JP2515202B2

JP2515202B2 - セラミックス配線基板及びその製造方法

Info

Publication number: JP2515202B2
Application number: JP4065509A
Authority: JP
Inventors: 実大原; 道生浅井
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1992-03-24
Filing date: 1992-03-24
Publication date: 1996-07-10
Anticipated expiration: 2011-07-10
Also published as: JPH05267815A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミックス配線基板及
びその製造方法に関し、特に、厚膜抵抗体等のレーザト
リミングされる膜状回路素子を有するセラミックス配線
基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】セラミックス配線基板として、複数の金
属導体層と、ガラス粉末及びアルミナ粉末の混合材料か
らなる絶縁層とが交互に積層され８００〜１０００℃の
範囲の温度で焼成された低温焼成多層配線セラミックス
基板が知られている。前記低温焼成セラミックス基板
は、８００〜１０００℃の低温で焼成できるから、Ａ
ｇ、Ａｇ／Ｐｄ等の安価でしかも低抵抗の導体材料が使
用できるので、近年広く用いられている。

【０００３】また、セラミックス配線基板上に、チップ
部品の代替として厚膜抵抗体等を形成し、基板サイズの
小型化及び薄型化が図られている。前記厚膜抵抗体は、
一般に目標とされる抵抗値より１０〜２０％程度低く形
成され、その抵抗値は厚膜抵抗体にトリミングを施すこ
とにより調整される。前記トリミングは、実際の抵抗値
をリアルタイムで測定しながら、前記厚膜抵抗体にＹＡ
Ｇレーザにより所定のパターンのトリミングを施すこと
により行われている。

【０００４】前記ＹＡＧレーザによるトリミングは、セ
ラミックス配線基板としてアルミナ基板を使用した場合
には、一般に出力２．７〜４．０ｗ、トリミングスピー
ド１５〜１００ｍｍ／秒（Ｑレート３〜１０ｋＨｚ、バ
イトサイズ５〜１０μｍ）の範囲の条件で行うことがで
き、抵抗値の公差も±０．５％程度にまで調整すること
ができる。ここでＱレートとは、１秒間のパルス数であ
り、バイトサイズとは、１秒間にパルスが進む距離であ
り、これらの積がトリミングスピードである。

【０００５】しかしながら、セラミックス配線基板とし
て、低温焼成多層配線セラミックス基板を使用した場合
には、その機械的強度はアルミナ基板の５０％程度しか
なく、耐ヒートショック性にも劣っている。そのため、
ＹＡＧレーザによるトリミングをアルミナ基板と同一条
件で行った場合には、低温焼成多層配線セラミックス基
板自体にマイクロクラックが発生し、そのマイクロクラ
ックが厚膜抵抗体にまで伸展して抵抗値のドリフトが生
じてしまう。

【０００６】そこで、従来はＹＡＧレーザの出力を０．
８〜１．２ｗと小さくし、トリミングスピードも６〜２
４ｍｍ／秒（Ｑレート２〜４ｋＨｚ、バイトサイズ３〜
６μｍ）と遅くせざるを得なかった。

【０００７】さらに、ＹＡＧレーザの出力の範囲も０．
８〜１．２ｗと狭くせざるを得ないから、その範囲内に
レーザの出力を制御するのが困難であり、出力が０．８
ｗより低いとトリミング残渣が残り、出力が１．２ｗよ
り高いとクラックが生じてしまうという問題点があっ
た。また、抵抗値の公差も±２％程度にまでしか調整で
きなかった。

【０００８】また、セラミックス配線基板としてアルミ
ナ基板を用いた場合であっても、アルミナ中に抵抗体の
抵抗温度係数に影響を与える材料（例えば、チタン、ク
ロム）が含まれた黒色もしくは黒紫色基板を用いる場合
には、セラミックス配線基板上に抵抗体そのものを形成
することができなかった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、か
かる不都合を解消して、セラミックス配線基板上に形成
された厚膜抵抗体等の膜状回路素子を高速度かつ低公差
でレーザトリミングすることができるセラミックス配線
基板及びその製造方法を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、セラミックス配線基
板として、厚膜抵抗体等の膜状回路素子の特性に影響を
与える材料が含まれた基板を用いた場合であっても、そ
の上に膜状回路素子が形成可能なセラミックス配線基板
を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明によれ
ば、セラミックス配線基板上に直接形成され、該セラミ
ックス配線基板を熱衝撃から保護する熱衝撃緩和層と、
前記熱衝撃緩和層上に設けられた膜状回路素子と、前記
膜状回路素子の両端にそれぞれ接続して設けられた電極
とを有することを特徴とするセラミックス配線基板が得
られる。

【００１２】

【００１３】さらに、本発明によれば、セラミックス配
線基板上に該セラミックス配線基板を熱衝撃から保護す
る熱衝撃緩和層を直接設ける工程と、前記熱衝撃緩和層
上に膜状回路素子を設ける工程と、前記膜状回路素子の
両端にそれぞれ接続する電極を設ける工程と、前記膜状
回路素子をレーザトリミングする工程とを有することを
特徴とするセラミックス配線基板の製造方法が得られ
る。

【００１４】

【００１５】本発明においては、セラミックス配線基板
上に直接膜状回路素子を設けるのではなく、セラミック
ス配線基板上に設けられた熱衝撃緩和層（絶縁ガラス
層）上に膜状回路素子が設けられる。従って、たとえセ
ラミックス配線基板として、機械的強度の低い低温焼成
多層配線セラミックス基板を用いたとしても、膜状回路
素子をレーザトリミングする際の熱衝撃が、この熱衝撃
緩和層（絶縁ガラス層）によって緩和される。その結
果、レーザトリミング時のレーザ出力を高くすることが
でき、トリミングスピードも速くすることができるよう
になり、レーザトリミングを高速度かつ低公差で行うこ
とができるようになる。さらに、レーザ出力の最適範囲
も広げることができ、製造条件のばらつきによる素子特
性のばらつきも抑制できる。

【００１６】なお、ここで、低温焼成セラミックス基板
とは、ホウケイ酸ガラスや鉛ホウケイ酸ガラス等のガラ
ス粉末と、アルミナ粉末（ガラス粉末／アルミナ粉末の
重量％比が６５〜５５／３５〜４５％である）、バイン
ダー、可塑剤及び溶剤を混合し、８００〜１０００℃で
焼成可能としたような基板をいう。

【００１７】また、膜状回路素子を、絶縁ガラス層を介
してセラミックス配線基板上に設けることにより、たと
えこのセラミックス配線基板が膜状回路素子の特性に影
響を与える材料を含んでいたとしても、絶縁ガラス層上
の膜状回路素子の特性に影響を与えることはない。

【００１８】なお、熱衝撃緩和層としては、好ましく
は、絶縁ガラス層が用いられる。また、膜状回路素子と
して、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体を好ましく用いる
ことができる。

【００１９】電極として、Ａｇ／Ｐｄ、Ａｇ／Ｐｔ等の
酸化雰囲気中で焼成できる金属を用いた場合には、酸化
ルテニウム系の厚膜抵抗体等の膜状回路素子は、この電
極上に設けられる。これは、もし厚膜抵抗体等を電極の
下に設けると、まず、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体を
焼成し、その後ほぼ同じ焼成温度でＡｇ／Ｐｄ、Ａｇ／
Ｐｔ等の電極を焼成することになるから、厚膜抵抗体が
過焼成の状態となり、好ましい特性が得にくくなるから
である。

【００２０】また、電極として、Ｃｕ等の不活性または
還元雰囲気中で焼成する金属を用いた場合には、厚膜抵
抗体等の膜状回路素子の上に電極が設けられる。もし、
Ｃｕ等の不活性または還元雰囲気中で焼成する金属を膜
状回路素子の下に設けると、その上に設けられる厚膜抵
抗体等も不活性または還元雰囲気中で焼成する必要があ
るが、このような雰囲気中で焼成できる厚膜抵抗体とし
ては、ＬａＢ₆、ＳｎＯ₂等の９００℃以上で焼成せざ
るを得ないものしか存在しない。そして、９００℃以上
で焼成を行うと、セラミックス配線基板として低温焼成
多層配線セラミックス基板を用いた場合にはこの基板が
軟化したり、内部配線に用いられているＡｇが拡散して
しまう。また、Ｃｕ等の電極をＡｇ、Ａｇ／Ｐｄ等の金
属を充填したビアホール上に設けた場合にあっては、９
００℃以上で焼成すると、ＡｇがＣｕ中に拡散してしま
い、Ｃｕ電極下のスルーホールの上部には空洞が生じて
しまい、電極とビアホールとの導通がとれなくなるとい
う事態も生じる。

【００２１】従って、このような問題点を避けるため
に、Ｃｕ等の不活性または還元雰囲気中で焼成する金属
を電極に用いた場合には、厚膜抵抗体等の膜状回路素子
上に電極を設ける構成を採る。このようにすれば、Ｃｕ
等の電極が形成される前に厚膜抵抗体をまず形成するこ
とになるから厚膜抵抗体として、酸化ルテニウム系抵抗
等の空気中８５０℃で焼成可能な材料を使用できるよう
になり、セラミックス配線基板として低温焼成多層配線
セラミックス基板を用いた場合であっても、基板の軟化
や内部配線に用いられているＡｇの拡散を防止できる。
このように厚膜抵抗体等の膜状回路素子がまず形成され
るから、その後、Ｃｕ等の金属を不活性または還元雰囲
気中で設けることになるが、Ｃｕ等は約６００℃で焼成
することができるので、先に設けた厚膜抵抗等の膜状回
路素子の特性を変化させることはない。さらに、電極を
このような低い温度で形成すれば、たとえ、電極をビア
ホール上に設けたとしても、そこに充填されているＡｇ
がＣｕ中に拡散することも防止できる。

【００２２】また、電極の上に膜状回路素子を設ける
と、電極の端部により形成される凹凸により膜状回路素
子の膜厚にばらつきが生じやすく、素子特性にばらつき
が生じるという問題点もあるが、先に膜状回路素子を設
けておけば、膜状回路素子を設ける際にはまだ電極が設
けられていないから、このような問題点も解決できる。

【００２３】なお、厚膜抵抗体等の膜状回路素子をレー
ザトリミングする際には、この膜状回路素子をオーバコ
ートガラスにより被覆した状態でレーザトリミングを行
うことが好ましい。レーザトリミングにおいては、通
常、ＹＡＧレーザを用いるが、オーバコートガラスを用
いることにより、ＹＡＧレーザを吸収しやすくなる。ま
た、オーバコートガラスを用いることによって、レーザ
トリミング時のクラックを抑制することができると共
に、圧縮応力が働くので、抵抗値等の膜状回路素子の特
性を安定させることもできる。また、厚膜抵抗体等の膜
状回路素子を外部環境から保護することもできる。

【００２４】さらに、トリミング後の厚膜抵抗体等の膜
状回路素子のドリフトを抑制すると共に、外部環境から
保護するために、トリミング後に樹脂コートを設けるこ
とが好ましい。

【００２５】

【実施例】次に、添付の図面を参照しながら本発明の実
施例についてさらに詳しく説明する。図１は本発明の低
温焼成多層配線基板の製造方法の第１の実施例を工程毎
に示す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図、図３
は比較例１の低温焼成多層配線の構成を示す平面図、図
４は図３のＩＶ−ＩＶ線断面図、図５は第２の実施例を
工程毎に示す平面図、図６は図５のＶＩ−ＶＩ線断面図
である。

【００２６】本発明の第１の実施例のセラミックス配線
基板は、図１（ｅ）及び図２（ｅ）に示すように、銀ま
たは銀−パラジウム合金の内部配線層１と、ホウケイ酸
ガラスまたは鉛ホウケイ酸ガラス等のガラス粉末６５〜
５５重量％、アルミナ粉末３５〜４５重量％からなるセ
ラミックス組成物に、さらにバインダー、可塑剤及び溶
剤を混合して成膜した絶縁層２とを複数層交互に積層し
た後８００〜１０００℃の温度で焼成することにより形
成した低温焼成多層配線セラミックス基板３上に、絶縁
ガラス（デュポン社製５７０４）層４が設けられてい
る。なお、絶縁層２にはその上下を導通するためのビア
ホール５が設けられており、ビアホール５にも内部配線
層１と同じ銀または銀−パラジウムが充填される。

【００２７】絶縁ガラス層４の両端には銀−パラジウム
または銀−白金からなる枕電極６が絶縁ガラス層４上に
延在して設けられており、枕電極６はビアホール５内の
銀または銀−パラジウムと導通している。絶縁ガラス層
４上には酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７が、その両端
で枕電極６上に延在するように設けられている。

【００２８】また、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７及び
枕電極６を覆って、鉛ホウケイ酸系低融点ガラス（デュ
ポン社製９１３７、焼成温度５１５℃）からなるオーバ
コートガラス８が設けられている。オーバコートガラス
８を設けることにより酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７
に圧縮力が作用してその抵抗値が安定するとともに外部
環境からも保護される。また、オーバコートガラス８は
ＹＡＧレーザ光をよく吸収するので酸化ルテニウム系の
厚膜抵抗体７のトリミングを効率よく行うことができ
る。

【００２９】本実施例のセラミックス配線基板では、酸
化ルテニウム系の厚膜抵抗体７がオーバコートガラス８
の上からＹＡＧレーザによりトリミングパターン９に沿
ってトリミングされ、その抵抗値が調整されている。ま
た、オーバコートガラス８上にはＵＶ樹脂コート（図示
せず）がさらに設けられている。このように樹脂コート
により酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７を被覆すること
によりトリミング後の抵抗値のドリフトを抑制すること
ができるとともに外部環境からも保護することができ
る。

【００３０】本実施例のセラミックス配線基板は、次の
ようにして製造した。

【００３１】まず、図１（ａ）及び図２（ａ）に示すよ
うに、低温焼成多層配線セラミックス基板３上に前記絶
縁ガラスを所定のパターンに塗布して、９〜１１分間８
４５〜８５５℃の温度に保持する時間を含め合計６０分
間かけて焼成し、１０〜２０μｍの厚さの絶縁ガラス層
４を形成した。

【００３２】次に、図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すよ
うに、低温焼成多層配線セラミックス基板３上に銀−パ
ラジウムまたは銀−白金の導体ペーストを絶縁ガラス層
４の両端にその一部が積層するように所定のパターンで
印刷し、空気中で９〜１１分間８４５〜８５５℃の温度
に保持する時間を含め合計６０分間かけて焼成し、５〜
１５μｍの厚さの枕電極６を形成した。

【００３３】次に、図１（ｃ）及び図２（ｃ）に示すよ
うに、絶縁ガラス層４上に酸化ルテニウム系の厚膜抵抗
体７を形成する抵抗体ペーストをその両端が枕電極６上
に延在するように所定のパターンで印刷し、空気中で９
〜１１分間８４５〜８５５℃の温度に保持する時間を含
め合計６０分間かけて焼成し、５〜１５μｍの厚さの酸
化ルテニウム系の厚膜抵抗体７を形成した。

【００３４】次に、図１（ｄ）及び図２（ｄ）に示すよ
うに、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７を覆うように前
記鉛ホウケイ酸系低融点ガラスを塗布して空気中５１０
〜５１５℃の温度で２０分間焼成し、１０〜２０μｍの
厚さのオーバコートガラス８を形成した。

【００３５】次に、図１（ｅ）及び図２（ｅ）に示すよ
うに、オーバコートガラス８の上から酸化ルテニウム系
厚膜抵抗体７をトリミングパターン９に沿ってＹＡＧレ
ーザによりトリミングし、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体
７の抵抗値の調整を行った。

【００３６】前記トリミング後、オーバコートガラス８
上に１０〜２０μｍの厚さのＵＶ樹脂被コート（図示せ
ず）を形成し、本実施例のセラミックス多層配線基板を
完成した。

【００３７】比較のために、図３及び図４に示すよう
に、低温焼成多層配線セラミックス基板３上に、図１及
び図２に示す絶縁ガラス層４を設けることなく、直接酸
化ルテニウム系の厚膜抵抗体７を設けたセラミックス配
線基板を作成した（比較例１）。他の製造条件は本実施
例と同じであった。さらに比較のために、低温焼成多層
セラミックス基板３に代えて、アルミナを用いた多層配
線セラミックス基板を用いて、他の製造条件を本実施例
と同じにしてセラミックス配線基板を作成した（比較例
２）。これらの各場合についてのトリミング条件を表１
に示す。

【００３８】

【表１】

【００３９】本実施例によれば、機械的強度が低い低温
焼成多層配線セラミックス基板３上にレーザトリミング
用の厚膜抵抗体７を形成した場合であっても、ＹＡＧレ
ーザの出力を１．８〜２．５ｗと高く、しかもその幅を
大きくでき、トリミングスピードも８〜４０ｍｍ／ｓｅ
ｃと大きくでき、しかも抵抗値の公差も±１％と低く抑
えることができ、トリミング条件をアルミナを用いた場
合（比較例２）により近づけることができた。また、こ
の条件のトリミングを行っても低温焼成多層配線基板に
はクラックは生じなかった。

【００４０】本発明の第２の実施例のセラミックス配線
基板は、図５（ｅ）及び図６（ｅ）に示すように低温焼
成多層配線セラミックス基板３上に設けられた絶縁ガラ
ス層４の上に酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７が設けら
れ、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７の両端に銅からな
る電極１１が酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７上に延在
して設けられていること以外は、図１（ｅ）及び図２
（ｅ）に示す第１の実施例と同一の構成となっている。

【００４１】前記第２の実施例のセラミックス配線基板
は、次のようにして製造した。まず、図５（ａ）及び図
６（ａ）に示すように、第１の実施例と同様にして低温
焼成多層配線セラミックス基板３を形成し、その上に絶
縁ガラス層４を形成した。

【００４２】次に、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示すよ
うに、絶縁ガラス層４上に酸化ルテニウム系の厚膜抵抗
体７を形成する抵抗体ペーストを所定のパターンで印刷
して積層し、空気中で９〜１１分間８４５〜８５５℃の
温度に保持する時間を含め合計６０分間かけて焼成し、
５〜１５μｍの厚さの酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７
を形成した。

【００４３】次に、図５（ｃ）及び図６（ｃ）に示すよ
うに、酸化ルテニウム系の厚膜抵抗体７上に銅からなる
電極１１を形成する導体ペーストを酸化ルテニウム系の
厚膜抵抗体７の両端上にその一部が延在するように所定
のパターンで印刷し、窒素雰囲気中で６〜８分間５９５
〜６０５℃の温度に保持する時間を含め合計４５分間か
けて焼成し、１０〜２０μｍの厚さの枕電極１１を形成
した。本実施例のセラミックス配線基板では、導体パタ
ーン１１を銀−パラジウムまたは銀−白金導体より抵抗
の小さい銅導体により形成したので、導体パターン１１
を微細に形成することができた。

【００４４】次に、図５（ｄ）及び図６（ｄ）に示すよ
うに、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７を覆うように、鉛
ケイ酸系低融点ガラス（旭ガラス社製５８４０）を塗布
して窒素中５５０〜５８０℃の温度で３０分間焼成し、
１０〜２０μｍの厚さのオーバコートガラス８を形成
し、図５（ｅ）及び図６（ｅ）に示すように、オーバコ
ートガラス８の上から酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７を
トリミングパターン９に沿ってＹＡＧレーザによりトリ
ミングし、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７の抵抗調整を
行った。前記トリミングは、第１の実施例と同一のレー
ザ出力、トリミングスピード条件で行うことができ、抵
抗値の公差も±１．０％に調整することができた。

【００４５】前記トリミング後、オーバコートガラス８
上に１０〜２０μｍの厚さのＵＶ樹脂コート（図示せ
ず）を形成し、本実施例のセラミックス配線基板を完成
した。

【００４６】本実施例のように、まず厚膜抵抗体７を形
成し、その上に電極１１を形成すれば、たとえ電極１１
に不活性又は還元雰囲気中で焼成すべき銅を用いたとし
ても、厚膜抵抗体７には空気中、約８５０℃で焼成でき
る酸化ルテニウム系抵抗材料を用いることができる。そ
の結果、低温焼成多層配線セラミックス基板３の軟化、
内部配線層１の銀の拡散、並びにビアホール５中の銀が
電極１１を形成している銅内に拡散してビアホール５の
上部に空洞が生じることが防止される。

【００４７】また、銅からなる電極１１の形成に先立っ
て酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７を形成することによ
り、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体７は絶縁ガラス層４上
の平坦な面に積層して形成されることになるので、膜厚
のばらつきを低減することができ、抵抗値のばらつきを
低減することができる。

【００４８】

【発明の効果】本発明においては、セラミックス配線基
板上に熱衝撃緩和層または絶縁ガラス層を設け、その上
に厚膜抵抗体等の膜状回路素子を設けることにより、た
とえ、セラミックス配線基板として低温焼成多層配線セ
ラミックス基板を用いたとしても、レーザトリミングを
高速度かつ低公差で行うことができると共に、レーザ出
力の最適範囲も広くなり、素子特性のばらつきも抑制で
きる。

【００４９】また、セラミックス配線基板上に絶縁ガラ
ス層を設け、その上に厚膜抵抗体等の膜状回路素子を設
けることにより、たとえセラミックス配線基板が膜状回
路素子の特性に影響を与える材料を含んでいても、膜状
回路素子に影響が及ぶことはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる低温焼成多層配線基板の製造方
法の第１の実施例を工程毎に示す平面図。

【図２】図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。

【図３】比較例１の低温焼成多層配線の構成を示す平面
図。

【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線断面図。

【図５】本発明に係わる低温焼成多層配線基板の製造方
法の第２の実施例を工程毎に示す平面図。

【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線断面図。

【符号の説明】

１…内部配線層、２…絶縁層、３…低温焼成多層配
線セラミックス基板、４…絶縁ガラス層、５…ビアホ
ール、６…銀−パラジウムまたは銀−白金からなる枕
電極、７…厚膜抵抗体、８…オーバコートガラス、
９…トリミングパターン、１１…銅からなる電極。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックス配線基板上に直接形成され、
該セラミックス配線基板を熱衝撃から保護する熱衝撃緩
和層と、前記熱衝撃緩和層上に設けられた膜状回路素子
と、前記膜状回路素子の両端にそれぞれ接続して設けら
れた電極とを有することを特徴とするセラミックス配線
基板。
【請求項２】請求項１記載のセラミックス配線基板にお
いて、前記熱衝撃緩和層は、前記セラミックス配線基板
直上に形成された絶縁ガラス層であることを特徴とする
セラミックス配線基板。
【請求項３】請求項１または２記載のセラミックス配線
基板において、前記セラミックス配線基板は低温焼成多
層配線セラミックス基板であることを特徴とするセラミ
ックス配線基板。
【請求項４】請求項１または２記載のセラミックス配線
基板において、前記セラミックス配線基板は前記膜状回
路素子の特性に影響を与える材料が含まれているセラミ
ックス配線基板であることを特徴とするセラミックス配
線基板。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミ
ックス配線基板において、前記膜状回路素子が、レーザ
トリミングによりその特性が調整される回路素子である
ことを特徴とするセラミックス配線基板。
【請求項６】請求項５記載のセラミックス配線基板にお
いて、前記膜状回路素子が厚膜抵抗体であることを特徴
とするセラミックス配線基板。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載のセラミ
ックス配線基板において、前記電極が酸化雰囲気中で焼
成できる金属から成り、前記電極上に前記膜状回路素子
が設けられていることを特徴とするセラミックス配線基
板。
【請求項８】請求項１乃至６のいずれかに記載のセラミ
ックス配線基板において、前記電極が不活性または還元
雰囲気中で焼成する金属から成り、前記膜状回路素子上
に前記電極が形成されていることを特徴とするセラミッ
クス配線基板。
【請求項９】セラミックス配線基板上に該セラミックス
配線基板を熱衝撃から保護する熱衝撃緩和層を直接設け
る工程と、前記熱衝撃緩和層上に膜状回路素子を設ける
工程と、前記膜状回路素子の両端にそれぞれ接続する電
極を設ける工程と、前記膜状回路素子をレーザトリミン
グする工程とを有することを特徴とするセラミックス配
線基板の製造方法。
【請求項１０】請求項９記載の製造方法において、前記
熱衝撃緩和層は、絶縁ガラス層であることを特徴とする
セラミックス配線基板の製造方法。