JPS6032722Y2 - 厚膜サ−ミスタ

Info

【考案の詳細な説明】本考案は、サンドインチ形厚膜サーミスタに関するもの
である。

通常の厚膜技術では、アルミナ基板上の配線導体、外部
接続用端子等の導電体膜に、Ａｇ／Ｐｄ厚膜導電材料が
用いられており、厚膜抵抗のほかにコンデンサ、サーミ
スタ、バリスタ等の厚膜素子でも、Ａｇ／Ｐｄ厚膜導電
材料が電極として使用されている。

最近、各種センサ材料の開発が進み、量産性の高い安価
な厚膜センサがその適用範囲を拡大しつつある。

厚膜サーミスタも、常温常湿環境下の温度補償用から、
特に湿度条件の厳しい温調器機への適用が検討されてい
る。

温度センサとしての厚膜サーミスタは、抵抗値の温度変
化の大きい、すなわちサーミスタ定数が４０００Ｋｉｉ
１度の素子特性が要求され、現在のサーミスタ特性材料
では比抵抗がＩＣＰΩ−０以上の大きなものを使用しな
くてはならない。

また、厚膜サーミスタでは、サーミスタ特性材料の微粉
末にバインダとしてホウケイ酸鉛系ガラスを３Ｘ％程度
加えるため、サーミスタ膜自体の比抵抗はＩＣＰΩ−０
以上となる。

このため、構造的には、図に示すような厚膜コンデサと
同様なサンドインチ形として、素子抵抗値を通常の厚膜
抵抗形に比べて１／ＩＣＰ〜１ハσの１σ〜１０４Ωの
抵抗値を出している。

このサンドイッチ形厚膜サーミスタでは、下部電極２と
上部電極４の間に介在する特性材料膜は３０〜６０μ汎
程度である。

さらに、防湿のために特性材料膜をおおう形でガラスコ
ート５が行なわれている。

このガラスコート厚膜サーミスタを６０°Ｃ１９５％Ｒ
Ｈ中で通電試験を行なったところ２００１″ｌ抵抗値減
少の不良が発生した。

この試料を詳細に調べた結果、ガラスコートに機械的衝
撃による損傷があり、これを通して水蒸気がサーミスタ
膜中に侵入し、距離が３０〜６０μ汎と狭い上、下電極
間にＡｇマイグレーションが発生したことであった。

この〜マイグレーションは通常のＡｇ／Ｐｄ導電材料を
電極に用いる限り、本質的に避けられなかった。

本考案の目的は、上記従来技術の欠点をなくし、信頼性
を高めた厚膜サーミスタを提供するにある。

本考案の特徴は、サンドインチ形厚膜サーミスタのサー
ミスタ膜の下部電極をｐｔ厚膜導電体とし、これを電気
的には正（陽）極とすることにある。

これにより作成したガラスコート厚膜サーミスタは、高
湿中におかれ、たとえガラスの損傷が有り、水蒸気の侵
入がおこっても電極材料のｐｔはイオン化しにくく、Ａ
ｇのようにマイグレーションを発生することが無い。

従って厚膜サーミスタの信頼性が本質的に向上できる。

以下本考案を実施例により詳細に説明する。

実施例先ず、アルミナ基板１上にｐｔ！電ペーストを用いて下
部電極２を印刷し、１１００’Ｃで３粉焼成して焼き付
けた。

次いで、Ａｇ／Ｐｄ導電ペーストを用いて外部接続用端
子６を印刷し、Ｍｎ＊Ｃｏ、Ｎｉ −Ａ／−Ｆｅの
複合酸化物粉末とガラスフリットＲｕＯ２粉末からなる
サーミスタペーストを印刷してサーミスタ層３を形成し
、更に、Ａｇ／Ｐｄ導電ペーストを用いて上部電極４を
印刷した。

これを８５０℃でＷ分間焼成してサンドインチ形厚膜サ
ーミスタを作成した。

次いで高温焼成型結晶化ガラスペーストを印刷して８０
０℃で用分間焼威し、この上に高温焼成型非晶質ガラス
ペーストを印刷して、８００℃で１０分間焼威してガラ
スコートを形成した防湿型厚膜サーミスタを作成した。

この厚膜サーミスタの下部電極側外部接続端子を正（陽
）極とし、上部電極側の外部接続端子を負（陰）として
通電試験を行ない、６０℃、９５％Ｒ，Ｈ３Ｏ００ｈま
で不良の発生はなかった。

本考案により、従来ガラスコートの損傷があれば短時間
で抵抗値減少不良となっていた厚膜サーミスタの信頼性
を大巾に向上することができた。

【図面の簡単な説明】

図はガラスコート厚膜サーミスタの断面図である。１・・・・・・アルミナ基板、２・・・・・・下部電極
、３・・・・・・サーミスタ膜、４・・・・・・上部電
極、５・曲・ガラスコート、６・・・・・・外部接続用
端子。

【実用新案登録請求の範囲】

サンドイッチ形厚膜素子において、サーミスタ特性材料
層を介して設けられた対向電極の基板側に位置する下部
電極がｐｔ＃Ｅ膜導体よりなり、このｐｔ電極側の端子
が直流電気回路上の正極に接続されていることを特徴と
する厚膜サーミスタ。