JPS644326B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （発明の目的） （産業上の利用分野） 本発明は抵抗体の両端に電極を無電解メツキに
より形成するチツプ抵抗器の製造方法に関する。

（従来の技術） 従来のこの種のチツプ抵抗器は、第１図に示す
ように、円柱状セラミツク抵抗素子１の表面に抵
抗被膜２を形成し、この素子１の両端にキヤツプ
電極３を圧入嵌着し（第１図ａ）、次いでキヤツ
プ電極３間の抵抗被膜２に抵抗値調整用の螺旋溝
４を形成し（第１図ｂ）、さらに抵抗被膜２の表
面に保護膜５を形成する（第１図ｃ）方法が採ら
れていた。このような方法で製造された抵抗器
は、キヤツプ電極３により形状が大きくなり、重
量も重く、小形化、軽量化の障害となり、またキ
ヤツプ電極３の肉厚によりプリント基板に搭載し
た際、段差が生じ、仮接着が不安定になり、さら
に全体を半田層に浸漬して半田付けするとき、キ
ヤツプ電極３内に気泡があると、キヤツプ電極３
と抵抗被膜２との接触不良の原因となり、キヤツ
プ電極３が抜け外れ易い問題を有している。

またチツプ抵抗器とて、例えば、第２図に示す
ように、円柱状セラミツクチツプ素子１に抵抗被
膜２を形成し、この素子１の両端電極形成部６間
の抵抗被膜２が露出する中間部７にレジスト８を
形成し（第２図ａ）、次いで、この素子１の表面
全体を活性化処理を施し（第２図ｂ）、さらにこ
の素子１に無電解メツキを施して両端電極部６に
電極３を形成し（第２図ｃ）、次いで、無電解メ
ツキにより電極形成部６に電極１０を形成する際
に両端電極１０間の中間部７のレジスト８に形成
されたメツキ層１１を除去するために、溶剤によ
りレジスト８を溶解して抵抗被膜２を露出させ、
次いで露出された抵抗被膜２に螺旋溝４を形成し
てこの抵抗被膜２の抵抗値を調整し、さらに両端
電極１０部を除いて露出された抵抗被膜２を保護
膜１２で被覆する（第２図ｄ）方法が採られてい
た。

さらに特公昭57―14561号公報に記載されてい
るように、絶縁基板に電極を形成し、この両端電
極間に抵抗被膜を形成し、この抵抗被膜の表面に
メツキに対するレジストを形成してから無電解メ
ツキにて両端電極にメツキを形成し、次いで、無
電解メツキされたレジストを除去する第２図に示
す方法と同様な方法が知られている。

また、特開昭54―26457号公報に記載されてい
るように、絶縁基板の表面に電極と抵抗皮膜を形
成し、次に抵抗皮膜上に保護膜を形成し、次に絶
縁基板の全表面に耐酸性レジストを形成し、次に
絶縁基板を短冊状に切断し、次のこの短冊状基板
に活性化処理を施し、次に短冊状基板の耐酸性レ
ジストを活性化層とともに溶解除去し、次に短冊
状基板に無電解メツキを施して短冊状基板の分割
面から電極にかけて金属層を形成する方法が知ら
れている。

（発明が解決しようとする問題点） 前記第２図に示す方法、または特公昭57―
14561号公報に記載の方法では、無電解メツキに
際して、電極以外の部分にメツキが形成されない
ように、レジストを形成しているため、このレジ
ストを除去する必要があり、製造工程数が多くな
り、また、レジストを剥離する際に抵抗被膜を傷
付け、抵抗被膜の劣化が生じ易く、さらに、レジ
ストの表面が活性化されていると、無電解メツキ
によりレジスト上にもメツキが施され、レジスト
を剥離しても、抵抗被膜の表面に斑点状の金属が
残留し、抵抗値が安定されず、また残留金属と電
極との間でスパークし雑音発生等品質低下の原因
となる等の問題を有している。

また、特開昭54―26457号公報に記載の方法で
も短冊状基板の表裏面に形成されたレジストを除
去する工程が必要で製造工程数が多く、しかも短
冊状基板の無電解メツキに先立つてレジストを溶
解除去するための洗浄によつて、無電解メツキが
必要な部分の活性化処理効果が低減し、無電解メ
ツキによる均一な金属層の形成が困難となり、電
極の信頼性が低く、品質低下の原因となる問題を
有している。

本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、電
極を無電解メツキで形成する際に、電極形成部以
外の部分に形成するレジストを剥離する工程を必
要とせず、製造工程数を低減し、抵抗値が安定
し、品質を向上でき、安価にチツプ抵抗器を製造
できるチツプ抵抗器の製造方法を提供するもので
ある。

（発明の構成） （問題点を解決するための手段） 本発明のチツプ抵抗器の製造方法は、抵抗被膜
を形成したチツプ抵抗体またはソリツド抵抗体の
表面に活性化処理を施し、この表面を活性化処理
した抵抗体の表面に両端電極形成部を残してこの
両電極形成部間の中間部に合成樹脂からなる被覆
膜を形成し、この被覆膜を形成した抵抗体に無電
解メツキを施して前記電極形成部に電極を形成
し、抵抗体の両端に電極を有するとともにこの電
極間を前記被覆膜にて被覆したチツプ抵抗器を製
造することを特徴とするものである。

（作用） 本発明のチツプ抵抗器の製造方法は、抵抗体の
表面に活性化処理を施し、次いで、この抵抗体の
両端部の活性化された電極形成部を除いてこの電
極形成部間の活性化されている中間部に合成樹脂
からなる被覆膜を形成し、次いで、無電解メツキ
を施して活性化された電極形成部に電極を形成
し、この電極間に形成されている被覆膜を除去す
ることなく、抵抗体の両端に無電解メツキによる
電極を有するチツプ抵抗器を製造できる。

（実施例） 本発明のチツプ抵抗器の製造方法の一実施例を
図面第３図に就いて説明する。

円柱形状のセラミツクチツプ素子１の表面全体
に蒸着または熱分解法によりNi、Ｃなどの抵抗
被膜２を形成してチツプ抵抗体１′を形成する
（第３図ａ）。

次いで、前記抵抗体１′を塩化第１錫水溶液と
塩化パラジウム水溶液に順次浸漬することにより
活性化処理１３を施す（第３図ｂ）。

次いで、抵抗体１′の両端部に活性化された電
極形成部１４を残してこの電極形成部１４間の抵
抗被膜２が露出されて活性化されている中間部１
５の表面にエポキシ系塗料などの合成樹脂塗料を
塗布して130℃で30分焼成し、電極形成部１４間
の露出された抵抗被膜２の表面に被覆膜１６を形
成する（第３図ｃ）。

次いで、被覆膜１６を形成した抵抗体１′全体
を無電解メツキ浴に浸漬して被覆膜１６にて被覆
されていない両端電極形成部１４の活性化処理面
にNi、Cuなどの電極１７をそれぞれ形成する
（第３図ｄ）。このとき両端電極形成部１４間の中
間部は被覆膜１６によつて活性化処理面が被覆さ
れているため、抵抗被膜２にはメツキが形成され
ない。

次いで、被覆膜１６上からチツプ素子１の表面
が露出するように、電極１７間の中間部１５の被
膜抵抗２に螺旋状の溝１８を形成して抵抗値を調
整する（第３図ｅ）。

さらに被覆膜１６にエポキシ系塗料などの合成
樹脂塗料を塗布して130℃で30分焼成し、表面に
保護膜１９を形成する（第３図ｆ）。

このようにして無電解メツキにより電極を形成
する際に、活性化されている抵抗被膜２にメツキ
が形成されないように被覆した被覆膜１６を剥離
することなく、チツプ抵抗器が製造できる。

前記実施例では、チツプ素子１に抵抗被膜２を
形成して抵抗体１′を形成した方法について説明
したが、ソリツド抵抗素子にて抵抗体１′を形成
することもできる。

（発明の効果） 本発明によれば、チツプ抵抗体の両端電極形成
部に無電解メツキにより電極を形成する際、抵抗
体の全面が活性化処理されていても、被覆膜によ
り電極形成部以外はメツキが形成されず、被覆膜
を剥離する必要がなく、従来のように両端電極間
の合成樹脂被覆膜即ちメツキに対するレジストを
剥離する必要がなく、製造工程数を低減でき、製
造が容易となり、また両端電極間の合成樹脂被覆
膜を剥離しないからレジストを剥離する場合のよ
うに抵抗被膜などの抵抗部の表面を傷付けたり、
剥離するおそれがなく、また被覆膜は活性化処理
されずメツキされないから、メツキの金属が残留
して抵抗値が不安定になつたり、電極との間でス
パークを発生して雑音の原因となるようなことも
なく、安定した抵抗値のチツプ抵抗器を安価に製
造でき、品質を向上できるとともに歩留りを高め
られ、また抵抗体に残存した活性化物質が抵抗値
に影響を及ぼすことがないものである。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のチツプ抵抗器の製
造方法を示す工程説明断面図、第３図は本発明の
一実施例のチツプ抵抗器の製造工程を示す説明断
面図である。 １′……チツプ抵抗体、１４……電極形成部、
１５……中間部、１６……被覆膜、１７……電
極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ チツプ抵抗体の表面に活性化処理を施し、こ
   の表面を活性化処理した抵抗体の表面に両端電極
   形成部を残してこの両電極形成部間の中間部に合
   成樹脂からなる被覆膜を形成し、この被覆膜を形
   成した抵抗体に無電解メツキを施して前記電極形
   成部に電極を形成し、抵抗体の両端に電極を有す
   るとともにこの電極間を前記被覆膜にて被覆した
   チツプ抵抗器を製造することを特徴とするチツプ
   抵抗器の製造方法。