CN105144416A - 具有光电子器件的照明设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种照明设备(1)、即一种封装的LED(2)，所述LED嵌入到露出LED(2)的下侧的包覆体(3)中；接触元件(7)在下侧上金属化到LED(2)上，所述接触元件侧向地超出LED(2)并且在宏观层面上实现电接触LED(2)，更确切地说，通过面连接、例如焊接实现电接触LED。

Description

具有光电子器件的照明设备
技术领域
本发明涉及一种具有光电子器件的照明设备以及一种用于制造该照明设备的方法。
背景技术
术语“照明设备”在本公开文件的范围中涉及封装的光电子器件、即例如能够与另外的组件共同安装在电路板上的组件。光电子器件是由例如半导体材料构成的发光器件(在本公开文件的范围中也简称为“LED”)、例如无机发光二极管或者通常也还有有机发光二极管。
为了封装这样的LED，从现有技术中已知的是，所述器件借助例如真空工具拾取，并且设置在大多之前已经借助模压料压注的导体列结构(pre-moldedleadframe)上。在所述器件经由接合线与引线框导电连接之后，所述器件以硅树脂来囊封；硅树脂在此填充侧向地由模压料限界的腔，所述器件在开始时已经安置在所述腔中。
发明内容
本发明基于下述技术目的，提出一种光电子器件的相对于现有技术有利的封装以及一种用于封装的相应的方法。
根据本发明，该目的实现一种照明设备，所述照明设备具有：光电子器件，所述光电子器件具有设计为光出射面的上侧和在相反的下侧上的用于电接触器件的连接元件；包覆体，所述包覆体至少部分地包覆器件，然而露出器件的下侧；与连接元件导电连接的、面状的第一接触元件，所述第一接触元件在器件的下侧上延伸并且在这个下侧的延伸中侧向地超出器件，其中第一接触元件直接金属化到连接元件上，并且第一接触元件的在器件下侧延伸的、背离器件的表面设置作为空出的、设计用于在宏观层面上面状地连接照明设备的接触面。
根据本发明的照明设备的特征在于相对简单的结构，因为接触元件一方面是至宏观件、例如至电路板的接口，并且另一方面也直接导电接触器件。也就是说，例如相对于开始所描述的现有技术，一方面不必设有用于接触器件的接合线并且另一方面不必设有用于与例如电路板焊接连接的引线框。
接触元件直接金属化到连接元件上，所述连接元件是器件的一部分；连接元件例如能够是例如之前已经在器件制造期间(在前端工艺的范围中)所施加的金属化部(在下文中也称为“LED金属化部”)。在之前所描述的根据现有技术的封装方法中，在前端工艺化期间施加的LED金属化部于是与接合线接触。
LED金属化部例如能够具有至少250nm、500nm、700nm、800nm或900nm的厚度；可行的上限与最小厚度无关地例如为10μm、5μm、3μm、2μm或1.5μm。LED金属化部的可行的材料例如(分别作为层序列)是钛/铂/金(TiPtAu)、钛/钯/金(TiPdAu)、钛/镍/钯/金(TiNiPdAu)或者金/锡(AuSn)。然而通常，连接元件不一定必须是金属化的或者连续金属化的区域，而是这样的连接元件也能够仅在接触元件制造期间产生；连接元件通常是设置用于电接触器件的区域，从所述区域起通孔(vias)例如能够沿着朝向外延层的方向引导。在这种情况下，通过根据本发明的封装例如可将目前在前端生产范围中执行的工艺集成到后端工艺(“接触元件的金属化”)中。
根据本发明，接触元件“金属化”到器件的连接元件上(优选施加到LED金属化部)上、即通过金属沉积来施加；接触元件仅在封装期间产生，也就是说，不形成之前分开制造的接触元件，这例如能够改进与LED金属化部的电接触并且能够有助于降低物流耗费。
接触元件例如能够从池中无电流地和/或电镀地沉积或者通过溅射、蒸镀、喷镀或者火焰喷涂施加或者也能够熔化。
接触元件例如能够具有至少1μm、5μm、10μm、20μm或30μm的厚度；可行的上限与最小厚度无关地例如为1500μm、1000μm、800μm、500μm或100μm。
优选地，接触元件一件式地作为在高度方向方面处于中部的至少一个区域；“一件式地”就此而言是指没有由于金属化的中断所产生的材料边界和/或没有因金属化的金属的改变所产生的材料边界。这种一件式特性涉及至少一个中部的区域，所述区域例如能够在接触元件厚度的至少60％、70％或80％上延伸。
也就是说，朝向连接元件、即“在上方”，接触元件例如能够具有相对薄的、首先例如作为所谓的种子层(seedlayer)沉积的另一金属的层。与此无关，另一方面也能够在接触面上设置与体积材料(Volumenmaterial)不同的覆层，例如改进可焊接性的覆层和/或防腐蚀覆层。
第一接触元件的背离器件的、作为面向宏观层面设计的接触面的表面是“可面状连接的”表面；也就是说，根据本发明封装的器件例如能够设置在电路板上从而被焊接连接，例如以所谓的回流工艺连接。通常，“面状连接”例如能够指焊接、扩散焊接、烧结或粘接；此外，至宏观部的相应的连接例如也能够借助于连接膏或者通过直接施加、例如通过构成合金部或具有电路板/载体板上的接触区域的直接接触部来建立，所述电路板/载体板由与接触元件相同的材料设置。显然，特征“空出的接触面”通常例如不排除存在用于在运输或存储时进行保护的包装件、例如覆盖接触面的薄膜。
关于与高度方向垂直的、在中间贯穿器件的(假设的)平面，连接元件和接触元件还有接触面位于同一侧上，更确切地说，位于其下方。换句话说，接触元件不“围绕器件”朝向器件的上侧延伸；而接触元件引导布线侧向地远离器件一段。
优选地，接触元件(从而接触面也)单独地在器件的下侧延伸，也就是说，接触元件仅沿侧向方向超出器件；也就是说，器件下侧所位于的(假设的)平面在这种情况下不与接触元件相交。换句话说，因此器件下侧上方的半空间没有接触元件；接触元件就此而言尤其简单的构造并且例如能够“一次地(amstück)”金属化。
通常，表述“上侧的”/“下侧的”或者“上侧”/”下侧”涉及高度方向，关于所述高度方向也规定厚度、例如器件的、LED金属化部的或者接触元件的厚度。术语“下方”和“上方”也涉及高度方向，然而附加地具体说明沿高度方向说明的对准，也就是说，排除沿着侧面方向的错位。高度方向能够在安装封装的器件之后例如与相应的载体板/电路板上的法线重合；光出射面下游的光的主传播方向通常位于高度方向上，所述光的主传播方向形成作为根据功率加权的传播方向的重心方向。
在侧向方向上说明宽度和深度，所述侧向方向垂直于高度方向。
在根据本发明的封装的器件中，接触元件侧向地超出器件；也就是说，通过器件的相应的侧面确定的(假设的)平面与接触元件相交。换句话说，“侧向地超出器件”是指：器件和接触体(尤其是其接触面)在沿着高度方向的投影中部分地叠加到垂直于高度方向的面上。
如果器件具有的确更小的宽度和深度并且所述宽度和深度也趋向于继续减少，那么超出器件的接触元件例如能够是有利的；通过接触元件从而接触面侧向地以超出器件的方式设置的方式，布线在一定程度上“展开”，使得在宏观层面上的接触是可行的。
接触元件能够沿着侧向方向例如以如下顺序递增优选地以器件的沿着同一方向所取的宽度的至少5％、10％或15％超出该器件；与下限无关的可行的上限例如能够为100％、80％、60％或40％。
其它优选的实施方式在从属权利要求和接下来的描述中得到。在此，不再详细地在方法方面或应用方面的介绍和设备的描述之间进行区分；所述公开内容可理解为隐含在所有的类别方面。
接触元件的背离器件的接触面(术语“接触面”在没有在本公开物的范围中另外说明的情况下总是涉及该接触面)在优选的设计方案中具有至少0.25mm2的面积和/或最少0.5mm的最小的侧向延伸；“最小的侧向延伸”例如在非方形的矩形形状的情况下涉及这两个侧边棱中的最小者。
所述面积的其它可行的最小值以如下顺序递增优选地为0.5mm2、0.75mm2或1mm2；与这些下限无关的上限例如能够为25mm2、15mm2或5mm2。最小的侧向延伸的其它可行的最小值能够以如下顺序递增优选地为0.6mm、0.7mm或0.8mm或0.9mm，并且与这些下限无关的上限例如能够为5mm、3mm或1mm。接触面由此优选相对大面积地设置；封装的器件能够经由接触面直接安装在载体板/电路板上，例如通过接触面的粘接或焊接，也就是说，设计作为表面安装的组件(surface-mounteddevice,SMD)。
在封装的壳体的一个优选的设计方案中，设有第二接触元件并且第二接触元件设置在器件下侧上；第二接触元件也金属化到器件上并且侧向超出器件，更确切地说，在器件的与第一接触元件相反的一侧中超出。
所有对于第一接触元件所公开的说明(大小、侧向伸出的程度等)对于第二接触元件和必要时对于另一/其它的接触元件也应是明确公开的。也就是说，通过接触元件在相反的侧上被引导超出器件的方式，能够实现最大的侧向“展开”。因此，即使在器件具有相对小的侧向尺寸的情况下，也可建立器件层面(LED金属化部)和宏观部、例如电路板之间的直接耦联。简单来说，接触元件沿着相反的方向被引导远离器件，以便提供面状的、彼此间充分间隔开的接触面，所述接触面例如通过焊接连接实现封装的组件的安装。
第一和第二接触元件在一个优选的设计方案中具有沿着侧向方向所取的至少50μm的、以如下顺序递增优选至少100μm、150μm或者180μm的最小间距；与这些下限无关的上限例如能够为3mm、2mm或者1mm。
通常，除了在优选的设计方案中所设的第一和第二接触元件外显然还能够设有其它的接触元件，例如在具有多个器件的组件的情况下；也就是说，例如能够设置总计三个、四个、五个、六个、七个或者八个或更多个接触元件。接触元件例如能够在器件的两个相反的侧上被划分，分别成对地彼此相对置地设置。
在根据本发明的照明设备的优选的设计方案中，仅在器件的下侧上设有连接元件；在这种情况下，在下侧上设有至少两个连接元件，因为器件的设计为光出射面的上侧没有连接元件并且器件的电接触需要至少两个连接元件。相应的、仅仅下侧的设置对应于简单结构的思想，因为不需要围绕器件耗费布线，而是能够通过数量对应于连接元件的数量的接触元件向下且侧向地引导接口离开。在一个优选的实施方式中，在器件的下侧上设置有反射光的反射层，更确切地说，优选该反射层设置成使得器件的没有连接元件的区域完全地被所述反射层覆盖。反射层例如能够以无机基础或有机基础设置；通常为了反射例如也能够设置金属，例如铝或者银，所述金属能够作为覆层和/或以嵌入到基体材料中的方式来施加。通过反射性的颗粒填充的基体材料通常是优选的、即例如基体材料中的、例如硅树脂材料中的二氧化钛颗粒。
反射层例如也能够是反射薄膜、例如微元PET薄膜(MC-PET)；反射薄膜能够由于所使用的基础材料和/或由于表面结构化部、例如引入到表面中的空腔而是反射性的。也已知反射性的陶瓷，所述陶瓷能够用作为根据本发明的反射层，例如作为所谓的陶瓷墨。
反射层例如能够借助于物理沉积法和/或化学沉积法施加，例如通过溅射、压印、涂刮、滴涂、光刻结构化、磨蚀结构化(μ-喷砂)、射流(Jetten)、冲压、喷射(在之前所施加的粘胶上)；直接的施加也是可行的，其中由于颗粒的动力加速得到联接。
反射层在任何情况下都用于反射向下输出的光，使得该光被向上反射并且(部分地)通过器件上侧处的光出射面射出。在优选的设计方案中，也就是说，将具有至少部分地透射LED光的衬底的、例如具有蓝宝石衬底的LED设作为器件。
就此而言，器件本身能够实际设计用于在设有连接元件的“下侧”上输出光，所述下侧在常规安装的情况下是上侧。也就是说，在根据本发明的壳体中，这样的蓝宝石器件在一定程度上倒置地安装，其中反射层防止下侧上的光出射(所述下侧在常规的封装部中作为上侧并且与此相对应地设作光出射面)，使得光在上侧上(在根据本发明的封装部中)射出。也就是说，只要在本公开文献的范围中涉及“光出射面”，那么这是指通过根据本发明的封装部产生的光出射面，所述光出射面不必强制性地与例如由器件制造商规定作为光出射面的光出射面一致。显然，光在此不必单独地通过光出射面出射，而是能够(部分地)例如也通过器件的侧面射出。
然而，另一方面，在器件具有透射衬底、例如蓝宝石衬底的情况下，在器件制造期间、即在前端工艺的范围中，也已经能够设有反射层，或者通常能够使用如下器件，所述器件的光出射面本身已经与连接元件相反地设置。
通常由金属设置的连接元件本身也能够具有反射作用，所述反射作用还能够通过选择适当的材料来促进；就此而言，除了银和/或铝之外，铬、钛和/或钛钨也能够是优选的。在此，连接元件不在其整个厚度上例如由银设置，而是也能够设置仅一个薄的、首先由相对高价的银材料沉积的层。例如结合与由银或铝构成的连接元件，能够朝包覆体和/或器件(在不设置用于电接触的区域中)也能够关于施加序列在连接元件下方设有二氧化钛层、二氧化硅层和/或氧化铝层(关于壳体在其上方的取向)。
在优选的设计方案中，(尤其优选也)在包覆体的下侧上将反射层设置在器件旁边的区域中。反射层因此能够使得向下倾斜发出的光向上倾斜反射并且至少部分地可用。
在一个优选的实施方式中，设有电绝缘的绝缘层并且关于高度方向设置在连接元件和接触元件之间；局部地得到这种设置，也就是说在连接元件的面积的一定份额中、例如在至少5％、10％或15％的面积份额中得到；可行的上限能够为40％、30％或20％。通常连接元件的最小横向延伸大致为至少30μm、40μm或50μm；例如在器件具有一毫米的边棱长的情况下，与这些下限无关的上限根据器件的大小例如能够为1000μm、800μm或600μm。
也就是说，绝缘层部分地覆盖连接元件，更确切地说，优选覆盖连接元件的边缘区域、尤其优选环绕地覆盖。也就是说，从下方观察器件，绝缘层因此可将连接元件的中间区域露出；绝缘层掩盖连接元件从对于接触元件的金属化而言确定连接元件和接触元件的接触区域。通过掩盖连接元件的绝缘层，在金属化时例如能够实现相对于侧向错位的一定不敏感性，这例如能够在批量生产中提供优点，其中所述绝缘层优选可将连接元件的中间区域露出。
在优选的设计方案中，(尤其优选结合之前所描述的“进行掩盖”的设置)绝缘层设置在器件和包覆体的侧向的接触区域的下方，也就是说在所述接触区域中，器件的侧面邻接于包覆体。绝缘层优选不仅沿着朝向器件的方向而且也沿着朝向包覆体的方向设有侧向的重叠；所述重叠例如能够分别为至少20μm、30μm、50μm或100μm并且与所述下限无关地例如为最大500μm、400μm或300μm。相应设置的、优选以环绕整个器件的方式覆盖包覆体和器件之间的接触区域的绝缘层例如能够帮助预防沿着侧面朝向器件的外延层构成电短路，例如在接触元件金属化的情况下预防。绝缘层尤其在湿气影响的情况下也能够提供优点，例如在器件和包覆体之间脱层的情况下能够提供优点从而也帮助避免电故障。
在优选的设计方案中，器件的下侧的没有连接元件的区域设有绝缘层，尤其优选结合之前所描述的“进行掩盖”的设置和接触区域的遮盖)。例如在器件的下侧上设有多个连接元件的情况下，因此例如也能够预防在它们之间产生电短路。这样的绝缘层就其而言例如能够在背侧(关于壳体在下方)设有附加的层，例如在透射的绝缘层的情况下设有例如局部地施加的反射层。
作为绝缘层材料原则上可以考虑所有电介质，所述电介质从前端生产中已知(晶片级电介质)并且可以光刻的方式结构化，例如酰亚胺、(例如JSRMicro公司的)WPR、环丁烯(BCB)或者环氧树脂；也能够设有绝缘漆，例如阻焊剂。例如也能够借助于印刷技术进行施加，例如以所谓的喷墨法或者例如借助于模板或者丝网印刷。
此外，绝缘层材料例如也能够是二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或者SiOxNy。绝缘层例如能够由基体材料设置，例如也能够将反射颗粒嵌入到所述基体材料中。就此而言，所有之前对于反射层所描述的设置可行性对于电绝缘的反射层而言也应是明确公开的。
此外，如果在优选的设计方案中能够附加地嵌入改进基体材料导热的材料、例如熔融二氧化硅颗粒或者方石英颗粒，那么设置基体材料(无所谓是否是对于反射层和/或绝缘层设置)也能够是有利的。反射/绝缘层因此也能够帮助改进壳体的热平衡；在反射层的情况下，改进导热的材料应在由器件或转换材料发射的光的光谱范围中显示出仅少量的吸收，以便不损害反射特性。
在一个优选的实施方式中，包覆体覆盖器件的上侧并且进一步优选覆盖器件的所有侧面，也就是说，在器件几何形状为通常的矩形的情况下覆盖所有四个侧面。也就是说，包覆体除了下侧优选完全地包覆器件，使得器件在一定程度上被保护免受环境影响，例如免受湿气影响。
在一个优选的改进方案中，将转换材料嵌入到覆盖器件的上侧的包覆体中，也就是说，包覆体由包含转换材料的基体材料设置，或者转换材料本身是包覆体。在这两种情况下，转换材料用于至少部分地将由器件发出的光转换为波长更长的光。由被封装的器件发出的光能够是由器件和转换材料发出的光的叠加，这也称为“部分转换”；另一方面，在所谓的“全转换”的情况下，在转换材料下游也能够仅存在由转换材料发射的、波长更长的光。转换材料也称为“发光物质”。
包覆体例如能够以印刷法或者通过刮刀、通过喷涂或者浇注或滴涂施加或者离心涂镀。此外，所述器件例如也能够浸入或者压入到包覆体中。
尤其优选的是，包覆体要么以浇注法、尤其以压注法施加或者作为薄膜设置并且例如深冲或层压。在此，进一步优选将基体材料、例如在浇注的情况下是硅树脂设置作为包覆体，如之前所描述的那样，尤其优选将转换材料嵌入到所述基体材料中。在优选的设计方案中，包覆体通常一件式地构成。
本发明也涉及一种用于制造以之前所描述的方式封装的器件的方法，其中包覆体被施加到器件上，使得器件的下侧与连接元件保持空出。通常，器件为此例如也能够首先完全地由包覆体的材料包覆并且紧接着露出器件的下侧；然而，优选的是，器件的下侧在施加包覆体材料时就已经不通过该包覆体材料覆盖并且与之相应地紧接着不必被露出。
在另一方法步骤中，制造第一接触元件，也就是说，将接触元件金属化到连接元件上，所述另一方法步骤通常也能够在施加包覆体之前进行，然而优选在其后执行。在优选的设计方案中设置的多个接触元件尤其优选同时被金属化。
金属化例如能够在池中无电流地和/或电镀地进行；此外，接触元件也能够通过溅射、蒸镀、喷涂或火焰喷射施加或者还有熔化。
所述制造尤其优选并行地进行，其中多个器件设置在共同的载体上。优选地，该载体是分割载体，组件在通过例如锯割晶片进行分割时/后总归设置在所述分割载体上，例如围绕所谓的锯割薄膜设置。
在从现有技术中已知的用于封装的方法中，器件单个地从这样的分割载体取出并且分别安置(pickandplace抓放)在自身的铜引线框上；与之相反，在根据本发明的制造中，能够有利地弃用该耗费时间的方法步骤并且能够并行地封装设置在分割载体上的组件。也就是说，因此例如也可同时封装数百个器件，这能够提高产量。
包覆体例如能够在一个共同的方法步骤中施加到所有设置在共同的载体上的器件上，例如通过之前所描述的深冲设置作为包覆体的薄膜的方式。然而包覆体也能够被浇注，其中通过成型工具能够给器件例如分别分配自身的腔；所述腔能够依次或者并行地被填充。
然而，也能够设置如下成型工具，所述成型工具首先将各个器件的包覆体作为连续体露出，使得仅在例如通过锯割、激光、冲制或者水射流切割进行分割之后才存在通过分部段地分开连续的包覆体而被分割的器件。优选地，接触元件在此不延伸直至如下部段中，沿着所述部段进行分开(这些部段例如能够称为锯割框)，也就是说，在分割时仅须分开包覆体。
为了简化分割，包覆体例如也能够经由连接片、所谓的材料桥连接在一起，使得在分割时必须分开少量的材料(恰好仅是材料桥)并且在一定程度上已经预设理论断裂点。
本发明也涉及一种这样的照明设备系统，其中相邻的照明设备经由一件式地与包覆体构成的材料桥连接。因此，例如也可在安装各个组件之前减少其损耗的危险。
关于所述制造，尤其优选在施加包覆体之后，接触元件优选在一个共同的方法步骤中、即同时金属化到多个器件的连接元件上。在此，器件例如能够经由一个共同的载体共同地保持，所述载体通常不对应于在施加包覆体时设置的载体(也就是说，所述器件例如能够从锯割薄膜传输到另一薄膜上)。然而，所述器件例如也能够在没有这样的载体的情况下由(仍连续的)包覆体共同地保持。
本发明也涉及之前所描述的照明设备的用于在宏观层面上面状地连接、尤其接合连接(例如焊接或者粘接)的应用，也就是说，经由接触元件的背离器件的接触面与例如载体板/电路板连接。尤其优选地，将被封装的器件用作为SMD组件，所述组件进一步优选被焊接。
附图说明
在下文中根据实施例详细阐述本发明，其中以其它的组合的各个特征也能够是对于本发明重要的并且应以该形式公开。
详细示出：
图1示出具有反射层的根据本发明的封装的器件；
图2示出具有非反射性的绝缘层的根据本发明的封装的器件；
图3示出通过深冲的薄膜封装的器件；
图4示出根据本发明的封装的器件的斜视图。
具体实施方式
图1示出LED2作为根据本发明的器件1(照明设备)的第一实例，所述LED由浇注的包覆体3包封。附图示出尚在分割在其它方面已完成封装的组件1之前的状态；这些组件仍经由一件式地与包覆体3构成的材料桥4连接在一起。
显然，非强制性地设置这样的材料桥4,；一件式地施加地包覆体在没有材料桥4的情况下也能够被分割，更确切地说，通过沿着(因此连续的)区域进行分割，在图1和2中在所述区域中设有材料桥4。
在剖视图中，此外可观察到关于高度方向5设置在LED2的下侧上的连接元件6(LED金属化部)，在当前情况下，每个LED2有一个阳极接触部和阴极接触部。如果常规的壳体中将与LED金属化部6相反的侧设作为下侧并且安装在载体上，那么LED2在图1中倒置地安装；与之相对应的位于上方的LED金属化部经由接合线通常与引线框连接。
当前，LED金属化部6朝向下，并且接触元件7金属化到LED金属化部6上，更确切地说，通过首先溅射种子层的方式金属化；随后将可光刻曝光的材料施加到这些接触元件上，并且以光刻的方式结构化用于接触元件7的区域(种子层局部地露出)。在铜层在池中电化学地沉积在其上之后，去除可以光刻的方式结构化的材料从而也去除可以光刻的方式结构化的材料下方的种子层。
接触元件7的背离LED2的下表面设计为可焊接的接触面8；设置作为SMD组件的照明设备1经由接触面8大面积地与电路板连接。接触元件7分别侧向地被向外引导远离LED2，使得展开布线。
硅树脂成型体设置作为包覆体3，转换材料(发光物质颗粒)被嵌入到所述硅树脂成型体中。
所述器件具有200μm的高度(例如根据所需要的转换材料的量，也更高的器件也是可行的)；光产生在LED金属化部6附近、即其上方几微米处进行。
在其之间构成pn结的外延层当前因此设置在蓝宝石衬底“上”(在附图中位于蓝宝石衬底下方)；蓝宝石衬底具有大约100μm的高度并且延伸直至LED2的上侧9。在根据本发明的封装的LED2中，该上侧设置作为光出射面9。
为了也能够使向下发出的光可用，进而提高组件1的效率，在LED2和包覆体3的下侧上设有反射层10。对于反射层10而言，设有电绝缘的基体材料、当前为硅树脂，二氧化钛颗粒被嵌入到所述基体材料中，以便设定反射特性。此外，反射层10同时也用于绝缘并且能够帮助避免电短路的产生。
反射/绝缘层完全地覆盖包覆体3的下侧以及LED2的下侧的没有LED金属化部6的区域。此外，反射/绝缘层10也分别遮盖LED金属化部6的边缘区域；沿着侧向方向11的重叠为10μm。
图2示出另一个根据本发明的实施方式，其中如在根据图1的那种情况中一样，LED2被嵌入到由硅树脂材料设置的包覆体3中。再次示出在分割组件1之前的状态，这些组件仍经由材料桥4连接在一起。
然而，与根据图1的实施方式相反，在根据图2的情况中，在LED2下侧上不设有反射层；替代于此，LED2本身为了光输出已经布设在上侧上，该上侧又形成光出射面9。也就是说，在根据图2的实施方式的LED2中，光出射面9本身已经设置在与(LED金属化部的)连接元件6相反的侧上，这也称为倒装芯片工艺。就此而言，在壳体侧，向上反射光的反射层是不必要的。
然而，在LED2的下侧上设有电绝缘的绝缘层21，当前即由氮化硅构成的绝缘层。设置在连接元件6之间的绝缘层21能够帮助预防在连接元件6之间构成电短路并且在一定程度上也机械地保护LED2的下侧；因此在将组件1安装在电路板上时例如能够预防损坏。
此外，绝缘层21也与LED2的侧面对齐地设置，也就是说，所述绝缘层从下方观察覆盖LED侧面与包覆体3的接触区域。因此例如能够在包覆体3与LED2的侧面中的一个脱层的情况下防止电短路的产生；也就是说当在将接触元件7金属化时金属聚集在LED2和包覆体3之间的间隙中并且到达外延层时，这样的电短路例如可能已经在制造期间构成。
绝缘层21尽管如此设置为侧向地向外超出LED2仅15μm，因为这样遮盖了接触元件7的上侧的尽可能小的部分。也就是说，在该实施例中由喷射的铝设置的接触元件7也具有一定反射功能；接触元件7的侧向地设置在LED2旁的表面区域例如能够通过转换材料部分地将向下发出的光向上反射从而使得其可用。
图3示出另一个实施方式并且随后示出其制造的不同的阶段。因此，图3A说明了尚未封装的LED2与在下侧上与光出射面9相反地设置的连接元件6(倒装芯片工艺)。
在根据图3的实施方式中，包覆体3不像在根据图1和2的实施例的情况中那样被浇注，而是设置作为薄膜。LED2在一定程度上作为深冲阳模压入到仅预交联的磷薄膜(例如AF-500ShinETSU)中，也就是说，包覆体3通过磷薄膜的深冲制造。
在该造型之后，磷薄膜3与嵌入在其中的LED2(多个LED2平行地嵌入到同一薄膜3中)在温度提高的情况下交联(t＝150℃)。此后，薄膜3基本上保持其形状，也就是说，薄膜3以一定机械稳定性保持LED2。
在沉积绝缘层21、当前即WPR之后，由铜设置的接触元件7从池中首先无电流地沉积并且随后电镀地沉积(参见关于根据图1的实施例的阐述)。
绝缘层21在根据图3的实施方式中仅与LED侧面/薄膜的侧向的接触区域齐平地设置，以便防止构成至外延层的短路。
根据图3C的情况示出在分割组件1之前的状态；薄膜3与接触元件7的相应外部的边棱齐平地被分开。
这样被封装的LED2例如能够借助于导电的粘胶或者焊料经由接触面8与电路板连接。接触元件7除了用于电接触连接元件3以外也用于机械稳定、尤其是组件的侧向位于LED2外部的区域的机械稳定。
图4示出原则上类似于根据图1的实施方式构造的组件1、即在硅树脂材料中浇注在作为包覆体3的LED2与设置在LED2和包覆体3下方的反射层10。
图4A示出组件1的倾斜的俯视图，如同所述组件例如在安装到载体板上之后可见的那样(接触元件7位于下方并且为了概览是不可见的)。
在根据图4B的倾斜向下的剖视图中，可观察到具有大面积的接触面8的接触元件7。除了LED金属化部6和接触元件7之间的接触区域之外，接触元件7位于反射层10上，所述反射层同时也用于电绝缘并且能够帮助避免接触元件7和外延层之间的短路。

Claims (15)

1.一种照明设备(1)，具有：
光电子器件(2)，所述光电子器件具有设计作为光出射面(9)的上侧和在相反的下侧上的用于电接触所述器件(2)的连接元件(6)；
包覆体(3)，所述包覆体至少部分地包覆所述器件(2)，然而所述器件(2)的与所述上侧相反的下侧被露出；
与所述连接元件(6)导电连接的、面状的第一接触元件(7)，所述第一接触元件在所述器件(2)的下侧上延伸并且在这个下侧的延伸中侧向地超出所述器件(2)，
其中所述第一接触元件(7)直接金属化到所述连接元件(6)上，并且所述第一接触元件(7)的在所述器件(2)的下侧上延伸的、背离所述器件(2)的表面设作为空出的、设计用于在宏观层面上面状地连接所述照明设备(1)的接触面(8)。
2.根据权利要求1所述的照明设备(1)，其中所述接触面(8)具有至少0.25mm2的面积和至少0.5mm的最小侧向延伸。
3.根据权利要求1或2所述的照明设备(1)，所述照明设备具有第二接触元件(7)，所述第二接触元件设置在所述器件(2)的下侧上并且侧向地超出所述器件，更确切地说，在所述器件(2)的与所述第一接触元件(7)相反的一侧上超出所述器件。
4.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，所述照明设备具有第二接触元件(7)，所述第二接触元件设置在所述器件(2)的下侧上并且距所述第一接触元件(7)的间距为至少50μm。
5.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中仅在所述器件(2)的下侧上设有连接元件(6)，并且所述器件(2)的设计作为光出射面(9)的上侧没有连接元件。
6.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中设有反射光的反射层(10)，所述反射层(10)设置在所述器件(2)的下侧上，优选设置成使得所述器件(2)的下侧的没有连接元件的区域完全由所述反射层(10)覆盖。
7.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中设有反射光的反射层(10)，所述反射层(10)在所述包覆体(3)的下侧上设置在所述器件(2)旁边的区域中。
8.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中设有电绝缘的绝缘层(10，11)，所述绝缘层(10，11)在所述连接元件(6)的区域中关于高度方向(5)设置在所述连接元件(6)和所述接触元件(7)之间。
9.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中设有电绝缘的绝缘层(10，11)，所述绝缘层(10，11)设置在器件(2)和包覆体(3)的侧向的接触区域的下方。
10.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中所述包覆体(3)覆盖所述上侧并且优选覆盖所述器件(2)的所有的侧面，并且其中转换材料中的一种嵌入到所述包覆体(3)中，并且所述包覆体(3)由转换材料设置，其中所述转换材料设计用于至少部分地转换由所述器件发射的光。
11.根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)，其中所述包覆体(3)是浇注的、尤其是注塑成型的成型体和薄膜中的一种。
12.一种具有多个根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)的照明设备系统，其中相邻的照明设备(1)经由与所述包覆体(3)一件式地构成的材料桥(4)彼此连接。
13.一种用于制造根据权利要求1至11中任一项所述的照明设备(1)或者根据权利要求12所述的照明设备系统的方法，所述方法包括下述步骤：
-设置光电子器件(2)与用于电接触所述器件的连接元件(6)；
-施加包覆体(3)，所述包覆体至少部分地包覆所述器件(2)，然而露出所述器件(2)的下侧与所述连接元件(6)；
-通过第一接触元件(7)金属化到所述连接元件(6)上的方式制造所述第一接触元件(7)，所述第一接触元件侧向地超出所述器件(2)，
其中所述第一接触元件(7)的背离所述器件(2)的表面设作为空出的、设计用于在宏观层面上面状地连接所述照明设备(1)的接触面(8)。
14.根据权利要求13所述的方法，其中将多个器件(2)设置在共同的载体上，并且在一个共同的方法步骤中将所述接触元件(7)金属化到所述连接元件(6)上以及优选也在一个共同的方法步骤中将所述包覆体(3)施加到所述器件(2)上。
15.一种根据上述权利要求中任一项所述的照明设备(1)的应用，以用于在宏观层面上经由所述第一接触元件(7)的背离所述器件(2)的接触面(8)面状地连接所述照明设备(1)。
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