剤１８Ｂ（中性洗剤，酸またはアルカリ）を半導体素子
２の裏面に吹き付け（図７（Ａ））、その後、純水１８
Ｃを高速で吹き付け（図７（Ｂ））、しかる後に乾燥さ
せる方法を採っても良い。
【００３３】さらに、図８に示すように、リードフレー
ム洗浄工程５又は素子裏面洗浄工程８において、半導体
素子１２の裏面１２ｂ又はリードフレーム１３に対し、
高圧エアー１８Ｄを吹き付け残留付着物を除去しても良
い。
ム洗浄工程５又は素子裏面洗浄工程８において、半導体
素子１２の裏面１２ｂ又はリードフレーム１３に対し、
高圧エアー１８Ｄを吹き付け残留付着物を除去しても良
い。
【００３４】（第２実施例）次に、本発明の第２実施例
について図９を参照して詳細に説明する。この第２実施
例では、前述の実施形態と同様に、リードフレーム洗浄
工程５をダイアタッチ工程６の直前に設けた場合を示し
ている（参照図１）。即ち、かかるリードフレーム洗浄
工程５おいては、リードフレーム１３の外面には、封止
樹脂１４とリードフレーム１３との界面の接着を妨げる
油脂成分等の残留付着物１５が付着している。
について図９を参照して詳細に説明する。この第２実施
例では、前述の実施形態と同様に、リードフレーム洗浄
工程５をダイアタッチ工程６の直前に設けた場合を示し
ている（参照図１）。即ち、かかるリードフレーム洗浄
工程５おいては、リードフレーム１３の外面には、封止
樹脂１４とリードフレーム１３との界面の接着を妨げる
油脂成分等の残留付着物１５が付着している。
【００３５】図９を参照すると、リードフレーム洗浄工
程５において、リードフレーム１３にヘキサン，エチル
エーテル，トルエン，キシレン又はガソリンのいずれか
の有機溶剤１９を吹き付けて残留付着物１５を除去し洗
浄する（図９（Ａ））。
程５において、リードフレーム１３にヘキサン，エチル
エーテル，トルエン，キシレン又はガソリンのいずれか
の有機溶剤１９を吹き付けて残留付着物１５を除去し洗
浄する（図９（Ａ））。
【００３６】また、図９（Ｂ）に示すように、リードフ
レーム洗浄工程５において、拭取による洗浄を行っても
良い。この場合、洗浄剤１９をしみ込ませたリードフレ
ーム拭取用脱脂綿１９Ａでリードフレーム１３の外面を
拭き、残留付着物１５を除去する。
レーム洗浄工程５において、拭取による洗浄を行っても
良い。この場合、洗浄剤１９をしみ込ませたリードフレ
ーム拭取用脱脂綿１９Ａでリードフレーム１３の外面を
拭き、残留付着物１５を除去する。
【００３７】さらにまた、図９（Ｃ）に示すように、リ
ードフレーム洗浄工程５において、浸漬による洗浄を行
っても良い。この場合、容器１９Ｂに入れた有機溶剤１
９中にリードフレーム１３を浸し、その後リードフレー
ム１３を乾燥させて残留付着物１５を除去する。
ードフレーム洗浄工程５において、浸漬による洗浄を行
っても良い。この場合、容器１９Ｂに入れた有機溶剤１
９中にリードフレーム１３を浸し、その後リードフレー
ム１３を乾燥させて残留付着物１５を除去する。
【００３８】
【発明の効果】本発明は、半導体素子の裏面を洗浄する
素子裏面洗浄工程を、付着物の発生が生じ易いダイアタ
ッチ工程と樹脂封止工程との間に設けたため、少なくと
もダイアタッチ工程時及びそれ以前に付着した油脂成分
等の残留付着物が半導体素子の裏面から除去され、その
後に行われる樹脂封止工程において、封止樹脂が半導体
素子の裏面に良好に密着する。このため、樹脂封止後に
おける半導体素子の裏面からの封止樹脂の剥離が防止さ
れ、同時に封止樹脂の亀裂の発生を有効に防止し、半導
体装置の信頼性の向上を図ることが可能である。
素子裏面洗浄工程を、付着物の発生が生じ易いダイアタ
ッチ工程と樹脂封止工程との間に設けたため、少なくと
もダイアタッチ工程時及びそれ以前に付着した油脂成分
等の残留付着物が半導体素子の裏面から除去され、その
後に行われる樹脂封止工程において、封止樹脂が半導体
素子の裏面に良好に密着する。このため、樹脂封止後に
おける半導体素子の裏面からの封止樹脂の剥離が防止さ
れ、同時に封止樹脂の亀裂の発生を有効に防止し、半導
体装置の信頼性の向上を図ることが可能である。
【００３９】特に、リードオンチップ構造の半導体につ
いては、能動回路面を上方に向けて載置するため、裏面
に付着物の発生が生じ易く、かかる場合に、より有効に
封止樹脂の剥離及び亀裂の発生を防止し、高い信頼性を
得ることが可能となる。
いては、能動回路面を上方に向けて載置するため、裏面
に付着物の発生が生じ易く、かかる場合に、より有効に
封止樹脂の剥離及び亀裂の発生を防止し、高い信頼性を
得ることが可能となる。
【００４０】また、素子裏面洗浄工程を、樹素封止工程
の直前とした場合には、洗浄後，樹脂封止までの間に生
じる付着物を防止することができ、より有効に封止樹脂
の剥離及び亀裂の発生が防止され、さらなる半導体装置
の信頼性の向上を図ることが可能である。
の直前とした場合には、洗浄後，樹脂封止までの間に生
じる付着物を防止することができ、より有効に封止樹脂
の剥離及び亀裂の発生が防止され、さらなる半導体装置
の信頼性の向上を図ることが可能である。
【００４１】さらに、リードフレーム洗浄工程を樹脂封
止工程の前に設けた場合、リードフレームの表面の油脂
成分等の残留付着物がリードフレームから除去され、そ
の後に行われる樹脂封止工程において、封止樹脂がリー
ドフレームに良好に密着する。このため、樹脂封止後に
おけるリードフレームからの封止樹脂の剥離が防止さ
れ、同時に封止樹脂の亀裂の発生を有効に防止し、より
半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能である。
止工程の前に設けた場合、リードフレームの表面の油脂
成分等の残留付着物がリードフレームから除去され、そ
の後に行われる樹脂封止工程において、封止樹脂がリー
ドフレームに良好に密着する。このため、樹脂封止後に
おけるリードフレームからの封止樹脂の剥離が防止さ
れ、同時に封止樹脂の亀裂の発生を有効に防止し、より
半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能である。
【００４２】ここで、リードフレーム洗浄工程を付着物
の生じ易いダイアタッチ工程と樹脂封止工程との間に設
けた場合、ダイアタッチ工程時及びそれ以前に付着した
油脂成分等の残留付着物がリードフレームから除去され
るため、より有効に封止樹脂の剥離及び亀裂の発生が防
止され、さらなる半導体装置の信頼性の向上を図ること
が可能である。
の生じ易いダイアタッチ工程と樹脂封止工程との間に設
けた場合、ダイアタッチ工程時及びそれ以前に付着した
油脂成分等の残留付着物がリードフレームから除去され
るため、より有効に封止樹脂の剥離及び亀裂の発生が防
止され、さらなる半導体装置の信頼性の向上を図ること
が可能である。
【００４３】本発明は、以上のように構成され機能する
ので、これにより従来にない優れた半導体装置の製造方
法を提供することが可能である。
ので、これにより従来にない優れた半導体装置の製造方
法を提供することが可能である。
【図１】本発明の一実施形態を示すフローチャートであ
る。
る。
【図２】図２（Ａ）は素子裏面洗浄工程を示す説明図で
あり、図２（Ｂ）はリードフレーム洗浄工程を示す説明
図である。
あり、図２（Ｂ）はリードフレーム洗浄工程を示す説明
図である。
【図３】樹脂封止工程を示す説明図である。
【図４】半導体素子を構成するウェハを示す平面図であ
る。
る。
【図５】ＬＯＣ構造以外の半導体装置を示す説明図であ
る。
る。
【図６】本発明の第１実施例を示す説明図である。
【図７】本発明の第１実施例における他の例の説明図を
示し、図７（Ａ）は有機溶剤の吹き付け状態を示し、図
７（Ｂ）は有機溶剤吹き付け後の純水による洗浄状態を
示している。
示し、図７（Ａ）は有機溶剤の吹き付け状態を示し、図
７（Ｂ）は有機溶剤吹き付け後の純水による洗浄状態を
示している。
【図８】本発明の第１実施例におけるさらに他の例の説
明図を示し、高圧エアーの吹き付け状態を示す説明図で
ある。
明図を示し、高圧エアーの吹き付け状態を示す説明図で
ある。
【図９】本発明の第２実施例を示す説明図であり、図９
（Ａ）はリードフレーム洗浄工程における有機溶剤の吹
き付けによる洗浄状態を示し、図９（Ｂ）は有機溶剤に
よる拭き取りによる洗浄状態を示し、図９（Ｃ）は有機
溶剤の浸漬による洗浄状態を示している。
（Ａ）はリードフレーム洗浄工程における有機溶剤の吹
き付けによる洗浄状態を示し、図９（Ｂ）は有機溶剤に
よる拭き取りによる洗浄状態を示し、図９（Ｃ）は有機
溶剤の浸漬による洗浄状態を示している。
５ リードフレーム洗浄工程 ６ ダイアタッチ工程 ８ 素子裏面洗浄工程 ９ 樹脂封止工程 １０ 半導体装置の製造方法 １１ 半導体装置 １２ 半導体素子 １２ａ 能動回路形成面 １２ｂ 裏面（能動回路形成面と反対側の面） １３ リードフレーム １５ 残留付着物 １８Ａ プラズマ １８Ｂ 有機溶剤 １８Ｃ 純水 １８Ｄ 高圧エアー １９ 有機溶剤
Claims (14)
- 【請求項１】 半導体素子の能動回路が形成された面に
対してリードフレームを接着するダイアタッチ工程と、
前記リードフレームが接着された半導体素子を樹脂封止
する樹脂封止工程を備えた半導体装置の製造方法におい
て、 前記ダイアタッチ工程と前記樹脂封止工程との間に、前
記半導体素子の能動回路形成面の反対側の面を洗浄する
素子裏面洗浄工程を設けたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体装置がリードオンチップ構造
を採ると共に、 前記ダイアタッチ工程が、能動回路が形成された面を上
方に向けた半導体素子に対して上方からテープ状の接着
層を介して前記リードフレームを接着する手法を採るこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記素子裏面洗浄工程は、前記樹脂封止
工程の直前に行われることを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記素子裏面洗浄工程は、プラズマ洗浄
により行うことを特徴とする請求項１，２又は３記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記素子裏面洗浄工程は、紫外線洗浄に
より行うことを特徴とする請求項１，２又は３記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記素子裏面洗浄工程は、有機溶剤を用
いて洗浄を行うことを特徴とする請求項１，２又は３記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記素子裏面洗浄工程は、純水を用いて
洗浄を行うことを特徴とする請求項１，２又は３記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記素子裏面洗浄工程は、中性洗剤を用
いて洗浄を行うことを特徴とする請求項１，２又は３記
載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 前記素子裏面洗浄工程は、酸または塩基
を用いて洗浄を行うことを特徴とする請求項１，２又は
３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記素子裏面洗浄工程は、高圧エアー
を用いて洗浄を行うことを特徴とする請求項１，２又は
３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記ダイアタッチ工程と前記樹脂封止
工程との間に、前記リードフレームを洗浄するリードフ
レーム洗浄工程を設けたことを特徴とする請求項１，
２，３，４，５，６，７，８，９又は１０記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１２】 少なくとも前記樹脂封止工程前で且つ
前記ダイアタッチ工程に前後して、前記リードフレーム
を洗浄するリードフレーム洗浄工程を設けたことを特徴
とする請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９又は
１０記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記リードフレーム洗浄工程は、有機
溶剤を用いて洗浄を行うことを特徴とする請求項１１又
は１２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記有機溶剤を、ヘキサン，エチルエ
ーテル，トルエン，キシレン又はガソリンのいずれかと
することを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169131A JP2904192B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
| CN98102290A CN1101060C (zh) | 1997-06-25 | 1998-06-19 | 半导体器件的制造方法 |
| KR1019980023459A KR100299892B1 (ko) | 1997-06-25 | 1998-06-22 | 반도체장치의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169131A JP2904192B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116926A JPH1116926A (ja) | 1999-01-22 |
| JP2904192B2 true JP2904192B2 (ja) | 1999-06-14 |
Family
ID=15880863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169131A Expired - Fee Related JP2904192B2 (ja) | 1997-06-25 | 1997-06-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2904192B2 (ja) |
| KR (1) | KR100299892B1 (ja) |
| CN (1) | CN1101060C (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI467675B (zh) * | 2011-04-25 | 2015-01-01 | Air Prod & Chem | 用於改善打線製程的引線架清潔方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960039298A (ko) * | 1995-04-04 | 1996-11-25 | 김광호 | 자외선/오존 세정공정을 도입한 반도체 패키지의 제조방법 |
-
1997
- 1997-06-25 JP JP9169131A patent/JP2904192B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-19 CN CN98102290A patent/CN1101060C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-22 KR KR1019980023459A patent/KR100299892B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100299892B1 (ko) | 2001-10-19 |
| KR19990007211A (ko) | 1999-01-25 |
| CN1208250A (zh) | 1999-02-17 |
| JPH1116926A (ja) | 1999-01-22 |
| CN1101060C (zh) | 2003-02-05 |
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