JPH0430542A - 電子装置 - Google Patents
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は液晶表示装置のような電子装置に係り、特に
ＩＣと基板上の電極とが、Ｃ０Ｇ（Ｃｈｉｐｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）法、取分はフェース・ダウン・ボンディング法
により電気的に接続されてなる場合の接続部の構造に関
する。
ＩＣと基板上の電極とが、Ｃ０Ｇ（Ｃｈｉｐｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）法、取分はフェース・ダウン・ボンディング法
により電気的に接続されてなる場合の接続部の構造に関
する。
（従来の技術）
一般に電子装置例えば液晶表示装置においては、その液
晶表示板の周辺部に、液晶駆動用のベア・ＩＣを実装す
る方法として、丁’ＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ ）法、ＣＯＯ法が知られている。
晶表示板の周辺部に、液晶駆動用のベア・ＩＣを実装す
る方法として、丁’ＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ ）法、ＣＯＯ法が知られている。
ＴＡＢ法では、テープ・キャリアにＩＣを接続（Ｉ Ｌ
Ｂ ： Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
・搭載した後、そのテープ・キャリアを液晶表示板の周
辺部に接続（ＯＬ Ｂ ： ０ｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）するという、２段階の接続工程を経る。
Ｂ ： Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）
・搭載した後、そのテープ・キャリアを液晶表示板の周
辺部に接続（ＯＬ Ｂ ： ０ｕｔｅｒ Ｌｅａｄ Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）するという、２段階の接続工程を経る。
これに対し、ＣＯＯ法、特にフェース・ダウン・ボンデ
ィング法によるＣＯＯ法は、ＩＣと液晶表示板上の電極
とを直接接続する方法であり、部材のテープ・キャリア
が不要にして、−度の接続でＩＣを搭載出来、工程が短
縮化され、低コスト化出来るという特徴があり、その実
用化が期待されている。
ィング法によるＣＯＯ法は、ＩＣと液晶表示板上の電極
とを直接接続する方法であり、部材のテープ・キャリア
が不要にして、−度の接続でＩＣを搭載出来、工程が短
縮化され、低コスト化出来るという特徴があり、その実
用化が期待されている。
ところで、フェース・ダウン・ボンディング法によるＣ
ＯＯ法には、「日経マイクロ・デバイス」の１９８９年
７月号、Ｎｏ、４９、ｐ、１０７に記載されている種々
の方式が知られているが、ここでは特開昭６２−２４４
１４３号公報に開示されている液晶表示装置における接
続材料として異方性導電膜を用いて接続する方法を例に
とり説明する。
ＯＯ法には、「日経マイクロ・デバイス」の１９８９年
７月号、Ｎｏ、４９、ｐ、１０７に記載されている種々
の方式が知られているが、ここでは特開昭６２−２４４
１４３号公報に開示されている液晶表示装置における接
続材料として異方性導電膜を用いて接続する方法を例に
とり説明する。
この液晶表示装置は、第２図及び第３図に示すように構
成され、液晶表示板１のガラス基板２上に形成された取
出し電極であるＩＴＯ配線電極３と、液晶駆動用ＩＣＪ
上に形成された金バンプ５とが、異方性導電膜６を介し
てフェース・ダウン・ボンディング法により接続されて
いる。
成され、液晶表示板１のガラス基板２上に形成された取
出し電極であるＩＴＯ配線電極３と、液晶駆動用ＩＣＪ
上に形成された金バンプ５とが、異方性導電膜６を介し
てフェース・ダウン・ボンディング法により接続されて
いる。
この接続部を拡大して示したものが第３図であり、液晶
駆動用ＩＣ４上にはアルミニウム電極７とパッシベーシ
ョン膜８とが形成され、アルミニウム電極７上に金属多
層膜からなるバリヤ・メタル層（図示せず）を介して金
バンブ５が設けられている。
駆動用ＩＣ４上にはアルミニウム電極７とパッシベーシ
ョン膜８とが形成され、アルミニウム電極７上に金属多
層膜からなるバリヤ・メタル層（図示せず）を介して金
バンブ５が設けられている。
異方性導電膜６は、第３図から明らかなように接着層９
中に導電粒子１０が分散されているもので、導電粒子１
０が配線電極３と金バンブ５との間に挾まれることによ
り、電気的に接続されている。ここで、異方性導電膜６
の接着層９の樹脂としては、熱可塑性樹脂が用いられ、
導電粒子１０として焼結カーボンか用いられている。
中に導電粒子１０が分散されているもので、導電粒子１
０が配線電極３と金バンブ５との間に挾まれることによ
り、電気的に接続されている。ここで、異方性導電膜６
の接着層９の樹脂としては、熱可塑性樹脂が用いられ、
導電粒子１０として焼結カーボンか用いられている。
即ち、従来の提案では、ＣＯＯ法に用いる液晶駆動用Ｉ
Ｃ４としては、アルミニウム電極７上に金属多層膜から
なるバリヤ・メタル層、その上に金バンプ５が形成され
たものを用いている。従って、ＩＣのウェハ段階で、バ
リヤーメタル層を形成するためのスパッタリング工程、
それをバターニングするためのりジグラフイエ程、金バ
ンプ５を形成するためのりジグラフイエ程と金メツキ工
程などが必要で、工程が長くなり、液晶駆動用ＩＣ４が
コスト高になるという欠点があった。
Ｃ４としては、アルミニウム電極７上に金属多層膜から
なるバリヤ・メタル層、その上に金バンプ５が形成され
たものを用いている。従って、ＩＣのウェハ段階で、バ
リヤーメタル層を形成するためのスパッタリング工程、
それをバターニングするためのりジグラフイエ程、金バ
ンプ５を形成するためのりジグラフイエ程と金メツキ工
程などが必要で、工程が長くなり、液晶駆動用ＩＣ４が
コスト高になるという欠点があった。
（発明が解決しようとする課題）
以上、説明したように、液晶表示板１の配線電極３と、
液晶駆動用ＩＣ４との接続を、ＣＯＯ法、取分はフェー
ス・ダウン・ボンディング法によるＣＯＯ法により行な
う場合、従来はアルミニウム電極７上に金バンブ５が形
成された液晶駆動用ＩＣ４を用いているため、液晶駆動
用ＩＣ４のコストが高くなり、更にそれを用いた液晶表
示装置のコストも高くなるという欠点があった。
液晶駆動用ＩＣ４との接続を、ＣＯＯ法、取分はフェー
ス・ダウン・ボンディング法によるＣＯＯ法により行な
う場合、従来はアルミニウム電極７上に金バンブ５が形
成された液晶駆動用ＩＣ４を用いているため、液晶駆動
用ＩＣ４のコストが高くなり、更にそれを用いた液晶表
示装置のコストも高くなるという欠点があった。
この発明は、上記事情に鑑みなされたもので、金属バン
ブが形成されていないＩＣを用い、コノＩＣ上のアルミ
ニウム電極と、基板上に形成された電極とを直接接続し
、以て低コストで而も高信頼性の電子装置を提供するこ
とを目的とする。
ブが形成されていないＩＣを用い、コノＩＣ上のアルミ
ニウム電極と、基板上に形成された電極とを直接接続し
、以て低コストで而も高信頼性の電子装置を提供するこ
とを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明は、−面にアルミニウム電極とパッシベーショ
ン膜とが形成されたＩＣが、基板上に形成された電極上
に、導電粒子を含む異方性導電膜を介してフェース・ダ
ウン・ボンディング法により電気的に接続されてなる電
子装置において、導電粒子の硬度はアルミニウム電極の
硬度よりも大きく、パッシベーション膜の硬度よりも小
さい電子装置である。
ン膜とが形成されたＩＣが、基板上に形成された電極上
に、導電粒子を含む異方性導電膜を介してフェース・ダ
ウン・ボンディング法により電気的に接続されてなる電
子装置において、導電粒子の硬度はアルミニウム電極の
硬度よりも大きく、パッシベーション膜の硬度よりも小
さい電子装置である。
（作用）
この発明によれば、ＩＣのアルミニウム電極上に金属バ
ンブを形成しない場合でも、基板上にＩＣを直接接続し
て実装することが出来るので、低コストにして且つ高信
頼性の電子装置を提供することが出来る。
ンブを形成しない場合でも、基板上にＩＣを直接接続し
て実装することが出来るので、低コストにして且つ高信
頼性の電子装置を提供することが出来る。
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
電子装置として液晶表示装置を例にとれば、この発明に
よる液晶表示装置は第１図に示すように構成され、従来
例（第３図）と同一箇所は同一符号を付すことにする。
よる液晶表示装置は第１図に示すように構成され、従来
例（第３図）と同一箇所は同一符号を付すことにする。
即ち、液晶表示板１（第２図参照）のガラス基板２上に
は、配線電極３が形成されている。この配線電極３は、
表面層がアルミニウム又はアルミニウムを主体とする金
属又は金属多層膜からなる取出し電極であり、この実施
例ではクロム、アルミニウムがこの順に形成されている
（以下、Ｃｒ／ＡＮと略す）。そして、Ｃｒ、Ａｌｌの
膜厚はそれぞれ５００人、４０００人に設定されている
。
は、配線電極３が形成されている。この配線電極３は、
表面層がアルミニウム又はアルミニウムを主体とする金
属又は金属多層膜からなる取出し電極であり、この実施
例ではクロム、アルミニウムがこの順に形成されている
（以下、Ｃｒ／ＡＮと略す）。そして、Ｃｒ、Ａｌｌの
膜厚はそれぞれ５００人、４０００人に設定されている
。
一方、出力数１２０の液晶駆動用ＩＣ４における表面の
所定箇所にはアルミニウム電極７が形成され、このアル
ミニウム電極７以外の表面には、パッシベーション膜８
が形成されている。アルミニウム電極７の大きさは約８
０μｍ角であり、ピッチは２３０μｍである。そして、
パッシベーション膜８はリン・ガラス、シリコン・ナイ
トライドの２層からなっており、各膜厚はそれぞれ４０
００人、８０００人に設定されている。
所定箇所にはアルミニウム電極７が形成され、このアル
ミニウム電極７以外の表面には、パッシベーション膜８
が形成されている。アルミニウム電極７の大きさは約８
０μｍ角であり、ピッチは２３０μｍである。そして、
パッシベーション膜８はリン・ガラス、シリコン・ナイ
トライドの２層からなっており、各膜厚はそれぞれ４０
００人、８０００人に設定されている。
上記のような液晶駆動用ｌＣ゛４上のアルミニウム電極
７がガラス基板２上の配線電極３に、異方性導電膜１１
を介してフェース・ダウン・ボンディング法により電気
的に接続される。この場合、異方性導電膜１１は接着層
１２内に導電粒子１３が分散されてなり、導電粒子１−
３の硬度はアルミニウム電極７の硬度よりも大きく、パ
ッシベーション膜８の硬度よりも小さい粒子、例えばニ
ッケル粒子である。この導電粒子１３は例えば“イガグ
リ状”であるが、その粒径（大きさ）は約１μｍ乃至２
μｍ程度の範囲に設定されている。そして、接着層１２
はエポキシ系の熱硬化性樹脂からなり、膜厚は約８μｍ
に設定されている。
７がガラス基板２上の配線電極３に、異方性導電膜１１
を介してフェース・ダウン・ボンディング法により電気
的に接続される。この場合、異方性導電膜１１は接着層
１２内に導電粒子１３が分散されてなり、導電粒子１−
３の硬度はアルミニウム電極７の硬度よりも大きく、パ
ッシベーション膜８の硬度よりも小さい粒子、例えばニ
ッケル粒子である。この導電粒子１３は例えば“イガグ
リ状”であるが、その粒径（大きさ）は約１μｍ乃至２
μｍ程度の範囲に設定されている。そして、接着層１２
はエポキシ系の熱硬化性樹脂からなり、膜厚は約８μｍ
に設定されている。
さて次に、ガラス基板２上の配線電極３へ、液晶駆動用
ＩＣ４をフェース・ダウン・ボンディング法により電気
的に接続する工程について、説明する。
ＩＣ４をフェース・ダウン・ボンディング法により電気
的に接続する工程について、説明する。
即ち、この実施例で用いている異方性導電膜１１は、粘
着性のあるものであり、これを液晶駆動用ＩＣ４よりや
や大きく切り、ガラス基板２上の所定の位置に貼る・。
着性のあるものであり、これを液晶駆動用ＩＣ４よりや
や大きく切り、ガラス基板２上の所定の位置に貼る・。
次に、配線電極３と液晶駆動用ＩＣ４のアルミニウム電
極７との位置合わせを行ない、図示しないボンダー・ツ
ールを用い、液晶駆動用ＩＣ４の裏面側より約６Ｋｇで
加圧（約５０ｇ／バッド）・加熱（ツール温度で１９０
℃）しながら約６０秒間保持する。
極７との位置合わせを行ない、図示しないボンダー・ツ
ールを用い、液晶駆動用ＩＣ４の裏面側より約６Ｋｇで
加圧（約５０ｇ／バッド）・加熱（ツール温度で１９０
℃）しながら約６０秒間保持する。
この時、液晶表示板１（第２図参照）は約５５℃に加熱
したステージ上に載せてあり、ガラス基板２の裏面側よ
り加熱されている。
したステージ上に載せてあり、ガラス基板２の裏面側よ
り加熱されている。
次に、ボンダー・ツールを液晶駆動用ＩＣ４から離せば
、アルミニウム電極７と配線電極３とが異方性導電膜１
１中の導電粒子１３を介して接続される。
、アルミニウム電極７と配線電極３とが異方性導電膜１
１中の導電粒子１３を介して接続される。
以上の工程により、第１図に示すように液晶駆動用ＩＣ
４は、液晶表示板１のガラス基板２上に実装される。
４は、液晶表示板１のガラス基板２上に実装される。
尚、この実施例における液晶表示装置は、上記以外は従
来例（第２図）と同様構成ゆえ、詳細な説明は省略する
。
来例（第２図）と同様構成ゆえ、詳細な説明は省略する
。
この実施例における異方性導電膜１１の接着層１２はエ
ポキシ系の熱硬化性樹脂であり、接続時に図示しないツ
ールにて温度１９０℃で、約６０秒間保持することによ
りキュア度が増し、液晶駆動用ＩＣ４の表面保護層であ
るパッシベーション膜８、ガラス基板２に強固に密着す
る。それ故、液晶駆動用ＩＣ４全体が、ガラス基板２に
強固に固着され、その後のポツティングによる樹脂補強
の工程も不必要である。
ポキシ系の熱硬化性樹脂であり、接続時に図示しないツ
ールにて温度１９０℃で、約６０秒間保持することによ
りキュア度が増し、液晶駆動用ＩＣ４の表面保護層であ
るパッシベーション膜８、ガラス基板２に強固に密着す
る。それ故、液晶駆動用ＩＣ４全体が、ガラス基板２に
強固に固着され、その後のポツティングによる樹脂補強
の工程も不必要である。
この実施例による液晶表示装置の接続部の接触抵抗を評
価したところ、接続箇所１８０に対し、オーブン・ショ
ートの発生は皆無であった。又、熱衝撃試験、高温鳥屋
試験、高温試験、温湿度サイクル試験、振動試験や衝撃
試験等の機械試験など、液晶表示装置に要求される各種
信頼性試験により、この実施例による液晶表示装置を評
価した所、接続箇所に起因する不具合の発生は皆無であ
った。
価したところ、接続箇所１８０に対し、オーブン・ショ
ートの発生は皆無であった。又、熱衝撃試験、高温鳥屋
試験、高温試験、温湿度サイクル試験、振動試験や衝撃
試験等の機械試験など、液晶表示装置に要求される各種
信頼性試験により、この実施例による液晶表示装置を評
価した所、接続箇所に起因する不具合の発生は皆無であ
った。
（変形例）
上記実施例では、異方性導電膜１１中の導電粒子１３が
ニッケル粒子である場合を例に取り詳述したが、アルミ
ニウム電極７より硬く、パッシベーション膜８より軟ら
かい導電粒子であれば、この発明が適用出来る。このよ
うな導電粒子１３としては、例えばニッケルの合金粒子
やチタン粒子などがある。
ニッケル粒子である場合を例に取り詳述したが、アルミ
ニウム電極７より硬く、パッシベーション膜８より軟ら
かい導電粒子であれば、この発明が適用出来る。このよ
うな導電粒子１３としては、例えばニッケルの合金粒子
やチタン粒子などがある。
又、上記実施例では、異方性導電膜１１中の導電粒子１
３の粒径が、約１μｍ乃至２μｍの範囲にある場合を例
に取り詳述したが、導電粒子１３の粒径か、パッシベー
ション膜８の膜厚と配線電極３の膜厚の差よりも大きけ
れば、この発明が適用出来る。そして、導電粒子１３の
粒径の上限は、５μｍ程度までならば、この発明が実施
され得る。
３の粒径が、約１μｍ乃至２μｍの範囲にある場合を例
に取り詳述したが、導電粒子１３の粒径か、パッシベー
ション膜８の膜厚と配線電極３の膜厚の差よりも大きけ
れば、この発明が適用出来る。そして、導電粒子１３の
粒径の上限は、５μｍ程度までならば、この発明が実施
され得る。
又、上記実施例では、配線電極３がＣｒ／Ａｌｌよりな
る場合を例に取り詳述したが、他の配線電極、例えば材
料がアルミニウム、アルミニウム合金、又はアルミニウ
ム主体とする金属からなっているならば、この発明が適
用出来る。このような例として、ガラス基板２上にモリ
ブデン、アルミニウム、モリブデンがこの順に形成され
た（ Ｍ ｏ ／ Ａ ｉｔ ／ Ｍ ｏ ）配線電極
がある。この場合、それぞれの膜厚は、例えば７００人
、４０００人、５００人である。
る場合を例に取り詳述したが、他の配線電極、例えば材
料がアルミニウム、アルミニウム合金、又はアルミニウ
ム主体とする金属からなっているならば、この発明が適
用出来る。このような例として、ガラス基板２上にモリ
ブデン、アルミニウム、モリブデンがこの順に形成され
た（ Ｍ ｏ ／ Ａ ｉｔ ／ Ｍ ｏ ）配線電極
がある。この場合、それぞれの膜厚は、例えば７００人
、４０００人、５００人である。
又、ＩＴＯを主体とする配線電極の場合にも、この発明
か適用出来るのは勿論である。
か適用出来るのは勿論である。
尚、この発明による液晶表示装置は、強固に密着した高
信頼性の接続部を有するので、液晶駆動用ＩＣ４の裏面
側から封止樹脂で覆うことは不要であるが、封止樹脂で
覆っても、この発明が適用出来るのは勿論である。
信頼性の接続部を有するので、液晶駆動用ＩＣ４の裏面
側から封止樹脂で覆うことは不要であるが、封止樹脂で
覆っても、この発明が適用出来るのは勿論である。
又、この発明は液晶表示装置に限定されず、ＩＣか実装
された電子装置一般に適用出来る。
された電子装置一般に適用出来る。
［発明の効果］
この発明によれば、ＩＣのアルミニウム電極上に金属バ
ンプを形成しない場合でも、基板上にＩＣを直接接続し
て実装することが出来るので、低コストにして且つ高信
頼性の電子装置を提供することが出来る。
ンプを形成しない場合でも、基板上にＩＣを直接接続し
て実装することが出来るので、低コストにして且つ高信
頼性の電子装置を提供することが出来る。
第１図はこの発明の一実施例に係る電子装置（液晶表示
装置）の要部を示す断面図、第２図は従来の電子装置（
液晶表示装置）を示す断面図、第３図は第２図の要部を
拡大して示す断面図である。 ２・・・ガラス基板、３・・・配線電極、４・・・液晶
駆動用ＩＣ１７・・・アルミニウム電極、８・・・パッ
シベーション膜、１１・・・異方性導電膜、１２・・・
接着層、１３・・・導電粒子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
装置）の要部を示す断面図、第２図は従来の電子装置（
液晶表示装置）を示す断面図、第３図は第２図の要部を
拡大して示す断面図である。 ２・・・ガラス基板、３・・・配線電極、４・・・液晶
駆動用ＩＣ１７・・・アルミニウム電極、８・・・パッ
シベーション膜、１１・・・異方性導電膜、１２・・・
接着層、１３・・・導電粒子。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一面にアルミニウム電極とパッシベーション膜とが形
成されたＩＣが、基板上に形成された電極上に、導電粒
子を含む異方性導電膜を介してフェース・ダウン・ボン
ディング法により電気的に接続されてなる電子装置にお
いて、 上記導電粒子の硬度は上記アルミニウム電極の硬度より
も大きく、上記パッシベーション膜の硬度よりも小さい
ことを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13543490A JP2835145B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13543490A JP2835145B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 電子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430542A true JPH0430542A (ja) | 1992-02-03 |
| JP2835145B2 JP2835145B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=15151635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13543490A Expired - Lifetime JP2835145B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835145B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996036992A1 (en) * | 1995-05-18 | 1996-11-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and its manufacture |
| JPH11258620A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2000070670A1 (en) * | 1999-05-12 | 2000-11-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, and electronic device |
| EP1093160A2 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-18 | Sony Chemicals Corporation | Connecting material for anisotropically electroconductive connection |
| KR20030047085A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 엘지전선 주식회사 | 니켈 금속을 연결수단으로 이용한 전자부품 및 접속방법 |
| KR100411809B1 (ko) * | 1995-12-27 | 2004-03-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 크기형반도체패키지 |
| US6737300B2 (en) * | 2001-01-24 | 2004-05-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip scale package and manufacturing method |
| WO2005002002A1 (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法 |
| KR100591461B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2006-06-20 | (주)실리콘화일 | 두 반도체 기판의 알루미늄 전극 접합방법 |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13543490A patent/JP2835145B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6514796B2 (en) | 1995-05-18 | 2003-02-04 | Hitachi, Ltd. | Method for mounting a thin semiconductor device |
| US5893746A (en) * | 1995-05-18 | 1999-04-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for making same |
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| US6162701A (en) * | 1995-05-18 | 2000-12-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for making same |
| EP0828292A4 (en) * | 1995-05-18 | 2000-01-05 | Hitachi Ltd | SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD |
| US6589818B2 (en) | 1995-05-18 | 2003-07-08 | Hitachi. Ltd. | Method for mounting a thin semiconductor device |
| KR100411809B1 (ko) * | 1995-12-27 | 2004-03-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 크기형반도체패키지 |
| JPH11258620A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2000070670A1 (en) * | 1999-05-12 | 2000-11-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same, and electronic device |
| US6528343B1 (en) | 1999-05-12 | 2003-03-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device its manufacturing method and electronic device |
| KR100861757B1 (ko) * | 1999-10-12 | 2008-10-06 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 이방성 도전 접속 재료 |
| EP1093160A3 (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-05 | Sony Chemicals Corporation | Connecting material for anisotropically electroconductive connection |
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| CN100380741C (zh) * | 2003-06-25 | 2008-04-09 | 日立化成工业株式会社 | 电路连接材料、电路构件的连接结构及其制造方法 |
| WO2005002002A1 (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 回路接続材料、これを用いたフィルム状回路接続材料、回路部材の接続構造及びその製造方法 |
| US8043709B2 (en) | 2003-06-25 | 2011-10-25 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Circuit connecting material, film-like circuit connecting material using the same, circuit member connecting structure, and method of producing the same |
| US8202622B2 (en) | 2003-06-25 | 2012-06-19 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Circuit connecting material, film-form circuit connecting material using the same, circuit member connecting structure and method of manufacturing the same |
| US8501045B2 (en) | 2003-06-25 | 2013-08-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Circuit connecting material, film-form circuit connecting material using the same, circuit member connecting structure and method of manufacturing the same |
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| WO2006093386A1 (en) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Siliconfile Technologies Inc. | Method of bonding aluminum electrodes of two semiconductor substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835145B2 (ja) | 1998-12-14 |
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