JPS603104A - チツプ抵抗器の製造方法 - Google Patents
チツプ抵抗器の製造方法Info
- Publication number
- JPS603104A JPS603104A JP11168283A JP11168283A JPS603104A JP S603104 A JPS603104 A JP S603104A JP 11168283 A JP11168283 A JP 11168283A JP 11168283 A JP11168283 A JP 11168283A JP S603104 A JPS603104 A JP S603104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip resistor
- electrode
- forming
- film
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、チップ抵抗器のｔ、ｄ遣方法に係り、チップ
抵抗体に電極を形成する方法に関する。
抵抗体に電極を形成する方法に関する。
従来のチップ抵抗器の製造方法な矛１図、才２図につい
て説明する。矛１図ａ〜Ｃはキャップ電極を嵌着する方
法で、ａ；円柱状セラミックチップ基体（１）の表面全
体に抵抗皮膜（２＋を形成し、両端にキャップ電極（３
）を圧入嵌着する。ｋ；抵抗皮膜（２）に抵抗値調整用
の辱旋詐【４）を形成する。Ｃ；抵抗皮膜（２）の表面
に保護膜（５）を形成する。矛１図の方法によるときは
、別部材のキャップＴＲ創３１を嵌着する１こめキャッ
プ電極（３）の分だけ形状が大きくなり、また重量も重
（なり小型化、軽量化がはかれない。キャップ電極（３
）が肉厚のためプリント基板に搭載時に段差が生じ仮接
着が不安定になる。
て説明する。矛１図ａ〜Ｃはキャップ電極を嵌着する方
法で、ａ；円柱状セラミックチップ基体（１）の表面全
体に抵抗皮膜（２＋を形成し、両端にキャップ電極（３
）を圧入嵌着する。ｋ；抵抗皮膜（２）に抵抗値調整用
の辱旋詐【４）を形成する。Ｃ；抵抗皮膜（２）の表面
に保護膜（５）を形成する。矛１図の方法によるときは
、別部材のキャップＴＲ創３１を嵌着する１こめキャッ
プ電極（３）の分だけ形状が大きくなり、また重量も重
（なり小型化、軽量化がはかれない。キャップ電極（３
）が肉厚のためプリント基板に搭載時に段差が生じ仮接
着が不安定になる。
全体を半田槽に浸けて半田付されるとき、キャップ電極
（３）内に気泡があると、キャップ電極（３１が抜げ出
したりして、Ｊ妾触不良の原因となる。また小型化、＠
量化をはかったものとして矛２０に示すメッキ電極によ
る方法がある。この方法は、α；円円柱形セラミツクチ
ツブシ体ｉｌｌに抵抗皮膜（２）を形成し、両端の電極
形成部（６）を除いて抵抗形成部（７）に合成樹脂被覆
膜（８）を形成・する。ｂ；全体に活性化処理を施す。
（３）内に気泡があると、キャップ電極（３１が抜げ出
したりして、Ｊ妾触不良の原因となる。また小型化、＠
量化をはかったものとして矛２０に示すメッキ電極によ
る方法がある。この方法は、α；円円柱形セラミツクチ
ツブシ体ｉｌｌに抵抗皮膜（２）を形成し、両端の電極
形成部（６）を除いて抵抗形成部（７）に合成樹脂被覆
膜（８）を形成・する。ｂ；全体に活性化処理を施す。
Ｃ：全体に無電解メッキを施し電極形成ｓ］６）に電極
（１０１を形成するとこへ一目庫＆逼拵七４被覆膜（８
）上にもメッキ層１１１）が形成される。
（１０１を形成するとこへ一目庫＆逼拵七４被覆膜（８
）上にもメッキ層１１１）が形成される。
ｄ；抵抗形成部（７）上に形成されたメッキ層■な除去
するために被覆膜（８）を溶剤により溶解して抵抗皮膜
（２）を露出させ、甥旋溝（４）を形成して抵抗皮膜（
２）の抵抗値を調整し、電極ａＯ）以外を保ＥＩ Ｎ
１ｘ２）で被グする。１・２図に示す方法によるときは
、工程数が多（なり複雑になる。特にσ）の保箇膜剥離
には被覆膜（８）の溶解に時間がかかり、着面のメッキ
層［１１１が残り易−（、無理に剥すと下の抵抗皮膜（
２）が汚れたり傷んだりして抵抗皮膜（２）の劣化をま
ね（等の問題がある。
するために被覆膜（８）を溶剤により溶解して抵抗皮膜
（２）を露出させ、甥旋溝（４）を形成して抵抗皮膜（
２）の抵抗値を調整し、電極ａＯ）以外を保ＥＩ Ｎ
１ｘ２）で被グする。１・２図に示す方法によるときは
、工程数が多（なり複雑になる。特にσ）の保箇膜剥離
には被覆膜（８）の溶解に時間がかかり、着面のメッキ
層［１１１が残り易−（、無理に剥すと下の抵抗皮膜（
２）が汚れたり傷んだりして抵抗皮膜（２）の劣化をま
ね（等の問題がある。
本発明は上述の問題に鑑み、チップ抵抗体表面の全面に
活性化処理を施し次に両端部に電極形成部を残して中間
部に合成樹脂よりなる被覆膜を形成し、次に無電解メッ
キを施すと被覆膜は活性化処理がなされていないのでメ
ッキはされず、被覆膜が形成されていない前記電極形成
部にのみ電極が形成される。このようにして抵抗が形成
される中間部にはメッキが施されないようにして、中間
部からメッキを剥１（［Ｆする工程を省き、工程を簡易
化するとともにメッキの剥船に伴う抵抗体表面の損δを
防止しようとするものである。
活性化処理を施し次に両端部に電極形成部を残して中間
部に合成樹脂よりなる被覆膜を形成し、次に無電解メッ
キを施すと被覆膜は活性化処理がなされていないのでメ
ッキはされず、被覆膜が形成されていない前記電極形成
部にのみ電極が形成される。このようにして抵抗が形成
される中間部にはメッキが施されないようにして、中間
部からメッキを剥１（［Ｆする工程を省き、工程を簡易
化するとともにメッキの剥船に伴う抵抗体表面の損δを
防止しようとするものである。
本発明は、チップ抵抗体の着面全面に活性化処理を施し
次に両ｉｊ ｆＡに電イ歳形成部を残して中間部に合成
樹脂よりなる被卸ルＮを形成し、次に無電解メッキを施
して活性化処理された前記電極形成部に電極を形成し、
被）］膜で被覆され１こ中間部にはメッキが飾されない
ようにしたものである。
次に両ｉｊ ｆＡに電イ歳形成部を残して中間部に合成
樹脂よりなる被卸ルＮを形成し、次に無電解メッキを施
して活性化処理された前記電極形成部に電極を形成し、
被）］膜で被覆され１こ中間部にはメッキが飾されない
ようにしたものである。
本発明のＳ′Ｌ造方法の一例をｊ−う図について説明す
る。
る。
（１）円柱形セラミツクチツブシ、′：体（１）の両Ｎ
Ｍ面を除く表面全面に蒸着や熱分解法によりＮｉ、ｃ等
の抵抗皮＠（２）を形成してチップ抵抗体（１）を形成
する。
Ｍ面を除く表面全面に蒸着や熱分解法によりＮｉ、ｃ等
の抵抗皮＠（２）を形成してチップ抵抗体（１）を形成
する。
（２） 抵抗体ｆｉｌを塩化矛１銭水溶液と塩化パラジ
ウム水溶液に順次浸漬することにより活性化処理０３を
施す。−一−−−−−−〜４ （３）抵抗体（１）の両端部に電極形成部（（（イ）を
残して抵抗が形成される中間部（１５１の表面に合成樹
脂塗料（エポキシ系塗料）を塗布して１１０Ｃで５０分
焼成し中間部（１５）に被ａ ｉ （１６）を形成する
。〜−−−−−−−−ｃ（４） 全体を無電解メッキ浴
に浸漬して被覆膜（ｌθＣ被覆されない電極形成５（１
６’＋の活性化処理面にＮｉ、Ｃｕ等の電極（１ηを形
成する。、−−−−−−−−−４このとき中間部σ９は
被娯膜（１６１によって活性化処理面が椋４ユされてい
るからメッキされない。
ウム水溶液に順次浸漬することにより活性化処理０３を
施す。−一−−−−−−〜４ （３）抵抗体（１）の両端部に電極形成部（（（イ）を
残して抵抗が形成される中間部（１５１の表面に合成樹
脂塗料（エポキシ系塗料）を塗布して１１０Ｃで５０分
焼成し中間部（１５）に被ａ ｉ （１６）を形成する
。〜−−−−−−−−ｃ（４） 全体を無電解メッキ浴
に浸漬して被覆膜（ｌθＣ被覆されない電極形成５（１
６’＋の活性化処理面にＮｉ、Ｃｕ等の電極（１ηを形
成する。、−−−−−−−−−４このとき中間部σ９は
被娯膜（１６１によって活性化処理面が椋４ユされてい
るからメッキされない。
（５）被覆Ｆｆｉ （１６１上より基体（１）の吹回が
露出するように中間部ａ９に喰旋状の溝（田を形成して
抵抗値を調整する。−−−−−−−−−ｇ （６）被覆膜１ｅに合成樹脂塗料（エポキシ系塗料）を
塗布して１３０Ｃう０分畑成し、表面に保Ｅ：４ Ｆ！
＠（１１を形成する。−一−−−−−−−ｆ尚以上は′
チップ抵抗体（１１が基体（１）上に抵抗皮膜（２）を
形成したものについて説明したが、チップ抵抗体（１１
がソリッド抵抗体の埋合も同様である。
露出するように中間部ａ９に喰旋状の溝（田を形成して
抵抗値を調整する。−−−−−−−−−ｇ （６）被覆膜１ｅに合成樹脂塗料（エポキシ系塗料）を
塗布して１３０Ｃう０分畑成し、表面に保Ｅ：４ Ｆ！
＠（１１を形成する。−一−−−−−−−ｆ尚以上は′
チップ抵抗体（１１が基体（１）上に抵抗皮膜（２）を
形成したものについて説明したが、チップ抵抗体（１１
がソリッド抵抗体の埋合も同様である。
本発明によれば、チップ抵抗体の表面全面に活性化処理
を施し、次に両端部に電極形成部を残して中間部に合成
樹脂よりなる被覆膜を形成し、次に無電解メッキを施し
て前記被）ゴ脆で被ワされない電極形成部に電極を形成
したから、活性化処理面が被覆膜で被覆された中間部に
はメッキが施されず、このため抵抗が形成される中間部
から被覆膜を除去する必要がない。したがって従来のメ
ッキ電極法の抵抗部の表面から被わ下膜を除去する煩雑
な工程を省き製造工程を簡易化することができる。また
被覆膜の除去に際して生ずる抵抗部着面の汚れや傷の発
生がないから、不良品を少なくすることができる。
を施し、次に両端部に電極形成部を残して中間部に合成
樹脂よりなる被覆膜を形成し、次に無電解メッキを施し
て前記被）ゴ脆で被ワされない電極形成部に電極を形成
したから、活性化処理面が被覆膜で被覆された中間部に
はメッキが施されず、このため抵抗が形成される中間部
から被覆膜を除去する必要がない。したがって従来のメ
ッキ電極法の抵抗部の表面から被わ下膜を除去する煩雑
な工程を省き製造工程を簡易化することができる。また
被覆膜の除去に際して生ずる抵抗部着面の汚れや傷の発
生がないから、不良品を少なくすることができる。
才１図、牙２図は夫々従来のチップ抵抗器の製造工程説
明図、牙う図は本発明の一実旙例を示す製造工程説明図
である。 （１）・・チップ抵抗体、（１４）・（Ｉ形成部、（１
９・・中間部、 （１ηφ・電極。 １ 手続補正書（自発） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １・事件ノ表示 昭和５８年特許願牙１１１６８２号２
、発明の名称 チップ抵抗器の製造方法３８ 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 興亜電工株式会社 ４、代理人 〒１６０東京都新宿区新宿４丁目３番２２号（安藤ビル
１乙 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の・
瀾７補正の内容 （１）明細科矛５頁矛１０行から矛１１行に１両端面を
除く」とあるを、削除する。 昭和５８年７月２０日 特許出願人 興亜電工 件式金比
明図、牙う図は本発明の一実旙例を示す製造工程説明図
である。 （１）・・チップ抵抗体、（１４）・（Ｉ形成部、（１
９・・中間部、 （１ηφ・電極。 １ 手続補正書（自発） 特許庁長官 若杉和夫 殿 １・事件ノ表示 昭和５８年特許願牙１１１６８２号２
、発明の名称 チップ抵抗器の製造方法３８ 補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 興亜電工株式会社 ４、代理人 〒１６０東京都新宿区新宿４丁目３番２２号（安藤ビル
１乙 補正の対象 明細書中「発明の詳細な説明」の・
瀾７補正の内容 （１）明細科矛５頁矛１０行から矛１１行に１両端面を
除く」とあるを、削除する。 昭和５８年７月２０日 特許出願人 興亜電工 件式金比
Claims (1)
- （１）チップ抵抗体の表面全面に活性化処理を施し、次
に両端部に電極形成部を残して中間部に合成樹脂よりな
る被Ｏ膜を形成し、次に無電資メッキを施して前記電極
形成部に電極を形成することを特徴とするチップ抵抗器
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11168283A JPS603104A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | チツプ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11168283A JPS603104A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | チツプ抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603104A true JPS603104A (ja) | 1985-01-09 |
| JPS644326B2 JPS644326B2 (ja) | 1989-01-25 |
Family
ID=14567502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11168283A Granted JPS603104A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | チツプ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603104A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124502A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | 正和産業株式会社 | 炭素皮膜固定抵抗器の製造法 |
| JPH081386U (ja) * | 1985-02-15 | 1996-09-13 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | チップ抵抗器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426457A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making tip resistor |
| JPS5714561A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-25 | Hiroyuki Nohira | Optical resolution of 1-phenyl-2- p-tolyl ethylamine |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP11168283A patent/JPS603104A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5426457A (en) * | 1977-07-29 | 1979-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of making tip resistor |
| JPS5714561A (en) * | 1980-06-30 | 1982-01-25 | Hiroyuki Nohira | Optical resolution of 1-phenyl-2- p-tolyl ethylamine |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081386U (ja) * | 1985-02-15 | 1996-09-13 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | チップ抵抗器 |
| JPS63124502A (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-28 | 正和産業株式会社 | 炭素皮膜固定抵抗器の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS644326B2 (ja) | 1989-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1042557A (en) | Conduction system for thin film and hybrid integrated circuits | |
| JPS63169014A (ja) | チツプコンデンサ−の外部電極端子の形成方法 | |
| JPS603104A (ja) | チツプ抵抗器の製造方法 | |
| JPH07192924A (ja) | 巻線部品のフェライトコア | |
| JPH01289231A (ja) | リードレスチップ部品の製造方法 | |
| JPH0888104A (ja) | チップ状電子部品とその製造方法 | |
| JPH02256222A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2000340596A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0620885A (ja) | チップ状固体電解コンデンサ | |
| JP2554951B2 (ja) | 硬銅製ジャンパー軸部材を有するチップ型ジャンパー部品およびその製造方法 | |
| JPH07312304A (ja) | 過負荷溶断形抵抗器 | |
| JP2614529B2 (ja) | チップ型ジャンパー部品の製造方法 | |
| JPH0217603A (ja) | チップ部品及びその製造方法 | |
| JPS63127501A (ja) | 過負荷溶断形抵抗器 | |
| JPH0661008A (ja) | サーミスタ素子の製造方法 | |
| JPH04119622A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| DE19518659A1 (de) | Verfahren zum Verbinden eines elektrischen Anschlußes eines unverpackten IC-Bauelements mit einer Leiterbahn auf einem Substrat | |
| JPH04251910A (ja) | チップ部品の外部電極製造方法 | |
| JPH02178910A (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサーの製造方法 | |
| JPH06325974A (ja) | 電子部品の電極形成方法 | |
| JPS60116108A (ja) | リ−ドレス型円筒形金属皮膜抵抗器の製造方法 | |
| JPH04119625A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH05152171A (ja) | チツプ状固体電解コンデンサ | |
| JPH02220401A (ja) | 半導体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPS5849006B2 (ja) | リ−ドレス円柱形チップ状電子部品の製造法 |