CN102956763A - 发光二极管封装结构的制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供电极;提供模具,将其贴设于所述电极的一表面,该模具包括一环形的模座及收容于该模座内的一模仁,所述模座与模仁之间设有填充空间;在所述模具的填充空间形成反射杯,并移除模具;采用腐蚀性溶液对反射杯的内表面进行平整化处理;将发光二极管芯片设于电极上,位于反射杯中,并将发光二极管芯片与所述电极电性连接;形成封装层。从而在固晶打线之前去除毛刺,利于后续工序的操作。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体的制造方法,尤其涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。
背景技术
相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越多地应用到各领域当中,如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。
现有的发光二极管封装结构通常包括基板、位于基板上的电极、承载于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片以及环绕发光二极管芯片并形成于基板上的反射杯。基板和反射杯可采用注塑成型方式制成,即在电极的相对两侧分别装设模具,该模具预留出基板和反射杯的空间,通过于空间内填充成型材料而形成基板和反射杯。然而,成型该发光二极管封装结构的过程中,模具与电极之间不可避免的会有缝隙产生,成型材料填充于这些缝隙内从而在成型完成后形成为毛边,这些毛边不但对固晶打线等后续工序产生阻碍,毛边较多时还可能形成为次品,从而严重影响发光二极管封装结构的量产和成品的良率。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种提高产品良率、利于量产的发光二极管封装结构的制造方法。
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:
提供至少两相互间隔设置的电极;
提供一第一模具,将其贴设于所述电极的一表面,该第一模具包括一环形的模座及收容于该模座内的一模仁,所述模座与模仁之间设有第一填充空间;
在所述第一模具的第一填充空间内填充成型材料固化后形成反射杯,并移除第一模具;
采用腐蚀性溶液对反射杯的内表面进行平整化处理;
将发光二极管芯片置于反射杯中,并将发光二极管芯片与所述电极电性连接;
形成封装层,覆盖所述发光二极管芯片于反射杯的内部。
本发明所提供的发光二极管封装结构的制造方法中,在反射杯形成后,于固晶打线之前,采用腐蚀性溶液对反射杯的内表面进行平整化处理,可以将电极上在形成反射杯的过程中可能形成的毛刺去除,从而使电极完全露出于反射杯内,进而有利于后续固晶打线的操作,避免了因为电极上存在毛刺而阻碍导线与电极接触,从而产生不良品的缺失。
下面参照附图,结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1为本发明一实施方式的发光二极管封装结构的剖面示意图。
图2为本发明一实施方式的发光二极管封装结构的制造方法流程图。
图3至图7为本发明一实施方式的发光二极管封装结构的制造过程中各步骤所得的发光二极管封装结构的剖面示意图。
主要元件符号说明
发光二极管封装结构 | 100 |
电极 | 10 |
上表面 | 11 |
下表面 | 12 |
毛刺 | 13 |
基板 | 20 |
绝缘部 | 21 |
反射杯 | 30 |
发光二极管芯片 | 40 |
封装层 | 50 |
第一模具 | 60 |
模座 | 61 |
模仁 | 62 |
第一表面 | 621 |
第二表面 | 622 |
第一填充空间 | 63 |
第二模具 | 70 |
第二填充空间 | 71 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1所示,本发明实施方式提供的发光二极管封装结构100包括电极10、位于电极10一侧的基板20、位于电极10另一侧的反射杯30、装设于基板20上并位于反射杯30中的发光二极管芯片40、以及覆盖该发光二极管芯片40于反射杯30以内的封装层50。
如图2所示,本发明还提供上述发光二极管封装结构100的制造方法,以下,将结合其他附图对该制造方法进行详细说明。
请参阅图3,提供至少两电极10,所述电极10包括上表面11和相对的下表面12,所述电极10位于同一平面上并相互间隔绝缘设置。所述电极10采用金属材料,如金、银、铜、铂、铝、镍、锡或镁中的一种或几种的合金制成。
请参阅图4,提供一第一模具60和一第二模具70,将其分别设置于所述电极10的相对两侧,夹紧所述电极10,所述第一模具60内形成有第一填充空间63。该第一模具60包括一环形的模座61及位于该模座61中央的一模仁62。所述第一填充空间63形成于所述模座61与模仁62之间。该模仁62包括紧贴电极10的第一表面621、远离电极10的第二表面622和连接该第一表面621和第二表面622的斜面623。该第一表面621的长度小于第二表面622的长度,以使斜面623自第一表面621到第二表面622逐渐向靠近模座61的方向倾斜。该第二模具70内部形成有第二填充空间71。第二填充空间71与第一填充空间63相互连通。在不同实施方式中,也可以仅提供所述第一模具60。
在所述第一模具60的第一填充空间63和第二模具70的第二填充空间71内分别填充对应的成型材料,如液态高分子材料PPA(Polyphthalamide,聚醋酸乙烯酯)等,直至完全填满所述第二模具70的第二填充空间71及第一模具60的第一填充空间63。固化所述成型材料后移除第一模具60和第二模具70。
请同时参阅图5,移除所述第一模具60后在所述电极10的上表面11的一侧形成反射杯30,移除所述第二模具70后在下表面12的一侧形成基板20,并在两电极10之间的空隙处形成绝缘部21。所述反射杯30和基板20一体成型。由于成型误差,第一模具60的模仁62的第二表面622与电极10的上表面11相贴合处不可避免会形成间隙(图未示),在注塑成型的过程中,液态高分子材料会填充这些间隙,从而在固化形成基板20和反射杯30时,于电极10的上表面11沿着反射杯30形成若干毛刺13。在不同实施例中,可仅提供第一模具60设于电极10的上表面,从而在所述第一模具60的第一填充空间63填充液态高分子材料而仅于所述电极10的一侧形成反射杯30。
请参阅图6和图7,对形成的毛刺进行平整化处理。在电极10的上表面11利用腐蚀性溶液采用涂覆或浸泡的方式腐蚀毛刺13,再利用水柱或气柱对残余的毛刺13进行冲刷从而彻底去除毛刺13,使电极10位于反射杯30内部的上表面11完全暴露出,从而利于后续固晶打线等工序的操作。该腐蚀性溶液可采用对高分子材料具有腐蚀作用的碱性溶液,如氢氧化钾、氢氧化钠等水溶液,其PH值为8到12之间较佳。
将发光二极管芯片40打线连接于电极10上,然后形成封装层50覆盖发光二极管芯片40于基板20上以及反射杯30以内,得到图1所示的发光二极管封装结构100。所述封装层50内可分布荧光粉,以改善发光二极管芯片40发出光的光学特性。在其他实施方式中,该发光二极管芯片40也可以采用覆晶的方式固定电连接于电极10上。
本实施方式所提供的发光二极管封装结构100的制造方法中,在基板20和反射杯30形成后,于固晶打线之前,先将电极10上在形成反射杯30的过程中形成的毛刺13去除,从而使电极10完全露出于反射杯30内,进而有利于后续固晶打线的操作,避免了因为电极10上存在毛刺13而阻碍导线与电极10接触,从而产生不良品的缺失。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:
提供至少两相互间隔设置的电极;
提供一第一模具,将其贴设于所述电极的一表面,该第一模具包括一环形的模座及收容于该模座内的一模仁,所述模座与模仁之间设有第一填充空间;
在所述第一模具的第一填充空间内填充成型材料固化后形成反射杯,并移除第一模具;
采用腐蚀性溶液对反射杯的内表面进行平整化处理;
将发光二极管芯片置于反射杯中,并将发光二极管芯片与所述电极电性连接;
形成封装层,覆盖所述发光二极管芯片于反射杯的内部。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:该模仁包括与电极接触的第一表面及远离电极的第二表面,所述间隙形成于第一表面与电极之间。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述反射杯由液态高分子材料灌注于第一模具的第一填充空间内固化形成。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第二表面的尺寸大于第一表面的尺寸,使所述反射杯形成倾斜的内表面。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述腐蚀性溶液为碱性溶液,所述腐蚀性溶液通过喷涂或浸泡的方式与毛刺接触从而去除毛刺。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述腐蚀性溶液为氢氧化钾或氢氧化钠水溶液。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述腐蚀性溶液的酸碱值为8到12之间。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:采用所述腐蚀性溶液腐蚀并去除毛刺的步骤还包括利用水柱或气柱对被腐蚀过的毛刺进行冲刷去除的过程。
9.如权利要求1至8中任一项所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:还包括提供一第二模具的步骤,将该第二模具设置于所述电极的另一侧,该第二模具内设有第二填充空间;以及在该第二模具的第二填充空间内填充高分子材料,固化形成基板的步骤。
10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:提供所述第二模具的步骤与提供所述第一模具的步骤同时进行,所述第一模具的第一填充空间与第二模具的第二填充空间相互连通,从而使基板和反射杯一体成型。
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Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
CN103682045B (zh) * | 2013-12-04 | 2016-09-14 | 北京国联万众半导体科技有限公司 | 一种led封装杯体的加工方法及相应模具 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0496238A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
CN1185653A (zh) * | 1996-11-25 | 1998-06-24 | 株式会社村田制作所 | 带有导线端子的树脂成型品的制造方法及模具 |
US5956574A (en) * | 1996-03-05 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
CN1935939A (zh) * | 2005-09-20 | 2007-03-28 | 上海新阳电子化学有限公司 | 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 |
CN102150263A (zh) * | 2008-11-06 | 2011-08-10 | 松下电器产业株式会社 | 引线、布线部件、封装部件、带有树脂的金属部件和树脂封装半导体装置以及它们的制造方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0496238A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-27 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5956574A (en) * | 1996-03-05 | 1999-09-21 | Nec Corporation | Lead frame flash removing method and apparatus |
CN1185653A (zh) * | 1996-11-25 | 1998-06-24 | 株式会社村田制作所 | 带有导线端子的树脂成型品的制造方法及模具 |
CN1935939A (zh) * | 2005-09-20 | 2007-03-28 | 上海新阳电子化学有限公司 | 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 |
CN102150263A (zh) * | 2008-11-06 | 2011-08-10 | 松下电器产业株式会社 | 引线、布线部件、封装部件、带有树脂的金属部件和树脂封装半导体装置以及它们的制造方法 |
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