JPS63127501A

JPS63127501A - 過負荷溶断形抵抗器

Info

Publication number: JPS63127501A
Application number: JP27378986A
Authority: JP
Inventors: 伊藤　康則; 栄治河野; 細川　善右エ門; 泰宏進藤
Original assignee: Satosen Co Ltd; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Satosen Co Ltd; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1986-11-17
Filing date: 1986-11-17
Publication date: 1988-05-31
Anticipated expiration: 2011-10-09
Also published as: JP2542201B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は民生用機器、産業用機器等に広く使われている
過負荷溶断形抵抗器に関するもので、その目的は過電流
が流れた時に抵抗皮膜自体の自己発熱により速やかに溶
断するものを提供することにある。

従来の技術及びその問題点近年、装置の小形化、低電力化の要請に伴い、過負荷溶
断形抵抗器には、異状時における印加電力が定格電力に
対し低倍率であっても、電流を遮断できることが要求さ
れている。

従来、この種の過負荷溶断形抵抗器には、（１）金属皮
膜、金属酸化物皮膜またはカーボン皮膜等の一般抵抗皮
膜上に低融点ガラスペーストを塗布したもの、（２）抵抗皮膜とそれを支持或いは保護している材料の
熱膨張係数の差を利用したもの、（３）部分的に電流通
路を狭くして熱集中化を起こし溶断させるもの、（４）溶断形抵抗皮膜を使用するもの等がある。

しかし、これらの従来の抵抗器にあっては、定格電力の
例えば４〜５倍程度の低倍率で溶断させることは一般に
困難である。このため、上記（４）のタイプの抵抗器に
おいて改良が試みられており、定格電力の４〜５倍の低
倍率の印加重力で溶断するものも開発されているが、抵
抗皮膜材料の溶断温度が低くなりすぎ、はんだ付、取付
時等の外部からの熱により溶断することがあるという問
題点を有する。

問題点を解決するための手段本発明者は、これら問題点を解消すべく、定格電力の４
〜５倍程度の印加電力により安定かつ正確に溶断して電
流を遮断できると共に、外部からの熱の作用を受は難い
過負荷溶断形抵抗器を開発すべく、鋭意研究を重ねた。

その結果、絶縁基体表面に、Ｃｕを０．１〜５　Ｑ　ｗ
　ｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を備え
、抵抗皮膜の一部分または全体を覆うように熱軟化性樹
脂層が形成され、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶縁物
で覆われた構造を有する過負荷溶断形抵抗器は、定格電
力の４〜５倍程度の低倍率の電力で溶断すると共に、上
記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層の存在により外部からの
熱影響に耐え、例えばはんだディップ時の熱等によって
も溶断することがないことを見出し、本発明を完成する
に至った。

即ち、本発明は、絶縁基体表面に、Ｃｕを０．１〜５０
ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を備え
、抵抗皮膜の一部分または全体を覆うように熱軟化性樹
脂層が形成され、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶縁物
で覆われた過負荷溶断形抵抗器を提供するものである。

以下、本発明の実施態様を示す添付図面を参照しつつ、
本発明を説明する。

第１図は、本発明の実施態様に係る抵抗器の一部を示す
断面図である。まず、第１図において、（１）は、絶縁
基体であって、これは、この分野で通常使用されている
磁器等の材料から成る。その寸法、形状は、目的とする
抵抗器の定格電力等により適宜決定されるが、典型的に
は、例えば、直径１．　７〜４．　５ｍｍ、長さ５．　
５〜１４．　０ｍｍの円柱状磁器が例示される。かかる
絶縁基体は、常法に従い、粗化、脱脂等の通常行なわれ
る処理を施して使用する。

本発明の一実施態様においては、前記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ
合金皮膜層を設けるに当り、まず、Ｓ　ｎ　ｓ　Ａ　ｇ
又はＰｄからなる活性化処理層（２）を設け、次いで第
２層としてＡｇ又はＳｎ層、これらの混合体層又はこれ
らの積層体層（３）を下地層として設け、この下地層（
３）上に前記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を電気メツキ
法により設ける。

上記第１層たるＳｎ、Ａｇ又はｐｂからなる活性化処理
層（２）は、絶縁基体（１）ヒに一ヒ記下地層（３）を
施すために前処理として施されるものである。尚、乾式
法により下地層（３）を形成させる場合には、活性化処
理層（２）の形成は必ずしも必要ではない。該活性化処
理層（２）は、例えば、上記粗化、脱脂等の処理を行な
った絶縁基体（１）を塩化第１錫溶液に浸漬して感受性
を付与し活性化することにより形成するか、又は、この
ような湿式法の代りに蒸着法、スパッタリング法等の乾
式法による活性化処理によって、Ｓｎ層、Ａｇ層又はＰ
ｄ層を形成することも可能である。かかる活性化処理層
（２）の厚さないし金属付着世は、下地層（３）形成の
ための活性化に足る厚さないし量とすればよい。

かかる活性化処理層（２）により活性化後、Ａｇ又はＳ
ｎ層又はそれらの混合体層又はこれらの積層体層が下地
層（３）として形成される。該下地層（３）は、次の如
き条件を満足するものである。

ａ）電気不導体である絶縁基体（１）の表面に電気伝導
性を与えて、後のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金めっきの際の陰
極としてめつき被着を可能ならしめること、そして、そ
のためには好ましくは、１５Ω・ＣＵＪ以下の電気抵抗
値であること。

ｂ）過熱によりＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜が溶融する際
に、初期の導通を失い、抵抗値が無限大になること、そ
して、そのためには下地層の厚さは薄いこと（１μｍ厚
以下）。

ｃ）Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層に拡散、混合し易いか
表面のなじみが良好であること。つまり、絶縁基体（１
）との密着性が実用上支障ない程度に維持されるが、Ｓ
ｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜が溶融時、凝集することを妨げ
ない程度であること。

本発明において、下地層（３）の厚さは、抵抗値で０．
１〜１５Ω・ｃａ＋程度、好ましくは０．７〜７Ω・ｃ
ｒｆｉ程度とされる。下地金属としては、膜厚が薄くな
ければならないという条件を考慮すると、Ａｇ層が好ま
しい。

下地層（３）は、銀鏡法、無電解めっき法等の湿式法又
は気相めっき法、イオンめっき法、スパッタリング法、
蒸着法等の乾式法により形成される。これらのうちでも
、合金化後の皮膜特性の観点から銀鏡法が最も好ましい
。銀鏡法は、Ａｇイオンを含む１液と還元剤を含む■液
とを用い、絶縁基体（１）の表面上で１液と■液とが混
合接触するように１液と■液とを別個のノズルから同時
にスプレーする方法、スプレーする直前にＩ液と■液と
を混合して１本のノズルからスプレーする方法、■液と
■液を混合した溶液に絶縁基体（１）を浸漬する方法等
により行なわれる。■液と■液の組成は、いずれも公知
のものが使用でき、例えば、下記第１表に示すものを挙
げることができるが、適宜組成を変更したり、還元剤を
変更することもできる。又、場合によっては、下記第２
表、第３表に示すように、３種又は４種の保存液を事前
に混合することもできる。

第　　１　　表第　　２　　表第　　３　　表また、ＡｇとＳｎの混合体の層を形成するには、Ａｇと
Ｓｎとの合金めっきを被着させればよく、また、これら
の積層体の層を被着させるには、上記の銀鏡法と無電解
めっき法を任意の順序で連続して繰返せばよい。

こうして得られた下地層（３）の上には、第３層のＳｎ
−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）が形成される。該Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）は、該Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合
金皮膜重量に対しＣｕを０．１〜５０　ｗ　ｔ％程度、
好ましくは、６〜２０ｗｔ％程度含有しており、残部Ｓ
ｎ及びｐｂからなるものであって、Ｓｎとｐｂとの割合
は、Ｓｎ９８〜１０　ｗ　ｔ％に対しＰ　ｂ　２〜９０
　ｗ　ｔ％、好ましくはＳｎ８０〜４０ｗｔ％に対しＰ
ｂ２Ｏ〜６０ｗｔ％、より好ましくはＳｎ６５〜５５ｗ
ｔ％に対しＰｂ３５〜４５　ｗ　ｔ％である。上記Ｃｕ
含量がＱ、１ｗｔ％を下回る場合は、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ
合金皮膜層の溶断温度を上昇させ、外部からの熱に対す
る耐性を向上させるのに充分ではない場合が多く、一方
、Ｃｕ含量を５　Ｑ　ｗ　ｔ％以上とすることは、通常
、条件的に安定性に欠ける点で好ましくない。該Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）の厚さは、目的とする抵抗
器の形状、定格電力等によっても変り得るが、通常は、
抵抗値で１０〜１２０ｍΩ程度の範囲とすればよい。

上記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）は、通常、前記
下地層（３）を酸により処理し、次いで下地層（３）を
備えた基体（１）を陰極として、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金
めつき浴中で電解めっきを施すことにより形成される。

上記酸としては、例えば、硫酸又はアルカノールスルホ
ン酸、アルカンスルホン酸等の有機スルホン酸等の有機
酸又はホウフッ化水素酸が特に好ましく、例えば硫酸１
００ｇ／Ｑ程度の水溶液、又はホウフッ化水素酸（３０
〜５０％）の３０　ｍＱ／Ｑ　〜２００　ｍＱ／Ｑ程度
の水溶液に短時間浸漬することにより酸処理を行なえば
よい。

上記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金めっき浴の浴組成としては、
例えば、Ｓｎ　”　２〜２５ｇ／Ｇ！程度、Ｐｂ　”　
２〜２７ｇ／Ｑ程度、Ｃｕ”＋０．２〜３ｇ／Ｑ程度、
Ｈ＋８０〜１３０ｇ／Ｑ程度及び打機添加剤４〜３０ｇ
／９程度を含有するものが使用できる。特に、Ｓｎ２＋
、Ｐｂ２＋、Ｃｕ２＋はホウフッ化水素酸塩又は有機酸
塩の形態であるのが好ましい。Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｃ
ｕ２＋がホウフッ化水素酸塩の形態である場合、Ｈ＋が
ホウフッ化水素酸であり、有機添加剤としてはペプトン
、ゼラチン、にかわ等を用いるのが好ましい。Ｓｎ　”
”、Ｐｂ　”、Ｃｕ　”十が有機酸塩の形態である場合
、Ｈ＋が同じ有機酸であり、有機添加剤としてはホルマ
リン等を用いるのが好ましい。上記有機酸としては、各
種のものが使用できるが、アルカノールスルホン酸、ア
ルカンスルホン酸等の有機スルホン酸が特に好ましく使
用できる。上記Ｓ　ｎ　２＋、Ｐｂ２＋、Ｃｕ　２＋の
濃度は、所望のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金の組成に応じて適
宜調整すればよい。めっき方式としては、通常、バレル
回転浴を用いるのが有利であり、その条件としては、例
えば、次の如き条件を採用できる。

バレル回転速度　　６〜８ｒｐｍ陰極電流密度　　　０．　１〜０．　３Ａ／ｄｍ２浴　
　　　温　　　　　１５〜２５℃ 電　　　　圧　　　　　１〜３ｖか（して、第１層の活性化処理層（２）、第２層の下地
層（３）及び第３層のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４
）が、絶縁基体（１）の上に形成される。

本発明者の研究によれば、上記第１層、第２層及び第３
層からなる抵抗皮膜は、各層が独立したまま使用しても
よいが、更に、該抵抗皮膜を熱処理により合金化した場
合にも所望の効果が発揮されることを見出した。しかも
、この合金化を行なうことにより、本抵抗器製造工程に
おける加熱等に対する抵抗値変化が少なくなるという効
果も発揮される。上記合金化を行なう場合は、得られる
合金がＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ−Ａｇ合金となるように、下地
層（３）をＡｇ層とするのが好ましい。上記熱処理は、
温度１４０〜２００℃程度で３〜２４時間程度を要して
行なわれる。こうして第２図に示す如く、絶縁基体（１
）上に、熱処理により形成された合金層（５）が設けら
れた構造が得られる。

以上のようにして得られた３層構造の皮膜又は熱処理に
よる合金皮膜には、必要に応じ、抵抗値修正用の溝切り
が行なわれる。

次に、本発明では、軟化性樹脂層を、溝切りを施し又は
施さない抵抗膜の一部の範囲又は全範囲に形成する。第
３図及び第４図は、夫々、第１図の３層構造皮膜及び第
２図の合金皮膜（５）上に、熱軟化性樹脂層（６）が形
成されている状態を示すものである。第５図は、第２図
の第２図の合金層（５）からなる抵抗皮膜上に、絶縁基
体（１）の両端において、キャップ（９）を圧入し、こ
れにリード線（１０）を溶接したもので、上記合金層（
５）の周面には、溝切りにより形成された溝切り部（８
）が設けられている。その溝切り中央部（即ち、溝切り
を施された部分の中央部）の一部分に、前記熱軟化性樹
脂層（６）が設けられている。

上記熱軟化性樹脂層（６）は、過負荷時の発熱により軟
化し、粘度の低下及びフラックス作用により、溶融した
抵抗皮膜の溶断を助長するものであり、例えば、ロジン
、オレフィン系、スチレン系、ナイロン系、フェノール
系、キシレン系の樹脂及びこれらの変性品等の熱軟化性
樹脂が例示できる。これら熱軟化樹脂は、抵抗皮膜の溶
断時の温度付近（一般に９０〜２６０℃程度）にて軟化
し、粘度が低下するものが好ましく、特に、溶融した抵
抗皮膜が表面張力により球状化することを助ける作用を
有するものがより好ましい。熱軟化性樹脂層（６）の厚
さは、使用する樹脂の種類等によっても変わり得るが、
一般に２〜２０μｍ程度、好ましくは５〜１５μｍ程度
とすればよい。

かかる熱軟化性樹脂層（６）は、熱軟化性樹脂の溶液又
は融解物を筆状のもので塗布するか、浸漬法又は印刷方
式で形成される。

最後に、第６図に示すように、抵抗器全体を、この分野
で慣用されている絶縁物からなる保護層（１１）、例え
ば熱収縮チューブ等で覆うことにより、過負荷溶断形抵
抗器が完成する。

発明の効果本発明のそれぞれの過負荷溶断形抵抗器は、いずれも、
定格電力の４〜５倍程度の低電力倍率で、安定かつ信頼
性高く溶断し、電流を遮断するものである。その溶断機
構は、未だ完全に解消されていないが、おそらく、本発
明の抵抗皮膜、特に３層構造の場合の第３層のＳｎ−Ｐ
ｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）又は熱処理により形成された
合金皮膜層（５）（殊にＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ−Ａｇ合金皮
膜層）は比較的低融点であり、抵抗皮膜の温度が過負荷
時の発熱でその融点に達すると、上記抵抗皮膜が融解し
、また同時に熱軟化性樹脂層（６）の熱軟化による粘度
の低下及びフラックス作用が相俟って、融解した抵抗皮
膜は表面張力により球状化し、こうして溶断が達成され
るものと推察される。

本発明の抵抗器は、定格動作時には、一般の抵抗器と同
等の性能、信頼性を有する過負荷溶断形抵抗器となる。

また、本発明抵抗器の抵抗皮膜は、はんだ取付時等のリ
ード線からの熱伝導等の外部からの熱に対しては安定し
た耐性を示す。

しかも、抵抗皮膜硬度が高いので、製造工程における設
備との接触等の外力による傷がつきにくいという利点も
ある。

加えて、抵抗皮膜上に熱軟化性樹脂層が形成されている
ので、溶断特性が高く、溶断後の耐電圧も大きいもので
ある。

また、従来の皮膜抵抗器の製造工程をそのまま活用でき
るため、製造コストも低く、有利である。

実施例以下、実施例を掲げて、本発明を更に詳しく説明する。

実施例　１径１　、　７　ｍ　ｍ　ｓ長さ５．５ｍｍの碍子１万個
に以下の如くめっきを施し、抵抗値５０ｍΩの過負荷溶
断形抵抗器を得た。

粗化液として６７％稀硝酸２Ｃ）ｍＱ／Ｇ！及び５５％
フッ化水素酸１０ｆｆｌＱ／Ｑの混酸を用い、上記碍子
を室温にしてバレル回転速度８ｒｐｍの条件下で１５分
間粗化を行なった。次いで水洗し、約５％塩酸溶液で酸
処理を２分間行ない、次いで水洗を行なった。これを前
処理とする。

第１層としてＰｄ層を形成するべく、塩化第１錫２水和
物１５ｇ／Ｑ及び塩酸１０１ＩＩＱ／Ｑを含有した溶液
で２分間処理した後、塩化パラジウム０．７ｇ／Ｑ及び
塩酸１．　５　ｍＱ／Ｑを含有した溶液で２分間処理し
た。

第２層として、硝酸銀２０ｇ、アンモニア水２Ｑ　ｍ　
Ｑ　ｓ水酸化カリウム５ｇ及び水４００ｍＧ！を成分と
するＩ液と砂糖９０ｇ、硝酸４ｍＱ及び水ＩＱを成分と
する■液を用いてＡｇ層を抵抗値０．３〜０．６Ωとな
るまで形成させた。

第３層としてのＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ層を形成するに当り、
５％のアルカノールスルホン酸を含有する溶液で１分間
酸処理した後、Ｓｎ２”２０ｇ／ＱＳＰｄ　”　８ｇ／
Ｑ、Ｃｕ　”　０．８ｇ／Ｑ、Ｈ”１００ｇ／Ｑ及びペ
プトン５ｇ／Ｑを含有した溶液（各金属イオンはいずれ
もホウフッ化水素酸塩の形態であり、Ｈ＋はホウフッ化
水素酸である）中に浸漬し、電流密度０．３Ａ／ｄｍ”
　、電圧２Ｖ１通電時間２７分、バレル回転速度８ｒｐ
ｍで５０ｍΩの抵抗体を得た。なおこの皮膜中に含まれ
る銅は１５．７重量％であった。

該皮膜の鉛筆硬度を熱処理前及び１７０℃、３時間の熱
処理後において測定したところ、熱処理前は４Ｈ相当で
、熱処理後の従来品にほぼ相当するのに対し、熱処理後
は６Ｈ相当であった。

尚、鉛筆硬度の測定方法は、次の通りである。

即ち、抵抗体表面に対し４０〜５０°の角度で、規定の
硬度を有する鉛筆（Ｈ〜９Ｈ）で抵抗体表面をこすり、
傷の有無を観察し、傷がなく単に鉛筆の跡のみが残る最
高の鉛筆硬度でもって皮膜の硬度を評価する。

上記実施例１で得られた本発明の過負荷溶断形抵抗器の
溶断特性を試験した。試験方法は、次のとおりである。

第７図に示す回路にて試験を行ない、電源は定電圧電源
を使用するものとする。第７図において１、Ｒ１は供試
抵抗器である。Ｒ２は高電力・安定抵抗器であり、その
抵抗値はＲ１の３０〜５０倍とし、Ｒ１にシリーズ接続
しておく。

あらかじめ、試験抵抗器Ｒ１の代わりに高電力ダミー抵
抗器を使用し、溶断特性仕様に定められた条件になるよ
うに電源の電圧をあわせておく。次に、ダミー抵抗の代
わりに試験する抵抗器を取り付はスイッチＳを入れる。

スイッチを入れてから規定の電流が流れているか電流計
で確認し、規定の電流になっていない場合、すみやかに
（１秒以内）微調整を行なう。ただし、それ以降は電源
の調整は行なわない。スイッチを入れてから断線するま
での時間を測定する。抵抗器の断線状態に至ったことの
判定は、電流値が最初の試験電流の１１５０以下になっ
た状態をもって行なう。結果を第８図に示す。

また、上記実施例１で得られた本発明抵抗器の外部から
の熱に対する耐性を試験した。即ち、抵抗器をシリコン
オイルに浸漬し、徐々に温度を上昇させていった場合の
抵抗値変化率を測定した。

結果を第９図に示す。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施態様に係る抵抗器の一部を示
す断面図である。第２図は、本発明の他の実施態様に係る合金化抵抗皮膜
を備えた抵抗器の一部を示す断面図である。第３図及び第４図は、夫々、第１図及び第２図の抵抗皮
膜上に熱軟化性樹脂層を形成後の断面図である。第５図は、本発明抵抗器の完成直前の要部側面図であり
、第６図は、絶縁物で被覆し完成した本発明抵抗器の要
部断面図である。第７図は、溶断特性測定用の回路図であり、第８図はこ
れを用いて測定された実施例１の抵抗体の溶断特性図で
ある。第９図は外部温度」１昇に伴う抵抗値変化率を示
すグラフである。（１）・・・・・・絶縁基体（２）・・・・・・Ｓｎ、Ａｇ又はＰｄの活性化処理層
（３）・・・・・・Ａｇ又はＳｎの下地層（４）・・・
・・・Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（５）・・・・・・
熱処理により形成された合金抵抗皮膜（６）・・・・・
・熱軟化性樹脂層（８）・・・・・・溝切り部（９）・・・・・・キャップ（１０）・・・・・・リード線（１１）・・・・・・絶縁物（以　上）〜、−ン′

Claims

【特許請求の範囲】１　絶縁基体表面に、Ｃｕを０．１〜５０ｗｔ％の範囲
で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を備え、抵抗皮膜の
一部分または全体を覆うように熱軟化性樹脂層が形成さ
れ、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶縁物で覆われた過
負荷溶断形抵抗器。２　絶縁基体表面に、Ｃｕを０．１〜５０ｗｔ％の範囲
で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を備え、抵抗値修正
用の溝切り中央部を含む抵抗皮膜の一部分または全体を
覆うように熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収
縮チューブ等の絶縁物で覆われた過負荷溶断形抵抗器。３　絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、Ａｇ層また
はＰｄ層、第２層として電気抵抗値が０．１〜１５Ω・
ｃｍの範囲となる厚さのＡｇ層またはＳｎ層、あるいは
それらの混合体層またはそれらの積層体層及び第３層と
してＣｕを０．１〜５０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ合金皮膜層を備え、抵抗皮膜の一部分または全体
を覆うように熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱
収縮チューブ等の絶縁物で覆われた過負荷溶断形抵抗器
。４　絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、Ａｇ層また
はＰｄ層、第２層として電気抵抗値が０．１〜１５Ω・
ｃｍの範囲となる厚さのＡｇ層またはＳｎ層、あるいは
それらの混合体層またはそれらの積層体層及び第３層と
してＣｕを０．１〜５０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ合金皮膜層を備え、抵抗値修正用の溝切り中央部
を含む抵抗皮膜の一部分または全体を覆うように熱軟化
性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶
縁物で覆われた過負荷溶断形抵抗器。５　絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、Ａｇ層また
はＰｄ層、第２層として電気抵抗値が０．１〜１５Ω・
ｃｍの範囲となる厚さのＡｇ層またはＳｎ層、あるいは
それらの混合体層またはそれらの積層体層及び第３層と
してＣｕを０．１〜５０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ合金皮膜層を設け、これらを熱処理してなる合金
抵抗皮膜を備え、該合金抵抗皮膜の一部分または全体を
覆うように熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収
縮チューブ等の絶縁物で覆われた過負荷溶断形抵抗器。６　絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、Ａｇ層また
はＰｄ層、第２層として電気抵抗値が０．１〜１５Ω・
ｃｍの範囲となる厚さのＡｇ層またはＳｎ層、あるいは
それらの混合体層またはそれらの積層体層及び第３層と
してＣｕを０．１〜５０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ合金皮膜層を設け、これらを熱処理してなる合金
抵抗皮膜層を備え、抵抗値修正用の溝切り中央部を含む
抵抗皮膜の一部分または全体を覆うように熱軟化性樹脂
層が形成され、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶縁物で
覆われた過負荷溶断形抵抗器。