JPS62278293A - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 梁上の利　分野 本発明は所用部品とボンディングされる電子部品１例え
ば半導体セラミックパッケージ、リードフレーム、コン
デンサ、プリント基板（金パターン）、パワートランジ
スタ等を製造する方法に関する。

来の技術及び　明が解決しようとする問題点従来１例え
ば半導体セラミックパッケージは。

そのパッケージ素地の所用面に直接又は必要により下地
めっき膜を形成した上に電気ニッケルめっき膜を形成し
、更にその上に金めつき膜を形成することが行われてお
り、この金めつき膜には半導体素子が取り付けられ、ワ
イヤボンディングされる。また、リードフレームは、そ
の素地に直接又は必要な下地めっき膜を形成した上に電
気ニッケルめっき膜を形成し、更に所望により、金、銀
。

半田、錫等のめっき膜、を形成することが行われており
、これら電気ニッケルめっき膜もしくは金、銀、半田、
錫等のめっき膜は他の所用部品と半田付は或いはろう付
けされる。

このように、従来から他の部品とボンディングされる電
子部品の表面処理として電気ニッケルめっき膜を形成し
、必要によりその上に金、銀、半田、錫等のボンディン
グ用膜を形成し、電気ニッケルめっき膜もしくはボンデ
ィング用膜にワイヤボンディング、半田付け、ろう付は
等の手段で所用部品をボンディングすることが行われて
いた。

しかしながら、従来はこのボンディング工程においてし
ばしばボンディング不良が生じる場合があり、またボン
ディング箇所の経時的劣化が生じる場合があったが、本
発明者らはその原因として電気ニッケルめっき膜の膜厚
均一性が大きな問題であることを知見した。

即ち、第１図に示したように、例えば平板状の被処理物
１に電気ニッケルめっきを施す場合、被処理物１の周縁
部２に対しては過大な電気が集中してこの部分のめっき
膜４の厚さが過大になる一方、被処理物上の中央部３に
対する電気量は周縁部２に比較して非常に少ないので、
めっき膜４の厚さが薄くなる。このように被処理物に対
して高電流密度部と低電流密度部が生じるため、めっき
膜厚にバラつきが生じる。

この被処理物に生じる電流密度差によるめっき膜厚のバ
ラつきは電気めっきでは必然的に起るものであるが、特
に従来の電気ニッケルめっきにおいては通常ニッケルめ
っき浴としてワット浴を使用しており、ワット浴は後述
する実験の結果からも明らかなように均一電着性が悪い
ので、高電流密度部と低電流密度部とのめっき膜厚差が
より顕著なものになる。従って、このように均一電着性
の悪いめっき浴を用いた場合、平均膜厚的には所定のめ
っき膜厚にめっきされていても、実際上は低電流密度部
におけるめっき膜厚がかなり薄く、このためこのニッケ
ルめっき膜もしくはこのニッケルめっき膜上に形成した
ボンディング膜に所用部品をボンディングする場合、ニ
ッケルめっき膜の膜厚の薄い低電流密度部のボンディン
グ性が劣る場合が生じたり、また経時的劣化が生じ、ニ
ッケルめっき膜がボンディング用膜に対しバリヤ一層と
して十分な機能を発揮しない等の問題が起る。

この場合、ニッケルめっき膜の低電流密度部の膜厚はめ
っき時間を延長することにより増大させることができる
が、この方法はめっき時間の延長化に伴う生産性の低下
が生じる上、高電流密度部におけるめっき膜厚が過剰に
なり、寸法精度上の問題を引き起す。

本発明は上記事情に鑑みなされたもので、上述したよう
なボンディング不良やボンディング箇所の経時的劣化が
可及的に防止され、しかも寸法精度に優れた電子部品の
製造方法を提供することを目的とする。

間足点を解決するための手段及び　用 本発明者らは、ボンディング不良やボンディング箇所の
経時的劣化の原因が上述したように低電流密度部の膜厚
が薄いことにあり、またこの低電流密度部の膜厚を必要
な膜厚以上に確保すると。

高電流密度部の膜厚が過剰になり、電子部品の寸法精度
上の問題を生じさせることに鑑み、種々検討を行った結
果、上記目的を達成するためには電気ニッケルめっきを
施した場合に低電流密度部と高電流密度部との膜厚差を
できるだけ小さくすること、このためには均一電着性が
良好なめっき浴。

具体的には均一電着性がバーリングセルを用い。

２枚の陰極と陽極との間の距離比を５にして測定した場
合に、２５％以上のめっき浴を使用してめっきを行うこ
とが有効であることを知見した。また、電気ニッケルめ
っきしこ限られず、電気ニッケル合金めっき、電気鉄め
っき、電気コバルトめっきを施す場合も均一電着性が２
５％以上のめっき浴を使用することが有効であることを
知見し１本発明をなすに至ったものである。

従って、本発明は、電子部品素地の所用面に直接又は下
地膜を介して電気ニッケルめっき膜、電気コバルトめっ
き膜、電気鉄めっき膜又はこれらの電気合金めっき膜が
形成され、この電気めっき膜もしくはこの膜上に形成さ
れたボンディング用膜に所用部品がボンディングされる
電子部品の製造方法において、バーリングセルを使用し
、２枚の陰極板と陽極板との距離比を５にして測定した
場合の均一電着性が２５％以上の電気めっき浴を用いて
上記電気めっき膜を形成したことを特徴とする電子部品
の製造方法を提供するもので、本発明によれば、ワイヤ
ボンディング、半田付け、ろう付は等のボンディング不
良が防止され、またボンディング箇所の経時的劣化が抑
制され、ボンディング用膜に対する電気めっき膜のバリ
ヤー効果が有効に発揮される電子部品が得られる。

以下、本発明につき更に詳しく説明する。

本発明は所用部品とボンディングされる電子部品、例え
ば半導体セラミックパッケージ、リードフレーム、コン
デンサ、プリント基板（金パターンなど）、パワートラ
ンジスタ等を製造するものであるが、まずこれらの電子
部品素地の所用面に直接又は下地膜を介して電気ニッケ
ルめっき膜、電気コバルトめっき膜、電気鉄めっき膜又
はこれらの電気合金めっき膜を形成するものである。

この場合、下地膜としては、電子部品の素材、種類、用
途等により適宜選定される。

また、電気ニッケルめっき膜、電気コバルトめっき膜、
電気鉄めっき膜、又はこれらの電気合金めっき膜は１本
発明においてはこれらの電気めっき膜をバーリングセル
によりその２枚の陰極板と陽極板との距離比を５にした
場合における均一電着性が２５％以上、より好ましくは
３５％以上のめっき浴を用いて形成する。なお、均一電
着性は後述する方法によって測定した値である。

ここで、このような均一電着性が２５％以上のめっき浴
としては、ニッケル、コバルト、鉄の水溶性塩を含み、
更に導電性塩、必要により緩衝剤を含むもので、均一電
着性が２５％以上のものであればいずれのものでもよい
。

より詳細に゛は、ニッケル、コバルト、鉄の硫酸塩、ス
ルファミン酸塩、ハロゲン化物等、具体的には硫酸ニッ
ケル、硫酸第１鉄、硫酸コバルト。

塩化ニッケル、塩化第１鉄、塩化コバルト、スルファミ
ン酸ニッケル、スルファミン酸第１鉄、スルファミン酸
コバルトなどが挙げられ、これらの金属塩は１０〜４０
０ｇ／Ｑ、特に１０〜２００ｇ／Ｑの濃度で使用するこ
とができる。合金めっき被膜を得る場合には、上記水溶
性金属塩の２種以上、あるいは上記水溶性金属塩を主成
分とし、これにタングステン酸及びその塩、モリブデン
酸及びその塩、硫酸亜鉛、塩化亜鉛などの亜鉛塩、硫酸
銅、塩化銅なとの銅塩、硫酸錫、塩化錫などの錫塩など
、ニッケル、鉄、コバルトと合金化すべき所望の金属の
水溶性塩を選択して使用することができる。また、これ
ら合金化すべき金属塩の濃度は合金組成において適宜選
定されるが、通常１〜１００　ｇ　／　Ｑの範囲とする
ことができる。

導電性塩としては種々選定され、必ずしも制限されない
が、均一電着性２５％以上のめっき浴をより確実に得る
ためには、導電性塩としてアルカリ金属、アルカリ土類
金属、アルミニウムから選ばれる金属のハロゲン化物、
硫酸塩及びスルファミン酸塩の１種又は２種以上を使用
することが好ましい。具体的には塩化リチウム、塩化ナ
トリウム、塩化カリウム、塩化アルミニウム、塩化アン
モニウム、塩化マグネシウム、臭化ナトリウム。

臭化カリウム、硫酸リチウム、硫酸ナトリウム、硫酸カ
リウム、硫酸アルミニウム、スルファミン酸ナトリウム
、スルファミン酸カリウムなどが例示される。

これらの導電性塩の使用量は１５０〜８００ｇ／Ｑとす
ることが好適であり、これら導電性塩を１５０ｇ／１２
以上の高濃度で使用することにより高均一電着性がより
確実に達成される。なお、前記導電性塩のより好ましい
使用量は２００〜５００　ｇ　／　Ｑである。

本発明で用いるめっき浴には、上記成分に加えて更に緩
衝剤として有機カルボン酸及びその塩、ホウ酸、水酸化
アンモニウム、アンモニウム塩並びにアミン類から選ば
れる１種又は２種以上の水溶性化合物を添加することが
好ましく、前記導電性塩にこれら緩衝剤を併用すること
により、均一電着性を更に向上させることができる。よ
り具体的に例示すると、緩衝剤としては、リンゴ酸、リ
ンゴ酸アンモニウム、コハク酸、コハク酸アンモニウム
、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、酒石酸アンモニウム
、アスコルビン酸、クエン酸、クエン酸アンモニウム、
乳酸、ピルビン酸、プロピオン酸、酪酸、ギ酸、酢酸、
グリコール酸、オキサル酢酸、ホウ酸、アンモニア水、
エチレンジアミン、トリエタノールアミン、エタノール
アミン。

塩化アンモニウム、臭化アンモニウムなどが挙げられる
。これらの中では、カルボン酸及びその塩、特にクエン
酸及びその塩が好適であり、その塩としてはアンモニウ
ム塩が好ましい。とりわけクエン酸三アンモニウムがめ
つき外観、物性（低応力、柔軟性）の点からも有効であ
る。

上記緩衝剤の使用量は必ずしも制限されないが、有機カ
ルボン酸及びその塩を用いる場合は５〜３００ｇ／Ｑ、
特に１０〜２００　ｇ　／　Ｑとすることが好ましいゆ
また、ホウ酸を用いる場合は２０〜５０　ｇ　／　Ｑ、
特Ｌニー　３０〜４５　ｇ　／　Ｑ、水酸化アンモニウ
ム、カルボン酸アンモニウム以外のアンモニウム塩、ア
ミン類を用いる場合は１０〜１００　ｇ　／　Ｑ、特に
１０〜５０ｇ／Ｑとすることが好ましい。この場合、上
記水溶性金属塩の金属イオンとこれら緩衝剤との比率は
重量比として１：１〜１：５とすることが均一電着性を
より高める点から好ましい、また、カルボン酸アンモニ
ウムを用いる場合は、水溶性金属塩の金属イオンの濃度
をＳ〜３０　ｇ　／　Ｑ程度の低濃度にしてもこげなど
のない良好なめっきが行なわれる上、均一電着性を更に
向上させることができるので、水溶性金属塩の金属イオ
ン濃度は上記低濃度とすることができる。

更に、本発明で用いるめっき浴には、塩酸又は硫酸を添
加することができ、これにより均一電着性を更に改良す
ることができる。その使用量は０．１〜３０　ｇ　／　
Ｑ、特に１〜３ｇ／ＩＩＩとすることが好ましい。この
場合、水溶性金属塩の濃度を３ｏ〜１００ｇ／ｕの低濃
度とすることが高均一電着性のめっき被膜を得ることか
ら好ましい。

なお、めっき浴には、必要により次亜リン酸、亜リン酸
、及びこれらの塩やアミンボラン化合物。

ヒドラジン化合物を１〜１００　ｇ　／　Ｑ程度添加す
ることができ、これによりリン含有又はホウ素含有めっ
き被膜を得ることができる。このようなリン又はホウ素
含有めっき被膜は、マイクロビッカース硬度Ｈｖ５００
〜８００の硬質被膜となり、化学ニッケルめっき被膜と
同様に加熱処理により更に高硬度の被膜を得ることがで
きる。また、ホウ素含有合金めっき被膜は、優れた半田
付は性、ボンディング性、耐熱性、耐摩耗性を発揮する
ようになる。

なおまた、上記電気めっき浴には、光沢剤、レベリング
剤などの添加剤として通常用いられる添加剤、例えばサ
ッカリン、ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、ナフタ
レントリスルホン酸ナトリウム、アリルスルホン酸ナト
リウム、プロパギルスルホン酸ナトリウム、ブチンジオ
ール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリンな
どを適量添加することができる。

また、めっき浴のｐＨは１〜１２、特に１〜１ｏが好適
であり、酸性浴、中性浴、アルカリ性浴のいずれであっ
てもよいが、とりわけ酸性めっきにおいてその効果を有
効に発揮する。

上述しためっき浴を用いてめっきする場合のめっき条件
としては、特に制限されないが、めっき温度は１０〜７
０℃、陰極電流密度０．０１〜５０　Ａ　／　ｄｍ２の
条件が好適に採用され得る。また、必要に応じ、空気攪
拌、カソードロッキング、ポンプ等による液循環、プロ
ペラ攪拌などの方法で攪拌を行なうことができる。アノ
ードはそのめっき液の種類に応じ選定され１例えば電気
ニッケル、硫黄含有ニッケル、カーボナイズドニッケル
、鉄。

コバルト、合金アノード等の可溶性陽極が用いられ、ま
た場合によっては白金、カーボン等の不溶性陽極を使用
することもできる。

なお、上述しためっき浴を用いてめっきする場合、電流
効率は６０〜１００％になるようにすることが高均一電
着性を達成し、低電流密度部分のめっき膜厚を厚くし得
る点から好ましい。

本発明においては、このようにして電気ニッケルめっき
膜、電気コバルトめっき膜、電気鉄めっき膜、又はこれ
らの電気合金めっき膜を形成するが、この場合これら電
気めっき膜の膜厚は電子部品の種類、用途等によって適
宜選択され、通常１〜１０ｐ程度とすることができる。

本発明は必要によりこの電気めっき膜上にボンディング
用膜を形成する。ボンディング用膜としては、電子部品
の種類、用途等に応じ金、銀、半田、錫等の適宜なボン
ディング用膜が形成される。

なお、これらのボンディング用膜を形成する方法として
は、公知の電気めっき法等が採用し得る。

また、上記の電気めっき膜もしくはボンディング用膜を
所用の部品とボンディングする場合、ボンディング法と
してはワイヤボンディング、半田付け、ろう付は等の公
知の方法が採用され、それぞれその常法に従ってボンデ
ィングされ得る。

見尻立殖米 本発明によれば、均一電着性が２５％以上のめっき浴を
用いて電気ニッケルめっき膜、電気コバルトめっき膜、
電気鉄めっき膜又はこれらの合金めっき膜を形成したこ
とにより、ボンディング性に優れ、またボンディング箇
所の経時安定性が良好であり、ボンディング用膜に対し
て上記めっき膜が良好なバリヤー効果を発揮し、しかも
寸法精度の優れた電子部品が得られる。

以下、実験例と実施例により本発明の効果を具体的に示
す。

［実験例１］ Ｎ１５ｏ４・　６Ｈ２ｏ　　　　　　　　　２０ｇ／Ｑ
ＮｉＣΩ２・　６Ｈ２０２０〃 ＮａＣＱ　　　　　　　　　　　　　　　　　　３００
　　　ＩＩＨ３ＢＯ３３Ｑ　　　ｔｔ 濃硫酸　　　　１．５ｍα／Ｑ ｐＨ１ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄｍ”において空気攪拌下でめっきを行
なったところ、ワット浴から得られるめっきによく似た
外観を有するニッケルめっき被膜が得られた。

［実験例２］ ＮｉＳＯ４・６Ｈ２ｏ　　　　　　　２０ｇ／１２Ｎｉ
ＣＱ、・６Ｈ，０２０〃 Ｋ（１３００ＩＩ クエン酸ナトリウム　　　　　　４０　〃ｐＨ３ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄｒｍ”において空気攪拌下でめっきを
行なったところ、銀白色光沢状の柔軟性のあるニッケル
めっき被膜が得られた。

［実験例３］ スルファミン酸ニッケル　　　　４０　ｇ　／　ｎＮａ
、ＳＯ２２５０’ ＮａＣＱ　　　　　　　　　　　　　３０　　＃リンゴ
酸　　　　　　　　　　　　４０　　ＩＩアンモニア水
　　　　　　　　　６０　ｍ　Ｑ　／　ＩＡＰＨ６ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２Ａ／ｄａ”において空気攪拌下でめっきを行なった
ところ、黒みのある無光沢の低応力で柔軟性のあるニッ
ケルめっき被膜が得られた。

［実験例４］ Ｎ１ＣＱ、・６Ｈ２０４０ｇ／ｆｆ１ ＫＣΩ　　　　　　　　　　　３００　〃ＮＨ，Ｃｕ　
　　　　　　　　　　　６０　　＃Ｈ，Ｂ０．　　　　
　　　　　　　１０　　ｌｌｐＨ３，５ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２Ａ／ｄｍ２において空気攪拌下でめっきを行なった
ところ、無光沢で黒みを有する柔軟性のあるニッケルめ
っき被膜が得られた。

［実験例５］ Ｎ１ＣＱ、・６Ｈ，０１００ｇ　／　ＱＫＣＱ　　　　
　　　　　　　　２７０　　＃Ｈ，Ｂ０．　　　　　　
　　　　　３０　　ｌｌｐＨ４，２１１ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２°Ａ　／　ｄａ”において空気攪拌下でめっきを行
なったところ、褐灰色で無光沢のニッケルめっき被膜が
得られた。

［実験例６］ Ｎ１５Ｏ，・６Ｈ，０５０ｇ／Ｑ ＬｉＣ１１３００／／ コハク酸　　　　　　　　　　　　４０　〃アンモニア
水　　　　　　　　　７０　ｍ　Ｑ　／　Ｑジエチルア
ミンボラン　　　　　　１　ｇ　／　ＱｐＨ６ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２Ａ／ｄｍ２において空気攪拌下でめっきを行なった
ところ、完全光沢のニッケルーホウ素合金めっき被膜が
得られた。

［実験例７コ ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０６０ｇ／Ｑ ＫＣＱ　　　　　　　　　　　　２５０　　ｎコハク酸
　　　　　　　　　　　　４０　〃アンモニア水　　　
　　　　　　７０　ｍ　Ｑ　／　Ｑ亜すン酸　　　　　
　　　　　　　５０　ｇ　／　Ｑ濃硫酸　　　　１．５
ｍＱ／４１ ｐＨ２ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄ＋ａ”において空気攪拌下でめっきを
行なったところ、完全光沢のニッケルーリン合金めっき
被膜が得られた。

［実験例８コ Ｎ１５Ｏ，・６Ｈ２０２０ｇ　／　Ｑ ＮｉＣ１２，・６Ｈ，０３０〃 Ｎａ２５ｏ４　　　　　　　　　３０Ｏｆ’Ｈ，８０，
４０７Ｆ サツカリンナトリウム　　　　　　２　ｎｐＨ４，２ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄｍ２において空気攪拌下でめっきを行
なったところ、完全光沢のニッケルめっき被膜が得られ
た。

［実験例９］ ＮｉＣｕ、・６Ｈ２０４０ｇ／Ｑ モリブデン酸ナトリウム　　　　１０　　ｎＫＣＱ　　
　　　　　　　　　　　２５０　　ｎコハク酸　　　　
　　　　　　　　４０ｊＩアンモニア水　　　　　　　
　　７０　ｍ　Ｑ　／　ＱｐＨ１０ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄｍ２において空気攪拌下でめっきを行
なったところ、半光沢を有するニッケルーモリブデン合
金めっき被膜が得られた。

［実験例１０コ ＣｏＳＯ４・７Ｈ２０５０ｇ　／　Ｑ ＫＢｒ　　　　　　　　　　　　３００　　ｎクエン酸
三アンモニウム　　　　１０　　ｎｐＨ４，８ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄｍ２において空気攪拌下でめっきを行
なったところ、無光沢で柔軟性のあるコバルトめっき被
膜が得られた。

［実験例１１コ ＦｅＳＯ４・７Ｈ２０４０ｇ／Ｑ ＮａＢｒ　　　　　　　　　　’　　　２５０　　ｎ酢
酸アンモニウム　　　　　　　２０　ｎｐＨ３，５ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２Δ／ｄｍ”において空気攪拌下でめっきを行なった
ところ、無光沢で柔軟性のある鉄めっき被膜が得られた
。

［比較実験例１コ ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８０ｇ　／　ＱＮｉＣＱ、・６
Ｈ２０４５ＩＩ Ｈ，Ｂｏ、　　　　　　　　　　　　４Ｑ　　ｌｌｐＨ
４，４ 上記の電気めっき液（ワット浴）を用いて、温度５５℃
、陰極電流密度２　Ａ　／　ｄｍ”において空気攪拌下
でめっきを行ない、ニッケルめっき被膜を得た。

［比較実験例２］ スルファミン酸ニッケル　　　３００ｇ／ｕＮｉＣｆｌ
、・６Ｈ２０３０＃ Ｈ，Ｂ０．　　　　　　　　　　　４ｏ　ｎｐＨ４，４ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２Ａ／ｄｍ”において空気攪拌下でめっきを行ない、
ニッケルめっき被膜を得た。

［比較実験例３］ ＮｉＳＯ４・６Ｈ２０２８Ｏｇ／Ｑ １’Ｊ　ｉ　ＣＱ　２・６Ｈ２０４０ｌｌＣｏ５○、・
７Ｈ，○　　　　　　　３５　〃−ギ酸ナトリウム　　
　　　　　　２５　ＩＩＨ，Ｂｏ、　　　　　　　　　
　　　　４０　　ｌｌｐＨ４，２ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２Ａ／ｄ■２において空気攪拌下でめっきを行ない、
ニッケルーコバルト合金めっき被膜を得た。

［比較実験例４］ Ｎ１ＣＱ、”　６Ｈ，０３００ｇ／Ｑ Ｈ，ＢＯ３３５＃ ＰＨ４，２ 上記の電気めっき液を用いて、温度５５℃、陰極電流密
度２　Ａ　／　ｄｍ”において空気攪拌下でめっきを行
ない、ニッケルめっき被膜を得た。

次に、上記実験例１〜１１及び比較実験例１〜４の電気
めっき液につき、第２図に示すバーリングセルを用いて
均一電着性を調べた。

ここで、第２図において５はアクリル樹脂製のバーリン
グセルであり、その内寸法は長さ２４０ｍｍ、幅６３■
、深さ１００＋ａｍで、その内部に１５００ｍＱのめっ
き液６が入れられる。また。

７は６１Ｘ１００Ｘ１ｍｍの大きさの陽極板であり、図
示していないが、支持体に取り付けられ、バーリングセ
ル内の所用位置に固定されるようになっている。さらに
８，８はバーリングセル５内の長さ方向両端部にそれぞ
れ配設された６１Ｘ１００Ｘ０．３ｍｍの大きさの陰極
板である。

このバーリングセルを用いて均一電着性を測定する場合
は、陽極板をバーリングセル内の所用位置に固定して２
枚の陰極板と陽極板との間の距離比（ａ　／　ｂ　）を
所用の値に設定する（本発明においては距離比５）、そ
して、所定時間めっきを行った後、２枚の陰極板に析出
しためっき被膜の重量を測定し、下記式から均一電着性
を算出するものである。

本実験においては、陽極に電気ニッケル板、陰極にそれ
ぞれ裏面にテープコーティングを施した銅板２枚を用い
、距離比５に設定して、電気めっき液を液温５５℃に保
ち、ゆるい空気攪拌を行ないながら総電流２Ａにて３０
分間通電した。

但し、　Ｔ：均一電着性 Ｐ：距離比　ａ／ｂ（本実験では５） Ｍ：陰極に析出しためつき被膜重量比 上記の式から明らかなように、均一電着性が０％である
ということは陰極に析出しためつき被膜重量比が陽極と
陰極との距離比に等しいということであり、このことは
陰極に対する電流分布の相違通りにめっき膜厚差が生じ
るということを意味する。これに対し、均一電着性が１
００％であるということは２枚の陰極に析出しためつき
膜の重量が陽極と陰極の距離比に依存することなく同じ
であり、陰極に対して電流分布が生じてもめつき膜厚は
均一であるということを意味する。

第１表　　均一電着性の測定結果 〔実施例〕 セラミック製のＩＣパッケージのメタライゼイションを
活性化した後、実験例２のめっき液を用いて実験例２と
同様の条件にて５分間ニッケルめっきを行った。次いで
このニッケルめっき膜上に常法に従って平均膜厚２ｐの
金めつき膜を形成した。

この金め゛っき膜にシリコンチップを金−シリコン共晶
法によりボンディングした。

そのボンディング性及びその経時的変化をＭＩＬ規格８
８３Ｃにより調べたところ１合格であった。

比較のため、比較実験例１のめっき液を使用し。

上記と同様の実験を行った結果、上記規格には不合格で
あった。

なお、実験例２及び比較実験例１のめっきを用いてめっ
きした場合の平均膜厚は１．９声で、互に同じである。

【図面の簡単な説明】

第１図は電気ニッケルめっき法でめっきした場合におけ
る従来の被めっき物に対するめっき膜の形成状態を示す
断面図、第２図はバーリングセルの概略断面図である。 ５・・・バーリングセル、６・・・陽極板。 ７・・・陰極板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、電子部品素地の所用面に直接又は下地膜を介して電
   気ニッケルめっき膜、電気コバルトめっき膜、電気鉄め
   っき膜又はこれらの電気合金めっき膜が形成され、この
   電気めっき膜もしくはこの膜上に形成されたボンディン
   グ用膜に所用部品がボンディングされる電子部品の製造
   方法において、ハーリングセルを使用し、２枚の陰極板
   と陽極板との距離比を５にして測定した場合の均一電着
   性が２５％以上の電気めっき浴を用いて上記電気めっき
   膜を形成したことを特徴とする電子部品の製造方法。