CN100567453C - 一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液 - Google Patents

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Abstract

本发明开发了一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液，是一种新型的有机溶剂弱腐蚀去毛刺方法。本发明采用有机碱类活化物，通过控制活化性能恰到好处地轻微弱腐蚀氧化层，使基体金属与溢料中间产生松动和微隙，易于用机械方法清除塑封溢料。本发明之去毛刺溶液具有不损伤基体、电性能可靠、操作简便、安全节能等优点，可以广泛地应用于各种半导体塑封后的去毛刺操作。这项去毛刺新技术具有非常广阔的市场应用前景，为微电子企业解决了去毛刺的难题，对促进我国微电子行业的发展起了积极的作用，也具有较高的经济效益。

Description

一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液
技术领域：
本发明涉及一种集成电路封装后处理用溶液，尤其涉及一种具有去除塑封溢料(俗称“毛刺”)功能的后处理溶液。
背景技术：
毛刺也称为飞边或溢料，是指半导体器件经塑封后残留在引脚等处的环氧塑封料溢料，俗称为“毛刺”。它是在塑封过程中从模具中溢出的塑料类物质，通常的毛刺主要包括三部分：未完全固化的环氧树脂、脱模剂及固化的环氧模塑料。它们在半导体器件的引脚处形成，并以厚度不等的塑料膜的形式将引脚包裹起来。造成引脚可焊性不良、漏焊，严重时可能会使引脚失去了与外界传输信号的功能，是影响半导体器件可靠性的最大隐患。
几乎所有半导体器件(包括IC和分立器件等)都程度不同地存在着毛刺的问题，尤其是国内某些企业采用技术水平较差的塑封模具，毛刺更加严重。所以，各种经塑封后的半导体器件都需要进行去毛刺处理。
传统的去毛刺有如下方法：(1)机械方法。该方法是将核桃粉或玻璃珠，经加入一定压力或同时加入水喷射到器件表面，靠机械摩擦力使毛刺脱落。这种方法的缺点是去掉毛刺的同时，损伤基体材料，造成基体凸凹不平和封装体起毛，在后续的电镀过程中造成电镀层薄厚不均、析氢等一系列问题。(2)有机溶剂软化。采用m-pyrol类强溶剂溶解低分子树脂和脱模剂。m-pyrol类有机溶剂的闪点低于95℃，而有效溶解工作温度95-100℃。因此容易引起火灾危险，曾有生产线被烧的先例。并且它是单纯溶解作用，对黑色固化模塑料不起作用。另外，它对工序间的时间配合要求较严格，溶解软化后的产品若不能马上刷洗或用高压水喷射掉，放置过夜后又会恢复原样。(3)无机酸浸泡。使用盐酸、硫酸、磷酸类无机强酸浸泡，这种单纯的腐蚀作用工艺难掌握，易造成基体过腐蚀。若采用盐酸，还会影响产品的可靠性。事实上，这种靠强酸的单纯腐蚀作用，很难完全去除毛刺，特别是对严重的厚毛刺几乎不能去掉。(4)无机碱浸泡或电解。通常采用强碱高温浸泡，温度在85℃以上，时间30min以上。这类强碱无论浸泡还是电解都会对塑封体本身起化学反应，使表面疏松、变色。
随着我国经济技术的发展，电子封装的规模日益扩大，而目前，在国内几乎所有的电子器件生产厂都需要采用去毛刺工艺去除引脚处的溢料。因此，开发一种可干净地去除溢料且不损伤塑封体和基材的去毛刺技术显得十分迫切。
发明内容：
本发明开发了一种新型的去毛刺溶液，是一种新型的有机溶剂弱腐蚀去毛刺方法。本发明采用有机碱类活化物，通过控制活化性能恰到好处地轻微弱腐蚀氧化层，使基体金属与溢料中间产生松动和微隙，易于用机械方法清除塑封溢料，本发明之去毛刺溶液具有以下优点：
(1)不含任何无机酸和无机碱类化合物，对基体不会造成过腐蚀，也不会对塑封体造成损伤。
(2)不含卤化物和离子，不会影响产品的可靠性和电性能，经处理的电子元器件具有良好的电导性能。
(3)闪点高(闪点＞126℃)、沸点高(160℃)，无毒性，低泡沫，不易引起火花和短路，操作安全可靠。
(4)操作温度在105±5℃，高于脱模剂的熔点温度80-90℃，有利于残余脱模剂的溶解，有利于在塑封体上打标记。
(5)经此工艺处理的器件可省去除油工艺，对去氧化过程的要求也降低。
(6)挥发少，物料消耗低，溶液稳定，可重复使用，降低生产成本。
本发明之去毛刺溶液操作安全方便，操作成本低，生产效率高，便于自动化操作，对基体的损害小，电性能优良，因此可以广泛地应用于各种场合下的去毛刺操作。所以这项去毛刺新技术具有非常广阔的市场应用前景，为微电子企业解决了去毛刺的难题，对促进我国微电子行业的发展起了积极的作用，也具有较高的经济效益。
下面结合实施例，详细说明本发明制备方法：
去毛刺溶液配方如下(w％)：
乙二醇苯醚(C8H10O2)         35％
二乙二醇二丁醚(C12H26O3)    20％
己内酰胺(C6H11NO)        15％
甘油(C3H8O3)             10％
异佛尔酮(C9H14O)         20％
称取所需量己内酰胺、甘油加入反应釜中，加热至45-55℃。在搅拌下依次加入乙二醇苯醚、二乙二醇二丁醚，然后逐滴加入异佛尔酮，加入完毕后继续搅拌1小时，再经过滤、计量后包装入桶，即可得本发明产品。

Claims (1)

1.一种集成电路封装后处理用去毛刺溶液，其特点是：
采用下列配方W％：
乙二醇苯醚C8H10O2         35％
二乙二醇二丁醚C12H26O3    20％
己内酰胺C6H11NO           15％
甘油C3H8O3                10％
异佛尔酮C9H10O            20％。
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JP4822357B2 (ja) * 2007-04-20 2011-11-24 信越化学工業株式会社 ペリクル収納容器、および、その製造方法
CN102270587B (zh) * 2011-04-04 2016-08-03 烟台恒迪克能源科技有限公司 一种塑封晶体管溢料软化液及其制备方法
CN102956763A (zh) * 2011-08-29 2013-03-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
CN103128892A (zh) * 2013-03-13 2013-06-05 江苏矽研半导体科技有限公司 一种去除溢料的溶液及除溢料的方法
CN107805550B (zh) * 2017-07-06 2020-12-15 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用
CN107815353B (zh) * 2017-07-06 2020-12-15 上海新阳半导体材料股份有限公司 一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用
CN108417518A (zh) * 2018-05-15 2018-08-17 安徽宏实自动化装备有限公司 一种半导体无引脚封装湿式去毛边工艺及其设备
CN109352882A (zh) * 2018-10-25 2019-02-19 南通皋鑫电子股份有限公司 去除高压二极管引脚树脂毛刺工艺

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