JPH081386U - チップ抵抗器 - Google Patents

チップ抵抗器

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JPH081386U
JPH081386U JP001867U JP186796U JPH081386U JP H081386 U JPH081386 U JP H081386U JP 001867 U JP001867 U JP 001867U JP 186796 U JP186796 U JP 186796U JP H081386 U JPH081386 U JP H081386U
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スネル ヤン
ヨセフ ヤンセン ヘラルダス
ヴフトス ルドヴィカス
ウイレム ベルホウト コルネリス
アルフォンス クリスチアン ジ フランシス
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フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １０オーム〜１００キロオームの範囲にわた
り低い抵抗温度係数および高い安定性を有し、かつ寿命
試験に耐えることができ，雑音の低いレベルを示すチッ
プ抵抗器を提供する。 【解決手段】 ２つの主要な表面を有する平らなセラミ
ック支持体を備え、ＮｉＣｒＡｌ合金製の抵抗層が、上
記セラミック支持体の一方の主要な表面上に存在し、ニ
ッケルまたはニッケルを主成分とするニッケル合金製の
接触ストリップが、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層の両方の端部上
に存在し、上記接触ストリップは、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層
への拡散を防止し、絶縁保護層が、上記抵抗層を完全に
覆い、上記接触ストリップを部分的に覆うように延在
し、はんだ付け可能な金属ストリップが上記接触ストリ
ップの露出部と接触し、上記支持体の側面に沿って延在
し、上記支持体の他の主要な表面に接触していることを
特徴とするチップ抵抗器。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【考案の属する技術分野】
本考案は、チップ抵抗器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１０オーム〜１００キロオームの全範囲にわたり、小さな公差および低い抵抗 温度係数を有するチップ抵抗器を得るためには、このような抵抗器の抵抗層は、 薄膜技術により最善に製造することができる。前記技術は真空蒸着またはスパッ タリングを利用する。
【０００３】 英国特許第９９１６４９号明細書には、少なくとも１つの抵抗層を設けた支持 体を備え、少なくとも２つの平らな、はんだ付け可能な金属の電流供給ストリッ プを備え、各ストリップが各少なくとも２つの金属層から成り、その少なくとも 最下層を蒸着させるような抵抗器が開示されている。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
しかし、既知の構造は、１０オーム〜１００キロオームの全範囲にわたり低い 抵抗温度係数を有するチップ抵抗器の抵抗層を製造するのには不適当であること がこれまでに明らかになった。また、抵抗器の安定性もまだ望むところが多い。 ここでは、疑いもなく材料選択が重要な因子である。
【０００５】 本考案の目的は、１０オーム〜１００キロオームの範囲にわたり低い抵抗温度 係数および高い安定性を有し、かつ寿命試験に耐えることができ，雑音の低いレ ベルを示すチップ抵抗器を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本考案に従うチップ抵抗器は、２つの主要な表面を有する平らなセラミック支 持体を備え、ＮｉＣｒＡｌ合金製の抵抗層が、上記セラミック支持体の一方の主 要な表面上に存在し、ニッケルまたはニッケルを主成分とするニッケル合金製の 接触ストリップが、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層の両方の端部上に存在し、上記接触スト リップは、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層への拡散を防止し、絶縁保護層が、上記抵抗層を 完全に覆い、上記接触ストリップを部分的に覆うように延在し、はんだ付け可能 な金属ストリップが上記接触ストリップの露出部と接触し、上記支持体の側面に 沿って延在し、上記支持体の他の主要な表面に接触していることを特徴とするチ ップ抵抗器である。
【０００７】 この構造は、実際の抵抗層がはんだ付け可能な接触ストリップと直接接触して いないという洞察に基づく。抵抗層は、ニッケル、ニッケル合金の層、および場 合によってはＡｌ，Ａｌ合金またはクロムの中間層の端部と金属接触するのみで あり、これらの材料は、驚くべきことには、ＮｉＣｒＡｌの抵抗層への拡散を示 さない。
【０００８】 チップ抵抗器の製造においては、Ｎｉ合金および保護層を設けた後、抵抗層は 他の方法段階の材料による攻撃にさらされない。
【０００９】 抵抗層の両方の反対側にある接触ストリップのニッケル合金は、それぞれ７％ のＶおよび１０％のＣｒを含有するＮｉＶ合金またはＮｉＣｒ合金よりなるのが 好ましい。これらの合金は、好ましい適用法であるマグネトロンスパッタリング に望まれる用に非磁性である。
【００１０】 本考案に従うチップ抵抗器を製造するためには、最初に平らなセラミック支持 体の一方の側にＮｉＣｒＡｌ層を設け、次いでこの層をニッケルまたはニッケル を主成分とするニッケル合金で被覆し、あるいはさらにこの前にＡｌ，Ａｌ合金 またはクロムの層を設け、フォトエッチングにより、最初に２つの接触ストリッ プを、次いで抵抗層のパターンを製造し、その後絶縁保護ラッカーを抵抗層に塗 布し、その一部を接触ストリップに重ねるようにし、次に、支持体の側部に沿い 底部まで延在する金属の電流供給ストリップを接触ストリップの露出部上に設け 、最後に、最後に述べた接触ストリップにはんだ付け金属層を設ける。
【００１１】 抵抗層および接触ストリップは、前述のように、マグネトロンスパッタリング により設けるのが好ましい。金属の電流供給ストリップは、最初に、金属、好ま しくはニッケルの層で、スパッタリング好ましくはマグネトロンスパッタリング により被覆し、その後前記層をニッケルを用いて電気的にまたは無電解的に強化 する。所要に応じて、鉛−スズ合金層を電着により重ねる。
【００１２】 また、金属ストリップを、例えば、塩化第一スズおよび塩化パラジウムの溶液 により直接増感し、次いで前記ストリップの無電解ニッケルめっきをすることも 可能である。
【００１３】 チップ抵抗器の製造において、抵抗層上の２つの反対側の接触ストリップは、 抵抗値をレーザビームトリミングする間抵抗を測定するのに良好に用いることが できる。
【００１４】 新しい構造により１つまたはそれより多い本考案の抵抗器を集積して構成回路 または抵抗回路網にすることができる。
【００１５】
【考案の実施の形態】
以下本考案を図面を参照して説明する。 マグネトロンスパッタリングにより、５００Åの厚さを有し、かつ３０．５重 量％のＮｉ、５７重量％のＣｒおよび１２．５重量％のＡｌよりなるＮｉＣｒＡ ｌ層を９６×１１４ｍｍ寸法のＡｌ2 Ｏ3 の基板に設け；続いて７重量％のＶを 含有するＮｉＶの０．５μｍ厚さの層を前記基板に設け、最後に市販のポジ型フ ォトレジスト，例えばシプレイ(Shipley) 社製AZ1350J の被覆を重ねる。低オー ム抵抗器の製造には、アルミニウム、アルミニウム合金またはクロムの層および ＮｉＶの層からなり、層全体の厚さが１μである二重層をもうけるのが好ましい 。基板をマスクを通して露光後：未露光ラッカーを溶解した後、ＮｉＶの露出層 を５％のＨＣｌを含有する濃ＨＮＯ3 でエッチング除去することにより接触スト リップを形成する。この試薬はＮｉＣｒＡｌ層は侵さない。第２の同様なリソグ ラフィー操作を行って、例えば、所定の抵抗値が得られるようにＮｉＣｒＡｌの 曲りくねったパターンを与える。ＮｉＣｒＡｌは、リットルあたり硝酸セリウム アンモニウムＣｅ（ＮＨ4 ）2 （ＮＯ3 ）6 ２２０ｇおよび６５％ＨＮＯ3 １０ ０ミリリットルを含有する水溶液でエッチングされる。
【００１６】 次いで、ＮｉＣｒＡｌ層を、３００〜３５０℃に３時間加熱することによりエ ージングする。
【００１７】 抵抗器を所要の値に１個ずつレーザビームトリミングし、抵抗値を接触ストリ ップ間で測定する。
【００１８】 次に保護層、例えば、チバ・ガイギー社(Ciba geigy)のProbimer52またはコー ツ社(Coates)のImagecure を，該層が各抵抗器のＮｉＣｒＡｌ被覆を覆い約50μ ｍより広く接触ストリップに部分的に重なるように設ける。次いで、板を個々の 抵抗器の間でCO2 レーザにより線を刻み、少なくともレーザビームが一連の接近 した間隔の孔を板に焼きあけて、板をこれらの線に沿って分割して個々の抵抗器 を形成することができるようにする。最初に、板を抵抗器の幅方向に破壊するこ とにより、板をストリップに分割し、次いで前記ストリップをジグ中に積重ね、 これにマグネトロンスパッタリングにより、最初に２００ÅのＣｒを、次いで約 １μｍのＮｉＶを適用して側部接触(side contact)を設ける。
【００１９】 続いて、ストリップを個々のチップ抵抗器を形成するように分割し、これらを 電気めっきドラム中で引き続いて２μｍのＮｉおよび６μｍのＰｂＳｎまたはＳ ｎで被覆する。
【００２０】 例えば寸法が３×１．５×０．６３ｍｍ3 である本考案に従うこのようなチッ プ抵抗器を図１に示す。基板１は、ＮｉＣｒＡｌ層２、接触ストリップ３、保護 層４、側部接触５および最後に鉛−スズ層６を備える。
【００２１】 本考案に従うチップ抵抗器によって、エージング後の極めて低い温度係数、例 えば３００オームで−１０〜０×１０-6／℃および１０オームで±２５×１０-6 ／℃を有する抵抗器を得ることができる。
【００２２】 ３００オームと１００キロオームの間の抵抗器の場合に、雑音は約１×２×１ ０-2μＶ／Ｖであり、３００および１０オームの間の抵抗器に対して雑音は約１ ０-1μＶ／Ｖに増加することがある。
【００２３】 抵抗器の安定性は、これを１／８Ｗの負荷下に７０℃で１０００時間の寿命試 験に付すことにより測定する。
【００２４】 最大公差は、１キロオームの抵抗器に対して０．２％、１００キロオームの抵 抗器に対して０．１％および１０オームの抵抗器に対して０．３％である。
【００２５】 図２は構成回路の一部を示し、ここで符号９はパターン導体、７は低オームＮ ｉＣｒＡｌ抵抗器および８は高オーム抵抗器を示す。すでにある抵抗器のほかに 、キャパシタ、電位差計、トランジスタおよび半導体基板上の回路素子のような さらに別の構成部分（図示せず）をこの回路に備えることができる。
【００２６】 図３ａ〜ｄに若干の製造段階を示す。 図３ａは、断面図であり、図で１は基板、２はスパッタリングにより設けた均 一なＮｉＣｒＡｌ層であり、９はスパッタリングにより析出させたＮｉ−Ｖ層で あり、この層に感光性ラッカー層１０を塗布する。露光および現像後、ニッケル をエッチング除去した後に、図３ｂに示すようなパターンが得られるように、所 望の導体パターンに従ってニッケルを選択的に金１１で補強する。また、金の代 わりに他の金属との組み合わせも可能である。別のフォトレジスト層を設け、所 望の抵抗器をエッチング剤を用いて層２から選択的に分離する。残存フォトレジ ストを除去後、図３ｃに従うパターンが得られる。最後に、集成体に保護ラッカ ー層１２を設け、回路フリー部の縁部でプリント導体の端部を残す（図３ｄ）。
【００２７】 図４は、クランプ結合１４がはんだ層１３により導体の端部に固定される仕方 を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案に従うチップ抵抗器を示す図である。
【図２】すでにある抵抗器に加えてさらに他の成分を設
けた回路の一部を示す略図である。
【図３】ａは図２に示す型の回路の第１の製造段階を示
す斜視図であり、ｂは図２に示す型の回路の第２の製造
段階を示す斜視図であり、ｃは図２に示す型の回路の第
３の製造段階を示す斜視図であり、ｄは図２に示す型の
回路の第４の製造段階を示す斜視図である。
【図４】回路の縁部の導体の一端における直通接続を示
す図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ ＮｉＣｒＡｌ層 ３ 接触ストリップ ４ 保護層 ５ 側部接触 ６ 鉛−スズ層 ７ 低オームＮｉＣｒＡｌ抵抗器 ８ 高オーム抵抗器 ９ パターン導体 １０ 感光性ラッカー層 １１ 金層 １２ 保護ラッカー層 １３ はんだ層 １４ クランプ結合
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 ヘラルダス ヨセフ ヤンセン オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)考案者 ルドヴィカス ヴフトス オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)考案者 コルネリス ウイレム ベルホウト オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)考案者 フランシス アルフォンス クリスチアン ジ ベルギー国 1850 グリムベルゲン ヴァ ン アケンストラート ７

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２つの主要な表面を有する平らなセラミ
    ック支持体を備え、ＮｉＣｒＡｌ合金製の抵抗層が、上
    記セラミック支持体の一方の主要な表面上に存在し、ニ
    ッケルまたはニッケルを主成分とするニッケル合金製の
    接触ストリップが、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層の両方の端部上
    に存在し、上記接触ストリップは、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層
    への拡散を防止し、絶縁保護層が、上記抵抗層を完全に
    覆い、上記接触ストリップを部分的に覆うように延在
    し、はんだ付け可能な金属ストリップが上記接触ストリ
    ップの露出部と接触し、上記支持体の側面に沿って延在
    し、上記支持体の他の主要な表面に接触していることを
    特徴とするチップ抵抗器。
  2. 【請求項２】 接触ストリップが約７重量％のＶを含有
    するニッケルバナジウム合金製のストリップである請求
    項１記載のチップ抵抗器。
  3. 【請求項３】 接触ストリップが約１０重量％のＣｒを
    含有するニッケル−クロム合金製のストリップである請
    求項１または２記載のチップ抵抗器。
  4. 【請求項４】 Ａｌ，Ａｌ合金またはＣｒの層を、上記
    ＮｉＣｒＡｌ抵抗層と上記接触ストリップとの間に設け
    たことを特徴とする請求項１、２または３記載のチップ
    抵抗器。
JP001867U 1985-02-15 1996-03-18 チップ抵抗器 Pending JPH081386U (ja)

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