JPH03225934A - 半導体集積回路素子の接続方法 - Google Patents
半導体集積回路素子の接続方法Info
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- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路素子を液晶表示デバイス基板に
接続して搭載する半導体集積回路素子の接続方法に関す
る。
接続して搭載する半導体集積回路素子の接続方法に関す
る。
近年、エレクトロニクス機器の小型化に伴ない、半導体
集積回路素子（以下、ＩＣチップという）の高密度実装
に対する要請がなされており、とりわけ、ＩＣチップを
液晶表示デバイス（以下、ＬＣＤという。）に高密度実
装することが重要となっている。この高密度実装法の一
つとして、例えば異方性導電接続法がある。
集積回路素子（以下、ＩＣチップという）の高密度実装
に対する要請がなされており、とりわけ、ＩＣチップを
液晶表示デバイス（以下、ＬＣＤという。）に高密度実
装することが重要となっている。この高密度実装法の一
つとして、例えば異方性導電接続法がある。
第２図（ａ） 、 （ｂ）は従来のＩＣチップの接続方
法を工程順に示す基板の断面図である。
法を工程順に示す基板の断面図である。
このＩＣチップの接続は次のとおりである。すなわち、
第２図（ａ）に示すように、電極パッド２上に金属パン
１３′が形成されたＩＣチップ１と、この金属パン１３
′に対応して形成された電極端子２ａを有するＬＣＤ基
板４とを導電性粒子７を分散させて含有している熱接着
樹脂シート６を介して向き合せる。次に第２図（ｂ）に
示すように、ＩＣチップ１をＬＣＤ基板４に押しつけ、
加熱することにより熱接着樹脂シー１−６を軟化させ、
電極パッド２と電極端子２ａとを導電性粒子７により接
続することによって行われる。
第２図（ａ）に示すように、電極パッド２上に金属パン
１３′が形成されたＩＣチップ１と、この金属パン１３
′に対応して形成された電極端子２ａを有するＬＣＤ基
板４とを導電性粒子７を分散させて含有している熱接着
樹脂シート６を介して向き合せる。次に第２図（ｂ）に
示すように、ＩＣチップ１をＬＣＤ基板４に押しつけ、
加熱することにより熱接着樹脂シー１−６を軟化させ、
電極パッド２と電極端子２ａとを導電性粒子７により接
続することによって行われる。
しかしながら、上述した従来のＩＣチップの接続方法に
よれば、金属パン１３′と電極端子２ａ間を電気的に接
続している導電性粒子７の数量を多くすると隣り合う金
属パン１３′あるいは電極端子２ａ間でショートあるい
は電流リークが発生し、これを避けるためと導電性粒子
７の数量を少なくすると、接続抵抗が増大するとともに
ばらつく。又、甚しい場合には電気的にオープンになる
接続箇所が発生する。さらに、ＩＣチップとＬＣＤ基板
が厳密に平行なまま押しつけることは極めて難しく、各
々の電極端子間のキャップにばらつきが発生し、各電ｆ
ｉ端子間の導電粒子の数量にばらつきが生じ、結果とし
て接続が不安定になるという問題がある。これらはＬＣ
Ｄデバイスの動作不良を引き起こす重大な欠点となって
いた。
よれば、金属パン１３′と電極端子２ａ間を電気的に接
続している導電性粒子７の数量を多くすると隣り合う金
属パン１３′あるいは電極端子２ａ間でショートあるい
は電流リークが発生し、これを避けるためと導電性粒子
７の数量を少なくすると、接続抵抗が増大するとともに
ばらつく。又、甚しい場合には電気的にオープンになる
接続箇所が発生する。さらに、ＩＣチップとＬＣＤ基板
が厳密に平行なまま押しつけることは極めて難しく、各
々の電極端子間のキャップにばらつきが発生し、各電ｆ
ｉ端子間の導電粒子の数量にばらつきが生じ、結果とし
て接続が不安定になるという問題がある。これらはＬＣ
Ｄデバイスの動作不良を引き起こす重大な欠点となって
いた。
本発明の目的は再現性の良い、安定なＩＣチップの接続
方法を提供することにある。
方法を提供することにある。
前記目的を達成するなめ、本発明に係る半導体集積回路
素子の接続方法においては、半導体集積回路素子に形成
された電極パッドと、該電極パッドに対応して液晶表示
デバイス基板に形成された電極端子とを金属バンプを介
して接続する半導体集積回路素子の接続方法であって、 前記電極パッド或いは前記電極端子の少くとも一方に弾
性変形可能な金属バンプを形成する工程と、 前記半導体集積回路素子及び液晶表示デバイス基板表面
の少くとも一方に弾性変形可能な金属バンプを含めて紫
外線硬化樹脂を塗布する工程と、前記電極パッドと電極
端子とを向き合せ、前記半導体回路素子と液晶表示デバ
イス基板間を圧着することにより金属バンプを弾性変形
させ該金属バンプと対向する電極パッド或いは電極端子
に密着させる工程と、 前記半導体集積回路素子及び液晶表示デバイスの対内面
間に付着した前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して硬
化させる工程とを含むものである。
素子の接続方法においては、半導体集積回路素子に形成
された電極パッドと、該電極パッドに対応して液晶表示
デバイス基板に形成された電極端子とを金属バンプを介
して接続する半導体集積回路素子の接続方法であって、 前記電極パッド或いは前記電極端子の少くとも一方に弾
性変形可能な金属バンプを形成する工程と、 前記半導体集積回路素子及び液晶表示デバイス基板表面
の少くとも一方に弾性変形可能な金属バンプを含めて紫
外線硬化樹脂を塗布する工程と、前記電極パッドと電極
端子とを向き合せ、前記半導体回路素子と液晶表示デバ
イス基板間を圧着することにより金属バンプを弾性変形
させ該金属バンプと対向する電極パッド或いは電極端子
に密着させる工程と、 前記半導体集積回路素子及び液晶表示デバイスの対内面
間に付着した前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して硬
化させる工程とを含むものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明のＩＣチップの接続方法
を工程順に示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示
すように、半導体集積回路素子（以下、ＩＣチップとい
う）１の表面には、例えばＡｕ／Ｃｒ ／ Ａ Ｑの三
層金属！（それぞれの膜厚は、１．０ μｍ、 ０．０
５μｍ、 ０．５ 、ｃｚｍ） 、あるいはＡｕ／ Ｔ
ｉ Ｎ ／ Ａ Ｑの三層金属膜（それぞれの膜厚は
、０．８μｍ、０．０８μｍ、０．２μｍ）で構成され
た電極パッド２が形成され、一方液晶表示デバイス（以
下、ＬＣＤという）基板４には電極パッド２に対応して
電極端子２ａが形成されている。
を工程順に示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示
すように、半導体集積回路素子（以下、ＩＣチップとい
う）１の表面には、例えばＡｕ／Ｃｒ ／ Ａ Ｑの三
層金属！（それぞれの膜厚は、１．０ μｍ、 ０．０
５μｍ、 ０．５ 、ｃｚｍ） 、あるいはＡｕ／ Ｔ
ｉ Ｎ ／ Ａ Ｑの三層金属膜（それぞれの膜厚は
、０．８μｍ、０．０８μｍ、０．２μｍ）で構成され
た電極パッド２が形成され、一方液晶表示デバイス（以
下、ＬＣＤという）基板４には電極パッド２に対応して
電極端子２ａが形成されている。
本発明においては、まず第２図（ａ）に示すように電極
パッド２上に弾性変形可能な金属バンプ（以下ソフトメ
タルバンプという）３を一体的に形成する。このソフト
メタルバンプ３の成分としてはＩｎ（インジウム）金属
を用いるが、塑性変形量をコントロールする必要がある
場合にはインジウムと鉛等との合金を用いてもよい。
パッド２上に弾性変形可能な金属バンプ（以下ソフトメ
タルバンプという）３を一体的に形成する。このソフト
メタルバンプ３の成分としてはＩｎ（インジウム）金属
を用いるが、塑性変形量をコントロールする必要がある
場合にはインジウムと鉛等との合金を用いてもよい。
次にＩＣチップ１の電極パッド２及びソフトメタルバン
プ３を含む表面を洗浄し、その後紫外線硬化樹脂５を電
極パッド２及びソフトメタルバンプ３を含めたＩＣチッ
プ１の表面に塗布する。このことにより、ソフトメタル
バンプ３は紫外線硬化樹脂５により包み込まれ密閉され
た状態になり、その表面は汚れたり、傷ついたりするこ
とがない。
プ３を含む表面を洗浄し、その後紫外線硬化樹脂５を電
極パッド２及びソフトメタルバンプ３を含めたＩＣチッ
プ１の表面に塗布する。このことにより、ソフトメタル
バンプ３は紫外線硬化樹脂５により包み込まれ密閉され
た状態になり、その表面は汚れたり、傷ついたりするこ
とがない。
次に、ガラス等で製作されたＬＣＤ基板４の電極端子２
ａを包む表面を洗浄し、電極端子２ａを含む表面に紫外
線硬化樹脂５を塗布する。実施例では紫外線硬化樹脂５
として三菱レーヨン■製アクリル系樹脂「タイヤ・ビー
ム」 （商品名）を用いた。
ａを包む表面を洗浄し、電極端子２ａを含む表面に紫外
線硬化樹脂５を塗布する。実施例では紫外線硬化樹脂５
として三菱レーヨン■製アクリル系樹脂「タイヤ・ビー
ム」 （商品名）を用いた。
次に第１図（ｂ）に示すように、電極パッド２上のソフ
トメタルバンプ３と電極端子２ａとを向き合せてＩＣチ
ップ１をＬＣＤ基板４上に乗せる。
トメタルバンプ３と電極端子２ａとを向き合せてＩＣチ
ップ１をＬＣＤ基板４上に乗せる。
次に第１図（Ｃ）に示すように荷重を加えてＩＣチップ
１を圧下し、ソフトメタルバンプ３を弾性変形させその
反発力によりラフ１−メタルバンプ３を電極端子２ａに
密着させる。
１を圧下し、ソフトメタルバンプ３を弾性変形させその
反発力によりラフ１−メタルバンプ３を電極端子２ａに
密着させる。
次に前記荷重を加えた状態でＩＣチップ１側より液晶が
劣化しない程度の温度、即ち１５０℃程度以下、例えば
１００℃程度に加熱し、これと同時に、横方向６及びＬ
ＣＤ基板４の裏面方向より高圧水銀灯にて紫外線をＩＣ
チップ１とＬＣＤ基板４間に付着した紫外線硬化樹脂５
に照射し、該紫外線硬化樹脂５を硬化させ、ＩＣチップ
１とＬＣＤガラス基板４を接着固定すると共にソフトメ
タルバンプ接合部分の固定を行なう。
劣化しない程度の温度、即ち１５０℃程度以下、例えば
１００℃程度に加熱し、これと同時に、横方向６及びＬ
ＣＤ基板４の裏面方向より高圧水銀灯にて紫外線をＩＣ
チップ１とＬＣＤ基板４間に付着した紫外線硬化樹脂５
に照射し、該紫外線硬化樹脂５を硬化させ、ＩＣチップ
１とＬＣＤガラス基板４を接着固定すると共にソフトメ
タルバンプ接合部分の固定を行なう。
以上説明したように本発明によれば、金属バンプをＩＣ
チップの電極パッド或いはＬＣＤ基板の電極端子に直接
密着させるため、接続が確実に行なわれ、その接続抵抗
の変動分を小さくすることができる。また、金属バンプ
は弾性変形するため、ＩＣチップの電極パッドとＬＣＤ
基板の電極端子との間のギャップのばらつきを吸収して
その両者間を安定に接続できる。また補修のためにＩＣ
チップを交換する際も、溶剤により樹脂を溶解すること
により、ＬＣＤを熱損傷させることなく、容易にＩＣチ
ップを取りはずすことができ、再接続も簡単である。
チップの電極パッド或いはＬＣＤ基板の電極端子に直接
密着させるため、接続が確実に行なわれ、その接続抵抗
の変動分を小さくすることができる。また、金属バンプ
は弾性変形するため、ＩＣチップの電極パッドとＬＣＤ
基板の電極端子との間のギャップのばらつきを吸収して
その両者間を安定に接続できる。また補修のためにＩＣ
チップを交換する際も、溶剤により樹脂を溶解すること
により、ＬＣＤを熱損傷させることなく、容易にＩＣチ
ップを取りはずすことができ、再接続も簡単である。
このように、本発明のＩＣチップの接続方法は、低温で
、高密度接続が確実に、容易に、信頼性良く実總できる
という極めて顕著な効果が得られる。
、高密度接続が確実に、容易に、信頼性良く実總できる
という極めて顕著な効果が得られる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明に係るＩＣチップの接続
方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）は従来
のＩＣチップの接続方法を工程順に示す断面図である。 １・−・ＩＣチップ ２・・・電極パッドａ・・
・電極端子 ・・弾性変形可能な金属バンプ ・・ＬＣＤ基板 ５・・・紫外線硬化樹脂片 出 願 人 日 本 脅シ 気 株 式 １：ｌＣチップ ２ ：電独バッド ２α：電謄娼子 ３」−変形可能な金屑バンフ。 ４ ： ＩｃＤガラス男４反 ｓ ： ′：＃を線石更イヒ型樹月ｉ第 図
方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）（ｂ）は従来
のＩＣチップの接続方法を工程順に示す断面図である。 １・−・ＩＣチップ ２・・・電極パッドａ・・
・電極端子 ・・弾性変形可能な金属バンプ ・・ＬＣＤ基板 ５・・・紫外線硬化樹脂片 出 願 人 日 本 脅シ 気 株 式 １：ｌＣチップ ２ ：電独バッド ２α：電謄娼子 ３」−変形可能な金屑バンフ。 ４ ： ＩｃＤガラス男４反 ｓ ： ′：＃を線石更イヒ型樹月ｉ第 図
Claims (1)
- （１）半導体集積回路素子に形成された電極パッドと、
該電極パッドに対応して液晶表示デバイス基板に形成さ
れた電極端子とを金属バンプを介して接続する半導体集
積回路素子の接続方法であって、 前記電極パッド或いは前記電極端子の少くとも一方に弾
性変形可能な金属バンプを形成する工程と、 前記半導体集積回路素子及び液晶表示デバイス基板表面
の少くとも一方に弾性変形可能な金属バンプを含めて紫
外線硬化樹脂を塗布する工程と、前記電極パッドと電極
端子とを向き合せ、前記半導体回路素子と液晶表示デバ
イス基板間を圧着することにより金属バンプを弾性変形
させ該金属バンプと対向する電極パッド或いは電極端子
に密着させる工程と、 前記半導体集積回路素子及び液晶表示デバイスの対向面
間に付着した前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して硬
化させる工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路
素子の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021794A JPH03225934A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体集積回路素子の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021794A JPH03225934A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体集積回路素子の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225934A true JPH03225934A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12064962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021794A Pending JPH03225934A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体集積回路素子の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225934A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621149A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 集積回路素子の接続方法 |
| JPH07202392A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半田バンプならびにこれを用いた電子部品の接続構造およ び方法 |
| US5905305A (en) * | 1996-01-24 | 1999-05-18 | Micron Technology, Inc. | Condensed memory matrix |
| KR20020002663A (ko) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 액정 모듈 |
| US7067334B2 (en) | 2000-02-23 | 2006-06-27 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Tape carrier package and method of fabricating the same |
| KR100705757B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2007-04-10 | 한국과학기술원 | 극미세피치를 가지는 플립칩 및 이의 제조방법 |
| JP2008091933A (ja) | 1995-11-17 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 電子部品 |
| JP4768188B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2011-09-07 | 東レエンジニアリング株式会社 | チップ実装方法および装置 |
| JP2012508470A (ja) * | 2008-11-07 | 2012-04-05 | レイセオン カンパニー | 読み出し集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作成方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2021794A patent/JPH03225934A/ja active Pending
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