JPH11258620A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置において、接続信頼性の向上を
図る。 【解決手段】 液晶表示素子と駆動回路素子とを接続す
るバンプと、駆動回路素子に設けられバンプと接続され
た接続パッドと、該接続パッドの外周部を覆って設けら
れた保護膜と、該保護膜に前記接続パッドの表面が前記
バンプと接続するように設けられた開口とを有し、開口
の幅が前記バンプの高さよりも短く形成した液晶表示装
置とする。 【効果】 駆動用回路素子と透明絶縁基板上に形成され
た端子との接続抵抗を小さくして信頼性を向上させると
共に、高品質の画像表示を可能としたフリップチップ方
式の液晶表示素子を有する液晶表示装置を提供すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
わり、特に液晶表示素子を駆動する駆動回路素子を液晶
表示素子上に直接搭載する方式の液晶表示装置に適用し
て有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、アクティブ・マトリクス方式の
液晶表示装置の液晶表示素子（すなわち、液晶表示モジ
ュール）では、液晶層を介して互いに対向配置されるガ
ラス等からなる２枚の透明絶縁基板（以下、単にガラス
基板とも称する）を有する。そのうち、一方のガラス基
板の液晶層側の面に、そのｘ方向に延在し、ｙ方向に並
設されるゲート線群と、このゲート線群と絶縁されてｙ
方向に延在し、ｘ方向に並設されるドレイン線群とが形
成されている。

【０００３】これらのゲート線群とドレイン線群とで囲
まれた各領域がそれぞれ画素領域となり、この画素領域
にスイッチング素子として例えば薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）と透明画素電極とが形成されている。

【０００４】このような構造をもつ液晶表示装置におい
ては、ゲート線に走査信号を供給することにより、薄膜
トランジスタがオンとされ、このオンとされた薄膜トラ
ンジスタを介してドレイン線からの映像信号が画素電極
に供給される。

【０００５】なお、ドレイン線群の各ドレイン線はもち
ろんのこと、ゲート線群の各ゲート線は、それぞれ透明
絶縁基板の周辺にまで延在されて外部端子（すなわち、
外部接続端子、以下、単に接続端子とも言う）を構成
し、この外部端子にそれぞれ接続されて映像駆動回路、
ゲート走査駆動回路、すなわち、これらを構成する複数
個の駆動用半導体集積回路が、該透明絶縁基板の周辺に
外付けされるようになっている。

【０００６】従来は、これらの各駆動用半導体集積回
路、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）に搭載し、こ
のテープキャリアパッケージを透明絶縁基板の周辺に複
数個外付けしている。

【０００７】しかし、このように透明絶縁基板は、その
周辺に駆動用半導体集積回路が搭載されたＴＣＰが外付
けされる構成となっているので、これらの回路によっ
て、透明絶縁基板のゲート線群とドレイン線群との交差
領域によって構成される表示領域の輪郭と、該透明絶縁
基板の外枠の輪郭との間の領域（通常、額縁と称してい
る）の占める面積が大きくなってしまい、液晶表示モジ
ュールの外形寸法を小さくしたいという要望に反する。

【０００８】それゆえ、このような問題を少しでも解消
するために、すなわち、液晶表示素子の高密度化と液晶
表示モジュールの外形をできる限り縮小したいとの要求
から、ＴＣＰ部品を使用せず、映像駆動用回路およびゲ
ート走査駆動用回路を透明絶縁基板上に直接搭載する構
成が提案された。このような実装方式をフリップチップ
方式、あるいはチップ・オン・ガラス（ＣＯＧ）方式と
いう。

【０００９】図９はフリップチップ方式の液晶表示素子
の概略構造を説明する要部断面図であって、ＳＵＢ１は
液晶表示素子を構成する一方の透明絶縁基板（ここで
は、ガラス基板）、ＳＵＢ２は同他方のガラス基板、Ｌ
Ｃは液晶、ＳＬはシール（シートパターン）、ＴＥＲＭ
１、ＴＥＲＭ２は電極、ＤＩＣは駆動回路素子、ＢＵＭ
Ｐは駆動回路素子ＤＩＣの金バンプ（以下、単にバンプ
ともいう）、ＡＣＦは異方性導電膜、ＳＩＬは保護膜樹
脂、ＦＰＣはフレキシブル回路基板である。

【００１０】図９において、一対のガラス基板ＳＵＢ
１，ＳＵＢ２は液晶ＬＣを挟持し、その周辺をシールＳ
Ｌで封止されている。一方のガラス基板ＳＵＢ１に形成
された電極ＴＥＲＭ１はシールＳＬを越えて外部に延び
て外部端子、すなわち接続端子を構成している。なお、
以下接続端子をＴＥＲＭで総称して示す場合もある。

【００１１】駆動回路素子ＤＩＣの金バンプＢＵＭＰの
一方（駆動回路素子ＤＩＣの出力側）は、この接続端子
ＴＥＲＭ１に接続し他方（駆動回路素子ＤＩＣの入力
側）は外部回路を搭載するフレキシブル回路基板ＦＰＣ
に延びる電極ＴＥＲＭ２に接続している。

【００１２】搭載した駆動回路素子ＤＩＣの接続部分に
は保護膜樹脂ＳＩＬが塗布され、静電防止および耐食防
止膜となる。

【００１３】この種の先行技術としては、例えば、特開
平４−３２１７１号公報、特開昭６３−２８４５９１号
公報を挙げることができる。

【００１４】図１０は、従来のフリップチップ方式の液
晶表示素子において使用される、駆動回路素子ＤＩＣの
バンプ位置を説明する、駆動回路素子ＤＩＣの概略平面
図である。ＩＮは入力端子、ＯＵＴは出力端子、ＤＭＹ
はダミー端子である。それぞれの端子位置に、バンプＢ
ＵＭＰ（図示せず）が形成される。

【００１５】液晶表示素子は高精細、多階調、画素数増
加の傾向にあり、そのため駆動回路素子ＤＩＣに形成さ
れるバンプは益々多数化、微細化している。出力端子Ｏ
ＵＴは液晶表示素子の高精細、画素数増加に伴い、数が
増加し、微細化する傾向にある。また入力端子ＩＮも多
階調化に伴い、入力される階調電圧数が増加する傾向に
ある。

【００１６】このため、バンプＢＵＭＰも微細化するこ
とになり、バンプの接続に寄与する面積は小さくなって
いる。また図１０に示すように、バンプの位置は駆動回
路素子ＤＩＣ内のレイアウトの制限より、入力端子ＩＮ
と出力端子ＯＵＴは、対向する長辺に沿うように、駆動
回路素子ＤＩＣの周辺部の一定の領域に設けられてお
り、この形成される領域が制限される事もバンプの形状
を微細化する原因になっている。

【００１７】図１１から図１２は、従来のバンプの概略
製造工程図である。図１１、図１２を参照して従来のバ
ンプの製造方法について説明する。

【００１８】工程Ａ、図１１（ａ） 既存の方法により駆動回路素子ＤＩＣがウエハ上に形成
される。該駆動回路素子，ＤＩＣの形成と同時にバンプ
を形成する位置には、アルミのパッドＰＡＤが形成さ
れ、その周囲には保護膜ＰＳＶ（パッシベーション膜）
が形成される。

【００１９】工程Ｂ、図１１（ｂ） 前記アルミパッドＰＡＤ及び保護膜ＰＳＶを覆って、ア
ルミパットＰＡＤと金の接着を良くするため、かつ金メ
ッキの際のメッキ電流を各端子に供給する役目をもって
いる中間接続膜ＵＭＢ（Ｕｎｄｅｒ−Ｂｕｍｐ−Ｍｅｔ
ａｌ）を形成する。

【００２０】工程Ｃ、図１１（ｃ） 中間接続膜ＵＭＢ上にホトレジスト膜ＰＨＲを、所望の
バンプ高さが得られる厚さに形成する。ホトレジスト膜
ＰＨＲにマスクをアライメントし露光、現像すること
で、バンプを形成する位置のホトレジスト膜ＰＨＲを除
去し、開口を設ける。

【００２１】工程Ｄ、図１２（ａ） 上記開口に金を電解メッキすることで、金バンプＢＵＭ
Ｐを形成する。

【００２２】工程Ｅ、図１２（ｂ） フォトレジスト膜ＰＨＲを剥離する。

【００２３】工程Ｆ、図１２（ｃ） 金バンプＢＵＭＰとアルミパットＰＡＤとの間以外に形
成された、余分な中間接続膜ＵＭＢをエッチングする。

【００２４】上記工程により、図１２（ｃ）に示す金バ
ンプＢＵＭＰが得られるが、該金バンプＢＵＭＰの上面
には、アルミパッドＰＡＤと保護膜ＰＡＳとの段差によ
って生じる段差ＳＴＥＰが解消されず、残ってしまう。

【００２５】このようにして金バンプＢＵＭＰを形成し
た駆動回路素子ＤＩＣは、図１３に示すように、液晶表
示素子にフリップチップ方式により搭載される。この
際、アルミパッドＰＡＤと該アルミパッドの周囲に形成
される保護膜ＰＳＶとの段差により、バンプ表面に保護
膜厚分（１〜２μｍ）の段差が生じる。

【００２６】液晶表示素子に駆動回路素子ＤＩＣが搭載
され、液晶表示素子の接続端子ＴＥＲＭと駆動回路素子
ＤＩＣが電気的に導通される場合には、バンプＢＵＭＰ
表面は前記接続端子ＴＥＲＭと接続される面となる。ま
た異方性導電膜ＡＣＦの電気的接続に寄与するのは、異
方性導電膜ＡＣＦ内の導電粒子ＥＣＰＡ（粒子径Φ３〜
１０μｍ）である。

【００２７】この導電粒子ＥＣＰＡがバンプＢＵＭＰと
接続端子ＴＥＲＭとの間に挟まれることで、導電粒子Ｅ
ＣＰＡによりバンプ表面−導電粒子−接続端子と電気的
に導通するが、バンプ表面に段差ＳＴＥＰがあると、バ
ンプ表面と接続端子ＴＥＲＭとの間隔に差が生じること
となる。

【００２８】そのため導電粒子ＥＣＰＡが、バンプＢＵ
ＭＰと接続端子ＴＥＲＭとの間で押しつぶされる圧力に
差が生じ、導電粒子ＥＣＰＡのつぶれ具合に差が生じる
こととなり、導電粒子ＥＣＰＡのバンプ表面又は接続端
子ＴＥＲＭとの接触する面積に差が生じることとなる。

【００２９】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のフリップチップ方式の液晶表示素子においては、駆動
回路素子のバンプと透明絶縁基板上の接続端子とを直接
加熱圧着して接続するか、あるいは上記特開平４−３２
１７１号公報、特開昭６３−２８４５９１号公報に開示
されたように、両者の間に導電粒子を混入してなる異方
性導電膜を介して接続しているのが一般的であった。

【００３０】しかし上述したように、金メッキによるバ
ンプ形成では、下地形状を反映してバンプ表面にパッシ
ベーション膜厚分の段差が生じる。駆動用半導体集積回
路と液晶表示素子との間で、電気的接続をとるための異
方性導電膜内の導電性粒子は、段差部において高い部分
では、適当につぶされて電気的接続が得られるが、バン
プ表面の半分以上を占める段差部の低い部分では、つぶ
し代が少なく十分な電気的接続が得られない。

【００３１】このように、駆動回路素子ＤＩＣのバンプ
ＢＵＭＰは製造時に生じる段差ＳＴＥＰが、バンプＢＵ
ＭＰと液晶表示素子の接続端子ＴＥＲＭとの間に生じて
おり、その表面の接触特性が良好でないため抵抗が高
く、導電性粒子ＥＣＰＡを介在したものでは導電性粒子
ＥＣＰＡのつぶれ具合に大きなばらつきが生じ、信頼性
を低下させる原因となっていた。

【００３２】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消し、駆動回路素子ＤＩＣと透明絶縁基板ＳＵＢ１上
に形成された接続端子ＴＥＲＭとの接続抵抗を小さくし
て信頼性を向上させると共に、高品質の画像表示を可能
としたフリップチップ方式の液晶表示素子を有する液晶
表示装置を提供することにある。

【００３３】

【課題を解決するための手段】液晶表示素子と該液晶表
示素子を駆動する駆動回路素子と、該駆動回路素子に設
けられた接続パッドと、前記液晶表示素子に設けられた
接続端子と、前記接続パッド上に設けられ前記接続端子
と電気的に接続されるバンプと、前記接続パッドの外周
部を覆って設けられた保護膜と、該保護膜に前記接続パ
ッドの表面が前記バンプと接続するように設けられた開
口とを有し、該開口の幅が前記バンプの高さよりも短く
形成した液晶表示装置とする。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、図面を参照してさらに詳細に説明する。

【００３５】図１は本発明による液晶表示装置の第１実
施例を構成する液晶表示素子及び駆動回路素子ＤＩＣと
の接続部の断面模式図であって、 ＬＣＤは液晶表示素
子、ＳＵＢ１は透明絶縁基板としてのガラス基板、ＤＩ
Ｃは駆動回路素子、ＢＵＭＰは金バンプ、ＴＥＲＭは液
晶表示素子ＬＣＤに形成した接続端子、ＡＣＦは異方性
導電膜、ＥＣＰＡは異方性導電膜ＡＣＦの接着剤中に分
散された導電粒子、ＰＡＳは保護膜、ＰＡＤは駆動回路
素子ＤＩＣのアルミパッド（以下、配線電極、電極パッ
ドともいう）である。

【００３６】同図において、駆動回路素子ＤＩＣと液晶
表示素子ＬＣＤの一方のガラス基板ＳＵＢ１上の有効領
域外には外部回路に接続するための接続端子ＴＥＲＭが
形成されている。一方、フリップチップ方式（ＣＯＧ方
式）で実装する駆動回路素子ＤＩＣには、アルミニウム
等の配線電極ＰＡＤに金バンプＢＵＭＰが形成されてい
る。なお、ＰＡＳは保護膜である。

【００３７】金バンプＢＵＭＰは、保護膜ＰＡＳに設け
られる開口を従来より小さな寸法で形成している。この
開口を小さくすることで、金バンプ表面の段差を減少す
ることができる。

【００３８】電解メッキによる金バンプＢＵＭＰの形成
においては、膜成長方向に電界を印加して高さ方向に膜
成長させる。このとき、特に膜が成長する端部において
は横方向へも膜が成長する。このため、保護膜ＰＡＳに
設ける開口を従来より小さな寸法とすることで、金バン
プＢＵＭＰの表面に生じていた段差を横方向への膜成長
により埋め込むことができ、平滑な金バンプ表面を形成
することができる。

【００３９】ガラス基板ＳＵＢ１への駆動回路素子ＤＩ
Ｃの実装は、ガラス基板ＳＵＢ１に形成された接続端子
ＴＥＲＭに異方性導電膜ＡＣＦを貼付した後、駆動回路
素子ＤＩＣの金バンプＢＵＭＰを対面させて両者を加熱
しながら押圧することによって、金バンプＢＵＭＰと接
続端子ＴＥＲＭの直接接触部と上記異方性導電膜ＡＣＦ
に含まれる導電粒子ＥＣＰＡを介在させた接触で導電的
に接続する。

【００４０】この導電粒子ＥＣＰＡは駆動回路素子ＤＩ
Ｃの実装時の加熱押圧で金バンプＢＵＭＰに食い込むよ
うな硬さを有するコア材料にニッケルメッキを施し、そ
の上に金膜をコーティングして成る。その直径は例えば
５μｍである。

【００４１】金バンプ表面を平滑に形成することで、駆
動回路素子ＤＩＣの実装時に、加熱圧着される粒子ＥＣ
ＰＡは、金バンプＢＵＭＰの表面に均等な圧力で押し付
けられ、ある程度、食い込んだ状態で、偏平に変形して
接続端子ＴＥＲＭに接触する。

【００４２】したがって、ガラス基板ＳＵＢ１上の接続
端子ＴＥＲＭと駆動回路素子ＤＩＣの金バンプＢＵＭＰ
とは当該金バンプＢＵＭＰと接続端子ＴＥＲＭの直接接
続部分と金バンプＢＵＭＰに接触する導電粒子ＥＣＰＡ
との接触面とで導電接続される。

【００４３】このように、本実施例によれば、接続端子
ＴＥＲＭと金バンプＢＵＭＰとの接続部分の接触面積が
従来の段差ＳＴＥＰのある金バンプによる接続に比較し
て均一になるため接触抵抗値が均一化される。また、接
続端子ＴＥＲＭと金バンプとの間の導電接続が低抵抗値
で一様になることで、導電接続の信頼性が向上し、結果
として高画質の液晶表示が得られる。

【００４４】なお、金バンプＢＵＭＰと接続端子ＴＥＲ
Ｍとの接続は、導電粒子ＥＣＰＡを介在させない場合で
も、金バンプ表面に段差がないことで、接続抵抗の減少
や信頼性が向上することが可能である。

【００４５】次に、上記した金バンプＢＵＭＰの形成に
おいて、膜の成長方向について図２から図４を用いて述
べる。電解メッキにおいては、一般に２つの電極間に電
解を加え、一方の電極側にメッキする物質が堆積する。
図２（ａ）に示す電極パッドＰＡＤは駆動回路素子ＤＩ
Ｃ と液晶表示素子ＬＣＤ（図１を参照）とを電気的に
接続する接続端子であるが、メッキ時においては、金が
堆積するための電極の役目もある。なお、図２（ａ）は
電解メッキによる金バンプＢＵＭＰの形成において工程
の初期時の断面図を（ｂ）はバンプ表面を示す。

【００４６】図２（ａ）においては、電極パッドの周囲
を囲むように、保護膜ＰＡＳ（パッシベーション膜）が
形成されている。この保護膜ＰＡＳは、駆動回路素子Ｄ
ＩＣの表面を保護する膜であって、駆動回路素子ＤＩＣ
の表面全域を覆い、水分の進入を防いだり、電気的な短
絡を防いだりするものである。膜厚は数μｍ（１〜２μ
ｍ）で、前述したように駆動回路素子ＤＩＣの信頼性を
保つために十分かつ、均一な膜厚で駆動回路素子ＤＩＣ
の表面を覆うよう形成される。保護膜ＰＡＳには、特に
目的がない限り開口等が設けられるものではないが、電
極パッドＰＡＤ部は液晶表示素子との電気的接続を目的
として開口が設けられている。

【００４７】また、金バンプＢＵＭＰと電極パッドＰＡ
Ｄとの間には、金が電極パッドＰＡＤを形成するアルミ
等の金属に拡散しないように、中間接続膜ＵＢＭが設け
られている。金バンプＢＵＭＰの形成時には、この中間
接続膜ＵＢＭの表面に金が堆積することで、金バンプＢ
ＵＭＰを形成する膜が成長することとなる。このとき、
金バンプＢＵＭＰの表面には、保護膜ＰＡＳの開口によ
る段差ＳＴＥＰが生じている。

【００４８】次に、図３を用い電解メッキによる金バン
プＢＵＭＰの形成工程の中間時を説明する。図３（ａ）
は断面図を（ｂ）はバンプ表面を示す。電解メッキによ
り金が堆積し図３（ａ）では縦方向に膜が成長すること
になるが、同時に横方向にも成長するため、保護膜ＰＡ
Ｓの開口による段差ＳＴＥＰの幅は図２に比べて狭まっ
ている。

【００４９】次に、図４を用い電解メッキによる金バン
プＢＵＭＰの形成工程の完成時を説明する。図４（ａ）
は断面図を（ｂ）はバンプ表面を示す。電解メッキによ
り金が堆積し図４（ａ）では縦方向に膜が成長し、金バ
ンプＢＵＭＰは望みの高さに形成されるが、同時に横方
向に膜が成長することで、保護膜ＰＡＳの開口による段
差ＳＴＥＰ解消される。

【００５０】次に、図５を用いて金バンプＢＵＭＰの各
寸法について説明する。図５に示すように、保護膜ＰＳ
Ｖに設けられた開口の幅をａ、バンプの高さをｂ、バン
プの幅をｃ、バンプ表面の段差底部の幅（以下段差幅）
をｄとし、膜が成長する部分において、膜が横方向に成
長する変化量をΔａ、縦方向に成長する変化量をΔｂと
し、ΔａとΔｂの関係が係数ｋにより、Δａ＝ｋ×Δｂ
の関係にあるとした場合、横方向の膜の成長は両側面か
ら中央に向かい成長するので、ａ＜２ｋｂとなるよう
に、保護膜ＰＳＶの開口部の幅ａを選べば、金バンプＢ
ＵＭＰ表面に生じる段差は解消されることとなる。ただ
し、段差が解消しなくても段差幅ｄが減少することで、
接続抵抗の減少や信頼性を向上させることが可能であ
る。

【００５１】ΔａとΔｂの値は、様々な条件で異なる
が、膜が横方向に成長する速度に対して、縦方向に成長
する速度が速いこと（ｋ＜１）を考慮して、ａ＜２ｂと
することでバンプ表面を平坦化することが可能である。

【００５２】実際には、膜は堆積して形成されるため、
係数ｋは０.２５＜ｋ＜０.５となる。ｋ＝０.５の場合
を考慮して、ａ＜ｂとなるように開口の幅ａを選べば、
金バンプＢＵＭＰ表面に生じる段差幅ｄを実用可能な範
囲に減少することが可能である。本実施例の場合は、ａ
＝２０μｍ、ｂ＝２０μｍとした。ｋ＝０.５の場合金
バンプＢＵＭＰ表面に生じる段差幅ｄが略解消される。
またｋ＝０.２５の場合では、段差幅ｄは約１０μｍと
なる。

【００５３】ｋ＝０.２５の場合でも開口の幅ａをａ＜
ｂとなるように選べば、一般に金バンプＢＵＭＰの幅ｃ
が開口の幅ａよりも広いため、段差幅ｄを金バンプＢＵ
ＭＰ表面の半分以下とすることができる。なお、ｋが
０.２５以下の場合でも、、段差幅ｄを導電粒子ＥＣＰ
Ａの粒径の２倍以下となるような、開口の幅ａを選べば
（導電粒子ＥＣＰＡの粒径が約５μｍの場合１０μｍ以
下）、段差に入り込む導電粒子ＥＣＰＡの数が制限でき
ることで、接続抵抗の減少や信頼性を向上させることが
可能である。

【００５４】また、保護膜ＰＳＶの開口部の幅ａは、保
護膜ＰＳＶにエッチング等の方法で設ける開口であるこ
とを考慮して、開口部の幅ａは保護膜ＰＳＶの膜厚より
も広く設ける必要がある。なお、従来開口部の幅ａは開
口部での接続抵抗を小さくするために、できるだけ大き
く設けるよう形成されていた。

【００５５】図６から図８は本発明の一実施例を示した
もので、図６、図７、図８は、アルミパッドＰＡＤ上に
設けられた保護膜ＰＡＳの開口ＯＰＮの形状を示すもの
で、解りやすくするために、他の構成は省略している。

【００５６】図６（ａ）は開口部の幅ａを小さくしたも
のの概略断面図、図６（ｄ）は図６（ａ）の平面図であ
る。図６（ｂ）（ｃ）は保護膜ＰＳＶに設ける開口の数
を複数としたものの概略断面図、図６（ｅ）（ｆ）はそ
れぞれの平面図である。

【００５７】金バンプＢＵＭＰの表面の段差を解消する
ために、保護膜ＰＳＶに設ける開口の幅を狭くした場合
に、保護膜ＰＳＶに設ける開口の面積が小さくなる。こ
のため、導電面積が少なくなることによる、導電抵抗の
増大や、断線に対する信頼性の低下が考えられる。そこ
で本実施例では、保護膜ＰＳＶに設ける開口の数を複数
とすることで、開口の面積が小さくなることを防止して
いる。

【００５８】図６（ｂ）は開口を配列状に設けたもので
あり、図６（ｃ）は金バンプＢＵＭＰの長辺方向に長い
開口を複数設けたものである。

【００５９】図７は、開口の面積が小さくならないよう
に、開口の幅を狭くすることに応じて、金バンプＢＵＭ
Ｐの面積を大きくしたものである。図７（ａ）は金バン
プＢＵＭＰの長辺方向に長くなるように形成したもの
で、図７（ｄ）はその平面図。図７（ｂ）は金バンプＢ
ＵＭＰの面積を大きくしたものに、開口の数を複数にす
るものを組合わせたもので、図７（ｅ）はその平面図。
図７（ｃ）は金バンプＢＵＭＰの面積を大きくし、開口
の数を複数にし、開口を長辺方向に長くなるように形成
するものを組合わせたもので、図７（ｆ）はその平面図
である。

【００６０】図８（ａ）は開口の中央部に島状に保護膜
ＰＳＶを残したものの断面図で、図８（ｂ）は平面図で
ある。

【００６１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
駆動用回路素子と透明絶縁基板上に形成された端子との
接続抵抗を小さくして信頼性を向上させると共に、高品
質の画像表示を可能としたフリップチップ方式の液晶表
示素子を有する液晶表示装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の接続部断面模式
図。

【図２】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図３】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図４】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図５】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図６】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図７】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図８】本発明による液晶表示装置のバンプを説明する
概略図。

【図９】フリップチップ方式による液晶表示装置を説明
する概略図。

【図１０】フリップチップ方式による液晶表示装置のバ
ンプ位置を説明する概略図。

【図１１】液晶表示装置のバンプ製造方法を説明する概
略図。

【図１２】液晶表示装置のバンプ製造方法を説明する概
略図。

【図１３】従来のバンプによる接続状態を説明する概略
図。

【符号の説明】

ＳＵＢ１、ＳＵＢ２…透明絶縁基板、ＴＥＲＭ１、ＴＥ
ＲＭ２…接続端子、ＤＩＣ…駆動回路素子、ＢＵＭＰ…
金バンプ、ＡＣＦ…異方性導電膜、ＰＳＶ…保護膜、Ｆ
ＰＣ…フレキシブル回路基板、ＵＢＭ…中間接続膜、Ｌ
Ｃ…液晶、ＳＬ…シール、ＰＡＤ…アルミパッド、ＰＨ
Ｒ…ホトレジスト、ＥＣＰＡ…導電粒子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶表示素子と該液晶表示素子を駆動す
   る駆動回路素子と、該駆動回路素子に設けられた接続パ
   ッドと、上記液晶表示素子に設けられた接続端子と、上
   記接続パッド上に設けられ上記接続端子と電気的に接続
   されるバンプと、上記接続パッドの外周部を覆って設け
   られた保護膜と、該保護膜に前記接続パッドの表面が上
   記バンプと接続するように設けられた開口とを有し、該
   開口の幅が上記バンプの高さよりも短いことを特徴とす
   る液晶表示装置。
2. 【請求項２】 液晶表示素子と該液晶表示素子を駆動す
   る駆動回路素子と、該駆動回路素子に設けられた接続パ
   ッドと、上記液晶表示素子に設けられた接続端子と、上
   記接続パッド上に設けられ上記接続端子と導電粒子を用
   いて電気的に接続されるバンプと、上記接続パッドの外
   周部を覆って設けられた保護膜と、該保護膜に前記接続
   パッドの表面が上記バンプと接続するように設けられた
   開口とを有し、該開口の段差により上記バンプの表面に
   形成された段差の幅が、上記導電粒子の粒径の２倍より
   も短いことを特徴とする液晶表示装置。