JP2628029B2

JP2628029B2 - 過負荷溶断形抵抗器

Info

Publication number: JP2628029B2
Application number: JP11616895A
Authority: JP
Inventors: 康則伊藤; 栄治河野; 善右エ門細川; 泰宏進藤
Original assignee: Panasonic Corp; Satosen Co Ltd; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Satosen Co Ltd; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-05-15
Filing date: 1995-05-15
Publication date: 1997-07-09
Anticipated expiration: 2012-07-09
Also published as: JPH07312304A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は民生用機器、産業用機器
等に広く使われている過負荷溶断形抵抗器に関するもの
で、その目的は過電流が流れた時に抵抗皮膜自体の自己
発熱により速やかに溶断するものを提供することにあ
る。

【０００２】

【従来の技術及びその課題】近年、装置の小形化、低電
力化の要請に伴い、過負荷溶断形抵抗器には、異状時に
おける印加電力が定格電力に対し低倍率であつても、電
流を遮断できることが要求されている。

【０００３】従来、この種の過負荷溶断形抵抗器には、
（１）金属皮膜、金属酸化物皮膜またはカーボン皮膜等
の一般抵抗皮膜上に低融点ガラスペーストを塗布したも
の、（２）抵抗皮膜とそれを支持或いは保護している材
料の熱膨脹係数の差を利用したもの、（３）部分的に電
流通路を狭くして熱集中化を起こし溶断させるもの、
（４）溶断形抵抗皮膜を使用するもの等がある。

【０００４】しかし、これらの従来の抵抗器にあつて
は、定格電力の例えば４〜５倍程度の低倍率で溶断させ
ることは一般に困難である。このため、上記（４）のタ
イプの抵抗器において改良が試みられており、定格電力
の４〜５倍の低倍率の印加電力で溶断するものも開発さ
れているが、抵抗皮膜材料の溶断温度が低くなりすぎ、
はんだ付、取付時等の外部からの熱により溶断すること
があるという問題点を有する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は、これら問題
点を解消すべく、定格電力の４〜５倍程度の印加電力に
より安定かつ正確に溶断して電流を遮断できると共に、
外部からの熱の作用を受け難い過負荷溶断形抵抗器を開
発すべく、鋭意研究を重ねた。その結果、絶縁基体表面
に、Ｃｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃ
ｕ合金皮膜層を備え、抵抗皮膜の一部分または全体を覆
うように熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収縮
チユーブ等の絶縁物で覆われた構造を有する過負荷溶断
形抵抗器は、定格電力の４〜５倍程度の低倍率の電力で
溶断すると共に、上記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層の存
在により外部からの熱影響に耐え、例えばはんだデイツ
プ時の熱等によつても溶断することがないことを見出
し、本発明を完成するに至つた。

【０００６】即ち、本発明は、絶縁基体表面に、第１層
としてＳｎ層、Ａｇ層またはＰｄ層からなる活性化処理
層、第２層として電気抵抗値が０．１〜１５Ω・ｃｍの
範囲となる厚さのＡｇ層またはＳｎ層、あるいはそれら
の混合体層またはそれらの積層体層からなる下地層及び
第３層としてＣｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−
Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を備え、抵抗皮膜の一部分または
全体を覆うように熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体
が熱収縮チューブ等の絶縁物で覆われた過負荷溶断形抵
抗器を提供するものである。

【０００７】本発明は、絶縁基体表面に、第１層として
Ｓｎ層、Ａｇ層またはＰｄ層からなる活性化処理層、第
２層として電気抵抗値が０．１〜１５Ω・ｃｍの範囲と
なる厚さのＡｇ層またはＳｎ層、あるいはそれらの混合
体層またはそれらの積層体層からなる下地層及び第３層
としてＣｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−
Ｃｕ合金皮膜層を設け、これらを熱処理してなる合金抵
抗皮膜を備え、該合金皮膜の一部分または全体を覆うよ
うに熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収縮チュ
ーブ等の絶縁物で覆われた過負荷溶断形抵抗器を提供す
るものである。

【０００８】以下、本発明の実施態様を示す添付図面を
参照しつつ、本発明を説明する。図１は、本発明の実施
態様に係る抵抗器の一部を示す断面図である。まず、図
１において、（１）は、絶縁基体であつて、これは、こ
の分野で通常使用されている磁器等の材料から成る。そ
の寸法、形状は、目的とする抵抗器の定格電力等により
適宜決定されるが、典型的には、例えば、直径１．７〜
４．５ｍｍ、長さ５．５〜１４．０ｍｍの円柱状磁器が
例示される。かかる絶縁基体は、常法に従い、粗化、脱
脂等の通常行なわれる処理を施して使用する。

【０００９】本発明の一実施態様においては、前記Ｓｎ
−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を設けるに当り、まず、Ｓｎ、
Ａｇ又はＰｄからなる活性化処理層（２）を設け、次い
で第２層としてＡｇ又はＳｎ層、これらの混合体層又は
これらの積層体層（３）を下地層として設け、この下地
層（３）上に前記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層を電気メ
ツキ法により設ける。

【００１０】上記第１層たるＳｎ、Ａｇ又はＰｂからな
る活性化処理層（２）は、絶縁基体（１）上に上記下地
層（３）を施すために前処理として施されるものであ
る。尚、乾式法により下地層（３）を形成させる場合に
は、活性化処理層（２）の形成は必ずしも必要ではな
い。該活性化処理層（２）は、例えば、上記粗化、脱脂
等の処理を行なつた絶縁基体（１）を塩化第１錫溶液に
浸漬して感受性を付与し活性化することにより形成する
か、又は、このような湿式法の代りに蒸着法、スパツタ
リング法等の乾式法による活性化処理によつて、Ｓｎ
層、Ａｇ層又はＰｄ層を形成することも可能である。か
かる活性化処理層（２）の厚さないし金属付着量は、下
地層（３）形成のための活性化に足る厚さないし量とす
ればよい。

【００１１】かかる活性化処理層（２）により活性化
後、Ａｇ又はＳｎ層又はそれらの混合体層又はこれらの
積層体層が下地層（３）として形成される。該下地層
（３）は、次の如き条件を満足するものである。

【００１２】ａ）電気不導体である絶縁基体（１）の表
面に電気伝導性を与えて、後のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金め
つきの際の陰極としてめつき被着を可能ならしめるこ
と、そして、そのためには好ましくは、１５Ω・ｃｍ以
下の電気抵抗値であること。

【００１３】ｂ）過熱によりＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜
が溶融する際に、初期の導通を失い、抵抗値が無限大に
なること、そして、そのためには下地層の厚さは薄いこ
と（１μｍ厚以下）。

【００１４】ｃ）Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層に拡散、
混合し易いか表面のなじみが良好であること。つまり、
絶縁基体（１）との密着性が実用上支障ない程度に維持
されるが、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜が溶融時、凝集す
ることを妨げない程度であること。

【００１５】本発明において、下地層（３）の厚さは、
抵抗値で０．１〜１５Ω・ｃｍ程度、好ましくは０．７
〜７Ω・ｃｍ程度とされる。下地金属としては、膜厚が
薄くなければならないという条件を考慮すると、Ａｇ層
が好ましい。

【００１６】下地層（３）は、銀鏡法、無電解めつき法
等の湿式法又は気相めつき法、イオンめつき法、スパツ
タリング法、蒸着法等の乾式法により形成される。これ
らのうちでも、合金化後の皮膜特性の観点から銀鏡法が
最も好ましい。銀鏡法は、Ａｇイオンを含むＩ液と還元
剤を含むＩＩ液とを用い、絶縁基体（１）の表面上でＩ
液とＩＩ液とが混合接触するようにＩ液とＩＩ液とを別
個のノズルから同時にスプレーする方法、スプレーする
直前にＩ液とＩＩ液とを混合して１本のノズルからスプ
レーする方法、Ｉ液とＩＩ液を混合した溶液に絶縁基体
（１）を浸漬する方法等により行なわれる。Ｉ液とＩＩ
液の組成は、いずれも公知のものが使用でき、例えば、
下記表１に示すものを挙げることができるが、適宜組成
を変更したり、還元剤を変更することもできる。又、場
合によつては、下記表２、表３に示すように、３種又は
４種の保存液を事前に混合することもできる。

【００１７】

【表１】

【００１８】

【表２】

【００１９】

【表３】

【００２０】また、ＡｇとＳｎの混合体の層を形成する
には、ＡｇとＳｎとの合金めつきを被着させればよく、
また、これらの積層体の層を被着させるには、上記の銀
鏡法と無電解めつき法を任意の順序で連続して繰返せば
よい。

【００２１】こうして得られた下地層（３）の上には、
第３層のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）が形成され
る。該Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）は、該Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜重量に対しＣｕを６〜２０ｗｔ％程
度含有しており、残部Ｓｎ及びＰｂからなるものであっ
て、ＳｎとＰｂとの割合は、Ｓｎ９８〜１０ｗｔ％に対
しＰｂ２〜９０ｗｔ％、好ましくはＳｎ８０〜４０ｗｔ
％に対しＰｂ２０〜６０ｗｔ％、より好ましくはＳｎ６
５〜５５ｗｔ％に対しＰｂ３５〜４５ｗｔ％である。上
記Ｃｕ含量が６ｗｔ％を下回る場合は、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃ
ｕ合金皮膜層の溶断温度を上昇させ、外部からの熱に対
する耐性を向上させるのに充分ではない場合が多く、一
方、Ｃｕ含量を２０ｗｔ％以上とすることは、通常、条
件的に安定性に欠ける点で好ましくない。該Ｓｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ合金皮膜層（４）の厚さは、目的とする抵抗器の
形状、定格電力等によっても変わり得るが、通常は、抵
抗値で１０〜１２０ｍΩ程度の範囲とすればよい。

【００２２】上記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）
は、通常、前記下地層（３）を酸により処理し、次いで
下地層（３）を備えた基体（１）を陰極として、Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｃｕ合金めつき浴中で電解めつきを施すことによ
り形成される。上記酸としては、例えば、硫酸又はアル
カノールスルホン酸、アルカンスルホン酸等の有機スル
ホン酸等の有機酸又はホウフツ化水素酸が特に好まし
く、例えば硫酸１００ｇ／ｌ程度の水溶液、又はホウフ
ツ化水素酸（３０〜５０％）の３０ｍｌ／ｌ〜２００ｍ
ｌ／ｌ程度の水溶液に短時間浸漬することにより酸処理
を行なえばよい。

【００２３】上記Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金めつき浴の浴組
成としては、例えば、Ｓｎ²⁺２〜２５ｇ／ｌ程度、Ｐｂ
²⁺２〜２７ｇ／ｌ程度、Ｃｕ²⁺０．２〜３ｇ／ｌ程度、
Ｈ⁺８０〜１３０ｇ／ｌ程度及び有機添加剤４〜３０ｇ
／ｌ程度を含有するものが使用できる。特に、Ｓｎ²⁺、
Ｐｂ²⁺、Ｃｕ²⁺はホウフツ化水素酸塩又は有機酸塩の形
態であるのが好ましい。Ｓｎ²⁺、Ｐｂ²⁺、Ｃｕ²⁺がホウ
フツ化水素酸塩の形態である場合、Ｈ⁺がホウフツ化水
素酸であり、有機添加剤としてはペプトン、ゼラチン、
にかわ等を用いるのが好ましい。Ｓｎ²⁺、Ｐｂ²⁺、Ｃｕ
²⁺が有機酸塩の形態である場合、Ｈ⁺が同じ有機酸であ
り、有機添加剤としてはホルマリン等を用いるのが好ま
しい。上記有機酸としては、各種のものが使用できる
が、アルカノールスルホン酸、アルカンスルホン酸等の
有機スルホン酸が特に好ましく使用できる。上記Ｓ
ｎ²⁺、Ｐｂ²⁺、Ｃｕ²⁺の濃度は、所望のＳｎ−Ｐｂ−Ｃ
ｕ合金の組成に応じて適宜調整すればよい。めつき方式
としては、通常、バレル回転浴を用いるのが有利であ
り、その条件としては、例えば、次の如き条件を採用で
きる。

【００２４】バレル回転速度６〜８ｒｐｍ陰極電流密度０．１〜０．３Ａ／ｄｍ² 浴温１５〜２５℃ 電圧１〜３Ｖかくして、第１層の活性化処理層（２）、第２層の下地
層（３）及び第３層のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層
（４）が、絶縁基体（１）の上に形成される。

【００２５】本発明者の研究によれば、上記第１層、第
２層及び第３層からなる抵抗皮膜は、各層が独立したま
ま使用してもよいが、更に、該抵抗皮膜を熱処理により
合金化した場合にも所望の効果が発揮されることを見出
した。しかも、この合金化を行なうことにより、本抵抗
器製造工程における加熱等に対する抵抗値変化が少なく
なるという効果も発揮される。上記合金化を行なう場合
は、得られる合金がＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ−Ａｇ合金となる
ように、下地層（３）をＡｇ層とするのが好ましい。上
記熱処理は、温度１４０〜２００℃程度で３〜２４時間
程度を要して行なわれる。こうして図２に示す如く、絶
縁基体（１）上に、熱処理により形成された合金層
（５）が設けられた構造が得られる。

【００２６】以上のようにして得られた３層構造の皮膜
又は熱処理による合金皮膜には、必要に応じ、抵抗値修
正用の溝切りが行なわれる。

【００２７】次に、本発明では、軟化性樹脂層を、溝切
りを施し又は施さない抵抗膜の一部の範囲又は全範囲に
形成する。図３及び図４は、夫々、図１の３層構造皮膜
及び図２の合金皮膜（５）上に、熱軟化性樹脂層（６）
が形成されている状態を示すものである。図５は、図２
の合金層（５）からなる抵抗皮膜上に、絶縁基体（１）
の両端において、キヤツプ（９）を圧入し、これにリー
ド線（１０）を溶接したもので、上記合金層（５）の周
面には、溝切りにより形成された溝切り部（８）が設け
られている。その溝切り中央部（即ち、溝切りを施され
た部分の中央部）の一部分に、前記熱軟化性樹脂層
（６）が設けられている。

【００２８】上記熱軟化性樹脂層（６）は、過負荷時の
発熱により軟化し、粘度の低下及びフラツクス作用によ
り、溶融した抵抗皮膜の溶断を助長するものであり、例
えば、ロジン、オレフイン系、スチレン系、ナイロン
系、フエノール系、キシレン系の樹脂及びこれらの変性
品等の熱軟化性樹脂が例示できる。これら熱軟化樹脂
は、抵抗皮膜の溶断時の温度付近（一般に９０〜２６０
℃程度）にて軟化し、粘度が低下するものが好ましく、
特に、溶融した抵抗皮膜が表面張力により球状化するこ
とを助ける作用を有するものがより好ましい。熱軟化性
樹脂層（６）の厚さは、使用する樹脂の種類等によつて
も変わり得るが、一般に２〜２０μｍ程度、好ましくは
５〜１５μｍ程度とすればよい。かかる熱軟化性樹脂層
（６）は、熱軟化性樹脂の溶液又は融解物を筆状のもの
で塗布するか、浸漬法又は印刷方式で形成される。

【００２９】最後に、図６に示すように、抵抗器全体
を、この分野で慣用されている絶縁物からなる保護層
（１１）、例えば熱収縮チユーブ等で覆うことにより、
過負荷溶断形抵抗器が完成する。

【００３０】

【発明の効果】本発明のそれぞれの過負荷溶断形抵抗器
は、いずれも、定格電力の４〜５倍程度の低電力倍率
で、安定かつ信頼性高く溶断し、電流を遮断するもので
ある。その溶断機構は、未だ完全に解消されていない
が、おそらく、本発明の抵抗皮膜、特に３層構造の場合
の第３層のＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層（４）又は熱処
理により形成された合金皮膜層（５）（殊にＳｎ−Ｐｂ
−Ｃｕ−Ａｇ合金皮膜層）は比較的低融点であり、抵抗
皮膜の温度が過負荷時の発熱でその融点に達すると、上
記抵抗皮膜が融解し、また同時に熱軟化性樹脂層（６）
の熱軟化による粘度の低下及びフラツクス作用が相俟つ
て、融解した抵抗皮膜は表面張力により球状化し、こう
して溶断が達成されるものと推察される。

【００３１】本発明の抵抗器は、定格動作時には、一般
の抵抗器と同等の性能、信頼性を有する過負荷溶断形抵
抗器となる。

【００３２】また、本発明抵抗器の抵抗皮膜は、はんだ
取付時等のリード線からの熱伝導等の外部からの熱に対
しては安定した耐性を示す。

【００３３】しかも、抵抗皮膜硬度が高いので、製造工
程における設備との接触等の外力による傷がつきにくい
という利点もある。

【００３４】加えて、抵抗皮膜上に熱軟化性樹脂層が形
成されているので、溶断特性が高く、溶断後の耐電圧も
大きいものである。

【００３５】また、従来の皮膜抵抗器の製造工程をその
まま活用できるため、製造コストも低く、有利である。

【００３６】

【実施例】以下、実施例を掲げて、本発明を更に詳しく
説明する。

【００３７】実施例１径１．７ｍｍ、長さ５．５ｍｍの碍子１万個に以下の如
くめつきを施し、抵抗値５０ｍΩの過負荷溶断形抵抗器
を得た。

【００３８】粗化液として６７％稀硝酸２０ｍｌ／ｌ及
び５５％フツ化水素酸１０ｍｌ／ｌの混酸を用い、上記
碍子を室温にしてバレル回転速度８ｒｐｍの条件下で１
５分間粗化を行なつた。次いで水洗し、約５％塩酸溶液
で酸処理を２分間行ない、次いで水洗を行なつた。これ
を前処理とする。

【００３９】第１層としてＰｄ層を形成するべく、塩化
第１錫２水和物１５ｇ／ｌ及び塩酸１０ｍｌ／ｌを含有
した溶液で２分間処理した後、塩化パラジウム０．７ｇ
／ｌ及び塩酸１．５ｍｌ／ｌを含有した溶液で２分間処
理した。

【００４０】第２層として、硝酸銀２０ｇ、アンモニア
水２０ｍｌ、水酸化カリウム５ｇ及び水４００ｍｌを成
分とするＩ液と砂糖９０ｇ、硝酸４ｍｌ及び水１ｌを成
分とするＩＩ液を用いてＡｇ層を抵抗値０．３〜０．６
Ωとなるまで形成させた。

【００４１】第３層としてのＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ層を形成
するに当り、５％のアルカノールスルホン酸を含有する
溶液で１分間酸処理した後、Ｓｎ²⁺２０ｇ／ｌ、Ｐｄ²⁺
８ｇ／ｌ、Ｃｕ²⁺０．８ｇ／ｌ、Ｈ⁺１００ｇ／ｌ及び
ペプトン５ｇ／ｌを含有した溶液（各金属イオンはいず
れもホウフツ化水素酸塩の形態であり、Ｈ⁺はホウフツ
化水素酸である）中に浸漬し、電流密度０．３Ａ／ｄｍ
²、電圧２Ｖ、通電時間２７分、バレル回転速度８ｒｐ
ｍで５０ｍΩの抵抗体を得た。なおこの皮膜中に含まれ
る銅は１５．７重量％であつた。

【００４２】該皮膜の鉛筆硬度を熱処理前及び１７０
℃、３時間の熱処理後において測定したところ、熱処理
前は４Ｈ相当で、熱処理後の従来品にほぼ相当するのに
対し、熱処理後は６Ｈ相当であつた。

【００４３】尚、鉛筆硬度の測定方法は、次の通りであ
る。即ち、抵抗体表面に対し４０〜５０°の角度で、規
定の硬度を有する鉛筆（Ｈ〜９Ｈ）で抵抗体表面をこす
り、傷の有無を観察し、傷がなく単に鉛筆の跡のみが残
る最高の鉛筆硬度でもつて皮膜の硬度を評価する。

【００４４】上記実施例１で得られた本発明の過負荷溶
断形抵抗器の溶断特性を試験した。試験方法は、次のと
おりである。図７に示す回路にて試験を行ない、電源は
定電圧電源を使用するものとする。図７において、Ｒ₁
は供試抵抗器である。Ｒ₂は高電力・安定抵抗器であ
り、その抵抗値はＲ₁の３０〜５０倍とし、Ｒ₁にシリ
ーズ接続しておく。あらかじめ、試験抵抗器Ｒ₁の代わ
りに高電力ダミー抵抗器を使用し、溶断特性仕様に定め
られた条件になるように電源の電圧をあわせておく。次
に、ダミー抵抗の代わりに試験する抵抗器を取り付けス
イツチＳを入れる。スイツチを入れてから規定の電流が
流れているか電流計で確認し、規定の電流になつていな
い場合、すみやかに（１秒以内）微調整を行なう。ただ
し、それ以降は電源の調整は行なわない。スイツチを入
れてから断線するまでの時間を測定する。抵抗器の断線
状態に至つたことの判定は、電流値が最初の試験電流の
１／５０以下になつた状態をもつて行なう。結果を図８
に示す。

【００４５】また、上記実施例１で得られた本発明抵抗
器の外部からの熱に対する耐性を試験した。即ち、抵抗
器をシリコンオイルに浸漬し、徐々に温度を上昇させて
いつた場合の抵抗値変化率を測定した。また、第３層と
してＳｎ−Ｐｂ層を形成した他は、実施例１で得られた
過負荷溶断形抵抗器と同様にして得られた抵抗器（比較
例１）について、同様にして抵抗変化率を測定した。結
果を第９図に示す。

【００４６】なお、比較例１の第３層は以下の手順に従
って形成した。すなわち、第２層を形成させた後、５％
のアルカノールスルホン酸を含有する溶液で１分間酸処
理した後、Ｓｎ²⁺１３．５ｇ／、Ｐｄ²⁺３０ｇ／、
Ｈ⁺３５０ｇ／及びペプトン３．７５ｇ／を含有し
た溶液（各金属イオンはいずれもホウフツ化水素酸塩の
形態であり、Ｈ⁺はホウフツ化水素酸である）中に浸漬
し、電流密度２．７Ａ／ｄｍ²、電圧３Ｖ、通電時間２
７分、バレル回転速度６ｒｐｍで３０ｍΩの抵抗体を得
た。結果を図９に示す。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施態様に係る抵抗器の一部を示す
断面図である。

【図２】本発明の他の実施態様に係る合金化抵抗皮膜を
備えた抵抗器の一部を示す断面図である。

【図３】図１の抵抗皮膜上に熱軟化性樹脂層を形成後の
断面図である。

【図４】図２の抵抗皮膜上に熱軟化性樹脂層を形成後の
断面図である。

【図５】本発明抵抗器の完成直前の要部側面図である。

【図６】絶縁物で被覆し完成した本発明抵抗器の要部断
面図である。

【図７】溶断特性測定用の回路図である。

【図８】図７の溶断特性測定用の回路を用いて測定され
た実施例１の抵抗体の溶断特性図である。

【図９】実施例１及び比較例１の抵抗体の外部温度上昇
に伴う抵抗値変化率を示すグラフである。

【符号の説明】

１絶縁基体２Ｓｎ、Ａｇ又はＰｄの活性化処理層３Ａｇ又はＳｎの下地層４Ｓｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金皮膜層５熱処理により形成された合金抵抗皮膜６熱軟化性樹脂層８溝切り部９キヤツプ１０リード線１１絶縁物

フロントページの続き (72)発明者細川善右エ門大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者進藤泰宏大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開昭58−188029（ＪＰ，Ａ) 特開昭50−144067（ＪＰ，Ａ)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、
Ａｇ層またはＰｄ層からなる活性化処理層、第２層とし
て電気抵抗値が０．１〜１５Ω・ｃｍの範囲となる厚さ
のＡｇ層またはＳｎ層、あるいはそれらの混合体層また
はそれらの積層体層からなる下地層及び第３層としてＣ
ｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金
皮膜層を備え、抵抗皮膜の一部分または全体を覆うよう
に熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収縮チュー
ブ等の絶縁物で覆われた過負荷溶断形抵抗器。
【請求項２】絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、
Ａｇ層またはＰｄ層からなる活性化処理層、第２層とし
て電気抵抗値が０．１〜１５Ω・ｃｍの範囲となる厚さ
のＡｇ層またはＳｎ層、あるいはそれらの混合体層また
はそれらの積層体層からなる下地層及び第３層としてＣ
ｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金
皮膜層を備え、抵抗値修正用の溝切り中央部を含む抵抗
皮膜の一部分または全体を覆うように熱軟化性樹脂層が
形成され、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶縁物で覆わ
れた過負荷溶断形抵抗器。
【請求項３】絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、
Ａｇ層またはＰｄ層からなる活性化処理層、第２層とし
て電気抵抗値が０．１〜１５Ω・ｃｍの範囲となる厚さ
のＡｇ層またはＳｎ層、あるいはそれらの混合体層また
はそれらの積層体層からなる下地層及び第３層としてＣ
ｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金
皮膜層を設け、これらを熱処理してなる合金抵抗皮膜を
備え、該合金抵抗皮膜の一部分または全体を覆うように
熱軟化性樹脂層が形成され、かつ全体が熱収縮チューブ
等で覆われた過負荷溶断形抵抗器。
【請求項４】絶縁基体表面に、第１層としてＳｎ層、
Ａｇ層またはＰｄ層からなる活性化処理層、第２層とし
て電気抵抗値が０．１〜１５Ω・ｃｍの範囲となる厚さ
のＡｇ層またはＳｎ層、あるいはそれらの混合体層また
はそれらの積層体層からなる下地層及び第３層としてＣ
ｕを６〜２０ｗｔ％の範囲で含むＳｎ−Ｐｂ−Ｃｕ合金
皮膜層を設け、これらを熱処理してなる合金抵抗被膜を
備え、抵抗値修正用の薄切り中央部を含む抵抗皮膜の一
部分または全体を覆うように熱軟化性樹脂層が形成さ
れ、かつ全体が熱収縮チューブ等の絶縁物で覆われた過
負荷溶断形抵抗器。