CN1935939A - 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 6
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 3
- FUGIIBWTNARRSF-UHFFFAOYSA-N decane-5,6-diol Chemical compound CCCCC(O)C(O)CCCC FUGIIBWTNARRSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- WXLPKTIAUMCNDX-UHFFFAOYSA-N 2h-pyran-3-ol Chemical class OC1=CC=COC1 WXLPKTIAUMCNDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- -1 phosphoric acid class inorganic acid Chemical class 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007049 Juglans regia Species 0.000 description 1
- 235000009496 Juglans regia Nutrition 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004100 electronic packaging Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 235000020234 walnut Nutrition 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本发明开发了一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液，是一种新型的有机溶剂弱腐蚀去毛刺方法。本发明采用有机碱类活化物，通过控制活化性能恰到好处地轻微弱腐蚀氧化层，使基体金属与溢料中间产生松动和微隙，易于用机械方法清除塑封溢料。本发明之去毛刺溶液具有不损伤基体、电性能可靠、操作简便、安全节能等优点，可以广泛地应用于各种半导体塑封后的去毛刺操作。这项去毛刺新技术具有非常广阔的市场应用前景，为微电子企业解决了去毛刺的难题，对促进我国微电子行业的发展起了积极的作用，也具有较高的经济效益。
Description
技术领域：
本发明涉及一种集成电路封装后处理用溶液，尤其涉及一种具有去除塑封溢料(俗称“毛刺”)功能的后处理溶液。
背景技术：
毛刺也称为飞边或溢料，是指半导体器件经塑封后残留在引脚等处的环氧塑封料溢料，俗称为“毛刺”。它是在塑封过程中从模具中溢出的塑料类物质，通常的毛刺主要包括三部分：未完全固化的环氧树脂、脱模剂及固化的环氧模塑料。它们在半导体器件的引脚处形成，并以厚度不等的塑料膜的形式将引脚包裹起来。造成引脚可焊性不良、漏焊，严重时可能会使引脚失去了与外界传输信号的功能，是影响半导体器件可靠性的最大隐患。
几乎所有半导体器件(包括IC和分立器件等)都程度不同地存在着毛刺的问题，尤其是国内某些企业采用技术水平较差的塑封模具，毛刺更加严重。所以，各种经塑封后的半导体器件都需要进行去毛刺处理。
传统的去毛刺有如下方法：(1)机械方法。该方法是将核桃粉或玻璃珠，经加入一定压力或同时加入水喷射到器件表面，靠机械摩擦力使毛刺脱落。这种方法的缺点是去掉毛刺的同时，损伤基体材料，造成基体凸凹不平和封装体起毛，在后续的电镀过程中造成电镀层薄厚不均、析氢等一系列问题。(2)有机溶剂软化。采用m-pyrol类强溶剂溶解低分子树脂和脱模剂。m-pyrol类有机溶剂的闪点低于95℃，而有效溶解工作温度95-100℃。因此容易引起火灾危险，曾有生产线被烧的先例。并且它是单纯溶解作用，对黑色固化模塑料不起作用。另外，它对工序间的时间配合要求较严格，溶解软化后的产品若不能马上刷洗或用高压水喷射掉，放置过夜后又会恢复原样。(3)无机酸浸泡。使用盐酸、硫酸、磷酸类无机强酸浸泡，这种单纯的腐蚀作用工艺难掌握，易造成基体过腐蚀。若采用盐酸，还会影响产品的可靠性。事实上，这种靠强酸的单纯腐蚀作用，很难完全去除毛刺，特别是对严重的厚毛刺几乎不能去掉。(4)无机碱浸泡或电解。通常采用强碱高温浸泡，温度在85℃以上，时间30min以上。这类强碱无论浸泡还是电解都会对塑封体本身起化学反应，使表面疏松、变色。
随着我国经济技术的发展，电子封装的规模日益扩大，而目前，在国内几乎所有的电子器件生产厂都需要采用去毛刺工艺去除引脚处的溢料。因此，开发一种可干净地去除溢料且不损伤塑封体和基材的去毛刺技术显得十分迫切。
发明内容：
本发明开发了一种新型的去毛刺溶液，是一种新型的有机溶剂弱腐蚀去毛刺方法。本发明采用有机碱类活化物，通过控制活化性能恰到好处地轻微弱腐蚀氧化层，使基体金属与溢料中间产生松动和微隙，易于用机械方法清除塑封溢料，本发明之去毛刺溶液具有以下优点：
(1)不含任何无机酸和无机碱类化合物，对基体不会造成过腐蚀，也不会对塑封体造成损伤。
(2)不含卤化物和离子，不会影响产品的可靠性和电性能，经处理的电子元器件具有良好的电导性能。
(3)闪点高(闪点＞126℃)、沸点高(160℃)，无毒性，低泡沫，不易引起火花和短路，操作安全可靠。
(4)操作温度在105±5℃，高于脱模剂的熔点温度80-90℃，有利于残余脱模剂的溶解，有利于在塑封体上打标记。
(5)经此工艺处理的器件可省去除油工艺，对去氧化过程的要求也降低。
(6)挥发少，物料消耗低，溶液稳定，可重复使用，降低生产成本。
本发明之去毛刺溶液操作安全方便，操作成本低，生产效率高，便于自动化操作，对基体的损害小，电性能优良，因此可以广泛地应用于各种场合下的去毛刺操作。所以这项去毛刺新技术具有非常广阔的市场应用前景，为微电子企业解决了去毛刺的难题，对促进我国微电子行业的发展起了积极的作用，也具有较高的经济效益。
下面结合实施例，详细说明本发明制备方法：
去毛刺溶液配方如下(w％)：
乙二醇苯醚(C8H10O2) 35％
二乙二醇二丁醚(C12H26O3) 20％
己内酰胺(C6H11NO) 15％
甘油(C3H8O3) 10％
异佛尔酮(C9H14O) 20％
称取所需量己内酰胺、甘油加入反应釜中，加热至45-55℃。在搅拌下依次加入乙二醇苯醚、二乙二醇二丁醚，然后逐滴加入异佛尔酮，加入完毕后继续搅拌1小时，再经过滤、计量后包装入桶，即可得本发明产品。
Claims (2)
1.一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液，其特征是：
采用下列配方(w％)：
乙二醇苯醚(C8H10O2) 35％
二乙二醇二丁醚(C12H26O3) 20％
己内酰胺(C6H11NO) 15％
甘油(C3H8O3) 10％
异佛尔酮(C9H14O) 20％。
2.根据权利要求1之集成电路封装后处理用去毛刺溶液，其特征是：采用有机碱类活化物，通过控制活化性能恰到好处地轻微弱腐蚀氧化层，使基体金属与溢料中间产生松动和微隙，易于用机械方法清除塑封过程产生的溢料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2005100298153A CN100567453C (zh) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| CNB2005100298153A CN100567453C (zh) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1935939A true CN1935939A (zh) | 2007-03-28 |
| CN100567453C CN100567453C (zh) | 2009-12-09 |
Family
ID=37953684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2005100298153A Active CN100567453C (zh) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100567453C (zh) |
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