JPH01154501A

JPH01154501A - 角形チップ抵抗器

Info

Publication number: JPH01154501A
Application number: JP62313208A
Authority: JP
Inventors: Motoi Kitabayashi; 北林　基; Yukihiro Hirasawa; 平沢　幸弘; Masashi Gomi; 五味　正志; Shiro Ota; 嗣郎太田
Original assignee: Koa Corp
Current assignee: Koa Corp
Priority date: 1987-12-11
Filing date: 1987-12-11
Publication date: 1989-06-16

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は角形チップ抵抗器の製造方法に係わり、電極形
成に関する。

（従来の技術）従来、角形チップ抵抗器は、次のような手順で製造され
てきていた。即ち、第１図に示すように、縦横方向に走
る複数本の分割用切溝１を有する電気絶縁性基板２（例
えばアルミナ基板）の片側主平面上に、第１層用電極３
，３として恨・パラジウムを印刷し、次に第２図に示す
ように、厚膜抵抗体４を印刷（酸化ルテニウムを主成分
として８５０℃にて焼成）する。次に第３図に示すよう
に、ガラスペースト５を塗布（該工程は省略される事も
あるが、ホウケイ酸塩鉛系ガラスを６００℃にて焼成）
した後、第４図に示すように、該厚膜抵抗体４にレーザ
ーを使用して切欠部６．６（該切欠部は１本もしくは３
本以上もしくはＬ字形状のように設けてもよい。）を設
ける。次に再び第５図に示すように、該焼成後のガラス
５′上にガラスペースト５＃を塗布（オーバーガラス工
程・ホウケイ酸塩鉛系ガラスを６００℃にて焼成）し、
該基板をまず、第６図に示すように、細長状に分割し、
次に第７図（ａ）及び（ｂ）に示すように、該基板の第
１層用電極３，３の一部及び該両端面７．７に積層され
るようにして第２層用電極８．８（ＩＮを７０〜８０重
量％含有して成るホウケイ酸塩鉛系ガラスを塗布後、６
００℃にて焼成）を形成し、しかる後に該基板の長さ方
向と略直角方向の分割用切溝１上のアイ線及びエラ線に
沿って分割し、第８図（ｅ）に示すような単一の角形チ
ップを得る。その後該第２層用電極８，８上に第３層用
電極９，９としてニッケルを、更に咳第３層用電極９．
９上に第４層用電極１０．１０としての半田を、それぞ
れメツキする事により、第９図（（２）に示すような構
造を有する角形チップ抵抗器が得られてきていた。しか
しながら、従来の方法では第２層用電極８，８形成工程
において６００ないし６５０℃焼成を要するため、第１
０図に示すように、焼成前後で抵抗値の変動（減少）が
見られていた。又、従来の銀、ガラス系及び恨、樹脂系
第２層用電極８，８を使用した場合のチップ抵抗の電極
用端面７，７にリード線を半田より固着した場合のリー
ド線の引張強度は、第１１図に示すように、平均２ない
し３ｋｇ／ｍ＋ｕ２であった。そして機械的塗布方式で
あるため、基板表面粗度もしくは基板形状の不良性によ
る塗り残し傾向が見られ、信転性低下の一因となってい
た。

更に、銀のような高価材料を使用しているため生産原価
にも問題があった。

（発明が解決しようとする問題点）本発明は上述の問題に鑑み、抵抗値の変動がなく、機械
的強度、耐熱性及び基板との密着性に優れ、塗り残し無
く信頼性の高い、しかも生産原価の低減化を図る事ので
きる角形チップ抵抗器における第２層用電極を提供しよ
うとするものである。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段）本発明は、上記目的を達成するために、蒸着またはスパ
ッタリング等の真空式薄膜形成手段を使用して、少なく
ともクロムを、少なくともアルミニウムを、少なくとも
チタンを、それぞれ、含有する合金薄膜を形成して成る
ものである。

（作用）角形チップ抵抗器における第２層用電極８，８として、
上記合金膜を形成する事により、抵抗値の変動がなく、
機械的強度、耐熱性及び基板との密着性に優れ、塗り残
しなく信頼性も高く、しかも生産原価の低減化を図る事
ができる。

（実施例）次に、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。

まず、第１図における２は電気絶縁性基板であって分割
用切溝１を有している。３，３は該基板２の片側主平面
上のアイウェア、エウオカエおよびカオキクカの各内部
領域を一つの単位胞として、それぞれの各単位胞内の対
向する１対の端部と、該端部を介して隣接する単位胞に
跨がるようにし、しかも左右に隣接する単位胞に侵入し
ないように印刷された第１層用電極であり、各単位胞内
においては合計２個の該電極３，３が互いに対向して１
対の電極を構成している。第２図における４はペースト
状の厚膜抵抗体であって、上記各単位胞内に印刷された
各１対の第１層用電極３，３の一部上に橋設され、しか
も切溝１上のアイ、エラ、カオ、クキの各線にそれぞれ
略平行になり、更に上記各単位胞の上下左右に隣接する
単位胞より超えないように印刷されている。

第３図における５はホウケイ酸塩鉛系のガラスペースト
であって、該ガラスペースト５により上記者厚膜抵抗体
４が完全に覆われ、しかも各単位胞内の１対の第１層用
電極３，３の一部が残り、該単位胞より超えないように
塗布される。第４図における５′は第３図におけるガラ
スペースト３の焼成後のガラスであり、６．６は図示さ
れないレーザー装置により切欠された切欠部である。

第５図における５″は第４図に示された切欠部６．６を
有する焼成後のガラス５′で、厚膜抵抗体４の側面及び
レーザー照射された部分を含む基板２の一部を含み完全
に積層被覆されたガラスペーストであって、各単位胞内
に設けられた１対の第１層用電極３．３の一部が残り、
しかも該電極３．３を結ぶ方向と略直角各方向（即ち、
第５図における左右方向）に隣接する単位胞方向に対し
て一連不可分になるように塗布される。

第６図における５〜は第５図におけるガラスペースト５
“の焼成後のガラスである。

第７図（Ｃ）及び（ｄ）における７は、第５図の切溝１
上のアエカク線及びイウオキ線に沿って細長状に分割し
た電気絶縁性基板２の端面である。１１は端面７，７に
スパッタリングされた合金膜であって、端面７，７の全
面はもとより、第１層用電極３゜３の一部にも積層され
るように構成されている。

第９図（社）における９、９は第７図（Ｃ）及び（ｃｌ
）において細長状に分割した電気絶縁性基板２を該長さ
方向と略直角方向に位置する切溝１上のアイ線及びエラ
線に沿って分割して得た角形チップ（第８図（ｆ））の
第２層用電極１１．１１に積層された第３層用電極であ
り、該第３層用電極９．９は少なくとも第１層用電極３
．３及び第２層用電極１１．１１を完全に覆うように積
層されている。１０．１０は第３層用電極９．９上に積
層された第４層用電極であり、該第４層用電極１０．１
０は少なくとも第３層用電極９．９を完全に覆うように
積層されている。

次に、上述の実施例の作用を第１図ないし第６図、第７
図（Ｃ）、（ｄ）、第８図げ）及び第９図（５）により
説明する。

（１）まず、電気絶縁性基板２（例えばアルミナ基板）
上に縦横方向に走る複数本の切溝１を設ける。

（２）次に、上記切溝１により生じた単位胞、例えばア
イウェア、エウオカエ及びカオキクカにおいて、それぞ
れの各単位胞内で対向する１対の切溝１を介して隣接す
る単位胞との切溝１上の境界線アエ、イウ、エラ、ウオ
、カフ、オキにそれぞれ跨がるようにして、しかも左右
に隣接する単位胞との切溝１上の境界線アイ、エラ、カ
オ、クキを超えないように（即ち、隣接単位胞と短絡し
ないように）、第１層用電極３，３（銀・パラジウム系
）を、図示されない印刷機を用いて印刷した後、８５０
℃にて焼成する。（第１図）（３）次に、各単位胞毎に印刷された対向する１対の第
１層用電極３，３に図示されない印刷機を用いて、ペー
スト状の厚膜抵抗体４（主成分：酸化ルテニウム）を橋
設印刷した後、８５０℃にて焼成する。この場合、上記
電極３，３の上下隣接単位胞との境界線、例えば、アエ
、イウ、に近い側は印刷せずに残しておく。（第２図）（４）次に、上記厚膜抵抗体４の印刷された領域で、し
かも第１層用電極３，３の両端部に露出部を残しておく
ようにして、上記厚膜抵抗体４を完全に被覆するように
して、ホウケイ酸塩鉛系のガラスペースト５を、図示さ
れない印刷機を用いて塗布した後、６００℃にて焼成す
る。尚、本工程は省略されてもよい。（第３図）（５）次に、所望の抵抗値を得るために、各単位胞毎に
形成されたガラスペースト５を焼成したガラス５′によ
り被覆された厚膜抵抗体４を該ガラス５′と共に、図示
されないレーザー装置を用いて第４図の紙面に対して鉛
直方向よりレーザー光線を照射して切欠部６，６を形成
する。この場合、所望の抵抗値により、切欠部を１本、
もしくは３本以上、又は例えばＬ字形にしてもよい。

（６）次に、該切欠部６．６を有するガラス５′上に更
に該ガラスペースト５“を完全に被覆し且つ各単位胞内
の第１層用電極３，３の両端部に露出部を残しておくよ
うにして、しかも該電極３．３と直角方向の隣接する単
位胞との切溝１上の境界線アイ、エラ、カオ、クキを超
えて、第５図における横方向に一連不可分に、ホウケイ
酸塩鉛系のガラスペースト５″を、図示されない印刷機
を用いて塗布した後６００℃にて焼成する。

（７）次に、切溝１のうちのアエカク線及びイウオキ線
に沿って細長状にまず分割する。（第６図）（８）次に
、分割された細長状抵抗体のアエ線及びイウ線における
端面７，７上及び少なくとも第１層用電極３，３上の露
出部の一部に付着するようにスパッタリング方式（真空
度１０−　’　Ｔ　ｏｒｒの真空内をアルゴンガス雰囲
気にして１０１〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒにし、更に基板温度
を１００℃に保持してスパッタリングする。）を用いて
第２層用電極１１．１１としてのニッケル・クロム合金
膜を形成する。この場合合金膜は少なくともクロムを含
有する例えば鉄・クロムであってもよいし、少なくとも
アルミニウムもしくはチタンを含有するものであっても
よい。この膜厚は４００人である。

（９）次に、対向する１対の第１層用電極３．３と略平
行の切溝１上のアイ線及びエラ線に沿って分割して、第
８図（ｆ）に示される単一の角形チップを得る。

Ｇｏ）　　次に、該角形チップの端面７，７に形成され
た上記第２居用電極１１．１１上に、図示されないハレ
ルメ・ンキ装置を用いて、アイ線及びエラ線の端面１２
．１２は被覆されず、しかも第１層用電極３゜３及び第
１層用電極ＩＬ　１１が完全に被覆されるようにして、
第３層用電極９，９としてのニッケルをメンキする。し
かる後に、図示されないバレルメッキ装置を用いて、端
面１２．１２は被覆されず、しかも該第３層用電極９，
９としてのニッケル・メツキ層が完全に被覆されるよう
にして、第４層用電極１０．１０としての半田をメツキ
する事により完成品としての角形チップ抵抗器を得た。

このように第２層用電極をスパッタ方式により形成した
角形チップ抵抗器は、第１０図に示されるように、ＩＭ
Ωを有するものを使用してスパッタリング前後の抵抗値
変動率を測定したところ０であり、従来例（焼成後の平
均は−４，５％）よりも効果が見られた。又、本発明の
チップ抵抗の画電極端面にリード線を半田固着した場合
におけるリード線の引張強度は平均４ｋｇ／ｍｍ２であ
り、これは従来よりも約２５％〜５０％強固であった。

更に、本発明によれば耐熱性に優れ、塗り残しも無く、
生産原価をも低減させることができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、スパッタリングを含む真空式薄膜形成
手段を用いて、少なくともクロムを、少なくともアルミ
ニウムを、少なくともチタンを、それぞれ含有する合金
薄膜を、本発明の角形チップ抵抗器における第２層用電
極として使用する事により、スパッタリング前後におけ
る抵抗値変動率及び電極両端面にリード線を半田固着し
た場合のリード線引張強度はいずれも従来よりも優れて
安定し、又、該第２層用電極材料における従来のような
塗り残しが無く、信頼性向上をもたらし、更にクロム、
アルミニウム、ニッケル等を使用するため、従来よりも
生産原価を低減させる事ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は電気絶縁性基板上に設けられた縦横方向に走る
切溝と、該切溝によって生じた基板上の各単位胞内にお
いて、対向するＩ対の電極用端部と該１対の切溝と隣接
する単位胞の端部として、切溝を介して跨がるように印
刷された第１層用電極を示す従来例の平面略図、第２図
は各単位胞内に印刷された第１層用電極上に厚膜抵抗体
を橋設形成した状態を示す従来例の平面略図、第３図は
第２図の厚膜抵抗体を被覆するようにガラスペーストを
積層した状態を示す従来例の平面略図、第４図は第３図
のガラスペーストを焼成後、該ガラスと共に厚膜抵抗体
の一部をレーザーにより切欠した状態を示す従来例の平
面略図、第５図は第４図の切欠部を有するガラス上に更
にガラスペーストを、第１層用電極と直角方向に隣接す
る単位胞にわたり、一連不可分に印刷被覆した状態を示
す従来例の平面略図、第６図は第５図に切溝上のアエカ
ク線及びイウオキ線に沿って細長状に分割した状態を示
す従来例の平面略図、第７図（ａ）及び（ｂ）は第６図
における第１層用電極の一部及び該電極方向の端面に第
２層用電極を積層した状態を示す従来例のそれぞれ、平
面略図及び該Ａ−Ａ線縦線面断面拡大図７図（Ｃ）及び
（ｄ）は第６図における第１層用電極の一部及び該電極
方向の端面に第２層用電極を積層した状態を示す本発明
の一実施例のそれぞれ、平面略図及び該Ｂ−Ｂ線縦線面
断面拡大図８図（ｅ）は第７図（ａ）の細長方向と略直
角方向の切溝上のアイ線及びエラ線に沿って分割した状
態を示す従来例の平面図、第８図げ）は第７図（Ｃ）の
細長方向と略直角方向の切溝上のアイ線及びエラ線に沿
って分割した状態を示す本発明の平面略図、第９図（（
至）は第８図（ｅ）の第１及び第２層用電極が被覆され
るように第３層用電極を、更に該第３層用電極が被覆さ
れるように第４層用電極を、それぞれ順次積層した状態
を示す第２層用電極を含む縦断面拡大図、第９図（Ｆ］
）は第８図げ）の第１及び第２層用電極が被覆されるよ
うに第３層用電極を、更に該第３層用電極が被覆される
ように第４層用電極をそれぞれ順次積層した状態を示す
第２層用電極を含む縦断面拡大図、第１０図は従来例及
び本発明の一実施例における第２層用電極の材質並びに
製造方法の相違による１ＭΩ角形チップ抵抗を使用した
場合の抵抗値変動率を示す特性図、第１１図は従来例及
び本発明の一実施例における第２層用電極の材質並びに
製造方法の相違による、角形チップ抵抗の電極用端面に
リード線を半田固着した場合の該リード線の引張強度特
性図である。１・・・・切溝、２・・・・電気絶縁性基板、３・・・
・第１層用電極、４・・・・厚膜抵抗体、５′、５″・
・・・ガラスペースト、５′、５″・・・・ガラス、６
・・・・切欠部、７．１２・・・・端面、８．１１・・
・・第２層用電極、９・・・・第３層用電極、１０・・
・・第４層用電極。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）第１、２、３及び４層用電極より成る角形チップ
抵抗器において、第２層用電極を真空式スパッタリング
方式より形成した事を特徴とする角形チップ抵抗器。
（２）第１、２、３及び４層用電極より成る角形チップ
抵抗器において、第２層用電極を蒸着方式を含む真空式
薄膜形成手段により形成した事を特徴とする角形チップ
抵抗器
（３）前記第２層用電極の材質は、少なくともクロムを
含有する合金膜である事を特徴とする特許請求の範囲第
（１）項及び第（２）項記載の角形チップ抵抗器。
（４）前記第２層用電極の材質は、少なくともアルミニ
ウムを含有する合金膜である事を特徴とする特許請求の
範囲第（１）項及び第（２）項記載の角形チップ抵抗器
。
（５）前記第２層用電極の材質は、少なくともチタンを
含有する合金膜であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項及び第（２）項記載の角形チップ抵抗器。
（６）前記第２層用電極の膜厚は、３００Åないし１０
００Åである事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項
及び第（２）項記載の角形チップ抵抗器。
（７）前記スパッタリングにおける基板温度は５０℃な
いし２００℃である事を特徴とする特許請求の範囲第（
１）項及び第（２）項記載の角形チップ抵抗器。