JP5138459B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
前記配線層の上に絶縁層を形成する工程とを有し、前記配線層を得る工程にて実行されるシード層に対するエッチング処理は、前記銅めっき層が同時にエッチングされる除去量が0.5μm以下であり、前記銅めっき層の表面及び前記シード層の側面が粗化されることを特徴とする。
図4〜図6は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図である。
Claims (9)
- 下地層の上に、無電解めっきにより、銅からなるシード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、配線層が配置される部分に開口部が設けられためっきレジストを形成する工程と、
前記シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、前記めっきレジストの開口部に銅めっき層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去する工程と、
前記銅めっき層をマスクにして前記シード層をウェットエッチングすることにより、前記シード層と前記銅めっき層とにより構成される配線層を得る工程と、
前記配線層の表面を黒化処理して粗化する工程と、
前記配線層の上に絶縁層を形成する工程とを有し、
前記配線層を得る工程にて実行されるシード層に対するエッチング処理は、
前記銅めっき層が同時にエッチングされる除去量が0.5μm以下であり、前記銅めっき層の表面及び前記シード層の側面が粗化されることを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記シード層に対するエッチング処理において、エッチャントとして酸性水溶液が使用されることを特徴とする特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
- 前記酸性水溶液は、硫酸と過酸化水素水との混合水溶液であることを特徴とする請求項2に記載の配線基板の製造方法。
- 前記配線層の設計ルールは、ライン:スペースが10:10μm以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記絶縁層を形成する工程の後に、
前記絶縁層を加工することにより、前記配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記シード層を形成する工程から黒化処理する工程までを遂行することにより、前記ビアホールを介して前記配線層に接続される上側配線層を前記絶縁層の上に形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。 - 請求項5の製造方法に基づいて、前記ビアホールが垂直方向に積層されたスタックビア構造を有するn層(nは3以上の整数)の多層配線層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
- 前記スタックビア構造を構成する前記ビアホールの径は、50〜70μmであることを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。
- 前記配線層の表面を黒化処理して粗化する工程において、前記配線層の表面粗さ(Ra)は100〜200nmであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記絶縁層は、エポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
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