JP6393526B2 - シアン系電解金めっき浴及びこれを用いるバンプ形成方法 - Google Patents
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Description
シュウ酸塩をシュウ酸として2.5〜50g/Lと、
無機酸伝導塩5〜100g/Lと、
水溶性多糖類を0.1〜50g/Lと、
結晶調整剤を金属濃度で1〜100mg/Lと、
を含有するシアン系電解金めっき浴。
本発明のシアン系電解金めっき浴には、金源として公知のシアン化金塩を制限することなく使用することができる。シアン化金塩としては、シアン化金カリウム、シアン化金ナトリウム、シアン化金アンモニウムが例示される。
本発明のシアン系電解金めっき浴は、無機酸伝導塩と、少なくともシュウ酸塩を含む有機酸伝導塩とが併用される。シュウ酸塩を用いない場合、フォトレジストとウエハとの間にめっきが潜り込み、パターン外析出が起こり好ましくない。即ち、めっき潜り込みの分だけ金スパッタ上のめっき皮膜が厚くなり、金めっき後のUBM(アンダーバンプメタル)エッチング処理工程で除去しきれずに導通不良となることがある。無機酸伝導塩を用いない場合、バンプ高さのバラツキが大きくなり好ましくない。
本発明のシアン系電解金めっき浴においては、公知の水溶性多糖類を用いることができる。入手容易性の観点からは、デキストリン、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、デキストランを例示することができる。これらの水溶性多糖類は、単独で用いても良く、2種類以上を併用しても良い。
本発明のシアン系電解金めっき浴においては、結晶調整剤としてTl化合物、Pb化合物又はAs化合物を添加する。Tl化合物としては、ギ酸タリウム、マロン酸タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウムが例示される。Pb化合物としては、クエン酸鉛、硝酸鉛、硫酸鉛が例示される。好ましくは硝酸鉛が用いられる。As化合物としては、三酸化二ヒ素が例示される。これらのTl化合物、Pb化合物及びAs化合物は単独で使用しても良いし、2種以上を併用しても良い。
本発明のシアン系電解金めっき浴においては、上記の成分の他に、本発明の目的を損なわない範囲でpH調整剤等の成分を含有させることができる。pH調整剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム及びリン酸、クエン酸、シュウ酸が例示される。
本発明のシアン系電解金めっき浴を用いて、常法に従ってめっき操作を行うことにより、皮膜硬度が70〜120HVで、膜厚が10〜50μmの金皮膜を形成することができる。本発明のシアン系電解金めっき浴を用いて、半導体ウエハ上に金バンプを形成する方法を図1を参照しながら説明する。
図1は、本発明のシアン系電解金めっき浴を用いて形成された金バンプの一例を示す断面図である。先ず、半導体ウエハ1の回路層1’が形成された面にAl電極2が形成される。次に、回路層1’の表面に、回路層1’及びAl電極2を被覆するパッシベーション膜3が成膜される。パッシベーション膜3には、Al電極2の一部を露出させる位置に開口部3aが設けられる。パッシベーション膜3の表面には、TiWスパッタ膜4が成膜される。パッシベーション膜3及びパッシベーション膜3の開口部3aから露出するAl電極2は、TiWスパッタ膜4により被覆される。TiWスパッタ膜4の表面には、Auスパッタ膜5が成膜される。TiWスパッタ膜4及びAuスパッタ膜5は、Under Bump Metal(UBM)層6を構成する。UBM層6の表面には、レジスト膜8が成膜され、マスキングされる。レジスト膜8には、Auスパッタ膜5の一部を露出させる開口部8aが設けられる。レジスト膜8の開口部8aは、レジスト膜8の下層においてAl電極2が位置する領域に設けられる。レジスト膜8の材料としては、ネガ型フォトレジスト等を用いることが好ましい。
積層構造が形成された半導体ウエハ1を被めっき物として、pHや液温、電流密度が適宜調整された本発明のシアン系電解金めっき浴を用いて所望の膜厚になるまで電解金めっきを行う。本発明の金めっき浴は、素地がメタライズされ、導電性の高いものであれば、被めっき物を選ばない。特に、レジスト膜8を使用してパターンニングしたシリコンウエハの回路上や、GaAsウエハなど化合物ウエハの回路上における金バンプ形成に好適である。
UBM層6とレジスト膜8とが除去された後、金バンプ7が形成された半導体ウエハ1は、200〜300℃で熱処理される。熱処理時間は5分間以上であり、30〜600分間であることが好ましい。熱処理には、ファインオーブン等が使用される。ファインオーブンは、熱処理に必要な時間、チャンバー内部を設定温度に一定時間保持できるため、該熱処理に適している。熱処理後、半導体ウエハ1は自然冷却される。温度低下の過程で、金が再結晶化することにより皮膜硬度が変化する。上記の形成方法により得られる金バンプの皮膜硬度は70〜120HVであり、従来の金バンプより高硬度である。
被めっき物上に形成された2つの金バンプのうち、一辺が100μmの正方形金バンプを用いて、熱処理前及び250℃で30分間熱処理した後の金バンプの硬度を測定した。測定は、ミツトヨ社製微小硬さ試験機HM−221を用いて行った。測定条件は、測定圧子を25gf荷重で10秒保持した。
被めっき物に電解金めっきを施した後、金めっき浴の様子を目視で観察した。
被めっき物に形成された金バンプの表面外観を観察し、色調、ムラ、表面粗さを顕微鏡を用いて目視で評価した。
被めっき物に形成された金バンプの表面外観を観察し、めっきの潜り込みを顕微鏡を用いて目視で評価した。
1’ 回路層
2 Al電極
3 パッシベーション膜
3a パッシベーション膜の開口部
4 TiWスパッタ膜
5 金スパッタ膜
6 UBM層
7 金バンプ
7a 金バンプの表面
8 レジスト膜
8a レジスト膜の開口部
10 プリント配線基板
11 硬質基板
12 基板配線パターン
14 基板電極
16 半導体チップ
18 封止材
20 異方性導電接着剤
Claims (4)
- 金源としてのシアン化金塩を金濃度で0.1〜15g/Lと、
シュウ酸塩をシュウ酸として2.5〜50g/Lと、
リン酸カリウムを5〜100g/Lと、
水溶性多糖類を0.1〜50g/Lと、
結晶調整剤を金属濃度で1〜100mg/Lと、
を含有することを特徴とするシアン系電解金めっき浴。 - 前記水溶性多糖類が、デキストリン、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン及びデキストランから選択される1種又は2種以上である請求項1に記載のシアン系電解金めっき浴。
- 前記結晶調整剤が、Tl化合物、Pb化合物及びAs化合物から選択される1種又は2種以上である請求項1に記載のシアン系電解金めっき浴。
- パターニングされた半導体ウエハ上に、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のシアン系電解金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、200〜300℃で5〜600分間熱処理することにより、皮膜硬度が70〜120HVの金バンプを形成する、バンプ形成方法。
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