JPH10294017A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
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- JPH10294017A JPH10294017A JP10285397A JP10285397A JPH10294017A JP H10294017 A JPH10294017 A JP H10294017A JP 10285397 A JP10285397 A JP 10285397A JP 10285397 A JP10285397 A JP 10285397A JP H10294017 A JPH10294017 A JP H10294017A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 たとえば積層セラミックコンデンサの外部電
極を導電性ペーストの焼付けにより形成するとき、確実
に内部電極との電気的接続が達成されるようにする。 【解決手段】 金属粉末、ガラス粉末およびビヒクルを
含有する導電性ペーストにおいて、ガラス粉末に、０．
１wt％以上過飽和となるまでの量の金属を予め溶解させ
ておく。このガラス粉末中の金属は、焼付け中におい
て、流動するガラスから析出して、当該導電性ペースト
を焼き付けて得られる導体とこれに接触する導体との間
での金属相互の拡散を助長し、これら導体間での電気的
接続をより信頼性の高いものとする。
極を導電性ペーストの焼付けにより形成するとき、確実
に内部電極との電気的接続が達成されるようにする。 【解決手段】 金属粉末、ガラス粉末およびビヒクルを
含有する導電性ペーストにおいて、ガラス粉末に、０．
１wt％以上過飽和となるまでの量の金属を予め溶解させ
ておく。このガラス粉末中の金属は、焼付け中におい
て、流動するガラスから析出して、当該導電性ペースト
を焼き付けて得られる導体とこれに接触する導体との間
での金属相互の拡散を助長し、これら導体間での電気的
接続をより信頼性の高いものとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば電子部
品の外部端子電極のような導体を形成するために付与さ
れかつ焼き付けられる導電性ペーストに関するもので、
特に、導電性ペーストに含有されるガラス粉末の組成に
おける改良に関するものである。
品の外部端子電極のような導体を形成するために付与さ
れかつ焼き付けられる導電性ペーストに関するもので、
特に、導電性ペーストに含有されるガラス粉末の組成に
おける改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この発明にとって興味ある従来の導電性
ペーストは、通常、少なくとも金属粉末、ガラス粉末お
よびビヒクルを含有している。このような導電性ペース
トは、たとえば電子部品の外部端子電極のような導体を
形成するために用いられている。導電性ペーストをもっ
て外部端子電極を形成する場合、電子部品の表面上の所
定の領域に導電性ペーストが付与され、次いでこれを焼
き付けることが行なわれる。
ペーストは、通常、少なくとも金属粉末、ガラス粉末お
よびビヒクルを含有している。このような導電性ペース
トは、たとえば電子部品の外部端子電極のような導体を
形成するために用いられている。導電性ペーストをもっ
て外部端子電極を形成する場合、電子部品の表面上の所
定の領域に導電性ペーストが付与され、次いでこれを焼
き付けることが行なわれる。
【０００３】このような導電性ペーストが、たとえば積
層セラミックコンデンサの外部電極を形成するために用
いられるとき、積層セラミックコンデンサの部品本体と
なるセラミック積層体の両端面に導電性ペーストが付与
される。セラミック積層体の内部には、複数層をなして
内部電極が形成されていて、これら内部電極の端縁は、
セラミック積層体のいずれかの端面に露出している。し
たがって、セラミック積層体の両端面に付与された導電
性ペーストは、内部電極の端縁に接触する状態となり、
導電性ペーストを焼き付けて形成された外部電極も、内
部電極の端縁に接触する状態を維持し、内部電極と電気
的に接続された状態となっている。
層セラミックコンデンサの外部電極を形成するために用
いられるとき、積層セラミックコンデンサの部品本体と
なるセラミック積層体の両端面に導電性ペーストが付与
される。セラミック積層体の内部には、複数層をなして
内部電極が形成されていて、これら内部電極の端縁は、
セラミック積層体のいずれかの端面に露出している。し
たがって、セラミック積層体の両端面に付与された導電
性ペーストは、内部電極の端縁に接触する状態となり、
導電性ペーストを焼き付けて形成された外部電極も、内
部電極の端縁に接触する状態を維持し、内部電極と電気
的に接続された状態となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような外部電極と内部電極との電気的接続は、時とし
て、適正に達成されないことがある。外部電極と内部電
極とが電気的に接続されるためには、外部電極となる導
電性ペーストに含まれる金属が内部電極の金属に接触
し、これら金属が固体間で相互拡散するか、導電性ペー
スト中のガラスにこれら金属がともに溶解してガラスを
通して相互拡散するかして、金属相互が拡散接合するこ
とが必要である。
ような外部電極と内部電極との電気的接続は、時とし
て、適正に達成されないことがある。外部電極と内部電
極とが電気的に接続されるためには、外部電極となる導
電性ペーストに含まれる金属が内部電極の金属に接触
し、これら金属が固体間で相互拡散するか、導電性ペー
スト中のガラスにこれら金属がともに溶解してガラスを
通して相互拡散するかして、金属相互が拡散接合するこ
とが必要である。
【０００５】ところが、この特定的な例について説明す
ると、内部電極は、その端縁のみにおいてセラミック積
層体の端面に露出しているにすぎず、また、セラミック
積層体の焼成工程においては、内部電極がセラミック部
分より大きく収縮する傾向があるため、ときとして内部
電極の端縁がセラミック積層体の端面より内方に位置し
ていることがある。したがって、上述のような固体拡散
あるいは自然に起こるガラスを通しての拡散によるだけ
では、内部電極に外部電極が所望のように電気的に接続
されないことがある。
ると、内部電極は、その端縁のみにおいてセラミック積
層体の端面に露出しているにすぎず、また、セラミック
積層体の焼成工程においては、内部電極がセラミック部
分より大きく収縮する傾向があるため、ときとして内部
電極の端縁がセラミック積層体の端面より内方に位置し
ていることがある。したがって、上述のような固体拡散
あるいは自然に起こるガラスを通しての拡散によるだけ
では、内部電極に外部電極が所望のように電気的に接続
されないことがある。
【０００６】このように、外部電極と内部電極とが適正
に接続されない場合には、積層セラミックコンデンサの
ような電子部品の電気的特性を十分に引き出せなかった
り、外部電極と内部電極とが点接触状態となって電気的
抵抗が大きくなりすぎたりする、という問題を招く。そ
こで、この発明の目的は、上述したような問題を解決す
るのに適した導電性ペーストを提供しようとすることで
ある。
に接続されない場合には、積層セラミックコンデンサの
ような電子部品の電気的特性を十分に引き出せなかった
り、外部電極と内部電極とが点接触状態となって電気的
抵抗が大きくなりすぎたりする、という問題を招く。そ
こで、この発明の目的は、上述したような問題を解決す
るのに適した導電性ペーストを提供しようとすることで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、所定の焼付
け温度で焼き付けられることにより導体を形成するため
のものであって、金属粉末、ガラス粉末およびビヒクル
を含有する、導電性ペーストに向けられるものである。
上述した技術的課題を解決するため、この発明による導
電性ペーストは、ガラス粉末が、０．１wt％以上過飽和
となるまでの量の金属を含んでいることを特徴としてい
る。
け温度で焼き付けられることにより導体を形成するため
のものであって、金属粉末、ガラス粉末およびビヒクル
を含有する、導電性ペーストに向けられるものである。
上述した技術的課題を解決するため、この発明による導
電性ペーストは、ガラス粉末が、０．１wt％以上過飽和
となるまでの量の金属を含んでいることを特徴としてい
る。
【０００８】この発明において、好ましくは、ガラス粉
末中の金属は、導電性ペーストに含有する金属粉末を構
成する金属と同種であったり、当該導電性ペーストを焼
き付けて形成する導体に接触して電気的に接続されるべ
き導体に含まれる金属と同種であったりする。好ましい
実施形態では、ガラス粉末中の金属として、Ａｇ、Ｃ
ｕ、ＮｉおよびＰｄからなる群から選ばれた少なくとも
１種が用いられる。この場合、このような金属は、０．
１wt％未満のときには、ガラス粉末中の金属の効果を期
待できない。なお、ガラス粉末中の金属の量は、焼付け
温度にて過飽和となるまで含まれていることが好まし
い。
末中の金属は、導電性ペーストに含有する金属粉末を構
成する金属と同種であったり、当該導電性ペーストを焼
き付けて形成する導体に接触して電気的に接続されるべ
き導体に含まれる金属と同種であったりする。好ましい
実施形態では、ガラス粉末中の金属として、Ａｇ、Ｃ
ｕ、ＮｉおよびＰｄからなる群から選ばれた少なくとも
１種が用いられる。この場合、このような金属は、０．
１wt％未満のときには、ガラス粉末中の金属の効果を期
待できない。なお、ガラス粉末中の金属の量は、焼付け
温度にて過飽和となるまで含まれていることが好まし
い。
【０００９】また、ガラス粉末は、導電性ペーストにお
いて、たとえば０．１〜２０wt％含有されるのが好まし
い。ガラス粉末の含有率が０．１wt％未満のときには、
導電性ペーストの焼付けが困難であり、他方、２０wt％
を超えるときには、導電性ペーストを焼き付けて得られ
た導体においてガラス成分が多くなりすぎ、当該導体に
接触して電気的に接続されるべき導体との電気的接続が
不十分となるからである。
いて、たとえば０．１〜２０wt％含有されるのが好まし
い。ガラス粉末の含有率が０．１wt％未満のときには、
導電性ペーストの焼付けが困難であり、他方、２０wt％
を超えるときには、導電性ペーストを焼き付けて得られ
た導体においてガラス成分が多くなりすぎ、当該導体に
接触して電気的に接続されるべき導体との電気的接続が
不十分となるからである。
【００１０】
【実施例１】積層セラミックコンデンサの外部電極のた
めの導電性ペーストを作製した。用いた積層セラミック
コンデンサの部品本体となるセラミック積層体は、寸法
が１．６mm×０．８mm×０．８mmであり、設計静電容量
が１１０ｎＦであった。また、セラミック積層体の内部
に形成される内部電極は、３０層をなし、Ｐｄを含むも
のであった。
めの導電性ペーストを作製した。用いた積層セラミック
コンデンサの部品本体となるセラミック積層体は、寸法
が１．６mm×０．８mm×０．８mmであり、設計静電容量
が１１０ｎＦであった。また、セラミック積層体の内部
に形成される内部電極は、３０層をなし、Ｐｄを含むも
のであった。
【００１１】外部電極のための導電性ペーストは、次の
ように作製した。この発明の実施例に係るガラス粉末を
作製するため、軟化点４５０℃のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラ
スを用意し、これを１１００℃に加熱して溶融させ、そ
の状態でこのガラスにＡｇを３wt％溶解した。この溶融
ガラスを、急冷し、次いで、平均粒径５μｍとなるよう
に粉砕することによって、実施例に係るガラス粉末を得
た。
ように作製した。この発明の実施例に係るガラス粉末を
作製するため、軟化点４５０℃のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラ
スを用意し、これを１１００℃に加熱して溶融させ、そ
の状態でこのガラスにＡｇを３wt％溶解した。この溶融
ガラスを、急冷し、次いで、平均粒径５μｍとなるよう
に粉砕することによって、実施例に係るガラス粉末を得
た。
【００１２】他方、Ａｇを溶解させないことを除いて、
同様のガラス材料を用い、同様の方法にて、比較例とし
てのガラス粉末を作製した。このような各ガラス粉末５
wt％とＡｇ粉末７０wt％とビヒクル２５wt％とをそれぞ
れ混合して、実施例および比較例としての導電性ペース
トをそれぞれ作製した。
同様のガラス材料を用い、同様の方法にて、比較例とし
てのガラス粉末を作製した。このような各ガラス粉末５
wt％とＡｇ粉末７０wt％とビヒクル２５wt％とをそれぞ
れ混合して、実施例および比較例としての導電性ペース
トをそれぞれ作製した。
【００１３】これら導電性ペーストの各々を、前述のセ
ラミック積層体の両端面に塗布し、後の表１に示すよう
に、５００℃、６００℃、７００℃、および８００℃の
各温度で焼き付けることによって、外部電極を形成し、
試料としての積層セラミックコンデンサを完成させた。
次いで、これら積層セラミックコンデンサの静電容量を
測定し、各全数５０に対する、静電容量の平均値および
最小値（単位：ｎＦ）を求めた。その結果が、表１に示
されている。
ラミック積層体の両端面に塗布し、後の表１に示すよう
に、５００℃、６００℃、７００℃、および８００℃の
各温度で焼き付けることによって、外部電極を形成し、
試料としての積層セラミックコンデンサを完成させた。
次いで、これら積層セラミックコンデンサの静電容量を
測定し、各全数５０に対する、静電容量の平均値および
最小値（単位：ｎＦ）を求めた。その結果が、表１に示
されている。
【００１４】
【表１】 表１から、いずれの焼付け温度であっても、実施例の方
が、比較例に比べて、高い静電容量を取り出すことがで
き、外部電極と内部電極との電気的接続がより適正に達
成されていることがわかる。
が、比較例に比べて、高い静電容量を取り出すことがで
き、外部電極と内部電極との電気的接続がより適正に達
成されていることがわかる。
【００１５】特に、比較例において、焼付け温度が比較
的低い５００℃〜６００℃のものでは、静電容量の最小
値が７２ｎＦ〜７５ｎＦと低く、導電性ペーストに含有
されるガラス粉末にＡｇを含まない場合には、焼付け温
度を低くしたとき、外部電極と内部電極との間において
十分な電気的接続が達成されなくなることがあることが
わかる。
的低い５００℃〜６００℃のものでは、静電容量の最小
値が７２ｎＦ〜７５ｎＦと低く、導電性ペーストに含有
されるガラス粉末にＡｇを含まない場合には、焼付け温
度を低くしたとき、外部電極と内部電極との間において
十分な電気的接続が達成されなくなることがあることが
わかる。
【００１６】この実施例および比較例において用いたガ
ラスは、４５０℃の軟化点を有するものであるが、５０
０℃〜６００℃では、ガラスの粘度がなおも高いため、
内部電極の金属面に導電性ペーストあるいは外部電極中
の金属粉末が接触する確率が低く、また、ガラスに対す
るＡｇやＰｄの溶解可能な量も少ない。したがって、内
部電極の金属と外部電極の金属とが、固体間で相互拡散
することも、ガラスを通して相互拡散することも、あま
り期待できない。
ラスは、４５０℃の軟化点を有するものであるが、５０
０℃〜６００℃では、ガラスの粘度がなおも高いため、
内部電極の金属面に導電性ペーストあるいは外部電極中
の金属粉末が接触する確率が低く、また、ガラスに対す
るＡｇやＰｄの溶解可能な量も少ない。したがって、内
部電極の金属と外部電極の金属とが、固体間で相互拡散
することも、ガラスを通して相互拡散することも、あま
り期待できない。
【００１７】この結果、比較例において、焼付け温度が
５００℃〜６００℃のものでは、外部電極と内部電極と
の間において十分な電気的接続が達成されないときがあ
り、そのため、高い静電容量を安定して取り出すことが
できなかったものと考えられる。これに対して、実施例
では、焼付け温度が５００〜６００℃と低くても、当
初、導電性ペーストのガラス粉末中に含まれていたＡｇ
が、流動するガラスから析出し、内部電極内に拡散し、
外部電極と内部電極との間での金属相互の拡散を助ける
ため、外部電極と内部電極との電気的接続がより高い信
頼性をもって達成され、そのため、高い静電容量を安定
して取り出すことができたものと考えられる。
５００℃〜６００℃のものでは、外部電極と内部電極と
の間において十分な電気的接続が達成されないときがあ
り、そのため、高い静電容量を安定して取り出すことが
できなかったものと考えられる。これに対して、実施例
では、焼付け温度が５００〜６００℃と低くても、当
初、導電性ペーストのガラス粉末中に含まれていたＡｇ
が、流動するガラスから析出し、内部電極内に拡散し、
外部電極と内部電極との間での金属相互の拡散を助ける
ため、外部電極と内部電極との電気的接続がより高い信
頼性をもって達成され、そのため、高い静電容量を安定
して取り出すことができたものと考えられる。
【００１８】
【実施例２】実施例１と同様、積層セラミックコンデン
サの外部電極のための導電性ペーストを作製した。用い
た積層セラミックコンデンサの部品本体となるセラミッ
ク積層体は、寸法が３．２mm×１．６mm×１．２mmであ
り、設計静電容量が１μＦであった。また、セラミック
積層体の内部に形成される内部電極は、９０層をなし、
Ｎｉを含むものであった。
サの外部電極のための導電性ペーストを作製した。用い
た積層セラミックコンデンサの部品本体となるセラミッ
ク積層体は、寸法が３．２mm×１．６mm×１．２mmであ
り、設計静電容量が１μＦであった。また、セラミック
積層体の内部に形成される内部電極は、９０層をなし、
Ｎｉを含むものであった。
【００１９】外部電極のための導電性ペーストは、次の
ように作製した。この発明の実施例に係るガラス粉末を
作製するため、軟化点４５０℃のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラ
スを用意し、これを１１００℃に加熱して溶融させ、そ
の状態でこのガラスにＣｕＯを５wt％溶解した。この溶
融ガラスを、急冷し、次いで、平均粒径５μｍとなるよ
うに粉砕することによって、実施例に係るガラス粉末を
得た。
ように作製した。この発明の実施例に係るガラス粉末を
作製するため、軟化点４５０℃のＺｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラ
スを用意し、これを１１００℃に加熱して溶融させ、そ
の状態でこのガラスにＣｕＯを５wt％溶解した。この溶
融ガラスを、急冷し、次いで、平均粒径５μｍとなるよ
うに粉砕することによって、実施例に係るガラス粉末を
得た。
【００２０】他方、ＣｕＯを溶解させないことを除い
て、同様のガラス材料を用い、同様の方法にて、比較例
としてのガラス粉末を作製した。このような各ガラス粉
末５wt％とＣｕ粉末７０wt％とビヒクル２５wt％とをそ
れぞれ混合して、実施例および比較例としての導電性ペ
ーストをそれぞれ作製した。
て、同様のガラス材料を用い、同様の方法にて、比較例
としてのガラス粉末を作製した。このような各ガラス粉
末５wt％とＣｕ粉末７０wt％とビヒクル２５wt％とをそ
れぞれ混合して、実施例および比較例としての導電性ペ
ーストをそれぞれ作製した。
【００２１】これら導電性ペーストの各々を、前述のセ
ラミック積層体の両端面に塗布し、Ｎ2 中において、後
の表２に示すように、６００℃、７００℃、８００℃、
および９００℃の各温度で焼き付けることによって、外
部電極を形成し、試料としての積層セラミックコンデン
サを完成させた。次いで、これら積層セラミックコンデ
ンサの静電容量を測定し、各全数５０に対する、静電容
量の平均値および最小値（単位：ｎＦ）を求めた。その
結果が、表２に示されている。
ラミック積層体の両端面に塗布し、Ｎ2 中において、後
の表２に示すように、６００℃、７００℃、８００℃、
および９００℃の各温度で焼き付けることによって、外
部電極を形成し、試料としての積層セラミックコンデン
サを完成させた。次いで、これら積層セラミックコンデ
ンサの静電容量を測定し、各全数５０に対する、静電容
量の平均値および最小値（単位：ｎＦ）を求めた。その
結果が、表２に示されている。
【００２２】
【表２】 表２からわかるように、まず、６００℃の焼付け温度で
は、実施例および比較例のいずれでも、所望の静電容量
を取り出すことができなかった。
は、実施例および比較例のいずれでも、所望の静電容量
を取り出すことができなかった。
【００２３】次に、表２から、７００℃〜９００℃の焼
付け温度の場合には、一般的に、実施例の方が、比較例
に比べて、高い静電容量を取り出すことができ、外部電
極と内部電極との電気的接続がより高い信頼性をもって
達成されていることがわかる。このことは、前述した実
施例１と実質的に同様の理由による。また、比較例にお
いて、焼付け温度をたとえ７００℃〜９００℃と高くし
ても、静電容量の最小値が８３０ｎＦ〜８４３ｎＦと低
く、導電性ペーストに含有されるガラス粉末にＣｕを含
まない場合には、外部電極と内部電極との間において十
分な電気的接続が達成されなくなることがあることがわ
かる。
付け温度の場合には、一般的に、実施例の方が、比較例
に比べて、高い静電容量を取り出すことができ、外部電
極と内部電極との電気的接続がより高い信頼性をもって
達成されていることがわかる。このことは、前述した実
施例１と実質的に同様の理由による。また、比較例にお
いて、焼付け温度をたとえ７００℃〜９００℃と高くし
ても、静電容量の最小値が８３０ｎＦ〜８４３ｎＦと低
く、導電性ペーストに含有されるガラス粉末にＣｕを含
まない場合には、外部電極と内部電極との間において十
分な電気的接続が達成されなくなることがあることがわ
かる。
【００２４】この実施例のように、導電性ペーストにＣ
ｕを含むとともに、内部電極にＮｉを含む場合には、こ
れらＣｕやＮｉを酸化させない雰囲気で焼付け工程を実
施する必要がある。一方、ＣｕやＮｉの酸化物は、ある
程度、ガラスに溶解するため、ガラスに接する表面にあ
るこれらの酸化物は、焼付け中にガラスに溶解するもの
の、ガラスに溶解したＣｕやＮｉの酸化物の量はわずか
で再析出しにくい。
ｕを含むとともに、内部電極にＮｉを含む場合には、こ
れらＣｕやＮｉを酸化させない雰囲気で焼付け工程を実
施する必要がある。一方、ＣｕやＮｉの酸化物は、ある
程度、ガラスに溶解するため、ガラスに接する表面にあ
るこれらの酸化物は、焼付け中にガラスに溶解するもの
の、ガラスに溶解したＣｕやＮｉの酸化物の量はわずか
で再析出しにくい。
【００２５】しかしながら、この実施例では、ガラス中
に溶解しているＣｕ酸化物について言えば、焼付け中に
溶解したＣｕ酸化物だけでなく、導電性ペーストの段階
でガラス粉末に予め５wt％溶解されていたＣｕ酸化物も
ガラス中に存在しているので、焼付け工程において、ガ
ラスからＣｕがより順調に析出し、これが内部電極のＮ
ｉと外部電極のＣｕとの接合および焼結を助けるように
作用していると考えられる。
に溶解しているＣｕ酸化物について言えば、焼付け中に
溶解したＣｕ酸化物だけでなく、導電性ペーストの段階
でガラス粉末に予め５wt％溶解されていたＣｕ酸化物も
ガラス中に存在しているので、焼付け工程において、ガ
ラスからＣｕがより順調に析出し、これが内部電極のＮ
ｉと外部電極のＣｕとの接合および焼結を助けるように
作用していると考えられる。
【００２６】なお、上述した各実施例では、導電性ペー
ストに含有されるガラス粉末中の金属として、Ａｇまた
はＣｕが用いられたが、ＮｉもしくはＰｄ、または、こ
れらの合金等、２種以上の組合せが用いられても、実質
的に同様の効果が奏されることが確認されている。
ストに含有されるガラス粉末中の金属として、Ａｇまた
はＣｕが用いられたが、ＮｉもしくはＰｄ、または、こ
れらの合金等、２種以上の組合せが用いられても、実質
的に同様の効果が奏されることが確認されている。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、導電
性ペーストに含有されるガラス粉末が、焼付け温度にお
いて過飽和となる量の金属を含んでいるので、焼付け中
において、この金属が、流動するガラスから析出して、
当該導電性ペーストを焼き付けて得られる導体とこれに
接触する導体との間での金属相互の拡散を助長し、その
ため、これら導体間での電気的接続をより信頼性の高い
ものとすることができる。
性ペーストに含有されるガラス粉末が、焼付け温度にお
いて過飽和となる量の金属を含んでいるので、焼付け中
において、この金属が、流動するガラスから析出して、
当該導電性ペーストを焼き付けて得られる導体とこれに
接触する導体との間での金属相互の拡散を助長し、その
ため、これら導体間での電気的接続をより信頼性の高い
ものとすることができる。
【００２８】また、この発明によれば、上述した実施例
からわかるように、比較的低温で焼付け可能な導電性ペ
ーストを得ることができる。したがって、焼付けのため
のエネルギーコストを低減することができるとともに、
この導電性ペーストの焼付け工程に付される電子部品へ
の熱による悪影響を抑制することができる。また、この
発明に係る導電性ペーストによれば、焼付け時におい
て、ガラスが溶融して流れ出した後に残ることのあるポ
アの一部は、ガラスから析出した金属により有利に埋め
られるので、当該導電性ペーストを焼き付けて得られた
導体の密度の向上を図ることができる。
からわかるように、比較的低温で焼付け可能な導電性ペ
ーストを得ることができる。したがって、焼付けのため
のエネルギーコストを低減することができるとともに、
この導電性ペーストの焼付け工程に付される電子部品へ
の熱による悪影響を抑制することができる。また、この
発明に係る導電性ペーストによれば、焼付け時におい
て、ガラスが溶融して流れ出した後に残ることのあるポ
アの一部は、ガラスから析出した金属により有利に埋め
られるので、当該導電性ペーストを焼き付けて得られた
導体の密度の向上を図ることができる。
【００２９】また、この発明に係る導電性ペーストによ
れば、焼付け時においてガラスから析出した金属の一部
は、当該導電性ペーストを焼き付けて得られた導体の表
面にも分布することになるので、たとえば導体表面にめ
っきを施すとき、めっき膜の付着性の向上を図ることが
できる。この発明において、ガラス粉末中の金属が、導
電性ペーストに含有する金属粉末を構成する金属と同種
である場合には、焼付け中においてガラスから析出した
金属が、金属粉末の金属の性質や挙動を妨げるといった
悪影響を及ぼすことは絶対にあり得ない。したがって、
ガラス粉末中に予め溶解すべき金属として、このような
選択を行なえば、この発明に係る導電性ペーストを必ず
問題なく提供できることになる。
れば、焼付け時においてガラスから析出した金属の一部
は、当該導電性ペーストを焼き付けて得られた導体の表
面にも分布することになるので、たとえば導体表面にめ
っきを施すとき、めっき膜の付着性の向上を図ることが
できる。この発明において、ガラス粉末中の金属が、導
電性ペーストに含有する金属粉末を構成する金属と同種
である場合には、焼付け中においてガラスから析出した
金属が、金属粉末の金属の性質や挙動を妨げるといった
悪影響を及ぼすことは絶対にあり得ない。したがって、
ガラス粉末中に予め溶解すべき金属として、このような
選択を行なえば、この発明に係る導電性ペーストを必ず
問題なく提供できることになる。
【００３０】また、この発明にかかる導電性ペーストに
含有されるガラス粉末中の金属が、当該導電性ペースト
を焼き付けて形成する第１の導体に接触して電気的に接
続されるべき第２の導体に含まれる金属と同種である場
合には、焼付け中においてガラスから析出した金属が、
第２の導体の金属と有利に馴染むので、導体間の電気的
接続および機械的接合における高い信頼性を必ず実現す
ることができる。
含有されるガラス粉末中の金属が、当該導電性ペースト
を焼き付けて形成する第１の導体に接触して電気的に接
続されるべき第２の導体に含まれる金属と同種である場
合には、焼付け中においてガラスから析出した金属が、
第２の導体の金属と有利に馴染むので、導体間の電気的
接続および機械的接合における高い信頼性を必ず実現す
ることができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の焼付け温度で焼き付けられること
により導体を形成するためのものであって、金属粉末、
ガラス粉末およびビヒクルを含有する、導電性ペースト
において、 前記ガラス粉末は、０．１wt％以上過飽和となるまでの
量の金属を含むことを特徴とする、導電性ペースト。 - 【請求項２】 前記ガラス粉末中の金属は、前記金属粉
末を構成する金属と同種である、請求項１に記載の導電
性ペースト。 - 【請求項３】 前記ガラス粉末中の金属は、当該導電性
ペーストを焼き付けて形成する導体に接触して電気的に
接続されるべき導体に含まれる金属と同種である、請求
項１または２に記載の導電性ペースト。 - 【請求項４】 前記ガラス粉末中の金属は、Ａｇ、Ｃ
ｕ、ＮｉおよびＰｄからなる群から選ばれた少なくとも
１種を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の導電
性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10285397A JP3371749B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10285397A JP3371749B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294017A true JPH10294017A (ja) | 1998-11-04 |
| JP3371749B2 JP3371749B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=14338496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10285397A Expired - Lifetime JP3371749B2 (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3371749B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176327A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
| JP2001274035A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2010539680A (ja) * | 2007-09-10 | 2010-12-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 多層素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP10285397A patent/JP3371749B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001176327A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
| JP4590666B2 (ja) * | 1999-12-14 | 2010-12-01 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
| JP2001274035A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP4576660B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2010-11-10 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ用導電性ペーストならびにこれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2010539680A (ja) * | 2007-09-10 | 2010-12-16 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 多層素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3371749B2 (ja) | 2003-01-27 |
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