JP2001176327A - 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents
導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は、外部電極を覆うように半田め
っき膜等を形成しても、めっき液が外部電極内部を伝っ
て積層体に達することを抑制できる導電性ペースト、お
よびめっき液の浸入によるクラックの発生を抑えたセラ
ミック電子部品を提供することにある。 【解決手段】本発明の導電性ペーストは、導電性粉末
と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとからなり、ガラ
スフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なく
とも１種からなる金属酸化物群Ａを含有し、実質的にＢ
ｉ成分を含有せず、金属酸化物群Ａは、ガラスフリット
１００モル％に対し酸化物モル比で２〜１５モル％含有
することを特徴とする。また、ガラスフリットは金属酸
化物群Ａと金属酸化物群Ｂとからなり、金属酸化物群Ｂ
は、Ｂ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ
成分を含有することが好ましい。
っき膜等を形成しても、めっき液が外部電極内部を伝っ
て積層体に達することを抑制できる導電性ペースト、お
よびめっき液の浸入によるクラックの発生を抑えたセラ
ミック電子部品を提供することにある。 【解決手段】本発明の導電性ペーストは、導電性粉末
と、ガラスフリットと、有機ビヒクルとからなり、ガラ
スフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なく
とも１種からなる金属酸化物群Ａを含有し、実質的にＢ
ｉ成分を含有せず、金属酸化物群Ａは、ガラスフリット
１００モル％に対し酸化物モル比で２〜１５モル％含有
することを特徴とする。また、ガラスフリットは金属酸
化物群Ａと金属酸化物群Ｂとからなり、金属酸化物群Ｂ
は、Ｂ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ
成分を含有することが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック電子部
品の厚膜電極形成に用いられる導電性ペーストに関し、
より特定的には、積層セラミック電子部品の外部電極形
成に用いられる導電性ペーストに関するものである。
品の厚膜電極形成に用いられる導電性ペーストに関し、
より特定的には、積層セラミック電子部品の外部電極形
成に用いられる導電性ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より導電性ペーストは、例えばＡ
ｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｕ等の貴金属、あるいはＣｕ，Ｎｉ
等の卑金属からなる導電性粉末と、溶剤に有機バインダ
を溶解させた有機ビヒクルと、ガラスフリットとから主
になる。ガラスフリットは、例えばＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＢａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ等の金属
酸化物等からなる。
ｇ，Ａｇ／Ｐｄ，Ａｕ等の貴金属、あるいはＣｕ，Ｎｉ
等の卑金属からなる導電性粉末と、溶剤に有機バインダ
を溶解させた有機ビヒクルと、ガラスフリットとから主
になる。ガラスフリットは、例えばＢ2Ｏ3、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＢａＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ等の金属
酸化物等からなる。
【０００３】従来よりセラミック電子部品、例えば積層
セラミックコンデンサは、積層体と、内部電極と、外部
電極とから主になる。積層体は、例えば誘電体からなる
複数のセラミック層が積層され圧着され焼成されてな
る。内部電極は、上述したセラミック層の所定枚数に電
極膜が印刷され、セラミック層とともに同時焼成されて
なる。内部電極の一端は、積層体の一方の端面に露出
し、他端は積層体の内部にとどまるように形成されてい
る。外部電極は、積層体の端面に形成された一対の厚膜
電極であり、導電性ペースト中に浸漬塗布され乾燥、焼
成されてなる。また、外部電極は、積層体の端面に露出
された内部電極の一端と電気的かつ機械的に接合されて
いる。
セラミックコンデンサは、積層体と、内部電極と、外部
電極とから主になる。積層体は、例えば誘電体からなる
複数のセラミック層が積層され圧着され焼成されてな
る。内部電極は、上述したセラミック層の所定枚数に電
極膜が印刷され、セラミック層とともに同時焼成されて
なる。内部電極の一端は、積層体の一方の端面に露出
し、他端は積層体の内部にとどまるように形成されてい
る。外部電極は、積層体の端面に形成された一対の厚膜
電極であり、導電性ペースト中に浸漬塗布され乾燥、焼
成されてなる。また、外部電極は、積層体の端面に露出
された内部電極の一端と電気的かつ機械的に接合されて
いる。
【０００４】また、外部電極の半田濡れ性ならびに半田
耐熱性を向上させる目的で、例えばＮｉ、Ｓｎあるいは
半田等からなるめっき膜が外部電極を覆うように施され
る。
耐熱性を向上させる目的で、例えばＮｉ、Ｓｎあるいは
半田等からなるめっき膜が外部電極を覆うように施され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
セラミック電子部品のめっき工程において、外部電極に
存在するポアを伝ってめっき液が外部電極の内部に浸入
し、場合によってめっき液は積層体にまで達し、複数の
セラミック層の層界面に浸入して積層体にクラックが発
生する。
セラミック電子部品のめっき工程において、外部電極に
存在するポアを伝ってめっき液が外部電極の内部に浸入
し、場合によってめっき液は積層体にまで達し、複数の
セラミック層の層界面に浸入して積層体にクラックが発
生する。
【０００６】また、セラミック層ならびに内部電極の薄
層化とともに積層されるセラミック層の枚数が増加し、
クラック発生の頻度が高くなる傾向にある。
層化とともに積層されるセラミック層の枚数が増加し、
クラック発生の頻度が高くなる傾向にある。
【０００７】本発明の目的は、外部電極を覆うようにＮ
ｉ、Ｓｎあるいは半田等からなるめっき膜を形成して
も、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達する
ことを抑え得る導電性ペースト、ならびにめっき液の浸
入によるクラックの発生を抑えたセラミック電子部品を
提供することにある。
ｉ、Ｓｎあるいは半田等からなるめっき膜を形成して
も、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達する
ことを抑え得る導電性ペースト、ならびにめっき液の浸
入によるクラックの発生を抑えたセラミック電子部品を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の導電性ペーストは、導電性粉末と、ガラス
フリットと、有機ビヒクルとからなり、ガラスフリット
は、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なくとも１種か
らなる金属酸化物群Ａを含有し、実質的にＢｉ成分を含
有せず、金属酸化物群Ａは、ガラスフリット１００モル
％に対し酸化物モル比で２〜１５モル％含有することを
特徴とする。
に、本発明の導電性ペーストは、導電性粉末と、ガラス
フリットと、有機ビヒクルとからなり、ガラスフリット
は、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれる少なくとも１種か
らなる金属酸化物群Ａを含有し、実質的にＢｉ成分を含
有せず、金属酸化物群Ａは、ガラスフリット１００モル
％に対し酸化物モル比で２〜１５モル％含有することを
特徴とする。
【０００９】また、ガラスフリットは金属酸化物群Ａと
金属酸化物群Ｂとからなり、金属酸化物群Ｂは、Ｂ成
分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を含
有することが好ましい。
金属酸化物群Ｂとからなり、金属酸化物群Ｂは、Ｂ成
分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を含
有することが好ましい。
【００１０】また、本発明の導電性ペーストにおける導
電性粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５
０．０〜９２．５体積％に対してガラスフリット７．５
〜５０．０体積％であることが好ましい。
電性粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５
０．０〜９２．５体積％に対してガラスフリット７．５
〜５０．０体積％であることが好ましい。
【００１１】また、本発明のセラミック電子部品は、複
数のセラミック層が積層されてなる積層体と、積層体の
端面に形成された一対の外部電極と、前記外部電極を覆
うようにめっき膜を備えるセラミック電子部品であっ
て、外部電極は、本発明の導電性ペーストを焼成してな
ることを特徴とする。
数のセラミック層が積層されてなる積層体と、積層体の
端面に形成された一対の外部電極と、前記外部電極を覆
うようにめっき膜を備えるセラミック電子部品であっ
て、外部電極は、本発明の導電性ペーストを焼成してな
ることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストに用いる
ガラスフリットとしては、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ば
れる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａと、例えば
Ｂ成分、Ｓｉ成分、Ａｌ成分、Ｚｎ成分、Ｂａ成分を含
有する金属酸化物群Ｂとからなるものが挙げられ、金属
酸化物群Ａの含有量は、ガラスフリット１００モル％に
対して、それぞれＣｕＯ，ＮｉＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，
Ａｌ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＢａＯ換算の酸化物モル比で２〜１
５モル％の範囲内であることを要する。金属酸化物群Ａ
の含有量が２モル％未満であると、金属酸化物群Ａの添
加効果が十分に発揮されない。他方、金属酸化物群Ａの
含有量が１５モル％を超えると、ガラスフリット全体の
組成が大きく変化し、外部電極を覆うようにめっき膜を
形成した場合にめっき液が外部電極内部に浸入し、本発
明の効果が得られない。
ガラスフリットとしては、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ば
れる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａと、例えば
Ｂ成分、Ｓｉ成分、Ａｌ成分、Ｚｎ成分、Ｂａ成分を含
有する金属酸化物群Ｂとからなるものが挙げられ、金属
酸化物群Ａの含有量は、ガラスフリット１００モル％に
対して、それぞれＣｕＯ，ＮｉＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，
Ａｌ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＢａＯ換算の酸化物モル比で２〜１
５モル％の範囲内であることを要する。金属酸化物群Ａ
の含有量が２モル％未満であると、金属酸化物群Ａの添
加効果が十分に発揮されない。他方、金属酸化物群Ａの
含有量が１５モル％を超えると、ガラスフリット全体の
組成が大きく変化し、外部電極を覆うようにめっき膜を
形成した場合にめっき液が外部電極内部に浸入し、本発
明の効果が得られない。
【００１３】また、本発明の導電性ペーストのガラスフ
リットは、Ｂｉ成分を含有しないことを要する。ガラス
フリット中にＢｉ成分を含有すると、外部電極を覆うよ
うにめっき膜を形成した場合に、めっき液が外部電極内
部に浸入して本発明の効果が得られにくい。
リットは、Ｂｉ成分を含有しないことを要する。ガラス
フリット中にＢｉ成分を含有すると、外部電極を覆うよ
うにめっき膜を形成した場合に、めっき液が外部電極内
部に浸入して本発明の効果が得られにくい。
【００１４】また、導電性粉末とガラスフリットの容積
比率は、導電性粉末５０．０〜９２．５％に対してガラ
スフリット７．５〜５０．０体積％であることが好まし
い。ガラスフリットの容積比率が７．５体積％未満にな
ると、Ｃｕ成分あるいはＮｉ成分がクラックの発生を抑
制する効果が低下する。他方、ガラスフリットの容積比
率が５０体積％を超えると、めっき付着性が低下する。
比率は、導電性粉末５０．０〜９２．５％に対してガラ
スフリット７．５〜５０．０体積％であることが好まし
い。ガラスフリットの容積比率が７．５体積％未満にな
ると、Ｃｕ成分あるいはＮｉ成分がクラックの発生を抑
制する効果が低下する。他方、ガラスフリットの容積比
率が５０体積％を超えると、めっき付着性が低下する。
【００１５】次に、本発明のセラミック電子部品の一つ
の実施形態として積層セラミックコンデンサを挙げ、こ
れを図１に示して詳細に説明する。積層セラミックコン
デンサ１は、積層体２と、内部電極３と、外部電極４，
４と、Ｎｉめっき膜５，５と、Ｓｎめっき膜６，６を備
える。
の実施形態として積層セラミックコンデンサを挙げ、こ
れを図１に示して詳細に説明する。積層セラミックコン
デンサ１は、積層体２と、内部電極３と、外部電極４，
４と、Ｎｉめっき膜５，５と、Ｓｎめっき膜６，６を備
える。
【００１６】積層体２は、例えば誘電体からなる複数の
セラミック層２ａが積層され圧着され焼成されてなる。
内部電極３は、上述したセラミック層２ａの所定枚数に
電極膜が印刷され、セラミック層２ａとともに同時焼成
されてなる。内部電極３，３の一端は、積層体２の一方
の端面に露出し、他端は積層体２の内部にとどまるよう
に形成されている。外部電極４，４は、積層体２の端面
に形成された一対の厚膜電極であり、導電性ペースト中
に浸漬塗布され乾燥、焼成されてなり、積層体２の端面
に露出された内部電極３の一端と電気的かつ機械的に接
合されている。Ｎｉめっき膜５，５は、外部電極４，４
を覆うように形成されている。Ｓｎめっき膜６，６は、
Ｎｉめっき膜５，５を覆うように形成されている。
セラミック層２ａが積層され圧着され焼成されてなる。
内部電極３は、上述したセラミック層２ａの所定枚数に
電極膜が印刷され、セラミック層２ａとともに同時焼成
されてなる。内部電極３，３の一端は、積層体２の一方
の端面に露出し、他端は積層体２の内部にとどまるよう
に形成されている。外部電極４，４は、積層体２の端面
に形成された一対の厚膜電極であり、導電性ペースト中
に浸漬塗布され乾燥、焼成されてなり、積層体２の端面
に露出された内部電極３の一端と電気的かつ機械的に接
合されている。Ｎｉめっき膜５，５は、外部電極４，４
を覆うように形成されている。Ｓｎめっき膜６，６は、
Ｎｉめっき膜５，５を覆うように形成されている。
【００１７】なお、上述した本発明のセラミック電子部
品の一つの実施形態において、セラミック電子部品とし
て例えば積層セラミックコンデンサを挙げたが、本発明
は特にこれに限定されることなく、ＮＴＣサーミスタ、
ＰＴＣサーミスタ、バリスタ等であっても構わない。
品の一つの実施形態において、セラミック電子部品とし
て例えば積層セラミックコンデンサを挙げたが、本発明
は特にこれに限定されることなく、ＮＴＣサーミスタ、
ＰＴＣサーミスタ、バリスタ等であっても構わない。
【００１８】また、上述した本発明のセラミック電子部
品の一つの実施形態において、積層体の内部に内部電極
を備えるものを挙げたが、本発明の内部電極の形状なら
びに枚数は特にこれに限定されることはなく、内部電極
の一端が外部電極と電気的かつ機械的に接合されていな
くても構わない。また、積層体の内部に内部電極が積層
されていなくても構わない。
品の一つの実施形態において、積層体の内部に内部電極
を備えるものを挙げたが、本発明の内部電極の形状なら
びに枚数は特にこれに限定されることはなく、内部電極
の一端が外部電極と電気的かつ機械的に接合されていな
くても構わない。また、積層体の内部に内部電極が積層
されていなくても構わない。
【００１９】また、上述した本発明のセラミック電子部
品の一つの実施形態において、めっき膜としてＮｉめっ
き膜とＳｎめっき膜を形成したが、本発明のめっき膜の
材質ならびに層数は特にこれに限定されることはない。
品の一つの実施形態において、めっき膜としてＮｉめっ
き膜とＳｎめっき膜を形成したが、本発明のめっき膜の
材質ならびに層数は特にこれに限定されることはない。
【００２０】
【実施例】まず、表１に示すようなガラスフリットの組
成比率となるように、以下の方法によりガラスフリット
を作製した。すなわち、出発原料としてＨ3ＢＯ3、Ｓｉ
Ｏ 2、Ａｌ（ＯＨ）3、ＺｎＯ、ＢａＣＯ3、およびＣｕ
（ＯＨ）2、Ｎｉ（ＯＨ）2を準備し、それぞれ所定量調
合した。次に、アルミナ坩堝中で１２００℃で溶融し、
水中に投下して急冷してガラス化させ、得られたガラス
のカレットをめのう乳鉢で粗粉砕し、ジルコニア球をメ
ディアに用いたボールミルを用いて微粉砕を行い、試料
１〜２５のガラスフリットを得た。
成比率となるように、以下の方法によりガラスフリット
を作製した。すなわち、出発原料としてＨ3ＢＯ3、Ｓｉ
Ｏ 2、Ａｌ（ＯＨ）3、ＺｎＯ、ＢａＣＯ3、およびＣｕ
（ＯＨ）2、Ｎｉ（ＯＨ）2を準備し、それぞれ所定量調
合した。次に、アルミナ坩堝中で１２００℃で溶融し、
水中に投下して急冷してガラス化させ、得られたガラス
のカレットをめのう乳鉢で粗粉砕し、ジルコニア球をメ
ディアに用いたボールミルを用いて微粉砕を行い、試料
１〜２５のガラスフリットを得た。
【００２１】次に、試料１〜２５のガラスフリットを用
いて導電性ペーストを作製した。すなわち、Ｃｕ粉末が
８０％、試料１〜２５のガラスフリットが２０％の容積
比率となるようにこれらを混合し、さらに有機ビヒクル
を適量加えて三本ロールで混練し分散して、試料１〜２
５の導電性ペーストを作製した。なお、有機ビヒクル
は、テルピネオールにアクリル樹脂を１０重量％溶解し
て作製した。
いて導電性ペーストを作製した。すなわち、Ｃｕ粉末が
８０％、試料１〜２５のガラスフリットが２０％の容積
比率となるようにこれらを混合し、さらに有機ビヒクル
を適量加えて三本ロールで混練し分散して、試料１〜２
５の導電性ペーストを作製した。なお、有機ビヒクル
は、テルピネオールにアクリル樹脂を１０重量％溶解し
て作製した。
【００２２】次に、上述した図１に示す積層セラミック
コンデンサを作製した。すなわち、ＢａＴｉＯ3を主成
分として、Ｎｉを導電成分とする複数の内部電極３，３
を備える積層体２を準備した。次に、この積層体２の両
端面を試料１〜２５の導電性ペーストに浸漬塗布し、１
２０℃で１０分間乾燥させた後、８５０℃で１０分間保
持して焼成して外部電極４，４を形成した。なお、焼成
はＣｕ粉末が酸化しないよう中性雰囲気中で行った。次
に、外部電極を覆うようにＮｉめっき膜５，５およびＳ
ｎめっき膜６，６を施して、試料１〜２５の積層セラミ
ックコンデンサを各々１０００個ずつ得た。
コンデンサを作製した。すなわち、ＢａＴｉＯ3を主成
分として、Ｎｉを導電成分とする複数の内部電極３，３
を備える積層体２を準備した。次に、この積層体２の両
端面を試料１〜２５の導電性ペーストに浸漬塗布し、１
２０℃で１０分間乾燥させた後、８５０℃で１０分間保
持して焼成して外部電極４，４を形成した。なお、焼成
はＣｕ粉末が酸化しないよう中性雰囲気中で行った。次
に、外部電極を覆うようにＮｉめっき膜５，５およびＳ
ｎめっき膜６，６を施して、試料１〜２５の積層セラミ
ックコンデンサを各々１０００個ずつ得た。
【００２３】そこで、試料１〜２５の積層セラミックコ
ンデンサについて、積層体内部の欠陥検査を行い、積層
体にクラックが発生しているものを計数してこれを表１
にまとめた。また、試料１〜２１については、ガラスフ
リット中の金属酸化物群Ａの含有量とクラック発生数の
関係を図２のグラフにまとめた。
ンデンサについて、積層体内部の欠陥検査を行い、積層
体にクラックが発生しているものを計数してこれを表１
にまとめた。また、試料１〜２１については、ガラスフ
リット中の金属酸化物群Ａの含有量とクラック発生数の
関係を図２のグラフにまとめた。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１から明らかであるように、ガラスフリ
ット１００モル％に対して酸化物モル比で２〜１５モル
％のＮｉ成分あるいはＣｕ成分を含有する試料３〜８，
１１〜１６，１８〜２０は、各々１０００個中のクラッ
ク発生数が０〜２５であり、何れも３％を下回る優れた
結果が得られた。
ット１００モル％に対して酸化物モル比で２〜１５モル
％のＮｉ成分あるいはＣｕ成分を含有する試料３〜８，
１１〜１６，１８〜２０は、各々１０００個中のクラッ
ク発生数が０〜２５であり、何れも３％を下回る優れた
結果が得られた。
【００２６】これに対して、Ｎｉ成分およびＣｕ成分を
含有しない、あるいはＮｉ成分とＣｕ成分の合計含有量
が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算で２．０％を下回る試料１，
２，１０は、９３〜２２１個のクラックが発生して本発
明の範囲外となった。
含有しない、あるいはＮｉ成分とＣｕ成分の合計含有量
が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算で２．０％を下回る試料１，
２，１０は、９３〜２２１個のクラックが発生して本発
明の範囲外となった。
【００２７】また、Ｎｉ成分とＣｕ成分の合計含有量
が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算で１５．０％を超える試料９，
１７，２１は、１０５〜１８９個のクラックが発生して
本発明の範囲外となった。
が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算で１５．０％を超える試料９，
１７，２１は、１０５〜１８９個のクラックが発生して
本発明の範囲外となった。
【００２８】図２の実線から明らかであるように、ガラ
スフリット中のＣｕ成分の含有量がＣｕＯ換算で２モル
％を超える付近からクラック発生数が急激に減少する。
クラック発生数は、Ｃｕ成分の含有量がＣｕＯ換算のモ
ル比６〜８．５モル％の付近で最少となり１５モル％を
超えるとクラック発生数は再び増加した。
スフリット中のＣｕ成分の含有量がＣｕＯ換算で２モル
％を超える付近からクラック発生数が急激に減少する。
クラック発生数は、Ｃｕ成分の含有量がＣｕＯ換算のモ
ル比６〜８．５モル％の付近で最少となり１５モル％を
超えるとクラック発生数は再び増加した。
【００２９】また、図２の点線から明らかであるよう
に、ガラスフリット中のＮｉ成分の含有量がＮｉＯ換算
で２モル％を超える付近からクラック発生数が急激に減
少する。クラック発生数は、Ｎｉ成分の含有量がＮｉＯ
換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少となり１５
モル％を超えるとクラック発生数は再び増加した。
に、ガラスフリット中のＮｉ成分の含有量がＮｉＯ換算
で２モル％を超える付近からクラック発生数が急激に減
少する。クラック発生数は、Ｎｉ成分の含有量がＮｉＯ
換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少となり１５
モル％を超えるとクラック発生数は再び増加した。
【００３０】また、図２の二点鎖線から明らかであるよ
うに、ガラスフリット中のＮｉ成分とＣｕ成分の合計含
有量が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算のモル比で２モル％を超え
る付近からクラック発生数が急激に減少した。クラック
発生数は、Ｎｉ成分とＣｕ成分の合計含有量が、Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少
となり、１５モル％を超えるとクラック発生数は再び増
加した。
うに、ガラスフリット中のＮｉ成分とＣｕ成分の合計含
有量が、ＮｉＯ，ＣｕＯ換算のモル比で２モル％を超え
る付近からクラック発生数が急激に減少した。クラック
発生数は、Ｎｉ成分とＣｕ成分の合計含有量が、Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ換算のモル比６〜８．５モル％の付近で最少
となり、１５モル％を超えるとクラック発生数は再び増
加した。
【００３１】また、Ｃｕ成分およびＮｉ成分の何れも含
有しないガラスフリットを用いた試料１と、試料１とほ
ぼ同じガラスフリット組成に加えてＢｉ成分をＢｉ2Ｏ3
換算のモル比で１％含有する試料２５を比較すると、ク
ラック発生数はそれぞれ２２１、３７０個であり、Ｂｉ
成分を含有することでクラック発生数が増加しているこ
とが分かる。この結果を踏まえて、Ｃｕ成分をＣｕＯ換
算のモル比で８．５％、Ｂｉ成分をＢｉ2Ｏ3換算のモル
比で０．５〜２．０％含有する試料２２〜２４と、Ｃｕ
成分をＣｕＯ換算のモル比で８．５％含有してＢｉ成分
を含有しない試料６を比較すると、試料６のクラック発
生数は０個であるのに対して、試料２２〜２４のクラッ
ク発生数はそれぞれ２７１，３８６，４８３個であり、
Ｂｉ成分のＢｉ2Ｏ3換算のモル比が大きくなるほどクラ
ック発生数が増加することが分かる。
有しないガラスフリットを用いた試料１と、試料１とほ
ぼ同じガラスフリット組成に加えてＢｉ成分をＢｉ2Ｏ3
換算のモル比で１％含有する試料２５を比較すると、ク
ラック発生数はそれぞれ２２１、３７０個であり、Ｂｉ
成分を含有することでクラック発生数が増加しているこ
とが分かる。この結果を踏まえて、Ｃｕ成分をＣｕＯ換
算のモル比で８．５％、Ｂｉ成分をＢｉ2Ｏ3換算のモル
比で０．５〜２．０％含有する試料２２〜２４と、Ｃｕ
成分をＣｕＯ換算のモル比で８．５％含有してＢｉ成分
を含有しない試料６を比較すると、試料６のクラック発
生数は０個であるのに対して、試料２２〜２４のクラッ
ク発生数はそれぞれ２７１，３８６，４８３個であり、
Ｂｉ成分のＢｉ2Ｏ3換算のモル比が大きくなるほどクラ
ック発生数が増加することが分かる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明の導電性ペースト
は、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと
からなり、ガラスフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から
選ばれる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａを含有
し、実質的にＢｉ成分を含有せず、金属酸化物群Ａは、
ガラスフリット１００モル％に対し酸化物モル比で２〜
１５モル％含有することを特徴とすることで、このよう
な導電性ペーストを用いて形成されるセラミック電子部
品の外部電極を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田めっ
き膜等を形成しても、めっき液が外部電極の内部を伝っ
て積層体に達することを抑制することができるため、ク
ラックの発生を抑えたセラミック電子部品を得ることが
できる。
は、導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと
からなり、ガラスフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から
選ばれる少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａを含有
し、実質的にＢｉ成分を含有せず、金属酸化物群Ａは、
ガラスフリット１００モル％に対し酸化物モル比で２〜
１５モル％含有することを特徴とすることで、このよう
な導電性ペーストを用いて形成されるセラミック電子部
品の外部電極を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田めっ
き膜等を形成しても、めっき液が外部電極の内部を伝っ
て積層体に達することを抑制することができるため、ク
ラックの発生を抑えたセラミック電子部品を得ることが
できる。
【００３３】また、本発明の導電性ペーストにおけるガ
ラスフリットが、金属酸化物群Ａと金属酸化物群Ｂとか
らなり、金属酸化物群Ｂは、Ｂ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成
分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を含有することを特徴とす
ることで、セラミック電子部品の外部電極形成に好適
な、いわゆるＢ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系ガラスフリッ
トを含む導電性ペーストとなり、このような導電性ペー
ストを用いて形成されるセラミック電子部品の外部電極
を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田めっき膜等を形成
しても、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達
することを抑制することができるため、クラックの発生
を抑えたセラミック電子部品を得ることができる。
ラスフリットが、金属酸化物群Ａと金属酸化物群Ｂとか
らなり、金属酸化物群Ｂは、Ｂ成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成
分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を含有することを特徴とす
ることで、セラミック電子部品の外部電極形成に好適
な、いわゆるＢ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系ガラスフリッ
トを含む導電性ペーストとなり、このような導電性ペー
ストを用いて形成されるセラミック電子部品の外部電極
を覆うようにＮｉ、Ｓｎあるいは半田めっき膜等を形成
しても、めっき液が外部電極の内部を伝って積層体に達
することを抑制することができるため、クラックの発生
を抑えたセラミック電子部品を得ることができる。
【００３４】また、本発明の導電性ペーストは、導電性
粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５０．
０〜９２．５体積％に対してガラスフリット７．５〜５
０．０体積％であるとき、Ｃｕ成分あるいはＮｉ成分が
クラックの発生を抑制する効果が顕著となり好ましい。
粉末とガラスフリットの容積比率は、導電性粉末５０．
０〜９２．５体積％に対してガラスフリット７．５〜５
０．０体積％であるとき、Ｃｕ成分あるいはＮｉ成分が
クラックの発生を抑制する効果が顕著となり好ましい。
【図１】本発明に係る一つの実施形態のセラミック電子
部品の断面図である。
部品の断面図である。
【図２】本発明に係る一つの実施形態のセラミック電子
部品における、ガラスフリット中の金属酸化物群Ａの含
有量とクラック発生数の関係を示すグラフである。
部品における、ガラスフリット中の金属酸化物群Ａの含
有量とクラック発生数の関係を示すグラフである。
１ セラミック電子部品 ２ 積層体 ３ 外部電極 ４，５ めっき膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AC09 AE02 AE03 AF00 AF06 AH01 AH05 AH07 AH08 AJ03 5E082 AA01 AB03 BC33 EE04 EE23 EE35 FG26 FG27 FG54 GG10 GG11 GG12 GG26 GG28 JJ03 JJ05 JJ12 JJ21 JJ23 MM22 MM24 PP03 5G301 DA06 DA34 DA36 DA40 DD01
Claims (4)
- 【請求項１】 導電性粉末と、ガラスフリットと、有機
ビヒクルと、からなる導電性ペーストであって、 前記ガラスフリットは、Ｃｕ成分とＮｉ成分から選ばれ
る少なくとも１種からなる金属酸化物群Ａを含有し、実
質的にＢｉ成分を含有せず、 前記金属酸化物群Ａは、前記ガラスフリット１００モル
％に対し酸化物モル比で２〜１５モル％含有することを
特徴とする導電性ペースト。 - 【請求項２】 前記ガラスフリットは金属酸化物群Ａと
金属酸化物群Ｂとからなり、前記金属酸化物群Ｂは、Ｂ
成分，Ｓｉ成分，Ａｌ成分，Ｚｎ成分およびＢａ成分を
含有することを特徴とする、請求項１に記載の導電性ペ
ースト。 - 【請求項３】 前記導電性粉末と前記ガラスフリットの
容積比率は、前記導電性粉末５０．０〜９２．５体積％
に対して前記ガラスフリット７．５〜５０．０体積％で
あることを特徴とする、請求項１または２に記載の導電
性ペースト。 - 【請求項４】 複数のセラミック層が積層されてなる積
層体と、前記積層体の端面に形成された一対の外部電極
と、前記外部電極を覆うようにめっき膜を備えるセラミ
ック電子部品であって、 前記外部電極は、請求項１ないし３の何れかに記載の導
電性ペーストを焼成してなることを特徴とするセラミッ
ク電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35508799A JP4590666B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35508799A JP4590666B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001176327A true JP2001176327A (ja) | 2001-06-29 |
| JP4590666B2 JP4590666B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=18441869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35508799A Expired - Lifetime JP4590666B2 (ja) | 1999-12-14 | 1999-12-14 | 導電性ペーストおよびこれを用いたセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4590666B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7267713B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and glass circuit structure |
| JP2008117790A (ja) * | 2008-01-16 | 2008-05-22 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよびガラス回路構造物 |
| JP2017022232A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239410A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Shoei Chem Ind Co | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 |
| JPH1074419A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-03-17 | Du Pont Kk | チップ抵抗体の端子電極用導電性ペースト組成物 |
| JPH10294017A (ja) * | 1997-04-21 | 1998-11-04 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト |
| JPH11260146A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Murata Mfg Co Ltd | 導電ペースト及び電子部品 |
-
1999
- 1999-12-14 JP JP35508799A patent/JP4590666B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239410A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Shoei Chem Ind Co | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2017022232A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4590666B2 (ja) | 2010-12-01 |
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