CN102753732A - 氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、结晶调节剂、导电盐、缓冲剂、和以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。

Description

氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法
技术领域
本发明涉及在BGA(（球栅阵列）Ball Grid Array)布线基板等印刷布线基板及IC封装、硅或化合物晶片等电子工业部件上形成镀金膜时适于使用的氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法。
背景技术
使用氰系电解镀金浴形成的镀金膜被广泛用于印刷布线基板，以及IC封装及LSI封装、LC驱动IC等精密电子设备部件。对于这些精密电子设备部件中使用的镀金膜，要求高的引线结合性、钎焊性、耐热性。镀金膜的平滑性和金纯度是控制这些特性的重要因素。为了形成这些特性得到改善的镀金膜，使用铊和铅等结晶调节剂(专利文献1-3)。
氰系电解镀金浴中的金浓度通常为8～10g/L。如果金浓度在该范围内，则得到95％左右的阴极电流效率。但是，镀浴中的金浓度降低到4g/L以下时，阴极电流效率显著降低，生产率恶化。另外，由于阴极电流效率的降低，发生伴随有氢气产生的副反应。由于该影响，产生烧焦镀敷（ヤケめっき），或产生以保护膜剥落为主要原因的镀金膜的异常析出。其结果，发生电路图案的短路、镀膜的剥落、后工序中的接合不良等。
降低镀浴中的金浓度可以有效降低镀敷的操作成本。但是，镀浴中的金浓度过低时，阴极电流效率降低而产生上述的问题。
现有的氰系电解镀金浴在阴极电流密度0.1～0.3A/dm2的范围内使用时，均匀电镀性变高。由于该原因，实际操作中，在阴极电流密度0.1～0.3A/dm2的范围内进行适当的镀敷。但是，在镀浴中的金浓度低于5g/L的情况下，阴极电流密度在0.1～0.5A/dm2的范围内、特别是在0.1～0.3A/dm2的范围内，不能以超过90％的阴极电流效率进行镀敷。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平2-247397号公报
专利文献2：特许第3139213号公报
专利文献3：特开平21-280867号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明所要解决的课题在于，提供一种氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法，该氰系电解镀金浴即使镀浴中的金浓度为低于5g/L以下的金浓度，在阴极电流密度为0.01～1.5A/dm2的范围内，也能够以高的阴极电流效率形成平滑的镀金膜。本发明要解决的另一课题在于，提供一种氰系电解镀金浴及使用其的镀敷方法，该氰系电解镀金浴能够形成均匀电镀性高、且具有高的引线结合性及焊球接合性的镀金膜。
用于解决课题的手段
本发明人进行反复研究的结果发现，通过在含有二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、微量的结晶调节剂、导电盐，和缓冲剂，且pH为3.5～8.5的镀金浴中配合
(1)含有亚硫酸的碱盐、亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂，或
(2)所述析出促进剂和乙二胺四乙酸盐，
可解决上述课题。而且发现，在阴极电流密度为0.01～1.5A/dm2的范围内，该镀金浴的阴极电流效率及均匀电镀性高、且形成膜表面平滑的镀金膜。发现该镀金膜具有与使用现有的氰系电解镀金浴形成的镀金膜同等的引线结合性、焊球接合性。
本发明人根据以上发现，从而完成了本发明。
解决上述课题的本发明是下面记载的发明。
〔1〕、一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：
以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、
结晶调节剂、
导电盐、
缓冲剂、和
以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。
本镀金浴中所含有的亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐吸附在阴极的镀敷面，作为增加金配位离子的还原析出反应的活性点的析出促进剂发挥作用。其结果，可认为即使在阴极极限电流密度上升，且镀浴中的金浓度低的情况下，也可维持高的阴极电流效率。
另一方面，认为配合超过18g/L的亚硫酸的碱盐或亚硫酸的铵盐时，自身授受质子，作为析出抑制剂发挥作用，因此，需要注意。
〔2〕、一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：
以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、
结晶调节剂、
导电盐、
缓冲剂、
以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂、和
乙二胺四乙酸。
〔3〕、如〔2〕所述的氰系电解镀金浴，乙二胺四乙酸的浓度为0.1mg/L～20g/L。
〔4〕、如〔1〕或〔2〕所述的氰系电解镀金浴，导电盐包含选自柠檬酸盐、甲酸盐的一种以上，所述导电盐的浓度为100～250g/L。
〔5〕、如〔1〕或〔2〕所述的电解镀金浴，结晶调节剂包含铊化合物或铅化合物，以铊或铅计，所述结晶调节剂的浓度为0.1～20mg/L。
〔6〕、如〔1〕或〔2〕所述的电解镀金浴，缓冲剂包含选自磷酸、硼酸、柠檬酸及它们的盐的一种以上，所述缓冲剂的浓度为1～300g/L。
〔7〕、一种印刷布线基板的镀敷方法，其特征在于，使用〔1〕或〔2〕所述的氰系电解镀金浴，以阴极电流密度为0.05～0.5A/dm2、镀浴的pH为3.5～8.5、镀浴的温度为55～70℃进行镀敷。
发明效果
本发明的氰系电解镀金浴(下面，均称为“本镀金浴”。)即使为较低的金浓度，阴极电流效率也高。另外，本镀金浴对于被镀敷物能够形成具有均匀且致密、良好的外观的镀金膜。另外，本镀金浴具有优异的液稳定性和液寿命。
本镀金浴即使金浓度为3g/L以下，也不会引起阴极电流效率的降低。因此，不会发生伴随有氢气产生的副反应。其结果，不会产生烧焦镀敷或以保护膜剥落为主要原因的镀金膜的异常析出。
在电流密度为0.05～0.5A/dm2的整个区域，本镀金浴能够形成具有良好外观的镀膜。即使在由于基板或镀敷装置的制约，阴极电流密度减小的情况下，本镀金浴也可使用。在以高的电流密度使用本镀金浴的情况下，可缩短镀敷时间，生产率提高。
利用本镀金浴形成的镀金膜的均匀电镀性高，具有与使用现有的氰系电解镀金浴形成的镀金膜同等的引线结合性、焊球接合性。
使用本镀金浴形成的镀金膜为低应力且低硬度，因此，不会侵蚀光致抗蚀剂及基底层。
附图说明
图1是表示实施例中，在评价均匀电镀性(CV)时测定的金膜厚度的测定部位的说明图，图1(a)表示芯片侧的测定部位，图1(b)表示球侧的测定部位；
图2是表示实施例中，进行焊料剪切试验时的焊球的推动位置的说明图。
具体实施方式
下面，对本发明进行详细说明。
本镀金浴的特征在于，
在以二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐为金源，且含有微量的结晶调节剂、导电盐、和缓冲剂而构成的pH为3.5～8.5的镀金浴中，
(1)配合含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂，或
(2)在所述析出促进剂的基础上配合乙二胺四乙酸盐。
作为在本镀金浴中配合的金源，可列举二氰合金(I)酸的碱盐或铵盐。作为碱盐，可列举Na、K等碱金属盐、Ca等碱土金属盐。在本镀金浴中配合的二氰合金(I)酸的盐的量没有特别限制，但以金量计，为1.0～5.0g/L，优选为2.0～4.0g/L。2.0～4.0g/L的金浓度在操作时的经济性最佳，因此优选。金量不足1.0g/L时，在以高的阴极电流密度进行镀敷的情况下，产生烧焦镀敷，镀层表面的平滑性易恶化。
作为在本镀金浴中配合的结晶调节剂，可列举铊、铅、铋等的水溶性盐(例如，硫酸盐、硝酸盐、有机酸盐)等。在本镀金浴中配合的结晶调节剂的量以各金属计为0.1～20mg/L。特别是在镀浴中的金浓度为4g/L以下的情况下，为了得到高的阴极电流效率，结晶调节剂的配合量以各金属计优选为0.1～5mg/L。
作为在本镀金浴中配合的导电盐，可列举磷酸盐、硫酸盐、硼酸盐、柠檬酸盐、草酸盐、甲酸盐等无机酸盐和有机酸盐。它们也可以并用两种以上。在本镀金浴中配合的导电盐的量在镀浴中的溶质于过饱和的状态下不会引起盐析出的范围适宜设定。通常，导电盐的配合量为50～250g/L，优选为100～150g/L。导电盐的配合量不足50g/L时，有时镀浴的导电性低，使覆盖能力恶化，或构成镀浴的成分分解。导电盐的配合量超过250g/L时，有时在室温下引起盐析出，或极限电流密度降低而成为烧焦镀敷。
作为在本镀金浴中配合的缓冲剂，可列举磷酸、硼酸、柠檬酸、甲酸、苯二甲酸、酒石酸等无机酸和有机酸及它们的盐。在本镀金浴中配合的缓冲剂的量可在镀浴中的溶质于过饱和的状态下不会引起盐析出的范围适宜设定。例如，作为缓冲剂，在配合磷酸盐、硼酸、柠檬酸、酒石酸、及它们的盐的情况下，该配合量优选为1～300g/L。缓冲剂的配合量不足1g/L时，缓冲作用弱，且随着pH的降低，浴稳定性易于恶化。其结果是，有时存在构成镀浴的成分分解的情况。缓冲剂的配合量超过300g/L时，有时在室温下引起盐析出，或极限电流密度降低，产生烧焦镀敷的情况。
导电盐和缓冲剂也有时为同一化合物。此时，任一方也具有另一方的作用。
本镀金浴必须配合含有亚硫酸的碱盐或亚硫酸的铵盐而成的析出促进剂。亚硫酸的碱盐、亚硫酸的铵盐只要配合任一种以上即可。在本镀金浴中配合的析出促进剂的量以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L，优选为10mg/L～10g/L，特别优选为0.1～5g/L。析出促进剂的配合量以亚硫酸根离子计超过10g/L时，特别是在阴极电流密度为0.2A/dm2以上的条件下，有时阴极电流效率降低并产生烧焦镀敷的情况。析出促进剂的配合量以亚硫酸根离子计超过18g/L时，在宽范围的阴极电流密度的条件下，有时产生上述不良情况。
本镀金浴优选在上述析出促进剂的基础上配合乙二胺四乙酸盐。上述析出促进剂和乙二胺四乙酸盐的并用可提高特别是阴极电流密度为0.1～0.5A/dm2的条件下的阴极电流效率，因此，非常适合。在本镀金浴中配合的乙二胺四乙酸盐的量为0.1～20g/L，优选为0.5～5g/L。在乙二胺四乙酸盐的配合量超过20g/L的情况下，上述析出促进剂和乙二胺四乙酸盐的协同效应达到极限，因此不经济。在乙二胺四乙酸盐的配合量超过30g/L的情况下，有时极限电流密度降低而成为烧焦镀敷。
本镀金浴的pH通常为3.0～10.0，优选为3.5～8.5。在pH不足3.0的情况下，镀浴显著不稳定。其结果是，有时构成镀浴的成分分解，生成金化合物的沉淀。在pH超过10.0的情况下，有时极限电流密度降低而成为烧焦镀敷。另外，为在印刷基板上形成布线图案而使用的遮蔽材料溶解，其结果，有时不能形成想要的布线图案。
作为pH调节剂，可例示硫酸和磷酸等无机酸、柠檬酸和各种羧酸、羟基羧酸等有机酸、氢氧化钠和氢氧化钾、氨水等碱。
使用本镀金浴进行电镀时的液温优选为40～80℃，更优选为55～70℃。
使用本镀金浴进行电镀时的电流密度为0.01～1.5A/dm2。特别是在本镀金浴的金浓度为2～4g/L的情况下，电流密度优选为0.05～0.5A/dm2。
通过使用本镀浴进行镀敷，金源和构成镀浴的其它成分被消耗。本镀金浴通过补充金源和构成镀浴的其它成分，能够进行3轮次(将镀浴中的金源全部消耗的情况设为1轮次。)以上的使用。
对于本镀金浴而言，如果基底材料是触击电镀金的或是通过溅射金而被金属化的等可导通的基底材料，则不选择被镀敷物。本镀金浴用于在例如印刷布线基板、IC封装、硅晶片、化合物晶片等电子工业部件上形成镀金膜的场合。特别是适用于在印刷布线基板上形成镀金膜的场合。
实施例
下面，利用实施例及比较例对本发明进行更具体地说明。本发明不限定于下述的实施例。
〔试样的制作〕
将以膜厚5μm形成光泽镍膜的0.1dm2的黄铜板依次进行碱性脱脂、电解脱脂之后，用纯水清洗。将该黄铜板浸渍于10％硫酸中之后，用纯水清洗。接着，使用下面所示配合的氰系电解触击电镀金浴，在该黄铜板上形成镀金膜。镀敷条件为：pH为5.5，镀敷温度为50℃，电流密度为2A/dm2，镀敷时间为30秒。将形成有该镀金膜的黄铜板用纯水清洗后，使其干燥并作为试样。该试样用于金膜厚度的测定、引线拉力试验及焊球剪切试验以外的评价。
〔氰系电解触击电镀金浴〕
Figure BDA00002011993200081
〔氰系电解镀金的工序〕
使用各实施例中所示的镀敷液，在BGA面板及上述试样(下面，也将它们称为“被镀敷物”)上形成镀金膜。镀敷工序如下。首先，测定被镀敷物的质量，依次进行碱性脱脂、电解脱脂后，用纯水清洗。然后，在10％的硫酸中浸渍后用纯水清洗。接着，使用各实施例、比较例所示的各氰系电解镀金液，通过各实施例、比较例所示的镀敷条件，在被镀敷物上形成镀金膜。然后，用纯水清洗、干燥、测定被镀敷物的质量。镀敷均在1000mL的烧杯内进行。另外，氰系电解镀金液的阴极电流密度和镀敷时间如表1所示。
(表1)
  阴极电流密度(A/dm2)   0.05   0.1   0.2   0.3   0.4
  镀敷时间(分钟)   18   9   4.5   3   2.25
〔阴极电流效率(CE)〕
通过测定镀敷前后的试样的质量，求得试样上析出的金的质量。用理论析出质量除析出的金的质量，以百分率表示。金的理论析出质量由电量计算。
〔通过引线拉力试验的评价〕
使用形成有通过上述镀敷工序得到的镀金膜的各BGA面板，进行引线拉力试验。在BGA面板上形成多个图案，并将其中相邻的两个图案作为试验用图案使用。在该两个试验用图案内、在任意18个部位，进行如下的引线拉力试验。首先，对直径1密耳(0.001英寸)的金线的第一点(一端)施加50gf的荷重，通过0.05瓦的输出功率，以150℃的温度保持0.05秒，对BGA面板的第一图案进行压接。另一方面，对金线的第二点(另一端)施加100gf的荷重，通过0.1瓦的输出功率，以150℃的温度保持0.1秒，对BGA面板的第二图案(与第一图案相邻的图案)进行压接。然后，使用K＆S制1488PLUS测定压接的引线的拉伸强度。标准荷重使用序列NO.926-L-LAB-102。
〔通过焊球剪切试验的评价〕
使用形成有通过上述镀敷工序得到的镀金膜的BGA面板，进行焊球剪切试验。在BGA面板上形成多个图案，并将其中任意两个图案作为试验用图案使用。在该试验用图案内、在任意10个部位按如下进行焊球剪切试验。首先，在形成于BGA面板上的镀金膜上涂敷焊剂。在其上附着直径0.45mm的焊球(焊球合金规格SAC305)。在空气中，将该BGA面板以150℃(60秒)～180℃(30秒)～245℃(63秒)～100℃(60秒)进行回流处理，使焊球与BGA面板接合。对从接合的焊球与BGA面板的界面到焊球顶点为止的高度的1/4高度的位置进行推力（引っかき）测试(参照图2)。推动速度设为100μm/sec。在测定中使用Techno Alpha社制XYZTEC系列型式CONDOR70-3。结果以强度(N)和断裂模式(良或不良)表示。
〔均匀电镀性(CV)的评价〕
使用形成有通过上述镀敷工序得到的镀金膜的BGA面板，进行金膜厚度的测定。在BGA面板上形成多个图案，并将其中任意两个图案作为试验用图案使用。对于各试验用图案，在表侧(芯片侧)、背侧(球侧)的各4个部位测定金膜厚度(参照图1)。利用下式(1)算出CV值(％)，并将该CV值作为均匀电镀性的指标。
[数1]
CV值(％)=100×σ/E…(1)
(σ…标准偏差
E…镀金膜的膜厚度的平均值）
〔金膜厚度的测定〕
使用荧光X射线膜厚计SFT-9200(精工电子)进行测定。
［实施例1]
利用表2所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
Figure BDA00002011993200101
得到的镀金膜的膜厚为0.70～0.75μm，为均匀的半光泽状。如表2所示，在阴极电流密度为0.05～0.4A/dm2的范围内，阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果良好。
(表2)
Figure BDA00002011993200102
［比较例1]
利用表3所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
Figure BDA00002011993200111
得到的镀金膜的膜厚为0.40～0.70μm，为均匀的半光泽状。阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果如表3所示。特别是阴极电流密度为0.1A/dm2以下的条件下的阴极电流效率低。在阴极电流密度为0.05A/dm2及0.1A/dm2的条件下，阴极电流效率低，因此，引线拉力试验及焊球剪切试验未实施。
(表3)
Figure BDA00002011993200112
［实施例2］
利用表4所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
得到的镀金膜的膜厚为0.70～0.75μm，为均匀的半光泽状。如表4所示，在阴极电流密度为0.05～0.4A/dm2的范围内，阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果良好。
(表4)
Figure BDA00002011993200122
［实施例3］
利用表5所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
Figure BDA00002011993200123
Figure BDA00002011993200131
得到的镀金膜的膜厚为0.70～0.75μm，为均匀的半光泽状。如表5所示，在阴极电流密度为0.05～0.4A/dm2的范围内，阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果良好。
(表5)
Figure BDA00002011993200132
［实施例4］
利用表6所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
Figure BDA00002011993200133
得到的镀金膜的膜厚为0.60～0.70μm，为均匀的半光泽状。如表6所示，在阴极电流密度为0.05～0.2A/dm2的范围内，阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果良好。
(表6)
Figure BDA00002011993200141
［比较例2］
利用表7所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
得到的镀金膜的膜厚为0.30～0.65μm。在阴极电流密度为0.05～0.3A/dm2的范围内为均匀的半光泽状。在阴极电流密度为0.4A/dm2的条件下成为烧焦镀敷。阴极电流效率、膜厚偏差如表7所示，在阴极电流密度为0.2A/dm2以上的条件下确认到恶化。另外，在比较例2中，引线拉力试验及焊球剪切试验未实施。
(表7)
Figure BDA00002011993200151
［比较例3］
利用表8所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。
Figure BDA00002011993200152
得到的镀金膜的膜厚为0.45～0.70μm，为均匀的半光泽状。阴极电流效率、膜厚偏差如表8所示。特别是在阴极电流密度为0.1A/dm2的条件下，阴极电流效率低。在比较例3中，引线拉力试验及焊球剪切试验未实施。
(表8)
Figure BDA00002011993200161
［比较例4］
利用表9所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。各种评价结果示于表9。
特别是在阴极电流密度为0.2A/dm2以下的条件下，阴极电流效率低。在比较例4中，引线拉力试验及焊球剪切试验未实施。
(表9)
［比较例5］
利用表10所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。各种评价结果示于表10。
Figure BDA00002011993200171
特别是在阴极电流密度为0.1A/dm2以下的条件下，阴极电流效率低。在比较例5中，引线拉力试验及焊球剪切试验未实施。
(表10)
Figure BDA00002011993200172
［实施例5］
利用表11所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。各种评价结果示于表11。
Figure BDA00002011993200173
(表11)
Figure BDA00002011993200181
对作为导电盐，将有机酸盐的一部分置换为磷酸氢钾的比较例4及比较例5与只为有机酸盐的比较例1进行比较，其阴极电流效率整体降低。另一方面，对于在比较例5中添加亚硫酸钠的实施例5，特别是低电流密度区域的阴极电流效率提高，可确认亚硫酸根离子的添加效果。
［实施例6］
利用表12所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。各种评价结果示于表12。
Figure BDA00002011993200182
得到的镀金膜的膜厚为0.70～0.75μm，为均匀的半光泽状。如表12所示，在阴极电流效率为0.05～0.4A/dm2的范围内，阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果良好。
(表12)
［实施例7］
利用表13所示的镀敷条件，使用下述组成的镀浴，在试样及BGA面板上分别形成镀金膜。各种评价结果示于表13。
Figure BDA00002011993200192
得到的镀金膜为膜厚0.70～0.75μm的均匀的半光泽状。如表所示，在阴极电流效率为0.05～0.4A/dm2的范围内，阴极电流效率、膜厚偏差、引线拉力试验及焊球剪切试验的结果良好。
(表13)
Figure BDA00002011993200201
符号说明
11…焊球
20…试样图案
21…表面的测定部位
23…背面的测定部位

Claims (7)

1.一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：
以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、
结晶调节剂、
导电盐、
缓冲剂、和
以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂。
2.一种氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：
以金浓度计为1.0～5.0g/L的二氰合金(I)酸的碱盐或二氰合金(I)酸的铵盐、
结晶调节剂、
导电盐、
缓冲剂、
以亚硫酸根离子计为0.1mg/L～18g/L的含有亚硫酸的碱盐及亚硫酸的铵盐的任一种以上的析出促进剂、和
乙二胺四乙酸。
3.权利要求2所述的氰系电解镀金浴，乙二胺四乙酸的浓度为0.1mg/L～20g/L。
4.权利要求1或2所述的氰系电解镀金浴，导电盐包含选自柠檬酸盐、甲酸盐的一种以上，所述导电盐的浓度为100～250g/L。
5.权利要求1或2所述的电解镀金浴，结晶调节剂包含铊化合物或铅化合物，所述结晶调节剂的浓度以铊或铅计为0.1～20mg/L。
6.权利要求1或2所述的电解镀金浴，缓冲剂包含选自磷酸、硼酸、柠檬酸及它们的盐的一种以上，所述缓冲剂的浓度为1～300g/L。
7.一种印刷布线基板的镀敷方法，其特征在于，使用权利要求1或2所述的氰系电解镀金浴，以镀敷电流密度为0.05～0.5A/dm2、镀浴的pH为3.5～8.5、镀浴的温度为55～70℃进行镀敷。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103741180A (zh) * 2014-01-10 2014-04-23 哈尔滨工业大学 无氰光亮电镀金添加剂及其应用

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6393526B2 (ja) * 2014-06-11 2018-09-19 メタローテクノロジーズジャパン株式会社 シアン系電解金めっき浴及びこれを用いるバンプ形成方法
US11674235B2 (en) * 2018-04-11 2023-06-13 Hutchinson Technology Incorporated Plating method to reduce or eliminate voids in solder applied without flux

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03173791A (ja) * 1989-12-02 1991-07-29 N E Chemcat Corp 金めつき液およびめつき方法
JP2007321213A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Shinko Electric Ind Co Ltd 電解金めっき液及びその管理方法
CN101363128A (zh) * 2007-08-07 2009-02-11 恩伊凯慕凯特股份有限公司 用于形成突起的非氰类电解金电镀液
CN101469419A (zh) * 2007-12-25 2009-07-01 恩伊凯慕凯特股份有限公司 用于铜制材料的置换镀金液及使用其的镀金方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61119700A (ja) * 1984-11-16 1986-06-06 Toppan Printing Co Ltd 金めつき液の回復方法
JP3300929B2 (ja) * 1993-08-30 2002-07-08 小島化学薬品株式会社 純金めっき液
JP2003013278A (ja) * 2001-06-26 2003-01-15 Japan Pure Chemical Co Ltd 金めっき液

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03173791A (ja) * 1989-12-02 1991-07-29 N E Chemcat Corp 金めつき液およびめつき方法
JP2007321213A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Shinko Electric Ind Co Ltd 電解金めっき液及びその管理方法
CN101363128A (zh) * 2007-08-07 2009-02-11 恩伊凯慕凯特股份有限公司 用于形成突起的非氰类电解金电镀液
CN101469419A (zh) * 2007-12-25 2009-07-01 恩伊凯慕凯特股份有限公司 用于铜制材料的置换镀金液及使用其的镀金方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AMUTHA K等: ""Electrodeposition of gold from acidic thiosulfate-sulfite bath containing EDTA and citric acid as complexing agents"", 《电镀与涂饰》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103741180A (zh) * 2014-01-10 2014-04-23 哈尔滨工业大学 无氰光亮电镀金添加剂及其应用
CN103741180B (zh) * 2014-01-10 2015-11-25 哈尔滨工业大学 无氰光亮电镀金添加剂及其应用

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