JPH02174233A - Ｉｃチップの金属突起形成方法 - Google Patents

Ｉｃチップの金属突起形成方法

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JPH02174233A
JPH02174233A JP63327973A JP32797388A JPH02174233A JP H02174233 A JPH02174233 A JP H02174233A JP 63327973 A JP63327973 A JP 63327973A JP 32797388 A JP32797388 A JP 32797388A JP H02174233 A JPH02174233 A JP H02174233A
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JP
Japan
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chip
bump
substrate
forming
plating
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JP63327973A
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Keiji Nakayama
中山　恵次
Junichi Inoue
淳一 井上
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FDK Corp
Original Assignee
FDK Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、ＩＣチップの電極パッドの部分にＡｕ等の
金属突起（バンブ）を形成する方法の改良に関する。
（従来の技術） 周知のように、フリップチップ方式あるいはフィルムキ
ャリア方式などで実装される半導体ＩＣチップには、Ａ
１等からなる電極パッドにバンブというＡｕ等の金属突
起が形成され、このバンブを介して回路基板やフィルム
キャリアにボンディングされる。従来、次のような方法
でＩＣチップの電極パッドにバンブを形成していた。
ＩＣチップの電極パッドは、チップ表面を被覆する保護
膜の窓孔部分に露出している。ここにバンブを形成する
には、まず電極パッドが配列されたチップ表面の保護膜
の上にバリアメタルと呼ぶ多層金属膜を蒸着により形成
する。次に多層金属膜の上に感光性樹脂を塗布し、フォ
トリソグラフィにより電極パッドに対応する部分の樹脂
膜を除去する。この樹脂膜パターンをめっき用マスクと
し、前記多層金属膜をマイナス電極として電解めっきを
行ない、マスクの窓の部分の多層金属膜にＡｕバンブを
形成する 次に前記めっき用マスクを除去し、新たに第２の感光性
樹脂を塗布し、フォトリソグラフィにより前記バンブの
周辺のみに樹脂膜を残す。この樹脂パターンをエツチン
グ用マスクとし、これに覆われていない部分の前記多層
金属膜を除去し、その後エツチング用マスクも除去する
。
以上の工程により、ＩＣチップの電極パッドの上に多層
金属膜を介してＡｕバンブが形成される。
（発明が解決しようとする課題） 前述した従来のバンブ形成方法は非常に工程が複雑であ
って高価な製造設備を必要とし、しかも歩留りも悪く、
バンブ付ＩＣチップとしての価格が高くなってしまう。
特に、めっきによりバンブを形成する際のマイナス電極
となる前記多層金属膜を形成し、しかも不要になった多
層金属膜を除去するという点が工程を複雑にし製造価格
を引き上げている。
また、前記の方法によってバンブ付ＩＣチップを製造し
ているのはＩＣメーカー側であり、バンブのついていな
い一般的なＩＣチップを購入して使用するユーザーの側
では前記バンブ形成方法を実施するのは非常に困難であ
る。
この発明は前述した従来の問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、バンブのついていない一般的なＩＣチ
ップを購入して使用するユーザー側でも簡単に実施でき
るようなバンブ形成方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段） この発明によるＩＣチップのバンプ形成方法は、ＩＣチ
ップの電極パッドと同じパターンの窓があるめっき用マ
スクを導電層の表面に形成してなる転写用金属突起形成
基板を設け、この基板の前記マスクの窓の部分にめっき
により金属突起を形成し、そのあと前記ＩＣチップを前
記基板上に位置決めして重ね、前記金属突起を前記ＩＣ
チップの電極チップに接合させた状態で前記ＩＣチップ
を前記基板上から分離するようにしたものである。
（作　用） バンブはまず前記基板上にＩＣチップの電極パッドと同
じパターンで形成され、その後ＩＣチップの電極パッド
側に転写される。
（実　施　例） 第１図は転写用バンブ形成基板を示している。
同図において１はガラス基板、２はガラス基板１の表面
に全面的に形成された導電膜、３は導電膜２の上に形成
されためっき用マスクである。導電膜２の材料は表面の
平滑性が高いＴ　ｉ　／　Ｐ　ｔあるいはＣｒ　／　Ｉ
　Ｔ　Ｏ等がよい。めっき用マスク３は、導電膜２の上
にＳＬＯ□膜を形成するとともに、フォトリソグラフィ
により所定パターンで窓３ａを形成したものである。め
っき用マスク３の窓３ａのパターンは、第４図に示すＩ
Ｃチップ４の電極パッド５の配列パターンと同じである
。
前述の転写用バンブ形成基板を用い、第２図に示すよう
に、導電膜２をマイナス電極として電解めっきを行ない
、めっき用マスク３の窓３ａの部分にＡｕバンブ６を形
成する。
次に前記ＩＣチップ４の電極パッド５の配列面側を前記
基板上に位置決めして重ね、基板上のバンブ６の上部に
ＩＣチップ４の電極パッド５を当接させる。その状態で
熱圧着あるいは超音波ボンディングにより電極パッド５
とバンブ６とを接合する。
その状態で第３図に示すようにＩＣチップ４を前記基板
１上から分離すると、Ａｕバンブ６は基板１の導電膜２
から剥離し、ＩＣチップ４の側に付着したままとなる。
このようにバンブ６が剥離しやすい導電膜２の材料を選
んでいる。
（発明の効果） 以上詳細に説明したように、この発明の方法によれば、
めっき用マスクを導電層の表面に形成しただけの極めて
簡単な転写用バンブ形成基板を用い、この基板側にメツ
キによりバンブを形成し、その後基板上のバンブをＩＣ
チップの側に転写することでＩＣチップの電極パッドに
バンブを形成するものであるから、従来の方法に比べて
工程は著しく簡単であり、また高価で高級な製造設備も
不必要である。従ってバンブのついていない一般的なＩ
Ｃチップを購入して使用するユーザー側において、本発
明の方法により容具にバンブ付ＩＣチップを得ることが
でき、フリップチップ方式あるいはフィルムキャリア方
式のＩＣ実装を簡単に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明による転写用バンブ形成基板の構成図
、第２図、第３図、第４図は本発明の一実施例によるバ
ンブ形成方法の工程図、第５図はバンブのついていない
ＩＣチップの概略図である。 １・・・・・・ガラス基板　　　　２・・・・・・導電
膜３・・・・・・めっき用マスク　　３ａ・・・窓４・
・・・・・ＩＣチップ　　　　５・・・・・・電極パッ
ド６・・・・・・バンブ（金属突起）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＩＣチップの電極パッドと同じパターンの窓があ
    るめっき用マスクを導電層の表面に形成してなる転写用
    金属突起形成基板を設け、この基板の前記マスクの窓の
    部分にめっきにより金属突起を形成し、そのあと前記Ｉ
    Ｃチップを前記基板上に位置決めして重ね、前記金属突
    起を前記ＩＣチップの電極チップに接合させた状態で前
    記ＩＣチップを前記基板上から分離するようにしたＩＣ
    チップの金属突起形成方法。
JP63327973A 1988-12-27 1988-12-27 Ｉｃチップの金属突起形成方法 Pending JPH02174233A (ja)

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JP63327973A Pending JPH02174233A (ja) 1988-12-27 1988-12-27 Ｉｃチップの金属突起形成方法

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JP (1) JPH02174233A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0429323A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属突起の形成方法及びその転写方法
JPH04359440A (ja) * 1991-06-05 1992-12-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の駆動電極接続方法
US5456003A (en) * 1992-06-18 1995-10-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for packaging a semiconductor device having projected electrodes
US6969905B2 (en) 2000-06-27 2005-11-29 Infineon Technologies Ag Leadframe for semiconductor chips and electronic devices and production methods for a leadframe and for electronic devices

Cited By (4)

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JPH0429323A (ja) * 1990-05-24 1992-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属突起の形成方法及びその転写方法
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