JPS6126080A - 画像表示用装置 - Google Patents
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- JPS6126080A JPS6126080A JP14781284A JP14781284A JPS6126080A JP S6126080 A JPS6126080 A JP S6126080A JP 14781284 A JP14781284 A JP 14781284A JP 14781284 A JP14781284 A JP 14781284A JP S6126080 A JPS6126080 A JP S6126080A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶と組み合わせることによって構成される画
像表示装置に関するものである。
像表示装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
液晶表示装置において液晶セルの動的動作を可能とし、
多重化を実現するためにはトランジスタやダイオードな
どの非線形スイッチと液晶セルよりなる単位絵素を２次
元の７１１クスに配列するとともにそれらを相互接続す
る必要がある。
多重化を実現するためにはトランジスタやダイオードな
どの非線形スイッチと液晶セルよりなる単位絵素を２次
元の７１１クスに配列するとともにそれらを相互接続す
る必要がある。
第１図は非線形スイッチとして絶縁ゲート型（ＭＩＳ）
）ランジスタ１を用いた場合の等１曲回路を示す。走査
線３にゲートパルスが印加されると横方向のトランジス
タ群は一斉にＯＮ状態になシゲートバルスが印加されて
いる期間中に信号線４より一斉にあるいは順次に（ｙｌ
、ｙ２．・・・・・・ｙＨ）画像信号を液晶セル２に電
気的に書き込む。ゲートパルスを縦方向に（Ｘｌ、 Ｘ
２ 、・・・・・・ｘｌ） 順次走査することによっ
て全−酊の書き込みが完了し、再びゲートパルスを縦方
向に赤青することによって多重化が容易に達成される。
）ランジスタ１を用いた場合の等１曲回路を示す。走査
線３にゲートパルスが印加されると横方向のトランジス
タ群は一斉にＯＮ状態になシゲートバルスが印加されて
いる期間中に信号線４より一斉にあるいは順次に（ｙｌ
、ｙ２．・・・・・・ｙＨ）画像信号を液晶セル２に電
気的に書き込む。ゲートパルスを縦方向に（Ｘｌ、 Ｘ
２ 、・・・・・・ｘｌ） 順次走査することによっ
て全−酊の書き込みが完了し、再びゲートパルスを縦方
向に赤青することによって多重化が容易に達成される。
液晶セル２に書き込まれた画像に対応する信号電圧はト
ランジスタ１のＯＦＦ 抵抗および液晶セル２の抵抗分
を通して放電していくが、通常これらの抵抗は十分高く
て液晶セル２両端の電位差の変化は画像表示には支障を
きたさないように設計的手法が考慮される。
ランジスタ１のＯＦＦ 抵抗および液晶セル２の抵抗分
を通して放電していくが、通常これらの抵抗は十分高く
て液晶セル２両端の電位差の変化は画像表示には支障を
きたさないように設計的手法が考慮される。
液晶セル２のもう一方の電極５は共通電極として全絵素
共通に構成され、適当な電位に固定される。
共通に構成され、適当な電位に固定される。
トランジスタ１のＯＦＦ 抵抗あるいは液晶セル２の抵
抗が低い場合や階調性を重視した画像が欲しい場合には
補助容量６を液晶セル２に並列に加えるか、あるいは液
晶セル２とトランジスタ１との接続点と接地点５との間
に加える手法が知られている。
抗が低い場合や階調性を重視した画像が欲しい場合には
補助容量６を液晶セル２に並列に加えるか、あるいは液
晶セル２とトランジスタ１との接続点と接地点５との間
に加える手法が知られている。
さて、このような画像表示装置の製作にあたって問題と
なるのはトランジスタ１の特性のばらつきであろう。ト
ランジスタ１（／Ｃ要求される性能は１ず大きなＯＮ電
流と小さなＯＦＦ 電流であシ、これは高いコントラ
スト比を得るために必要であり、つぎにしきい値電圧が
ｊ前っていないと画像の輝度レベルにむらが生じる。こ
れらの諸量が小さなばらつきに納°まって形成されるた
めに（ｄｌ、ｍＩｓトランジスタを構成する成分である
半導体材料、ゲート絶縁膜などの膜質や膜厚か均一であ
るばかりでなく、チャンネル長りやチャンネル＠Ｗも揃
っていなければならないことは明らかであろう。
なるのはトランジスタ１の特性のばらつきであろう。ト
ランジスタ１（／Ｃ要求される性能は１ず大きなＯＮ電
流と小さなＯＦＦ 電流であシ、これは高いコントラ
スト比を得るために必要であり、つぎにしきい値電圧が
ｊ前っていないと画像の輝度レベルにむらが生じる。こ
れらの諸量が小さなばらつきに納°まって形成されるた
めに（ｄｌ、ｍＩｓトランジスタを構成する成分である
半導体材料、ゲート絶縁膜などの膜質や膜厚か均一であ
るばかりでなく、チャンネル長りやチャンネル＠Ｗも揃
っていなければならないことは明らかであろう。
超ＬＳＩ技術に代表されるシリコン系半導体装置におい
ては装置開発および材料開発か活発で、今や材料的には
直径８インチの単結晶シリコン基板が存在し、６インチ
対応の各棹薄膜生成装置、食刻装置、写真食刻装置が稼
動しつつある。超ＬＳＩ技術を適用すれば単結晶あるい
は多結晶シリコンを用いて先述した特性をＭするＭＩＳ
トランジスタを１枚のウエーノ・上に多数形成すること
は歩留りの低下を除けば極めて容易である。しかしなが
ら６インチ以上の大きさ、例えば２０αＸ２０ｃｍの大
きさの画像表示装置を得ようとすると半導体材料からし
て単結晶の物は望めず多結晶または非晶質にならざるを
得ないし、写真食刻技術においてもパターン精度は１０
μｍ程度にまで低下し、スクリーン印刷ではパターン精
度は５０μｍ程度が限界である。加えて基板がガラスな
どでは熱工程における軟化や伸びが発生してパターニン
グの合わせ精度も低下せざるを得ない。
ては装置開発および材料開発か活発で、今や材料的には
直径８インチの単結晶シリコン基板が存在し、６インチ
対応の各棹薄膜生成装置、食刻装置、写真食刻装置が稼
動しつつある。超ＬＳＩ技術を適用すれば単結晶あるい
は多結晶シリコンを用いて先述した特性をＭするＭＩＳ
トランジスタを１枚のウエーノ・上に多数形成すること
は歩留りの低下を除けば極めて容易である。しかしなが
ら６インチ以上の大きさ、例えば２０αＸ２０ｃｍの大
きさの画像表示装置を得ようとすると半導体材料からし
て単結晶の物は望めず多結晶または非晶質にならざるを
得ないし、写真食刻技術においてもパターン精度は１０
μｍ程度にまで低下し、スクリーン印刷ではパターン精
度は５０μｍ程度が限界である。加えて基板がガラスな
どでは熱工程における軟化や伸びが発生してパターニン
グの合わせ精度も低下せざるを得ない。
このような制限のもとでは半導体材料の膜質の劣悪さが
捷ず問題となり、例え膜質の均一性が保証されてもパタ
ーニング精度の低下に伴なうＭＩＳトランジスタの相互
コンダクスの低下とあいまって画像表示装置のスイッチ
ング素子としての性能を満足させることは非常に困難で
ある。例えば単結晶シリコンと非晶質シリコンでは移動
度が電子の場合１０００ ｃｍ２／ Ｖ−ｓ ｅ ｃと
１ ｃｍ２／ Ｖ ＊ｓｅｃで３桁異なり、さらにチャ
ネルの形状比Ｗ／Ｌ もパターン精度の低下により同
士が望めないとなると、同じ大きさの絵素を駆動するた
めに必要なＷ／Ｌは非晶質シリコンの場合には単結晶シ
リコンの場合の１００〜１０００ 倍となり開口率を著
しく下げることは明白であろう。
捷ず問題となり、例え膜質の均一性が保証されてもパタ
ーニング精度の低下に伴なうＭＩＳトランジスタの相互
コンダクスの低下とあいまって画像表示装置のスイッチ
ング素子としての性能を満足させることは非常に困難で
ある。例えば単結晶シリコンと非晶質シリコンでは移動
度が電子の場合１０００ ｃｍ２／ Ｖ−ｓ ｅ ｃと
１ ｃｍ２／ Ｖ ＊ｓｅｃで３桁異なり、さらにチャ
ネルの形状比Ｗ／Ｌ もパターン精度の低下により同
士が望めないとなると、同じ大きさの絵素を駆動するた
めに必要なＷ／Ｌは非晶質シリコンの場合には単結晶シ
リコンの場合の１００〜１０００ 倍となり開口率を著
しく下げることは明白であろう。
半導体材料に良質な物が得られにくいこと、膜厚や膜質
のばらつきとパターン精度の低下は大面積になればなる
ほど大きくなることなどの理由により大画面の画像表示
装置の製作は困難であるのか現状である。
のばらつきとパターン精度の低下は大面積になればなる
ほど大きくなることなどの理由により大画面の画像表示
装置の製作は困難であるのか現状である。
発明の目的
本発明はかかる現状に鑑みなされたものであり、大画面
の画像表示装置の製作を容易ならしめることを目的とす
る。
の画像表示装置の製作を容易ならしめることを目的とす
る。
発明の構成
本発明においては非線形スイッチであるＭＯＳトランジ
スタを別途多数用意しておき、別工程で製作したガラス
板上に組み込むことによシアクチイブマトリクスを得る
構成となっている。
スタを別途多数用意しておき、別工程で製作したガラス
板上に組み込むことによシアクチイブマトリクスを得る
構成となっている。
実施例の説明
第２図は本発明によるアクティブマトリクスの平面配置
図である。ＭＯＳトランジスタ１はソースまたはドレイ
ン８、ゲート９、ドレインまたはソース１０を”有し、
それらは各信号線４、走査線３、絵素電極７に接続され
ている。第３図は単位絵素の平面図であり、Ａ−Ａ’綾
線上断面図が第４図に示されている。
図である。ＭＯＳトランジスタ１はソースまたはドレイ
ン８、ゲート９、ドレインまたはソース１０を”有し、
それらは各信号線４、走査線３、絵素電極７に接続され
ている。第３図は単位絵素の平面図であり、Ａ−Ａ’綾
線上断面図が第４図に示されている。
本発明による画像表示装置の製作方法は以下に述べる通
りである。透光性絶縁基板例えばガラス板１１上に第１
の金属、例えばＡ１１．１：Ｄなる映像信号線４を選択
的に形成する。次に全面に透光性絶縁膜例えばＳｉ○２
１２を抜術形成し、映像信号線４の分枝部４′上に開口
部１３を形成する。開口部１３はメッキなどの手法によ
り第２の金属例えばＡｕ１４で埋めてほぼ平坦としてお
くことが望ましい。その後全面に第３の金属、例えばＡ
Ｉを蒸着し、開口部１３を含む第１の接続パターン１５
、分枝部３′ヲ有し走査線３となるパターン、および第
２の接続パターン１６を選択的に形成する。そして一主
面上にソースまたはドレイン、ゲート、ドレインまたは
ソースに対応して例えはＡｕよりなるバンプ電極８′、
９′、１０′を有し、バンプ電極以外は絶縁膜１７を被
着された半導体チップ１８を前記ガラス板上に配布し、
熱圧着によってバンプ電極８′、９′、１０′と第１の
接続パターン１５、分枝部３′、第２の接続パターン１
６とを合金化して半導体チップ１８をガラス板１１上に
固定する。
りである。透光性絶縁基板例えばガラス板１１上に第１
の金属、例えばＡ１１．１：Ｄなる映像信号線４を選択
的に形成する。次に全面に透光性絶縁膜例えばＳｉ○２
１２を抜術形成し、映像信号線４の分枝部４′上に開口
部１３を形成する。開口部１３はメッキなどの手法によ
り第２の金属例えばＡｕ１４で埋めてほぼ平坦としてお
くことが望ましい。その後全面に第３の金属、例えばＡ
Ｉを蒸着し、開口部１３を含む第１の接続パターン１５
、分枝部３′ヲ有し走査線３となるパターン、および第
２の接続パターン１６を選択的に形成する。そして一主
面上にソースまたはドレイン、ゲート、ドレインまたは
ソースに対応して例えはＡｕよりなるバンプ電極８′、
９′、１０′を有し、バンプ電極以外は絶縁膜１７を被
着された半導体チップ１８を前記ガラス板上に配布し、
熱圧着によってバンプ電極８′、９′、１０′と第１の
接続パターン１５、分枝部３′、第２の接続パターン１
６とを合金化して半導体チップ１８をガラス板１１上に
固定する。
ついで透光性絶縁膜１９を全面に被着してその表面がガ
ラス板１１とほぼ平行になるようにするが、このとき注
意せねばならないことは半導体チップ１８が少なくとも
０．１鵡以上の厚みを持ちため透光性絶縁膜１９の材質
か限定されることである。実施例においては高透明のポ
リイミド系樹脂（東し製５Ｐ−９１０）をガラス板１１
上に配置した枠組の中に流し込むことにより０．１５
騙の厚みで塗布することができた。樹脂層１９の平面度
を保つためには定盤上にガラス板１１を置けばよいこと
は言うまでもない。樹脂層１９の塗布後、１５０℃のセ
ミキュアを行なり１ポジ型の感光性樹脂を用いた写真食
刻工程によって第２の接続パターン１６上に開口部２０
を容易に形成することができる。開口部２０の形成後に
３００℃以上の熱処理を与えて樹脂層１９をキュアする
。
ラス板１１とほぼ平行になるようにするが、このとき注
意せねばならないことは半導体チップ１８が少なくとも
０．１鵡以上の厚みを持ちため透光性絶縁膜１９の材質
か限定されることである。実施例においては高透明のポ
リイミド系樹脂（東し製５Ｐ−９１０）をガラス板１１
上に配置した枠組の中に流し込むことにより０．１５
騙の厚みで塗布することができた。樹脂層１９の平面度
を保つためには定盤上にガラス板１１を置けばよいこと
は言うまでもない。樹脂層１９の塗布後、１５０℃のセ
ミキュアを行なり１ポジ型の感光性樹脂を用いた写真食
刻工程によって第２の接続パターン１６上に開口部２０
を容易に形成することができる。開口部２０の形成後に
３００℃以上の熱処理を与えて樹脂層１９をキュアする
。
そして再びメッキなどの手法によシ開ロ部２゜を第４の
金属２１で埋めるか、少なくとも開口部２ｏの内壁を伝
わって樹脂層１９の表面に１で第４の金属層２１を被着
形成した後に、開口部２０を含んで樹脂層１９上に透明
導電性の、例えばＩＴＯよりなる絵素電極７が選択的に
被着形成される。その後は通常の液晶セルの組立と同じ
工法で、一主面上に全面に透明電極２２を被着されたガ
ラス板２３と半導体スイッチを組み込まれた前記基板１
１とを適当なシール材を用いて組み立て、それらの間隙
に液晶２４を注入してセル化すればよい。さらに液晶２
４の材質に応じて偏光板２５．２６をセルに貼付すれば
液晶画像表示装置が得られる。−組の偏光板２６．２６
は必らずしも対である必要はなく、また反射板をいずれ
かの偏光板２６に密着させるこζにより反射型の履晶画
像表示装置として動作させることができることは言うま
でもないだろう。
金属２１で埋めるか、少なくとも開口部２ｏの内壁を伝
わって樹脂層１９の表面に１で第４の金属層２１を被着
形成した後に、開口部２０を含んで樹脂層１９上に透明
導電性の、例えばＩＴＯよりなる絵素電極７が選択的に
被着形成される。その後は通常の液晶セルの組立と同じ
工法で、一主面上に全面に透明電極２２を被着されたガ
ラス板２３と半導体スイッチを組み込まれた前記基板１
１とを適当なシール材を用いて組み立て、それらの間隙
に液晶２４を注入してセル化すればよい。さらに液晶２
４の材質に応じて偏光板２５．２６をセルに貼付すれば
液晶画像表示装置が得られる。−組の偏光板２６．２６
は必らずしも対である必要はなく、また反射板をいずれ
かの偏光板２６に密着させるこζにより反射型の履晶画
像表示装置として動作させることができることは言うま
でもないだろう。
第５図は本発明の他の実施例に伴なう画像表示装置の断
面図である。この実施例においては開口部２０’を有す
るガラス板２７が樹脂層１９′上に配置され、絵素電極
７と第２の接続パターン１６とを接続する第４の金属層
２１にほぼ一直線上に連なった樹脂層１９′に形成され
た開口部２ｏとガラス板２７に形成された開口部２０′
とを埋めている。
面図である。この実施例においては開口部２０’を有す
るガラス板２７が樹脂層１９′上に配置され、絵素電極
７と第２の接続パターン１６とを接続する第４の金属層
２１にほぼ一直線上に連なった樹脂層１９′に形成され
た開口部２ｏとガラス板２７に形成された開口部２０′
とを埋めている。
したがってガラス板２７をマスクとして樹脂層１９′に
開口部２０を形成することが可能であるので、樹脂層１
９′は透明度に優れ適箔な耐熱性（３００〜ＳＯＯ℃）
があれば十分である。なお、穴径ｏ＝１ｒｔｒａ以下の
開口部を有するガラス板については保谷硝子社製の感光
性ガラスｐＥＧ３が最適である。
開口部２０を形成することが可能であるので、樹脂層１
９′は透明度に優れ適箔な耐熱性（３００〜ＳＯＯ℃）
があれば十分である。なお、穴径ｏ＝１ｒｔｒａ以下の
開口部を有するガラス板については保谷硝子社製の感光
性ガラスｐＥＧ３が最適である。
第４図、第５図からも明らかなように第１の接続パター
ン１５は必らずしも必要ではなり、塘た開口部２ｏは深
いので導電性塗料やカーボン微粒子を塗り込んで埋める
ことも可ＷＱである。
ン１５は必らずしも必要ではなり、塘た開口部２ｏは深
いので導電性塗料やカーボン微粒子を塗り込んで埋める
ことも可ＷＱである。
発明の効果
以上の説明からも明らかなように、本発明においては非
線形スイッチとしては半導体チップを絵素毎に配置する
構成となっている。このため画像表示装置の大きさに関
係なく非線形スイッチの特性を揃えることができ、大型
の画像表示装置になるほど画質の均一性の向上が明らか
となる。また半導体チップはそれ自身バンベーションに
よって外部汚染から保護されるので、基板ガラスや各種
金属層などに含１ｈている不純物などが原因で半導体ス
イッチの特性が変動したり劣化する恐れも皆無となる。
線形スイッチとしては半導体チップを絵素毎に配置する
構成となっている。このため画像表示装置の大きさに関
係なく非線形スイッチの特性を揃えることができ、大型
の画像表示装置になるほど画質の均一性の向上が明らか
となる。また半導体チップはそれ自身バンベーションに
よって外部汚染から保護されるので、基板ガラスや各種
金属層などに含１ｈている不純物などが原因で半導体ス
イッチの特性が変動したり劣化する恐れも皆無となる。
このことは同時に原材料のコスト低減や製作工程の簡便
化にも大いに寄与する。画像表示装置を得るためには半
導体スイッチを合金化によってガラス基板に組み込む工
程と、走査線、信号線および絵素電極の形成工程が必要
であるが、大画面の画像表示装置においてはこれらの工
程では１０μｍ程度の微細カロエは旨梢細度を目的とし
ない限り不要で、梢々１００μｍもあれば十分である。
化にも大いに寄与する。画像表示装置を得るためには半
導体スイッチを合金化によってガラス基板に組み込む工
程と、走査線、信号線および絵素電極の形成工程が必要
であるが、大画面の画像表示装置においてはこれらの工
程では１０μｍ程度の微細カロエは旨梢細度を目的とし
ない限り不要で、梢々１００μｍもあれば十分である。
したがって製作工程の谷易さは飛躍的に増すことは明ら
かであろう。
かであろう。
なお半導体スイッチに関して、その材質や製作方法に何
ら制限がないことは言う寸でも、全く、ガラス基板、に
組み込み易すようにバンプ状の電極が形成されていれば
よい。ただし、半導体スイッチが単結晶シリコンを用い
たＭＯＳ）ランジスタの場合には、シリコン基板の電位
を固定する必要があり、第４図および第５図に示された
樹脂層１９．１９′に開口部を設けてシリコシチップ１
８の裏面を一部露出し適当な金属で配線せねばならぬが
、この工程は開口部２ｏの形成時にはフォトマスクの修
正でよく、シリコシチップの裏面接続工程か増すだけで
ある。この開口部を金属で埋めておけは絵素電極２２の
形成時に、透明導電層でシリコンチップ裏面接続が可能
なことを補足しておく。
ら制限がないことは言う寸でも、全く、ガラス基板、に
組み込み易すようにバンプ状の電極が形成されていれば
よい。ただし、半導体スイッチが単結晶シリコンを用い
たＭＯＳ）ランジスタの場合には、シリコン基板の電位
を固定する必要があり、第４図および第５図に示された
樹脂層１９．１９′に開口部を設けてシリコシチップ１
８の裏面を一部露出し適当な金属で配線せねばならぬが
、この工程は開口部２ｏの形成時にはフォトマスクの修
正でよく、シリコシチップの裏面接続工程か増すだけで
ある。この開口部を金属で埋めておけは絵素電極２２の
形成時に、透明導電層でシリコンチップ裏面接続が可能
なことを補足しておく。
第１図は液晶セルとＭＯＳ）ランジスタを組合わせて構
成される画像表示装置の等価回路図、第２図は本発明に
よる画像表示装置の平面配置図、第３図は同装置り単泣
耘素都の平面図、第４図は１司単位絵素の要部（第３図
のバーＡ′線）Ｗｒ面図、第５図は本発明の他の天廁例
にかかる単位絵素の要部断面図である。 １・・・・・・ＭＯＳ）ランジスタ、２・・・・・・液
晶七ル、３・・・・・・走査線、４・・・・・信号線、
７・・・・絵素電極、１１．２３．２７・・・・・・ガ
ラス板、１２，１９゜１９′・・・・・・透光性絶縁膜
、１３ 、２０１．．２０’・・・・・・開口部、８′
、９′、１０′・・・・バンプ電極、１８・・・・・・
半導体チップ、２２・・・・・・透明電極、２４・・・
・・・液晶、２５．２６・・山・偏光板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
成される画像表示装置の等価回路図、第２図は本発明に
よる画像表示装置の平面配置図、第３図は同装置り単泣
耘素都の平面図、第４図は１司単位絵素の要部（第３図
のバーＡ′線）Ｗｒ面図、第５図は本発明の他の天廁例
にかかる単位絵素の要部断面図である。 １・・・・・・ＭＯＳ）ランジスタ、２・・・・・・液
晶七ル、３・・・・・・走査線、４・・・・・信号線、
７・・・・絵素電極、１１．２３．２７・・・・・・ガ
ラス板、１２，１９゜１９′・・・・・・透光性絶縁膜
、１３ 、２０１．．２０’・・・・・・開口部、８′
、９′、１０′・・・・バンプ電極、１８・・・・・・
半導体チップ、２２・・・・・・透明電極、２４・・・
・・・液晶、２５．２６・・山・偏光板。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (2)
- （１）第１の透明性絶縁基板の一主面上に一定の間隔を
おいて第１の分枝部を有し第１の金属よりなる信号線ま
たは走査線が一定の間隔をおいて平行に複数本配置され
、前記第１の分枝部上に第１の開口部を有する第１の透
明絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成され、前
記第１の開口部は第２の金属によって埋められ、前記第
１の透明絶縁層上に一定の間隔をおいて第２の分枝部を
有し第３の金属よりなり前記信号線または走査線と概ね
直交する走査線または信号線が一定の間隔をおいて平行
に複数本配置されるとともに前記第２の金属を含む第１
の接続パターンと前記信号線と走査線の交差部付近に第
２の接続パターンとが第３の金属よりなって配置され、
一主面上に形成されたバンプ状のゲート、ソースおよび
ドレイン電極以外には絶縁層を被着された半導体素子の
前記ゲート電極と前記第２の分枝部または第１の接続パ
ターン、前記ソースまたはドレイン電極と第１の接続パ
ターンまたは第２の分枝部、前記ドレインまたはソース
電極と前記第２の接続パターンの各部が合金化して接続
され、前記第１の透明絶縁層上に前記半導体素子を含み
前記第２の接続パターン上に第２の開口部を有する第２
の透明絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板と概ね平行に
なるように形成され、前記第２の開口部が第４の金属に
よって埋められるとともに前記第４の金属を含んで前記
第２の透明絶縁層上に第１の透明電極が選択的に形成さ
れ、前記第２の透明絶縁層と一主面上に全面にわたって
第２の透明電極を形成された第２の透明性絶縁基板との
間に液晶を充填してなる画像表示用装置。 - （２）第１の透明性絶縁基板の一主面上に一定の間隔を
おいて第１の分枝部を有し第１の金属よりなる信号線ま
たは走査線が一定の間隔をおいて平行に複数本配置され
、前記第１の分枝部上に第１の開口部を有する第１の透
明絶縁層が前記第１の透明性絶縁基板上に形成され、前
記第１の開口部は第２の金属によって埋められ、前記第
１の透明絶縁層上に一定の間隔をおいて第２の分枝部を
有し第３の金属よりなり前記信号線または走査線と概ね
直交する走査線または信号線が一定の間隔をおいて平行
に複数本配置されるとともに前記第２の金属を含む第１
の接続パターンと前記信号線と走査線の交差部付近に第
２の接続パターンとが第３の金属よりなって配置され、
一主面上に形成されたバンプ状のゲート、ソースおよび
ドレイン電極以外には絶縁層を被着された半導体素子の
前記ゲート電極と前記第２の分枝部または第１の接続パ
ターン、前記ソースまたはドレイン電極と第１の接続パ
ターンまたは第２の分枝部、前記ドレインまたはソース
電極と前記第２の接続パターンの各部が合金化して接続
され、前記第１の透明絶縁層上に前記半導体素子を含み
前記第２の接続パターン上に第２の開口部を有する第２
の透明絶縁層が形成され、前記第２の透明絶縁層上に前
記第２の開口部と連接する第３の開口部を有するガラス
が前記第１の透明性絶縁基板と概ね平行になるように配
置され前記第２および第３の開口部が第４の金属で埋め
られるとともに前記第４の金属を含んで前記ガラス上に
第１の透明電極が選択的に形成され、前記ガラスと一主
面上に全面にわたって第２の透明電極を形成された第２
の透明性絶縁基板との間に液晶を充填してなる画像表示
用装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14781284A JPS6126080A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 画像表示用装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14781284A JPS6126080A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 画像表示用装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6126080A true JPS6126080A (ja) | 1986-02-05 |
Family
ID=15438771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14781284A Pending JPS6126080A (ja) | 1984-07-17 | 1984-07-17 | 画像表示用装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6126080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146759A (ja) * | 1988-04-29 | 1990-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子部品 |
-
1984
- 1984-07-17 JP JP14781284A patent/JPS6126080A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146759A (ja) * | 1988-04-29 | 1990-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子部品 |
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