JPH0281436A - 転写バンプの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフィルムキャリアに樹脂モールドされていない
半導体素子を実装するＦ　Ａ　Ｂ　（ＦｉｌｍＡｕｔｏ
ｍａｔｉｃ　Ｂｏｎｄｉｎｇ　）転写バンプ実装工程で
の転写バンプの形成方法に関するものである。

従来の技術 近年の可搬型の電子機器の小型化ならびに薄型化にはめ
ざましいものがあり、このような電子機器の製造工程に
おいては、電気回路を構成する半導体集積回路（ＩＣ）
をフィルムキャリアに樹脂モールドされていない（チッ
プ）状態で実装するＦＡＢ実装法が採られている。

ＦムＢ実装法には、一般に、通常バ／プエ法と転写バ／
プエ法とがある。

まず、通常バンプ工法は、第３図に示すように、ＩＣチ
ップ１の外部接続用パッド２に、ムＵバンプ３をウェハ
ーメッキにより形成し、このムＵバンプ３上にフィルム
キャリア４のリード５を適合するように配置し、その後
に、この人Ｕバンプ３とリード５の接合部分を加熱され
たツールｅにより抑圧して接続を行う実装方法である。

一方、転写バンプ工法は、第４図ａに示すように、まず
転写用ガラス基板γ上にムＵバンプ８をメッキ形成し、
この人Ｕバンプ８をツール９により外力を加えてフィル
ムキャリア１０のリード１１に転写させる。次に第４図
すに示すように、Ａｕバンプ８が転写されたフィルムキ
ャリア１ｏのリード１１を、ムＵバンプ８がｒｃチ、、
プ１２のＡｌパッド１３に適合するように配置させ、そ
の後にツール９により加熱圧接するものである。この転
写バンプ工法において、第４図ａに示すように転写用ガ
ラス基板７上のムＵバンプ８をリード１１に転写させる
工程をファーストボンディングという。また第４図すに
示すようにリード１１とＸＣチップ１２のムｌパッド１
３をムＵバンプ８を介して接合させる工程をセカンドボ
ンディングという。

転写パンプエ法は、メッキされたムＵバンプ８をガラス
基板７から電極界面にムＵバンプ８が残存せずに鏡面状
態となるように剥離する鏡面剥離処理が歩留りなどの点
において、重要なポイントとなる。鏡面剥離が良好に実
現されるか否かは、メッキ処理の条件に依存している。

メッキ処理は、電気メッキ法によって行われており、第
６図に示すような装置構成で処理されている。

電気メッキ装置は、第５図に示すように、ガラス材から
なるメッキ槽１４にムＵを溶隔させたメッキ液１５を満
たし、電源の正極に接続された電極１６と負極に接続さ
れたガラス基板７にムロメッキを施す。このときのメッ
キ条件は例えば下記第１表に示すようなものである。

第　　　１　　　表 第６図は、ムキメノキ処理工程について詳細に示す断面
図である。すなわち、転写用ガラス基板１７に、メッキ
用電極として厚さ１０００人のＴｉ層１８を形成し、さ
らにその上に厚さ２０００人のｐｔ層１９をスパッター
蒸着により積層する。

次にレジスト層２ｏをコーティングし、露光エツチング
により電極開口部２１を形成する。このようにして加工
された転写用ガラス基板１７を基材とする部材を第６図
に示すメッキ槽に浸漬して一回の電気メッキによりムＵ
バンプ８を形成している。

発明が解決しようとする課題 第４図ないし第６図において示した従来のＦＡＢ転写バ
ンプエ法では、−回のムＵ電気メッキによりされたムＵ
バンプ８がファーストボンディングとセカンドボンディ
ングの２回のボンディング工程を経てＩＣチップ１２の
人ｌパッド１３と、フィルムキャリア１０のリード１１
に接続される。

この２回のボンディング工程において、ファーストボン
ディングでは、フィルムキャリア１Ｑのリード１１とム
ｕバンプ８が、Ａｕバンプ８の鏡面剥離をともないなが
ら接続される。一方セカントボンディングでは、ＩＣチ
ップ１２のムｅパッド１３とムＵバンプ８とが接続され
る。したがって、ファーストボンディングとセカンドボ
ンディングとでは、Ａｕバンプ８の表面を形成する人Ｕ
メッキの金属端子（リード）との接合条件が異なる。

そこで従来は第１表に示すような、２回のボンディング
を比較的良好な状態で実現できると判断されるメッキ条
件でムＵメッキ処理を行っていた。

しかしながら、２回のボンディングを両方とも良好な状
態で実現しうるメッキ条件は、液温度、ムＵ含有量、印
加電流等の条件が狭い範囲に限定される。その結果、メ
ッキ処理のだめの条件の制御が困難で、所望のメッキ条
件を得られずに、実装の歩留りを高めるための妨げとな
っていた。

本発明は上記課題を解決するもので、フィルムキャリア
のリードとムｕバンブならびにムＵバンプとＩＣチップ
のバッドとの接合を良好に実現し、ＦＡＢ転写バンプ工
程の歩留りを向上させる転写バンプの形成方法を提供す
ることを目的とするものである。

課題を解決するための手段 上記目的を達成するために本発明の転写バンプの形成方
法は、転写用基材上に第１のメッキ条件により鏡面剥離
するための針状結晶構造を有する第１のメッキ層を電気
メッキ法で形成する第１の工程と、第１のメッキ条件よ
り少なくともメッキ液温度が高くかつ印加電流値の大き
い第２のメッキ条件で第１のメッキ層上に粒状結晶構造
を有する第２のメッキ層を形成する第２の工程とを含む
ものである。

作用 上記転写バンプの形成方法により、第１の工程で形成さ
れたメッキ層は結晶構造が針状となシ、転写用基材との
剥離が容易になる。また第２の工程で形成されたメッキ
層は結晶構造が粒状となり、リード、パッドとの整合性
が良好となる。その結果、ＦＡＢ転写パンプ工程の歩留
りが向上する。

実施例 以下、本発明の一実施例の転写バンプの形成方法につい
て図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の一実
施例の転写バンプの形成方法により得られた転写ムＵバ
ンプの断面図、第２図は電気メッキ方法を説明するため
の図である。なお、第１図および第２図において第４図
ないし第６図に示した従来の構成と同様のものには同符
号を付してその詳細な説明を省略する。

本実施例の転写用ムロバンプは、転写用ガラス基板１６
上にＴｉ層１７、ｐｔ層１８及びレジスト層１９を積層
した基材２２を、まず第２図ａに示すメッキ槽１４１の
メッキ液２３中に浸漬させて、電気メッキする。このと
きメッキ液２３の液温度、ムＵ含有量、ＰＭ　、メッキ
槽の材質及び電極１６に流す電流値は、それぞれ第２表
のファーストボンディング用メッキ条件に設定した。

（以　下金　白） 第　　　２　　　表 なおメッキ液としては商品名ニュートロネックス２１ｏ
〔析出量（１ミクロン；約４分）、金含有量（１ｏ　ｆ
／ｌ　））を利用した。

第２表に示すファーストボンディング用メッキ条件で、
まず、基材２２の開口２１ならびにその周辺を覆うよう
にムＵバンプの第１０メッキ層２４を形成した。このメ
ッキ層２４は、顕微鏡にて目視確認したところ、結晶が
針状構造を有していた。

第１のメッキ層２４をファーストボンディング用メッキ
条件を満足するように形成した後に、この第１のメッキ
槽１４ａから基材２２を取り出し、セカンドボンディン
グ用メッキ条件に設定された第２のメッキ槽１４ｂのメ
ッキ液２５中に浸漬させた。そして、このセカンドボン
ディング用メッキ条件の下で、第１のメッキ層２４上に
第２のメッキ層２６を形成した。このメッキ層２６は、
第１のメッキ層２４の針状構造とは異なるほぼ円形の粒
状を有していた。

以上のようにして形成された転写用ムロバンプにより、
転写パン１法にもとづいてフィルムキャリア１ｏのリー
ド１１とＩＣチップ１２のムＥバッド１３を接合したと
ころ、良好な鏡面剥離、ファースト、セカンドポンディ
ングを実現でき、実装の歩留りを向上させることができ
た。

なお、本実施例において第２表の数値に限定されるもの
ではなく、第１のメッキ層と第２のメッキ層がそれぞれ
上述の結晶構造を有するものであれば本実施例と同様の
作用効果を実現できるものである。

発明の効果 本発明によれば、電気メッキ法により形成される転写バ
ンプを、異なるメッキ条件に設定した電気メッキにより
針状の結晶構造を有する第１のメッキ層と、粒状の結晶
構造を有する第２のメッキ層から構成させたことにより
、第１のメッキ層と転写用基材との鏡面剥離を良好に実
現し、なおかつ粒状の結晶構造を有する第２のメッキ層
により接合される電極とバンプとの整合性を高めること
ができる。その結果、ＦＡＢ転写パンプ工程における歩
留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の転写バンプの形成方法を説
明するための転写バンプの断面図、第２図ａ、ｂは電気
メッキ法を説明するだめの図、第３図は第１の従来例を
説明するだめの断面図、第４図ａ、ｂは第２の従来例を
説明するための断面図、第５図は第２の従来例の電気メ
ッキ装置の構成を示す断面図、第６図は第２の従来例の
転写（ムＵ）バンプの断面図である。 ２２・・・・・・基材、２４・・・・・・第１のメッキ
層、２６・・・第２のメッキ層。 代理人の氏名　弁理士　粟　野　重　孝　ほか１名第１
図 ？２°°五材 ムー　第２のメッキ層 嬉　３　図 第４図 ２　図 Ｃα） Ｉｂ）

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）転写用基材上に針状結晶構造を有する第１のメッ
   キ層を電気メッキ法により第１のメッキ条件で形成する
   第１の工程と、第１のメッキ層上に粒状結晶構造を有す
   る第２のメッキ層を第１のメッキ条件より少なくともメ
   ッキ液温度が高くかつ印加電流値の大きい第２のメッキ
   条件で形成する第２の工程とを含むことを特徴とする転
   写バンプの形成方法。
2. （２）第１のメッキ条件のメッキ液温度が４０℃ないし
   ６０℃であり、第２のメッキ条件のメッキ液温度が５５
   ℃ないし６０℃であることを特徴とする請求項（１）に
   記載の転写バンプの形成方法。
3. （３）転写用ガラス基材上に第１及び第２のメッキ層を
   Ａｕにより形成することを特徴とする請求項（１）また
   は請求項（２）に記載の転写バンプの形成方法。