WO2011118537A1 - シアン系電解金めっき浴及びそれを用いるめっき方法 - Google Patents

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宏 中村
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メタローテクノロジーズジャパン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/48—Electroplating: Baths therefor from solutions of gold
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands

Definitions

  • the present invention is a cyan electrolytic gold used suitably when a gold plating film is formed on a printed wiring board such as a BGA (Ball Grid Array) wiring board or an electronic industrial part such as an IC package, silicon or a compound wafer.
  • the present invention relates to a plating bath and a plating method using the same.
  • Gold plating films formed using a cyan electrolytic gold plating bath are widely used in precision electronic equipment parts such as printed circuit boards, IC packages, LSI packages, and LC driver ICs.
  • Gold plating films used for these precision electronic device parts are required to have high wire bonding properties, solderability, and heat resistance. The smoothness and gold purity of the gold plating film are important factors that influence these characteristics.
  • crystal modifiers such as thallium and lead are used (Patent Documents 1-3).
  • the gold concentration in the cyan electrolytic gold plating bath is generally 8 to 10 g / L.
  • a cathode current efficiency of about 95% can be obtained.
  • the gold concentration in the plating bath is lowered to 4 g / L or less, the cathode current efficiency is remarkably lowered and the productivity is deteriorated.
  • a side reaction accompanied by generation of hydrogen gas occurs due to a decrease in cathode current efficiency. Due to the influence, burnt plating occurs or abnormal deposition of a gold plating film due to resist peeling occurs. As a result, a short circuit of the circuit pattern, peeling of the plating film, bonding failure in the subsequent process, and the like are generated.
  • the problem to be solved by the present invention is that even when the gold concentration in the plating bath is a low gold concentration of 5 g / L or less, the cathode current density is high within the range of 0.01 to 1.5 A / dm 2.
  • An object of the present invention is to provide a cyan electrolytic gold plating bath capable of forming a smooth gold plating film with cathode current efficiency and a plating method using the same.
  • a further problem to be solved by the present invention is a cyan electrolytic gold plating bath having high throwing power and capable of forming a gold plating film having high wire bondability and solder ball bondability, and the same. It is to provide a plating method.
  • the inventors of the present invention have an alkaline salt of dicyanogold (I) acid or ammonium dicyanogold (I) acid, a small amount of a crystal modifier, a conductive salt, and a buffer.
  • a precipitation accelerator containing at least one of alkali sulfite and ammonium sulfite, or (2) the precipitation accelerator and ethylenediaminetetraacetate It has been found that the above-mentioned problems can be solved by blending.
  • This gold plating bath is capable of forming a gold plating film having a high cathode current efficiency and uniform electrodeposition and a smooth coating surface within a cathode current density of 0.01 to 1.5 A / dm 2.
  • this gold plating film has wire bonding properties and solder ball bonding properties equivalent to those of a gold plating film formed using a conventional cyan electrolytic gold plating bath.
  • the present inventors have found the above points and have completed the present invention.
  • the dicyano gold (I) acid alkali salt or dicyano gold (I) acid ammonium salt has a gold concentration of 1.0 to 5.0 g / L, A crystal modifier, Conductive salt, A buffer, A precipitation accelerator composed of at least one of alkali sulfite and ammonium sulfite is 0.1 mg / L to 18 g / L as sulfite ions, A cyan electrolytic gold plating bath comprising:
  • the alkali sulfite salt or ammonium sulfite salt contained in the gold plating bath is adsorbed on the plating surface of the cathode and acts as a deposition accelerator for increasing the active sites of the reduction precipitation reaction of gold complex ions.
  • the cathode limit current density is increased, and it is considered that high cathode current efficiency can be maintained even when the gold concentration in the plating bath is low.
  • the dicyano gold (I) acid alkali salt or dicyano gold (I) acid ammonium salt has a gold concentration of 1.0 to 5.0 g / L, A crystal modifier, Conductive salt, A buffer, A precipitation accelerator composed of at least one of alkali sulfite and ammonium sulfite is 0.1 mg / L to 18 g / L as sulfite ions, Ethylenediaminetetraacetic acid, A cyan electrolytic gold plating bath comprising:
  • the buffer comprises one or more selected from the group consisting of phosphoric acid, boric acid, citric acid, and salts thereof, and the concentration of the buffer is 1 to 300 g / L.
  • the electrolytic gold plating bath as described.
  • the cathode current density is 0.05 to 0.5 A / dm 2
  • the plating bath pH is 3.5 to 8.5
  • the plating bath A method for plating a printed wiring board characterized by plating at a temperature of 55 to 70 ° C.
  • the cyan electrolytic gold plating bath of the present invention (hereinafter also referred to as “the gold plating bath”) has high cathode current efficiency even at a low gold concentration. Further, the gold plating bath can form a gold plating film that is uniform and dense with respect to the object to be plated and has a good appearance. Furthermore, this gold plating bath has excellent liquid stability and liquid life.
  • This gold plating bath can form a plating film having a good appearance in the entire current density range of 0.05 to 0.5 A / dm 2 .
  • the gold plating bath can be used even when the cathode current density is reduced due to restrictions of the substrate and the plating apparatus. When this gold plating bath is used at a high current density, the plating time can be shortened and productivity is improved.
  • the gold plating film formed by this gold plating bath has high throwing power, and has the same wire bonding property and solder ball bonding property as the gold plating film formed by using a conventional cyan electrolytic gold plating bath.
  • the gold plating film formed using this gold plating bath has low stress and low hardness, it does not erode the photoresist agent or the underlying layer.
  • FIG. 1A shows the measurement location on the chip side
  • FIG. 1B shows the measurement location on the ball side.
  • This gold plating bath Dicyano gold (I) acid alkali salt or dicyano gold (I) acid ammonium salt as a gold source, A small amount of crystal modifier, Conductive salt, A buffer, A gold plating bath having a pH of 3.5 to 8.5, comprising (1) blending a precipitation accelerator containing at least one of alkali sulfite and ammonium sulfite; Or (2) blending ethylenediaminetetraacetate in addition to the precipitation accelerator, It is characterized by.
  • Examples of the gold source blended in the gold plating bath include alkali salts or ammonium salts of dicyanogold (I) acid.
  • Examples of the alkali salt include alkali metal salts such as Na and K, and alkaline earth metal salts such as Ca.
  • the amount of dicyano gold (I) acid salt to be blended in the gold plating bath is not particularly limited, but the gold amount is 1.0 to 5.0 g / L, preferably 2.0 to 4.0 g / L. A gold concentration of 2.0 to 4.0 g / L is preferable because it is most economical in operation. If the amount of gold is less than 1.0 g / L, burnt plating occurs when plating at a high cathode current density, and the smoothness of the plating surface tends to deteriorate.
  • Examples of the crystal modifier to be blended in the gold plating bath include water-soluble salts such as thallium, lead and bismuth (for example, sulfate, nitrate, organic acid salt).
  • the amount of the crystal modifier blended in the gold plating bath is 0.1 to 20 mg / L for each metal.
  • the blending amount of the crystal modifier is preferably 0.1 to 5 mg / L for each metal.
  • Examples of conductive salts to be mixed in the gold plating bath include inorganic acid salts and organic acid salts such as phosphates, sulfates, borates, citrates, oxalates, and formates. Two or more of these may be used in combination.
  • the amount of the conductive salt to be blended in the gold plating bath is appropriately set as long as the solute in the plating bath is supersaturated and does not cause salt precipitation.
  • the blending amount of the conductive salt is 50 to 250 g / L, preferably 100 to 150 g / L.
  • the blending amount of the conductive salt is less than 50 g / L, the conductivity of the plating bath is low, the throwing power may be deteriorated, and the components constituting the plating bath may be decomposed. If the blending amount of the conductive salt exceeds 250 g / L, salt precipitation may occur at room temperature, or the limit current density may be reduced, resulting in burnt plating.
  • the buffering agent blended in the gold plating bath examples include inorganic acids and organic acids such as phosphoric acid, boric acid, citric acid, formic acid, phthalic acid, and tartaric acid, and salts thereof.
  • the amount of the buffering agent blended in the gold plating bath can be appropriately set within a range in which the solute in the plating bath is supersaturated and does not cause salt precipitation.
  • the blending amount is preferably 1 to 300 g / L.
  • the amount of the buffering agent is less than 1 g / L, the buffering action is weak, and the bath stability tends to deteriorate as the pH decreases. As a result, components constituting the plating bath may be decomposed.
  • the blending amount of the buffering agent exceeds 300 g / L, salt precipitation may occur at room temperature, or the limit current density may decrease and burnt plating may occur.
  • the conductive salt and the buffering agent are the same compound. In this case, either one also has the other action.
  • a precipitation accelerator comprising an alkali sulfite salt or an ammonium sulfite salt. Any one or more of alkali sulfites and ammonium sulfites may be blended.
  • the amount of the precipitation accelerator to be blended in the gold plating bath is 0.1 mg / L to 18 g / L as sulfite ion, preferably 10 mg / L to 10 g / L, and particularly preferably 0.1 to 5 g / L.
  • the cathode current efficiency may be lowered and burnt plating may occur particularly under the condition where the cathode current density is 0.2 A / dm 2 or more.
  • the compounding amount of the precipitation accelerator exceeds 18 g / L as sulfite ion, the above problem may occur under a wide range of cathode current density conditions.
  • the gold plating bath preferably contains ethylenediaminetetraacetate in addition to the precipitation accelerator.
  • the combined use of the precipitation accelerator and ethylenediaminetetraacetate is very suitable because the cathode current efficiency can be increased particularly under the condition where the cathode current density is 0.1 to 0.5 A / dm 2 .
  • the amount of ethylenediaminetetraacetate compounded in the gold plating bath is 0.1 to 20 g / L, preferably 0.5 to 5 g / L.
  • the synergistic effect of the precipitation accelerator and ethylenediaminetetraacetate reaches a limit, which is not economical.
  • the limit current density may be lowered, resulting in burnt plating.
  • the pH of the gold plating bath is usually 3.0 to 10.0, preferably 3.5 to 8.5.
  • the plating bath is extremely unstable. As a result, components constituting the plating bath may be decomposed to cause precipitation of the gold compound.
  • pH exceeds 10.0 a limiting current density may fall and it may become burnt plating. Further, as a result of dissolving the masking material used for forming the wiring pattern on the printed board, the intended wiring pattern may not be formed.
  • pH adjuster examples include inorganic acids such as sulfuric acid and phosphoric acid, organic acids such as citric acid, various carboxylic acids and hydroxycarboxylic acids, and alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide and aqueous ammonia.
  • the liquid temperature at the time of electroplating using the gold plating bath is preferably 40 to 80 ° C, more preferably 55 to 70 ° C.
  • the current density when electroplating using this gold plating bath is 0.01 to 1.5 A / dm 2 .
  • the current density is preferably 0.05 to 0.5 A / dm 2 .
  • This plating bath consumes other components constituting the gold source and the plating bath by performing plating using the plating bath.
  • This gold plating bath should be used for more than 3 turns (one turn when all of the gold source in the plating bath is consumed) by supplementing the gold source and other components constituting the plating bath. Can do.
  • the gold plating bath is not limited to an object to be plated as long as it can conduct, such as a gold base plated gold strike or metallized by gold sputtering.
  • This gold plating bath is used, for example, when a gold plating film is formed on electronic industrial parts such as a printed wiring board, an IC package, a silicon wafer, and a compound wafer. In particular, it is suitably used when a gold plating film is formed on a printed wiring board.
  • a brass plate of 0.1 dm 2 on which a bright nickel film was formed with a film thickness of 5 ⁇ m was successively subjected to alkaline degreasing and electrolytic degreasing, and then washed with pure water.
  • the brass plate was immersed in 10% sulfuric acid and then washed with pure water.
  • a gold plating film was formed on the brass plate using a cyan electrolytic gold strike plating bath having the following composition.
  • the plating conditions were pH 5.5, plating temperature 50 ° C., current density 2 A / dm 2 , and plating time 30 seconds.
  • the brass plate on which the gold plating film was formed was washed with pure water and then dried to obtain a test piece. This test piece was used for evaluations other than the measurement of the gold film thickness, the wire pull test, and the solder ball share test.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 1g / L Dibasic potassium phosphate 80g / L Citric acid 20g / L Potassium citrate 40g / L
  • a gold plating film was formed on the BGA panel and the test piece (hereinafter also referred to as “substance to be plated”).
  • the plating process is as follows. First, the mass of the object to be plated was measured, and then alkaline degreasing and electrolytic degreasing were sequentially performed and washed with pure water. Then, it was immersed in 10% sulfuric acid and washed with pure water. Then, using each cyan electrolytic gold plating solution shown in each example and comparative example, a gold plating film was formed on the object to be plated under the plating conditions shown in each example and comparative example.
  • the mass of gold deposited on the test piece was determined by measuring the mass of the test piece before and after plating. The mass of the deposited gold was divided by the theoretical precipitation mass and expressed as a percentage. The theoretical precipitation mass of gold was calculated from the amount of electricity.
  • a wire pull test was performed using each BGA panel on which the gold plating film obtained by the plating step was formed. A plurality of patterns are formed on the BGA panel, and two adjacent patterns are used as test patterns. Of these two test patterns, a wire pull test was performed as follows at arbitrary 18 positions. First, a 50 gf load was applied to the first point (one end) of a 1 mil diameter (0.001 inch) gold wire, and the BGA panel was held at a temperature of 150 ° C. for 0.05 seconds with a 0.05 watt output. The first pattern was crimped.
  • a load of 100 gf is applied to the second point (the other end) of the gold wire, and the second pattern of the BGA panel (adjacent to the first pattern) is held at a temperature of 150 ° C. for 0.1 second with a 0.1 watt output. Crimped to a matching pattern). Thereafter, the tensile strength of the crimped wire was measured using 1488 PLUS made by K & S. Standard load is serial NO. 926-L-LAB-102 was used.
  • solder ball share test was performed using the BGA panel on which the gold plating film obtained by the plating step was formed. A plurality of patterns are formed on the BGA panel, and two arbitrary patterns are used as test patterns. A solder ball share test was performed as follows at any 10 locations in the test pattern. First, flux was applied on the gold plating film formed on the BGA panel. A solder ball having a diameter of 0.45 mm (solder ball alloy standard SAC305) was adhered thereon. The BGA panel was reflowed in the atmosphere at 150 ° C. (60 seconds) to 180 ° C. (30 seconds) to 245 ° C. (63 seconds) to 100 ° C. (60 seconds) to bond the solder balls to the BGA panel.
  • the position of 1/4 height from the interface between the joined solder ball and the BGA panel to the top of the solder ball was scratched (see FIG. 2).
  • the scratching speed was 100 ⁇ m / sec.
  • XYZTEC series model CONDOR70-3 manufactured by Techno Alpha was used for the measurement. The results are shown in strength (N) and break mode (good or bad).
  • the gold film thickness was measured using the BGA panel on which the gold plating film obtained by the plating step was formed. A plurality of patterns are formed on the BGA panel, and two arbitrary patterns are used as test patterns. For each test pattern, the gold film thickness was measured at four locations on the front side (chip side) and the back side (ball side) (see FIG. 1). The CV value (%) was calculated by the following formula (1), and this CV value was used as an index of the throwing power.
  • Example 1 Under the plating conditions shown in Table 2, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L
  • Citric acid 15g / L
  • Potassium citrate 125g / L
  • Potassium formate 100g / L
  • Thallium sulfate (as thallium concentration) 0.5mg / L
  • the obtained gold plating film had a film thickness of 0.70 to 0.75 ⁇ m and a uniform semi-gloss shape.
  • Table 2 when the cathode current density was in the range of 0.05 to 0.4 A / dm 2 , the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test and solder ball shear test were good.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L
  • Citric acid 15g / L
  • Potassium citrate 125g / L
  • Potassium formate 100g / L
  • Thallium sulfate (as thallium concentration) 0.5mg / L
  • the obtained gold plating film had a thickness of 0.40 to 0.70 ⁇ m and a uniform semi-glossy shape.
  • the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test, and solder ball share test were as shown in Table 3.
  • the cathode current efficiency was low under conditions where the cathode current density was 0.1 A / dm 2 or less. Since the cathode current density is the cathode current efficiency was low under the conditions of 0.05 A / dm 2, and 0.1 A / dm 2, the wire pull test and the solder ball shear test is not implemented.
  • Example 2 Under the plating conditions shown in Table 4, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L
  • Citric acid 15g / L
  • Potassium citrate 125g / L
  • Potassium formate 100g / L
  • Potassium sulfite 2.4g / L
  • Thallium formate (as thallium concentration) 1mg / L
  • the obtained gold plating film had a film thickness of 0.70 to 0.75 ⁇ m and a uniform semi-gloss shape.
  • Table 4 when the cathode current density was in the range of 0.05 to 0.4 A / dm 2 , the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test and solder ball shear test were good.
  • Example 3 Under the plating conditions shown in Table 5, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 225g / L Sodium sulfite 2g / L Sodium ethylenediaminetetraacetate 4.4 g / L Thallium nitrate (as thallium concentration) 5mg / L
  • the obtained gold plating film had a film thickness of 0.70 to 0.75 ⁇ m and a uniform semi-gloss shape.
  • Table 5 when the cathode current density was in the range of 0.05 to 0.4 A / dm 2 , the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test and solder ball shear test were good.
  • Example 4 Under the plating conditions shown in Table 6, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 2g / L
  • Citric acid 15g / L
  • Potassium citrate 275g / L
  • Sodium sulfite 1g / L
  • Sodium ethylenediaminetetraacetate 4.4 g / L
  • Thallium sulfate (as thallium concentration) 1mg / L
  • the obtained gold plating film had a film thickness of 0.60 to 0.70 ⁇ m and a uniform semi-glossy shape.
  • Table 6 when the cathode current density was in the range of 0.05 to 0.2 A / dm 2 , the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test and solder ball shear test were good.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L
  • Citric acid 15g / L
  • Potassium citrate 225g / L
  • Sodium sulfite 20g / L
  • Thallium formate (as thallium concentration) 1mg / L
  • the obtained gold plating film had a thickness of 0.30 to 0.65 ⁇ m.
  • the cathode current density was in the range of 0.05 to 0.3 A / dm 2 , the film was uniform and semi-glossy. Under the condition of the cathode current density of 0.4 A / dm 2 , it became burnt plating.
  • Cathode current efficiency and film thickness variation are as shown in Table 7. Deterioration was observed under conditions where the cathode current density was 0.2 A / dm 2 or more. In Comparative Example 2, the wire pull test and the solder ball share test are not performed.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 225g / L Sodium sulfate 2.1g / L Thallium sulfate (as thallium concentration) 5mg / L
  • the obtained gold plating film had a film thickness of 0.45 to 0.70 ⁇ m and a uniform semi-gloss shape.
  • the cathode current efficiency and film thickness variation were as shown in Table 8. In particular, the cathode current efficiency was low under the condition where the cathode current density was 0.1 A / dm 2 . In Comparative Example 3, the wire pull test and the solder ball share test are not performed.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 225g / L Dibasic potassium phosphate 35g / L Thallium nitrate (as thallium concentration) 10mg / L
  • the cathode current efficiency was low under the condition where the cathode current density was 0.2 A / dm 2 or less.
  • the wire pull test and the solder ball share test are not performed.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 225g / L Dibasic potassium phosphate 17g / L Thallium sulfate (as thallium concentration) 1mg / L
  • the cathode current efficiency was low under conditions where the cathode current density was 0.1 A / dm 2 or less.
  • the wire pull test and the solder ball share test are not performed.
  • Example 5 Under the plating conditions shown in Table 11, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition. Various evaluation results are shown in Table 11.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 225g / L Dibasic potassium phosphate 35g / L Sodium sulfite 2g / L Thallium formate (as thallium concentration) 10mg / L
  • Example 6 Under the plating conditions shown in Table 12, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition. Various evaluation results are shown in Table 12.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 125g / L Potassium formate 100g / L Sodium sulfite 1mg / L
  • the obtained gold plating film had a film thickness of 0.70 to 0.75 ⁇ m and a uniform semi-gloss shape.
  • Table 12 when the cathode current efficiency was in the range of 0.05 to 0.4 A / dm 2 , the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test and solder ball shear test were good.
  • Example 7 Under the plating conditions shown in Table 13, a gold plating film was formed on each of the test piece and the BGA panel using a plating bath having the following composition. Various evaluation results are shown in Table 13.
  • Potassium dicyano gold (I) (as gold concentration) 3g / L Citric acid 15g / L Potassium citrate 125g / L Potassium formate 100g / L Potassium sulfite 15g / L
  • the obtained gold plating film had a uniform semi-glossy thickness of 0.70 to 0.75 ⁇ m.
  • the results of the cathode current efficiency, film thickness variation, wire pull test and solder ball shear test were good when the cathode current efficiency was in the range of 0.05 to 0.4 A / dm 2 .

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Abstract

　本発明により、ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩が金濃度として１．０～５．０ｇ／Ｌと、　結晶調整剤と、　伝導塩と、　緩衝剤と、　亜硫酸アルカリ塩及び亜硫酸アンモニウム塩のいずれか１種以上から成る析出促進剤が亜硫酸イオンとして０．１ｍｇ／Ｌ～１８ｇ／Ｌと、 を含むことを特徴とするシアン系電解金めっき浴が提供される。

Description

シアン系電解金めっき浴及びそれを用いるめっき方法
　本発明は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）配線基板等のプリント配線基板や、ＩＣパッケージ、シリコン又は化合物ウエハ等の電子工業部品に、金めっき皮膜を形成させる際に好適に使用されるシアン系電解金めっき浴、及びそれを用いるめっき方法に関する。
　シアン系電解金めっき浴を用いて形成させる金めっき皮膜は、プリント配線基板を始めとして、ＩＣパッケージやＬＳＩパッケージ、ＬＣドライバＩＣ等の精密電子機器部品に広く用いられている。これらの精密電子機器部品に用いられる金めっき皮膜には、高いワイヤボンディング性や半田付け性、耐熱性が要求される。金めっき皮膜の平滑性と金純度は、これらの特性を左右する重要な要素である。これらの特性が改善された金めっき皮膜を形成するために、タリウムや鉛等の結晶調整剤が用いられている（特許文献１－３）。
　シアン系電解金めっき浴中の金濃度は、８～１０ｇ／Ｌが一般的である。金濃度がこの範囲内であれば、９５％程度の陰極電流効率が得られる。しかし、めっき浴中の金濃度が４ｇ／Ｌ以下に低下すると、陰極電流効率が著しく低下して生産性が悪化する。また、陰極電流効率の低下により、水素ガスの発生を伴う副反応が生じる。その影響により、ヤケめっきが発生したり、レジスト剥離を要因とする金めっき皮膜の異常析出が発生したりする。その結果、回路パターンの短絡、めっき皮膜の剥離、後工程における接合不良等を発生させる。
　めっき浴中の金濃度を低くすることは、めっきの操業コストを下げるのに有効である。しかし、めっき浴中の金濃度を低くし過ぎると、陰極電流効率が低下して上記の問題を発生させる。
　従来のシアン系電解金めっき浴は、陰極電流密度０．１～０．３Ａ／ｄｍ２の範囲内で使用されると均一電着性が高くなる。その理由で、実操業においては、陰極電流密度０．１～０．３Ａ／ｄｍ２の範囲内で好適なめっきが行われている。しかし、めっき浴中の金濃度が５ｇ／Ｌを下回る場合には、陰極電流密度が０．１～０．５Ａ／ｄｍ２の範囲内、特には０．１～０．３Ａ／ｄｍ２の範囲内において、９０％を超える陰極電流効率でめっきを行うことができない。
特開平２－２４７３９７号公報 特許第３１３９２１３号公報 特開平２１－２８０８６７号公報
　本発明が解決しようとする課題は、めっき浴中の金濃度が５ｇ／Ｌ以下の低い金濃度であっても、陰極電流密度が０．０１～１．５Ａ／ｄｍ２の範囲内において、高い陰極電流効率で平滑な金めっき皮膜を形成させることができる、シアン系電解金めっき浴及びそれを用いるめっき方法を提供することにある。本発明が解決しようとする更なる課題は、均一電着性が高く、高いワイヤボンディング性や半田ボール接合性を有する金めっき皮膜を形成させることができる、シアン系電解金めっき浴及びそれを用いるめっき方法を提供することにある。
　本発明者らは、検討を重ねた結果、ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩と、微量の結晶調整剤と、伝導塩と、緩衝剤とを含む、ｐＨが３．５～８．５である金めっき浴に、
（１）亜硫酸アルカリ塩、亜硫酸アンモニウム塩のいずれか１種以上を含有する析出促進剤、又は
（２）前記析出促進剤とエチレンジアミン四酢酸塩、
を配合することにより、上記課題を解決できることを見出した。そして、この金めっき浴は、陰極電流密度が０．０１～１．５Ａ／ｄｍ２の範囲内において、陰極電流効率及び均一電着性が高く、皮膜表面が平滑な金めっき皮膜を形成させることを見出した。この金めっき皮膜は、従来のシアン系電解金めっき浴を用いて形成させる金めっき皮膜と同等のワイヤボンディング性、半田ボール接合性を有していることを見出した。
本発明者は以上の点を見出し、本発明を完成するに至った。
　上記課題を解決する本発明は以下に記載するものである。
　〔１〕
　ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩が、金濃度として１．０～５．０ｇ／Ｌと、
　結晶調整剤と、
　伝導塩と、
　緩衝剤と、
　亜硫酸アルカリ塩及び亜硫酸アンモニウム塩のいずれか１種以上から成る析出促進剤が、亜硫酸イオンとして０．１ｍｇ／Ｌ～１８ｇ／Ｌと、
を含むことを特徴とするシアン系電解金めっき浴。
　本金めっき浴に含有される亜硫酸アルカリ塩や亜硫酸アンモニウム塩は、陰極のめっき面に吸着し、金錯イオンの還元析出反応の活性点を増やす析出促進剤として作用する。その結果、陰極限界電流密度が上昇し、めっき浴中の金濃度が低い場合でも高い陰極電流効率を維持できるものと考えられる。
　一方、亜硫酸アルカリ塩又は亜硫酸アンモニウム塩を１８ｇ／Ｌを超えて配合すると、自らがプロトンを授受し、析出抑制剤として作用すると考えられるため、注意が必要である。
　〔２〕
　ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩が、金濃度として１．０～５．０ｇ／Ｌと、
　結晶調整剤と、
　伝導塩と、
　緩衝剤と、
　亜硫酸アルカリ塩及び亜硫酸アンモニウム塩のいずれか１種以上から成る析出促進剤が、亜硫酸イオンとして０．１ｍｇ／Ｌ～１８ｇ／Ｌと、
　エチレンジアミン四酢酸と、
を含むことを特徴とするシアン系電解金めっき浴。
　〔３〕
　エチレンジアミン四酢酸の濃度が、０．１ｍｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌである〔２〕に記載のシアン系電解金めっき浴。
　〔４〕
　伝導塩が、クエン酸塩、ギ酸塩から成る群から選択される１以上から成り、前記伝導塩の濃度が１００～２５０ｇ／Ｌである〔１〕又は〔２〕に記載のシアン系電解金めっき浴。
　〔５〕
　結晶調整剤が、タリウム化合物又は鉛化合物から成り、前記結晶調整剤の濃度が、タリウム又は鉛として０．１～２０ｍｇ／Ｌである〔１〕又は〔２〕に記載の電解金めっき浴。
　〔６〕
　緩衝剤が、りん酸、ほう酸、クエン酸、及びこれらの塩から成る群より選択される１以上から成り、前記緩衝剤の濃度が、１～３００ｇ／Ｌである〔１〕又は〔２〕に記載の電解金めっき浴。
　〔７〕
　〔１〕又は〔２〕に記載のシアン系電解金めっき浴を用いて、陰極電流密度が０．０５～０．５Ａ／ｄｍ２、めっき浴のｐＨが３．５～８．５、めっき浴の温度が５５～７０℃でめっきすることを特徴とするプリント配線基板のめっき方法。
　本発明のシアン系電解金めっき浴（以下、「本金めっき浴」ともいう。）は、低い金濃度であっても陰極電流効率が高い。また、本金めっき浴は、被めっき物に対して均一かつ緻密で、良好な外観を有する金めっき皮膜を形成させることができる。さらに、本金めっき浴は、優れた液安定性と液ライフを有する。
　本金めっき浴は、金濃度が３ｇ／Ｌ以下であっても、陰極電流効率の低下が起らない。そのため、水素ガスの発生を伴う副反応が生じない。その結果、ヤケめっきや、レジスト剥離を要因とする金めっき皮膜の異常析出が発生しない。
　本金めっき浴は、電流密度が０．０５～０．５Ａ／ｄｍ２の全域において、良好な外観を有するめっき皮膜を形成させることができる。基板や、めっき装置の制約により、陰極電流密度が小さくなる場合にも、本金めっき浴は使用できる。本金めっき浴を高い電流密度で使用する場合には、めっき時間を短縮でき、生産性が向上する。
　本金めっき浴により形成させる金めっき皮膜は、均一電着性が高く、従来のシアン系電解金めっき浴を用いて形成させる金めっき皮膜と同等のワイヤボンディング性、半田ボール接合性を有する。
　本金めっき浴を用いて形成させる金めっき皮膜は、低応力かつ低硬度であるため、フォトレジスト剤や下地層を侵食しない。
実施例において、均一電着性（ＣＶ）を評価する際に測定する金膜厚の測定箇所を示す説明図である。図１（ａ）はチップ側、図１（ｂ）はボール側の測定箇所を示す。 実施例において、ソルダーシェアテストを行う際における、半田ボールの引っかき位置を示す説明図である。
　以下、本発明について詳しく説明する。
　本金めっき浴は、
　ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩を金源とし、
　微量の結晶調整剤と、
　伝導塩と、
　緩衝剤と、
を含んで成る、ｐＨが３．５～８．５の金めっき浴に、
　（１）亜硫酸アルカリ塩及び亜硫酸アンモニウム塩の何れか１種以上を含む析出促進剤を配合すること、
又は
　（２）前記析出促進剤に加えてエチレンジアミン四酢酸塩を配合すること、
を特徴とする。
　本金めっき浴に配合する金源としては、ジシアノ金（Ｉ）酸のアルカリ塩又はアンモニウム塩が挙げられる。アルカリ塩としては、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属塩や、Ｃａ等のアルカリ土類金属塩が挙げられる。本金めっき浴に配合するジシアノ金（Ｉ）酸塩の量は、特に制限されないが、金量として１．０～５．０ｇ／Ｌであり、２．０～４．０ｇ／Ｌが好ましい。２．０～４．０ｇ／Ｌの金濃度は、操業時における経済性が最も優れるため、好ましい。金量が１．０ｇ／Ｌ未満であると、高い陰極電流密度でめっきする場合にヤケめっきが生じて、めっき表面の平滑性が悪化しやすい。
　本金めっき浴に配合する結晶調整剤としては、タリウム、鉛、ビスマス等の水溶性塩（例えば、硫酸塩、硝酸塩、有機酸塩）などが挙げられる。本金めっき浴に配合する結晶調整剤の量は、各金属として０．１～２０ｍｇ／Ｌである。特に、めっき浴中の金濃度が４ｇ／Ｌ以下の場合において高い陰極電流効率を得るためには、結晶調整剤の配合量は、各金属として０．１～５ｍｇ／Ｌであることが好ましい。
　本金めっき浴に配合する伝導塩としては、りん酸塩、硫酸塩、ほう酸塩、クエン酸塩、しゅう酸塩、ギ酸塩等の無機酸塩や有機酸塩が挙げられる。これらは２種以上を併用しても良い。本金めっき浴に配合する伝導塩の量は、めっき浴中の溶質が過飽和で塩析出を起こさない範囲で適宜設定される。通常、伝導塩の配合量は５０～２５０ｇ／Ｌであり、１００～１５０ｇ／Ｌが好ましい。伝導塩の配合量が５０ｇ／Ｌ未満であると、めっき浴の伝導性が低く、付きまわり性を悪化させたり、めっき浴を構成する成分が分解したりする場合がある。伝導塩の配合量が２５０ｇ／Ｌを超えると、室温において塩析出を起こしたり、限界電流密度が低下してヤケめっきになったりする場合がある。
　本金めっき浴に配合する緩衝剤としては、りん酸、ほう酸、クエン酸、ギ酸、フタル酸、酒石酸等の無機酸や有機酸、及びこれらの塩が挙げられる。本金めっき浴に配合する緩衝剤の量は、めっき浴中の溶質が過飽和で塩析出を起こさない範囲で適宜設定することができる。例えば、緩衝剤としてりん酸塩、ほう酸、クエン酸、酒石酸、及びこれらの塩を配合する場合、その配合量は１～３００ｇ／Ｌが好ましい。緩衝剤の配合量が１ｇ／Ｌ未満であると、緩衝作用が弱く、ｐＨの低下に伴って浴安定性が悪化しやすい。その結果、めっき浴を構成する成分が分解する場合がある。緩衝剤の配合量が３００ｇ／Ｌを超えると、室温において塩析出を起こしたり、限界電流密度が低下してヤケめっきが発生したりする場合がある。
　伝導塩と緩衝剤とが同一化合物である場合もある。この場合は、何れか一方が他方の作用も有する。
　本金めっき浴は、亜硫酸アルカリ塩又は亜硫酸アンモニウム塩を含んで成る析出促進剤を配合することを必須とする。亜硫酸アルカリ塩、亜硫酸アンモニウム塩はいずれか１種以上を配合すればよい。本金めっき浴に配合する析出促進剤の量は、亜硫酸イオンとして０．１ｍｇ／Ｌ～１８ｇ／Ｌであり、１０ｍｇ／Ｌ～１０ｇ／Ｌが好ましく、０．１～５ｇ／Ｌが特に好ましい。析出促進剤の配合量が、亜硫酸イオンとして１０ｇ／Ｌを超えると、特に陰極電流密度が０．２Ａ／ｄｍ２以上の条件下で、陰極電流効率が低下してヤケめっきが発生する場合がある。析出促進剤の配合量が、亜硫酸イオンとして１８ｇ／Ｌを超えると、幅広い陰極電流密度の条件下で、上記不具合が発生する場合がある。
　本金めっき浴は、前記析出促進剤に加えて、エチレンジアミン四酢酸塩を配合することが好ましい。前記析出促進剤とエチレンジアミン四酢酸塩との併用は、特に陰極電流密度が０．１～０．５Ａ／ｄｍ２の条件下における陰極電流効率を高くすることができるため、非常に好適である。本金めっき浴に配合するエチレンジアミン四酢酸塩の量は、０．１～２０ｇ／Ｌであり、０．５～５ｇ／Ｌが好ましい。エチレンジアミン四酢酸塩の配合量が２０ｇ／Ｌを超える場合、前記析出促進剤とエチレンジアミン四酢酸塩との相乗効果は限界に達するので経済的ではない。エチレンジアミン四酢酸塩の配合量が３０ｇ／Ｌを超える場合、限界電流密度が低下してヤケめっきになることがある。
　本金めっき浴のｐＨは、通常３．０～１０．０であり、３．５～８．５が好ましい。ｐＨが３．０未満である場合、めっき浴は著しく不安定である。その結果、めっき浴を構成する成分が分解し、金化合物の沈殿を生じることがある。ｐＨが１０．０を超える場合、限界電流密度が低下してヤケめっきになることがある。また、プリント基板に配線パターンを形成させるために使用されているマスキング材が溶解される結果、意図する配線パターンを形成できなくなることがある。
　ｐＨ調整剤としては、硫酸やりん酸等の無機酸、クエン酸や各種カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等の有機酸、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、アンモニア水等のアルカリ、が例示される。
　本金めっき浴を用いて電気めっきする際の液温は、４０～８０℃が好ましく、５５～７０℃がより好ましい。
　本金めっき浴を用いて電気めっきする際の電流密度は、０．０１～１．５Ａ／ｄｍ２である。特に本金めっき浴の金濃度が２～４ｇ／Ｌである場合、電流密度は０．０５～０．５Ａ／ｄｍ２であることが好ましい。
　本めっき浴は、これを用いてめっきを行うことにより、金源やめっき浴を構成するその他の成分が消費される。本金めっき浴は、金源やめっき浴を構成するその他の成分を補充することにより、３ターン（めっき浴中の金源を全て消費した場合を１ターンとする。）以上の使用を行うことができる。
　本金めっき浴は、下地素地が金ストライクめっきされたもの、又は金スパッタリングによりメタライズされたもの等、導通できるものであれば被めっき物を選ばない。本金めっき浴は、例えばプリント配線基板やＩＣパッケージ、シリコンウエハ、化合物ウエハ等の電子工業部品に金めっき皮膜を形成させる場合に用いられる。特に、プリント配線基板に金めっき皮膜を形成させる場合に好適に用いられる。
　以下、実施例及び比較例により、本発明をより具体的に説明する。本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
　〔テストピースの作製〕
　光沢ニッケル皮膜が膜厚５μｍで形成されている０．１ｄｍ２の真鍮板を、順次アルカリ脱脂、電解脱脂した後、純水で洗浄した。この真鍮板を１０％硫酸に浸漬した後、純水で洗浄した。次いで、以下に示す配合のシアン系電解金ストライクめっき浴を用いて、この真鍮板に金めっき皮膜を形成させた。めっき条件は、ｐＨが５．５、めっき温度が５０℃、電流密度が２Ａ／ｄｍ２、めっき時間が３０秒間であった。この金めっき皮膜が形成された真鍮板を純水で洗浄後、乾燥させてテストピースとした。このテストピースは、金膜厚の測定、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテスト以外の評価に用いた。
　〔シアン系電解金ストライクめっき浴〕
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　　１ｇ／Ｌ
　　　第二りん酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　８０ｇ／Ｌ
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　４０ｇ／Ｌ
　〔シアン系電解金めっきの工程〕
　各実施例に示すめっき液を用いて、ＢＧＡパネル及び前記テストピース（以下、これらを「被めっき物」ともいう）上に、金めっき皮膜を形成させた。めっき工程は次の通りである。先ず、被めっき物の質量を測定し、順次アルカリ脱脂、電解脱脂して純水で洗浄した。その後、１０％硫酸に浸漬して純水で洗浄した。次いで各実施例、比較例に示す各シアン系電解金めっき液を用いて、各実施例、比較例に示すめっき条件により、被めっき物に金めっき皮膜を形成させた。その後、純水で洗浄し、乾燥させ、被めっき物の質量を測定した。めっきはいずれも１０００ｍＬビーカー内で行った。なお、シアン系電解金めっき液の陰極電流密度とめっき時間は表１の通りである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　〔陰極電流効率（ＣＥ）〕
　めっき前後におけるテストピースの質量を測定することにより、テストピースに析出した金の質量を求めた。析出した金の質量を理論析出質量で除し、百分率にして表した。金の理論析出質量は電気量から計算した。
　〔ワイヤプルテストによる評価〕
　上記めっき工程により得られた金めっき皮膜が形成されている各ＢＧＡパネルを用いて、ワイヤプルテストを行った。ＢＧＡパネルには複数のパターンが形成されており、このうち隣り合う２つのパターンを試験用パターンとして用いた。この２つの試験用パターンの内、任意の１８箇所で以下の通りワイヤプルテストを行った。先ず、直径１ミル径（０．００１インチ）の金ワイヤの第１点目（一端）に５０ｇｆの荷重を加え、０．０５ワット出力により１５０℃の温度で０．０５秒間保持してＢＧＡパネルの第１パターンに圧着した。他方、金ワイヤの第２点目（他端）に１００ｇｆの荷重を加え、０．１ワット出力により１５０℃の温度で０．１秒保持してＢＧＡパネルの第２パターン（第１パターンに隣り合うパターン）に圧着した。その後、圧着したワイヤの引っ張り強度をＫ＆Ｓ製１４８８ＰＬＵＳを用いて測定した。標準荷重はシリアルＮＯ．９２６－Ｌ－ＬＡＢ－１０２を用いた。
　〔ソルダーボールシェアテストによる評価〕
　上記めっき工程により得られた金めっき皮膜が形成されているＢＧＡパネルを用いて、ソルダーボールシェアテストを行った。ＢＧＡパネルには複数のパターンが形成されており、このうち任意の２つのパターンを試験用パターンとして用いた。この試験用パターンの内、任意の１０箇所で以下の通りソルダーボールシェアテストを行った。先ず、ＢＧＡパネルに形成された金めっき皮膜上にフラックスを塗布した。その上に、直径０．４５ｍｍの半田ボール（半田ボール合金規格ＳＡＣ３０５）を付着させた。このＢＧＡパネルを大気中において、１５０℃（６０秒）～１８０℃（３０秒）～２４５℃（６３秒）～１００℃（６０秒）でリフロー処理して半田ボールをＢＧＡパネルに接合させた。接合させた半田ボールとＢＧＡパネルとの界面から半田ボール頂点までの高さの１／４高さの位置を引っかき測定した（図２参照）。引っかき速度は１００μｍ／ｓｅｃとした。測定にはテクノアルファ社製ＸＹＺＴＥＣシリーズ型式ＣＯＮＤＯＲ７０－３を用いた。結果は、強度（Ｎ）と破断モード（良又は不良）で示した。
　〔均一電着性（ＣＶ）の評価〕
　上記めっき工程により得られた金めっき皮膜が形成されているＢＧＡパネルを用いて、金膜厚の測定を行った。ＢＧＡパネルには複数のパターンが形成されており、このうち任意の２つのパターンを試験用パターンとして用いた。各試験用パターンについて、表側（チップ側）、裏側（ボール側）の各４箇所で金膜厚を測定した（図１参照）。下記式（１）によりＣＶ値（％）を算出し、このＣＶ値を均一電着性の指標とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　〔金膜厚の測定〕
　蛍光Ｘ線膜厚計ＳＦＴ－９２００（セイコー電子）を用いて測定した。
　［実施例１］
　表２に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　１２５ｇ／Ｌ
　　　ギ酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　２ｇ／Ｌ　
　　　硫酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　０．５ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．７０～０．７５μｍであり、均一な半光沢状であった。表２に示す通り、陰極電流密度が０．０５～０．４Ａ／ｄｍ２　の範囲内において、陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は良好であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　［比較例１］
　表３に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　１２５ｇ／Ｌ
　　　ギ酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｇ／Ｌ
　　　硫酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　０．５ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．４０～０．７０μｍであり、均一な半光沢状であった。陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は表３に示す通りであった。特に、陰極電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２　以下の条件下における陰極電流効率が低かった。陰極電流密度が０．０５Ａ／ｄｍ２　、及び０．１Ａ／ｄｍ２　の条件下では陰極電流効率が低かったため、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストは未実施である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　［実施例２］
　表４に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　１２５ｇ／Ｌ
　　　ギ酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　２．４ｇ／Ｌ　
　　　ギ酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　　１ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．７０～０．７５μｍであり、均一な半光沢状であった。表４に示す通り、陰極電流密度が０．０５～０．４Ａ／ｄｍ２　の範囲内において、陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は良好であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
［実施例３］
　表５に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２２５ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　２ｇ／Ｌ　
　　　エチレンジアミン四酢酸ナトリウム　　　　　　４．４ｇ／Ｌ　
　　　硝酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　　５ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．７０～０．７５μｍであり、均一な半光沢状であった。表５に示す通り、陰極電流密度が０．０５～０．４Ａ／ｄｍ２　の範囲内において、陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は良好であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　［実施例４］
　表６に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　２ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２７５ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１ｇ／Ｌ　
　　　エチレンジアミン四酢酸ナトリウム　　　　　　４．４ｇ／Ｌ　
　　　硫酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　　１ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．６０～０．７０μｍであり、均一な半光沢状であった。表６に示す通り、陰極電流密度が０．０５～０．２Ａ／ｄｍ２　の範囲内において、陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は良好であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　［比較例２］
　表７に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２２５ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　２０ｇ／Ｌ
　　　ギ酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　　１ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．３０～０．６５μｍであった。陰極電流密度が０．０５～０．３Ａ／ｄｍ２の範囲内では均一な半光沢状であった。陰極電流密度が０．４Ａ／ｄｍ２の条件下ではヤケめっきとなった。陰極電流効率、膜厚ばらつきは表７に示す通りであり、陰極電流密度が０．２Ａ／ｄｍ２以上の条件下で悪化が認められた。なお、比較例２ではワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストは未実施である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　［比較例３］
　表８に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２２５ｇ／Ｌ
　　　硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　２．１ｇ／Ｌ　
　　　硫酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　　５ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．４５～０．７０μｍであり、均一な半光沢状であった。陰極電流効率、膜厚ばらつきは表８に示す通りであった。特に、陰極電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２の条件下では、陰極電流効率が低かった。比較例３ではワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストは未実施である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　［比較例４］
　表９に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。各種評価結果は表９に示した。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２２５ｇ／Ｌ
　　　第二りん酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　３５ｇ／Ｌ
　　　硝酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　１０ｍｇ／Ｌ
　特に、陰極電流密度が０．２Ａ／ｄｍ２以下の条件下では、陰極電流効率が低かった。比較例４ではワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストは未実施である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
　［比較例５］
　表１０に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。各種評価結果は表１０に示した。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２２５ｇ／Ｌ
　　　第二りん酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　１７ｇ／Ｌ
　　　硫酸タリウム　（タリウム濃度として）　  　　　１ｍｇ／Ｌ
　特に、陰極電流密度が０．１Ａ／ｄｍ２以下の条件下では、陰極電流効率が低かった。比較例５ではワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストは未実施である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
　［実施例５］
　表１１に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。各種評価結果は表１１に示した。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　２２５ｇ／Ｌ
　　　第二りん酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　３５ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　　２ｇ／Ｌ　
　　　ギ酸タリウム　（タリウム濃度として）　　　　１０ｍｇ／Ｌ
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　伝導塩として有機酸塩の一部を第二りん酸カリウムに置き換えた比較例４及び比較例５については、有機酸塩のみの比較例１と比較して、その陰極電流効率は全体的に低下している。一方、比較例５に亜硫酸ナトリウムを加えた実施例５については、特に低電流密度域における陰極電流効率が向上しており、亜硫酸イオンの添加効果が確認できる。
　［実施例６］
　表１２に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。各種評価結果は表１２に示した。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　１２５ｇ／Ｌ
　　　ギ酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　　　　１ｍｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．７０～０．７５μｍであり、均一な半光沢状であった。表１２に示す通り、陰極電流効率が０．０５～０．４Ａ／ｄｍ２の範囲内において、陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は良好であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　［実施例７］
　表１３に示すめっき条件により、下記の組成のめっき浴を用いて、テストピース及びＢＧＡパネルに金めっき皮膜をそれぞれ形成させた。各種評価結果は表１３に示した。
　　　ジシアノ金（Ｉ）酸カリウム　（金濃度として）　　３ｇ／Ｌ　
　　　クエン酸　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　　　クエン酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　１２５ｇ／Ｌ
　　　ギ酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１００ｇ／Ｌ
　　　亜硫酸カリウム　　　　　　　　　　　　　　　　１５ｇ／Ｌ
　得られた金めっき皮膜は、膜厚が０．７０～０．７５μｍの均一な半光沢状あった。表に示す通り、陰極電流効率が０．０５～０．４Ａ／ｄｍ２の範囲内において、陰極電流効率、膜厚ばらつき、ワイヤプルテスト及びソルダーボールシェアテストの結果は良好であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　　１１・・・半田ボール
　　２０・・・試料パターン
　　２１・・・表面の測定箇所
　　２３・・・裏面の測定箇所

Claims (7)

  1. 　ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩が、金濃度として１．０～５．０ｇ／Ｌと、
    　結晶調整剤と、　
    　伝導塩と、
    　緩衝剤と、
    　亜硫酸アルカリ塩及び亜硫酸アンモニウム塩のいずれか１種以上から成る析出促進剤が、亜硫酸イオンとして０．１ｍｇ／Ｌ～１８ｇ／Ｌと、
    を含むことを特徴とするシアン系電解金めっき浴。
  2. 　ジシアノ金（Ｉ）酸アルカリ塩又はジシアノ金（Ｉ）酸アンモニウム塩が、金濃度として１．０～５．０ｇ／Ｌと、
    　結晶調整剤と、　
    　伝導塩と、
    　緩衝剤と、
    　亜硫酸アルカリ塩及び亜硫酸アンモニウム塩のいずれか１種以上から成る析出促進剤が、亜硫酸イオンとして０．１ｍｇ／Ｌ～１８ｇ／Ｌと、
    　エチレンジアミン四酢酸と、
    を含むことを特徴とするシアン系電解金めっき浴。
  3. 　エチレンジアミン四酢酸の濃度が、０．１ｍｇ／Ｌ～２０ｇ／Ｌである請求項２に記載のシアン系電解金めっき浴。
  4. 　伝導塩が、クエン酸塩、ギ酸塩から成る群から選択される１以上から成り、前記伝導塩の濃度が、１００～２５０ｇ／Ｌである請求項１又は２に記載のシアン系電解金めっき浴。
  5. 　結晶調整剤が、タリウム化合物又は鉛化合物から成り、前記結晶調整剤の濃度が、タリウム又は鉛として０．１～２０ｍｇ／Ｌである請求項１又は２に記載の電解金めっき浴。
  6. 　緩衝剤が、りん酸、ほう酸、クエン酸及びこれらの塩から成る群より選択される１以上から成り、前記緩衝剤の濃度が、１～３００ｇ／Ｌである請求項１又は２に記載の電解金めっき浴。
  7. 　請求項１又は２に記載のシアン系電解金めっき浴を用いて、めっき電流密度が０．０５～０．５Ａ／ｄｍ２、めっき浴のｐＨが３．５～８．５、めっき浴の温度が５５～７０℃でめっきすることを特徴とするプリント配線基板のめっき方法。
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