JP4881129B2

JP4881129B2 - 金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴

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Publication number: JP4881129B2
Application number: JP2006302066A
Authority: JP
Inventors: 宏中村
Original assignee: METALOR TECHNOLOGIES (JAPAN) CORPORATION
Current assignee: METALOR TECHNOLOGIES (JAPAN) CORPORATION
Priority date: 2006-11-07
Filing date: 2006-11-07
Publication date: 2012-02-22
Anticipated expiration: 2026-11-07
Also published as: CN101235524A; KR20080041571A; KR101344018B1; TWI420609B; TW200836278A; JP2008115449A; CN101235524B

Description

本発明は、シリコンウエハやＧａ／Ａｓなどの化合物ウエハ上のパッシベーション段差を有するバンプパターンや配線パターン等に、表面に凹凸のない平坦な電解金めっき皮膜を形成する際に好適に用いることが可能な金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴及び同浴を用いるバンプ形成方法に関する。

非シアン系電解金めっき浴には、金源としての亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤としての微量のＴｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物と、伝導塩としての亜硫酸塩及び硫酸塩と、緩衝剤とからなる基本浴が用いられている。

この非シアン系電解金めっき浴により形成するめっき皮膜は、電気伝導性、熱圧着性等の物理特性に優れ、耐酸化性、耐薬品性等の化学特性にも優れている。そのため、このめっき浴は、例えばシリコンウエハ上やＧａ／Ａｓウエハなど化合物ウエハ上のバンプ形成や配線形成等に好適に用いられている。

金バンプ、金配線を電解金めっきにより形成する従来のウエハの一例を図１に示す。

金バンプ、金配線めっき用に微細にパターンニングされたシリコンウエハないしＧａ／Ａｓウエハ上には通常、周囲の配線と金皮膜との絶縁及び周囲の配線の保護を目的としてポリイミド等の樹脂及びＳｉＮ等を用いてパッシベーション膜が図１に示すとおり配される。

即ち、図１中、２はシリコン又はＧａ／Ａｓ化合物ウエハで、その一面上には微小なＡｌ電極４が形成されている。ウエハ２のＡｌ電極４形成面上には、ウエハ２と、Ａｌ電極４及びそれを覆う接続金属層(層が極めて薄いため不図示)の周縁とを被覆するパッシベーション膜６が形成されている。パッシベーション膜６と接続金属層との上面には、これらを被覆する金スパッタ膜８が更に積層されている。

しかし、金めっき処理前にはいずれの場合も下地Ａｕのスパッタ膜８表面は、接続金属層の周縁に形成したパッシベーション膜６に起因する閉じた突条１０を有する擂鉢状の形状になる。この突条１０の上端と、接続金属層の上方における金スパッタ膜８の凹み部の底面との段差ｘを通常パッシベーション段差という。パッシベーション段差ｘはＡＬ電極４の絶縁を目的とするためのパッシベーション膜６形成に起因して生ずる。

従って、金めっきにより形成される金バンプ、金配線の表面はパッシベーション段差を伴う擂鉢状の形状になることが避けられない。

金スパッタ膜８上には、Ａｌ電極４の上方において開口して設けられたマスク材１２によるマスクパターンが形成されている。マスク材１２の開口部１４には、電解金めっきにより金バンプ１６が形成されている。図１中、１８は金ビーズ、半田ビーズ等のビーズである。

金バンプ、金配線等を形成するめっき用のウエハに、微細にパターンニングされたシリコンウエハやＧａ／Ａｓウエハを用いる場合、図１に示すように、ウエハ２上には、通常、金皮膜との絶縁及び周辺配線への保護を目的として、上述したパッシベーション膜６が形成される。しかしながら、パッシベーション膜６は、Ａｌ電極４の周縁部において突条(パッシベーション段差)が生じている。

従来の基本組成を有する非シアン系電解金めっき浴を用いて、金バンプ、金配線を形成する場合、前記パッシベーション膜６の突条に起因する段差により、得られる金バンプ、金配線にはパッシベーション段差に相当する凹み２０が発生する。

凹み２０が発生している金バンプ、金配線に、金ビーズ、半田ビーズ等のビーズ１８を用いて金配線を接合する際、ビーズ１８は上記凹み１８に落ちることが多い。そのため、接合相手の金配線をビーズ１８を介して圧着接合する際に均一な圧着面が得られず、接合部に十分な密着強度が得られない。

電解金めっきにより金バンプを形成する方法自体は公知であり、例えばシアン化金カリウムを用いる金めっきによる形成方法が特許文献１に記載されている。
特開２００３−７７６２号公報 (段落番号［００２１］、［００２２］)

以上のことから、異方性導電膜による接合を代表とする金ビーズを介し圧着するチップの実装では、接合面である金バンプ、金配線の上部表面は擂鉢状でなく平坦な形状が望ましいと言える。即ち、めっき後における金めっき皮膜上の表面の凹凸が金ビーズ等の接合材料の粒径を上回ると、金配線の圧着時に接合部の接合不良を起こすことが考えられる。

本発明は上記事情に鑑みなされたもので、パッシベーション段差に起因して発生した金めっき皮膜上の凹みを解消して金ビーズ、半田ビーズ等のビーズによる接合の際に十分な密着強度を達成でき、具体的には、めっきにより形成される金バンプ又は金配線が、パッシベーション段差の影響を受けずに、皮膜表面の凹凸差１μｍ以下の、平坦な金皮膜表面を形成することを可能にする金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴を提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成するために検討を重ねた結果、上述した一般的な非シアン系電解金めっき浴の基本組成に、０．１〜１００ｍｇ／Ｌのパラジウム、白金、亜鉛及び銀の各塩のいずれか１種以上を配合することにより、金バンプ、金配線を構成するめっき皮膜を形成する際、パッシベーション膜の凹凸に起因する凹凸を生ずることなく、金めっき皮膜表面の凹凸差を１μｍ以下に形成することができ、この金皮膜は、均一かつ緻密で良好な外観特性、皮膜硬度、シェア強度特性を保持することが可能であることを知得するに至った。

即ち、上記課題を解決する本発明は、以下に記載するものである。

〔１〕亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムからなる金源と、水溶性アミンからなるスタビライザと、結晶調整剤と、亜硫酸塩及び硫酸塩からなる伝導塩と、緩衝剤とを含有すると共に、パラジウム、白金、亜鉛及び銀のいずれか１種以上の塩を金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌ含有する金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴。

〔２〕結晶調整剤が、Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物、又はＡｓ化合物である〔１〕に記載の金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴。

〔３〕〔１〕に記載の金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴を用いてパターンニングされたウエハ上に電解金めっきをする金バンプ又は金配線の形成方法。

本発明の非シアン系電解金めっき浴は、一般的な非シアン系電解金めっき浴の基本組成に、微量のパラジウム、白金、亜鉛及び銀の塩のいずれか１種以上を配合しているので、金バンプ、金配線のめっき皮膜を形成する際、ウエハに形成された下地(パッシベーション膜)の不均一な膜厚に起因する凹凸を生ずることなく、得られる金バンプ、金配線の皮膜表面を、凹凸差１μｍ以下の、段差のない平坦な金皮膜表面として形成することができる。

本発明により形成された金バンプ、金配線自体は、均一かつ緻密で良好な外観特性と皮膜硬度やシェア強度特性を有する金めっき皮膜である。

本発明の金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴は、金源としての亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、微量の結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩及び硫酸塩と、緩衝剤とからなる公知の金めっき基本浴に、パラジウム、白金、亜鉛及び銀の塩のいずれか１種以上を含有することを特徴とする非シアン系電解金めっき浴である。以下、本発明の電解金めっき浴の必須成分につき各成分ごとに説明する。

(１) 亜硫酸金アルカリ塩、亜硫酸金アンモニウム（金源）
本発明に用いる亜硫酸金アルカリ塩としては、公知の亜硫酸金アルカリ塩を制限することなく使用できる。亜硫酸金アルカリ塩としては、例えば亜硫酸金(Ｉ)ナトリウム、亜硫酸金(Ｉ)カリウム等を挙げることができる。これらは、１種を単独で、あるいは２種以上を併用しても良い。

本発明の電解金めっき浴には、金源として、上述した亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムを使用するが、その配合量は、金量として通常１〜２０ｇ／Ｌ、好ましくは８〜１５ｇ／Ｌである。亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムの配合量が１ｇ／Ｌ未満であると、めっき皮膜が不均一になり場合によってはヤケめっきになる場合がある。２０ｇ／Ｌを超えると、めっき皮膜の特性等は問題はないが、経済的に負担となる。

(２) 水溶性アミン(スタビライザ)
水溶性アミンとしては、例えば１，２−ジアミノエタン、１，２−ジアミノプロパン、１，６−ジアミノヘキサン等のジアミンを使用することができる。これらは１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

水溶性アミンの配合量は通常１〜３０ｇ／Ｌ、好ましくは４〜２０ｇ／Ｌである。水溶性アミンの配合量が３０ｇ／Ｌを超えると金錯塩の安定性は増大するが、一方で、得られるめっき皮膜の硬度が高く表面粗度が小さすぎる為にアンカー効果が不十分となり、接合強度が不足したり、皮膜の熱処理後の硬度低下が大きく、バンプつぶれが生ずる為に接合性に関して不具合が生ずる場合がある。１ｇ／Ｌ未満では、限界電流密度が低下してヤケめっきになる場合がある。

(３) Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物(結晶調整剤)
本発明の電解金めっき浴に使用する結晶調整剤としては、例えば蟻酸タリウム、マロン酸タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウム等のＴｌ化合物；クエン酸鉛、硝酸鉛、アルカンスルホン酸鉛等のＰｂ化合物；三酸化二砒素等のＡｓ化合物を挙げることができる。これらのＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、Ａｓ化合物は１種を単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

結晶調整剤の配合量は、本発明の目的を損なわない範囲で適宜使用することができるが、金属濃度として通常０．１〜１００ｍｇ／Ｌ、好ましくは０．５〜５０ｍｇ／Ｌ、特に好ましくは３〜２５ｍｇ／Ｌである。結晶調整剤の配合量が０．１ｍｇ／Ｌ未満であると、めっき付きまわり、めっき浴安定性及び耐久性が悪化し、めっき浴が分解する場合がある。１００ｍｇ／Ｌを超えると、めっき表面が不均一となり、光沢表面とマット状表面とが混在した状態になるめっき付きまわりの悪化、析出する金が大きな粒子となって皮膜を形成し、めっき表面がマット状態になるそぼろ状金析出による外観ムラ、及び結晶調整剤の共析過多による金皮膜の剥れ等の接合不良が生ずる場合がある。

(４) 亜硫酸塩、硫酸塩(伝導塩)
本発明に伝導塩として用いる亜硫酸塩、硫酸塩としては、例えば亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、ピロ亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム等の亜硫酸塩；硫酸ナトリウム等の硫酸塩を挙げることができる。中でも、亜硫酸ナトリウムと硫酸ナトリウムの組合せが好適である。

本発明の電解金めっき浴における上記亜硫酸塩及び硫酸塩の配合量としては本発明の目的を損なわない範囲で適宜設定することができるが、以下の配合量とすることが好ましい。

亜硫酸塩は、ＳＯ₃ ^2-量として通常５〜１００ｇ／Ｌとするが、好ましくは１０〜８０ｇ／Ｌ、特に好ましくは２０〜６０ｇ／Ｌである。亜硫酸塩の配合量が５ｇ／Ｌ未満であると、付きまわり及び液安定性が悪化しめっき浴の分解が生ずる場合があり、１００ｇ／Ｌを超えると、限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。

硫酸塩はＳＯ₄ ^2-量として通常１〜１２０ｇ／Ｌとするが、好ましくは１〜６０ｇ／Ｌ、特に好ましくは１〜４０ｇ／Ｌである。１ｇ／Ｌ未満であると、形成された皮膜の熱処理後の硬度が高すぎて、バンプと基板との接合に不具合が生ずる場合や、液安定性が悪化しめっき浴の分解が生ずる場合があり、１２０ｇ／Ｌを超えると限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。

(５) 緩衝剤
本発明に用いる緩衝剤としては、通常電解金めっき浴に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、例えばリン酸塩、ホウ酸塩等の無機酸塩、クエン酸塩、フタル酸塩、エチレンジアミン四酢酸塩等の有機酸(カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸)塩等を用いることができるが特にリン酸塩が好ましい。

本発明の非シアン系電解金めっき浴における緩衝剤の配合量としては、通常０．１〜３０ｇ／Ｌとするが、好ましくは１〜２０ｇ／Ｌ、特に好ましくは２〜１５ｇ／Ｌである。緩衝剤は配合量が０．１ｇ／Ｌ未満であるとｐＨが低下することにより液安定性が悪化し、めっき浴成分の分解が生ずる場合があり、３０ｇ／Ｌを超えると限界電流密度が低下しヤケめっきになる場合がある。

(６) パラジウム、白金、亜鉛及び銀の各塩
本発明の非シアン系電解金めっき浴に配合するパラジウム塩としては、テトラアンミンパラジウム塩化物塩、テトラアンミンパラジウム硫酸塩等を挙げることができる。

本発明の非シアン系電解金めっき浴に配合する白金塩としては、テトラアンミン白金塩化物やそのエチレンジアミン錯塩等を挙げることができる。

本発明の非シアン系電解金めっき浴に配合する亜鉛塩としては、亜鉛アンミン錯塩等を挙げることができる。

本発明の非シアン系電解金めっき浴に配合する銀塩としては、チオ硫酸銀塩等を挙げることができる。

本発明の非シアン系電解金めっき浴に用いるパラジウム塩、白金塩、亜鉛塩及び銀塩の配合量としては、金属濃度として０．１〜２００ｍｇ／Ｌ、好ましくは０．１〜１００ｍｇ／Ｌ、特に好ましくは０．１〜２５ｍｇ／Ｌである。

パラジウム、白金、亜鉛及び銀の各塩は、いずれか１種を単独で使用してもよいが、２種以上を併合して使用してもよい。

本発明の非シアン系電解金めっき浴を用いてめっきによりシリコンウエハ、化合物ウエハ上にバンプ、配線等の金めっきを行う際には、常法に従ってめっき操作を行えば良い。例えば、接続金属(下地アルミニウムと当該金バンプを接続する金属をいう。)としてＴｉ−Ｗ、その上にＡｕスパッタ皮膜等を形成したウエハにマスク剤を用いてマスキングを行った後、ウエハを被めっき物として電解金めっきを行い、次いでマスク剤を溶剤に溶解させて除去する方法等が使用できる。

マスク剤には、ノボラック系ポジ型フォトレジストとして、例えば市販品のＬＡ−９００、ＨＡ−９００、アクリル系ネガ型フォトレジストとして、例えばＢＭＲＣ−１０００(以上、東京応化工業株式会社製)等を挙げることができる。

めっき浴温度は通常４０〜７０℃とするが、好ましくは５０〜６５℃である。めっき浴温度が４０℃未満であると、電流効率の低下により析出が不均一になり、めっき皮膜の膜厚や表面状態が不均一になる場合や、めっき浴の伝導性低下によるめっき電圧の上昇に伴い、めっき浴が分解する場合がある。めっき浴温度が７０℃を超えると、析出する金が大きな粒子に成長して皮膜を形成し、めっき皮膜表面がマット状になる場合や、めっき浴温度が高いため、金錯体の分解が生ずる場合がある。

また、電流密度を設定するに際し、その使用可能な範囲は、金濃度が８〜１５ｇ／Ｌ、６０℃のめっき浴温度の条件下において、通常２．０Ａ／ｄｍ²以下、好ましくは０．１〜１．５Ａ／ｄｍ²、特に好ましくは０．３〜０．８Ａ／ｄｍ²である。設定電流密度が上記の範囲を上に外れると、めっき皮膜上にデンドライド析出、即ち樹肢状析出が生ずる場合、又は高印加電圧になり金錯体が分解する場合がある。設定電流密度が上記の範囲を下に外れると、生産性が低下する場合や、析出する金粒子が粗大化して、めっき表面がマット状になり、金配線との接合に適さなくなる場合がある。

本発明の非シアン系電解金めっき浴のｐＨとしては、通常７．０以上、好ましくは７．２〜１０．０である。非シアン系電解金めっき浴のｐＨが７．０未満であると、著しくめっき浴が不安定となり上記の設定電流密度が所定範囲を上に外れる場合と同様に分解が生ずる場合がある。一方ｐＨが１０．０を超えると、マスク剤が溶解しめっき皮膜を汚染する場合や、レジストパターンの消失により所望の金バンプ形状等が形成できない場合がある。

本発明の非シアン系電解金めっき浴には、本発明の目的を損なわない範囲でｐＨ調整剤、安定剤等の他の成分を適宜使用してもよい。

ｐＨ調整剤としては、例えば酸として稀硫酸水、亜硫酸水、りん酸等、アルカリとして水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等が挙げられる。

結晶調整剤としては、重金属(Ｔｌ、Ｐｂ、Ａｓ等)イオン等が挙げられる。

本発明の非シアン系電解金めっき浴は、金源である亜硫酸金アルカリ塩等及びめっき浴を構成するその他の成分を補充管理することにより２ターン(めっき浴中の金量を全てめっきに消費した場合を１ターンとする。)以上の使用を達成できる。

本発明の非シアン系電解金めっき浴は、素地がメタライズされ導電性の得られるものであれば被めっき物を選ばないが、例えばノボラック系ポジ型フォトレジストやアクリル系ネガ型フォトレジストをマスク剤に使用してパターンニングしたシリコンウエハ上やＧａ／Ａｓウエハ等の化合物ウエハ上にバンプや配線等の形成に特に好適に適用することができる。

実施例１〜６、比較例１〜２
表１〜２に示す配合にて非シアン系電解金めっき浴を調製した。各原料の配合濃度の単位は特に断りのない限りｇ／Ｌである。但し、Ｎａ₃Ａｕ(ＳＯ₃)₂はＡｕ量、Ｎａ₂ＳＯ₃はＳＯ₃量、Ｎａ₂ＳＯ₄はＳＯ₄量についての濃度を示してある。

被めっき物としてノボラック系ポジ型フォトレジストでパターンニングされたパンプ開口部を有するシリコンウエハ(素地断面組成は金スパッタ膜／ＴｉＷ／パッシベーション膜／Ａｌ電極／ＳｉＯ₂・Ｓｉ)を用いた。その断面図を図２(Ａ)に示す。図２中、２２はマスク剤(フォトレジスト)、２４は金スパッタ膜、２６はパッシベーション膜、２８はシリコンウエハ、３０はＡｌ電極である。Ａｌ電極３０は、ＴｉＷで覆われて接続金属層(層が極めて薄いため不図示)が形成されている。

調製した非シアン系電解金めっき浴１Ｌ中に被めっき物を浸漬し、通電を施すことにより１８μｍの膜厚を有するめっき皮膜を形成した。なお、非シアン系電解金めっき浴の電流効率は定常のめっき操作条件下では、通常１００％である。

所定膜厚を有する皮膜を形成した後、マスク剤を除去し、形成したバンプ皮膜表面の段差の程度、浴安定性、めっき皮膜外観、皮膜硬度(未熱処理及び３００℃ ３０分熱処理後)、Ａｕスパッタ膜のヨウ素系エッチャントによるエッチング性につき下記方法及び基準にて評価を行った。結果を表１〜２に併せて示す。

〔バンプ皮膜表面の段差の程度(μｍ)〕
図２(Ａ)に示すようにノボラック系ポジ型フォトレジストを用いてパターンニングしたパンプ開口部３２を有するシリコンウエハ(素地断面組成は金スパッタ膜／ＴｉＷ／パッシベーション膜／Ａｌ電極／ＳｉＯ₂・Ｓｉ)を使用した。バンプパターンのパッシベーション段差ａを触針式プロファイラ(KLA−TENKOR社製 Profiler P−15)を用いて測定したところ、１.５μｍであった。

非シアン系電解金めっき浴を用いて金バンプ３４を形成した後、ノボラック系ポジ型フォトレジストを専用溶剤であるメチルエチルケトンで溶解した。めっき後のウエハの断面図を図２(Ｂ)に示す。バンプ３４のエッジ部の最大高さ値と中央の最小高さ値の差ｂを、触針式プロファイラを用いて計測し、めっき後段差(μｍ)即ちバンプ皮膜表面の段差の程度(μｍ)とした。

なお、通常バンプに求められる特性としての段差は１μｍ以下である。また、パラジウム、白金、亜鉛及び銀の塩のいずれも含まない通常のめっき浴を使用して同様の被めっき物上に金バンプを形成した場合、バンプ表面のめっき後段差(μｍ)はめっき前のパッシベーション膜に起因する段差(μｍ)より大きくなる。

〔浴安定性〕
被めっき物へめっきを施した後の、めっき浴の様子を観察し、下記基準にて評価した。
分解：めっき液が分解した。
×：めっき浴中に金の沈澱が肉眼で判るレベルで観察された。
△：めっき浴中に金の沈澱が認められなかった。０．２μｍメンブランフィルタでめっき浴１０００ｍＬを濾過して目視で沈澱を観察できるレベル。
○：めっき浴中に金の沈澱は観察されなかった。

〔めっき皮膜外観〕
被めっき物上に形成された金バンプの表面皮膜外観を目視観察及び光学顕微鏡観察し、下記基準にて評価した。
×：色調が赤い、デンドライト状析出が見られる、ムラが認められる、又はヤケが発生している。
△：異常析出はないが、光沢外観である。
○：色調がレモンイエローで無〜半光沢均一外観である。

〔皮膜硬度(ビッカース硬度；Ｈｖ)〕
被めっき物上に形成された特定バンプ部位を用い、その皮膜硬度(未熱処理及び３００℃ ３０分熱処理後)を、ビッカース硬度計にて測定した。

通常バンプめっき用途として求められる特性としては、熱処理後の皮膜硬度が６０Ｈｖ以下である。なお測定条件は、測定圧子を２５ｇｆ荷重で１０秒保持する条件とした。

〔Ａｕスパッタ膜のヨウ素系エッチャントによるエッチング性〕
被めっき物を常温で十分に撹拌されたヨウ素系エッチャントの中に９０秒浸漬した後、アルコール系リンス液でとも洗いし、エタノール噴霧してドライヤーで乾燥した。その後、光学顕微鏡を用いて５０〜１５０倍の倍率で被めっき物上に形成された全バンプの表面状態を観察し、下記基準にて評価した。
×：５０％以上のバンプの表面にムラが観察される。
△：一部の限られたエリアのバンプの表面にムラが観察される。
○：被めっき物上の全バンプの表面にムラが観察されない。

〔総合評価〕
上記各評価結果から、下記評価基準にて評価した。
×：形成された金めっき皮膜(金パンプ)及びめっき処理後の非シアン系電解金めっき浴に関する上記評価結果に、好ましくない結果が含まれた。
○：形成された金めっき皮膜(金パンプ)及びめっき処理後の非シアン系電解金めっき浴に関する上記評価結果が、全て良好な結果であった。

表１〜２において、緩衝剤Ａ、緩衝剤Ｂ、パラジウム塩、白金塩、亜鉛塩、銀塩としては、以下のものを使用した。
緩衝剤Ａ；エチレンジアミン四酢酸カリウム
緩衝剤Ｂ；ピロリン酸カリウム
パラジウム塩；テトラアンミンパラジウムジクロライド
白金塩；テトラアンミン白金ジクロライド
亜鉛塩；硫酸亜鉛
銀塩；チオ硫酸銀アンモニウム

金バンプ及び／又は金配線を形成する従来のウエハの一例を示す断面図である。めっき前のウエハの断面図(Ａ)と、めっき後のウエハの断面図(Ｂ)である。

符号の説明

２、２８ウエハ
４、３０Ａｌ電極
６、２６パッシベーション膜
８、２４金スパッタ膜
１０金スパッタ膜の突条
１２、２２マスク材
１４、３２開口部
１６、３４金バンプ
１８ビーズ
２０凹み

Claims

亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウムからなる金源と、水溶性アミンからなるスタビライザと、結晶調整剤と、亜硫酸塩及び硫酸塩からなる伝導塩と、緩衝剤とを含有すると共に、パラジウム、白金、亜鉛及び銀のいずれか１種以上の塩を金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌ含有する金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴。
結晶調整剤が、Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物、又はＡｓ化合物である請求項１に記載の金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴。
請求項１に記載の金バンプ又は金配線形成用非シアン系電解金めっき浴を用いてパターンニングされたウエハ上に電解金めっきをする金バンプ又は金配線の形成方法。