JP4713289B2 - バンプ形成用非シアン系電解金めっき浴 - Google Patents
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Description
本発明に用いる亜硫酸金アルカリ塩としては、公知の亜硫酸金アルカリ塩を制限することなく使用できる。亜硫酸金アルカリ塩としては、例えば亜硫酸金(I)ナトリウム、亜硫酸金(I)カリウム等を挙げることができる。これらは、1種を単独で、あるいは2種以上を併用しても良い。
水溶性アミンとしては、例えば1,2-ジアミノエタン、1,2-ジアミノプロパン、1,6-ジアミノヘキサン等を使用することができる。これらは1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用しても良い。
本発明の電解金めっき浴に使用する結晶調整剤としては、例えば蟻酸タリウム、マロン酸タリウム、硫酸タリウム、硝酸タリウム等のTl化合物;クエン酸鉛、硝酸鉛、アルカンスルホン酸鉛等のPb化合物;三酸化二砒素等のAs化合物を挙げることができる。これらのTl化合物、Pb化合物、As化合物は1種を単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
本発明に伝導塩として用いる亜硫酸塩、硫酸塩としては、例えば亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、ピロ亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム等の亜硫酸塩;硫酸ナトリウム等の硫酸塩を挙げることができる。中でも、亜硫酸ナトリウムと硫酸ナトリウムの組み合わせが好適である。
本発明に用いる緩衝剤としては、通常電解金めっき浴に使用されるものであれば特に限定されるものではないが、例えばリン酸塩、ホウ酸塩等の無機酸塩、クエン酸塩、フタル酸塩、エチレンジアミン四酢酸塩等の有機酸(カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸)塩等を用いることができる。
本発明の非シアン系電解金めっき浴に配合するポリアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等を挙げることができる。
表1〜表4に示す配合にて非シアン系電解金めっき浴を調整した。各原料の配合濃度の単位は特に断りのない限りg/Lである。但し、Na3Au(SO3)2はAu量、Na2SO3はSO3量、Na2SO4はSO4量についての濃度を示してある。
図1(a)に示すように、シリコンウエハ1上にノボラック系ポジ型フォトレジスト3を使用して、長辺80〜20μm、短辺80〜20μmの長方形状開口部を有するパターンニングを行った。次いで、被めっき物であるバンプパターンのコーナーバンプの開口部の寸法(設計寸法)を金属顕微鏡付属のスケールを用いて、長辺(矢印X方向)および短辺(矢印Y方向)の長さを計測した。電解金めっき浴を用いてめっきを施した後、ノボラック系ポジ型フォトレジストを専用溶剤であるメチルエチルケトンで溶解した。得られた上記と同じ位置のコーナーバンプの仕上がりバンプ寸法を、金属顕微鏡付属のスケールを用いて計測した。仕上がりバンプ寸法は、図1(b)に示すようにバンプ7の長辺方向(矢印X方向)および短辺方向(矢印Y方向)の最大長さとした。
被めっき物へめっきを施した後の、めっき浴の様子を観察し、下記基準にて評価した。
分解:めっき浴中の成分が分解した。
×:めっき浴中に金の沈殿が肉眼で判るレベルで観察された。
△:めっき浴中に金の沈殿が僅かに認められた。0.2μmメンブランフィルタでろ過して観察できるレベル。
○:めっき浴中に金の沈殿は観察されなかった。
被めっき物上に形成された金バンプの表面皮膜外観を観察し、下記基準にて評価した。
×:色調が赤い、デンドライト状析出が見られる、ムラが認められる、またはヤケが発生している。
△:異常析出はないが、光沢外観である。
○:色調がレモンイエローで無〜半光沢均一外観である。
被めっき物上に形成された特定のコーナーバンプ部位を用い、その皮膜硬度(未熱処理および300℃ 30分熱処理後)を、ビッカース硬度計にて測定した。
通常バンプめっき用途において求められる特性としては、アニール後の皮膜硬度が60Hv以下である。なお測定条件は、測定圧子を25gf荷重で10秒保持する条件によった。
被めっき物を常温で十分に撹拌されたヨウ素系エッチャントの中に90秒浸漬し、アルコール系リンス液でとも洗いした後、エタノール噴霧してドライヤーで乾燥した。その後、金属顕微鏡を用いて50〜150倍の倍率で被めっき物上に形成された全バンプの表面状態を観察し、下記基準にて評価した。
×:50%以上のバンプの表面にムラが観察される。
△:一部の限られたエリアのバンプの表面にムラが観察される。
○:被めっき物上の全バンプの表面にムラが観察されない。
上記各評価結果から、下記評価基準にて評価した。
×:形成された金めっき皮膜(金パンプ)およびめっき処理後の非シアン系電解金めっき浴に関する上記評価結果に、好ましくない結果が含まれた。
○:形成された金めっき皮膜(金パンプ)およびめっき処理後の非シアン系電解金めっき浴に関する上記評価結果が、全て良好な結果であった。
緩衝剤B:リン酸一ナトリウム
ポリエチレングリコールA:平均分子量400
ポリエチレングリコールB:平均分子量1000
ポリエチレングリコールC:平均分子量6000
両性界面活性剤A:日本油脂株式会社製、ニッサンアノンBDL(カルボキシベタイン系)
両性界面活性剤B:花王株式会社製、アンヒトール20YB(カルボキシベタイン系)
3 フォトレジスト
5 開口部
7 バンプ
Claims (7)
- 金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、スタビライザとしての水溶性アミンと、結晶調整剤と、伝導塩としての亜硫酸塩および硫酸塩と、緩衝剤と、ポリアルキレングリコール及び/または両性界面活性剤とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。
- ポリアルキレングリコールを0.1mg〜10g/L含有する請求項1に記載のバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。
- 分子量1000未満のポリアルキレングリコールを0.1〜50mg/L含有する請求項1に記載のバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。
- 両性界面活性剤の配合量が0.1mg〜1g/Lである請求項1乃至3のいずれかに記載のバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。
- 両性界面活性剤が、2-アルキル-N-カルボキシメチル-N-ヒドリキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ラウリン酸アミドプロピルヒドロキシスルホベタイン、脂肪酸アミドプロピルベタイン、および脂肪酸アシル-N-カルボキシエチル-N-ヒドロキシエチルエチレンジアミンアルカリ塩から選択される1種又は2種以上である請求項1乃至4のいずれかに記載のバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。
- 結晶調整剤が、Tl化合物、Pb化合物、又はAs化合物である請求項1乃至5のいずれかに記載のバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。
- 請求項1に記載のバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を用いてパターンニングされたウエハ上に電解金めっきをするバンプの形成方法。
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