JP2526131B2 - チップ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
チップ抵抗器及びその製造方法Info
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- JP2526131B2 JP2526131B2 JP1216570A JP21657089A JP2526131B2 JP 2526131 B2 JP2526131 B2 JP 2526131B2 JP 1216570 A JP1216570 A JP 1216570A JP 21657089 A JP21657089 A JP 21657089A JP 2526131 B2 JP2526131 B2 JP 2526131B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、プリント基板にチップ状電子部品として装
着するのに適したリードの無いチップ抵抗器及びその製
造方法に関する。
着するのに適したリードの無いチップ抵抗器及びその製
造方法に関する。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課題) 従来、チップ抵抗器としては、チップ状絶縁板上にス
クリーン印刷法で抵抗膜を設け、さらに端部電極をAg−
Pdペーストの塗布、焼き付け、その後のNi、Pb−Sn(又
はSn)めっき等で形成する厚膜・湿式(端部電極に関し
てはめっき)法によるものが一般的である。
クリーン印刷法で抵抗膜を設け、さらに端部電極をAg−
Pdペーストの塗布、焼き付け、その後のNi、Pb−Sn(又
はSn)めっき等で形成する厚膜・湿式(端部電極に関し
てはめっき)法によるものが一般的である。
この場合、端部電極形成時のAg−Pdペーストの塗布精
度が問題となり、製品形状の寸法精度が悪化する。
度が問題となり、製品形状の寸法精度が悪化する。
一方、チップ抵抗器の端部電極を薄膜技術で形成する
ことが特開昭63−172401号に提案されている。
ことが特開昭63−172401号に提案されている。
この場合には、チップ状絶縁板に対する薄膜の付着強
度の問題やプリント基板にはんだ付けする際のはんだ耐
熱性等が問題となり、これらについての対策を講じる必
要がある。
度の問題やプリント基板にはんだ付けする際のはんだ耐
熱性等が問題となり、これらについての対策を講じる必
要がある。
また、製造工程においても、絶縁基板をチップ状絶縁
板に分割する作業を円滑に実施可能とすることが要望さ
れている。
板に分割する作業を円滑に実施可能とすることが要望さ
れている。
本発明の第1の目的は、上記の点に鑑み、端部電極の
寸法精度の向上や信頼性の向上を図り得るチップ抵抗器
を提供することにある。
寸法精度の向上や信頼性の向上を図り得るチップ抵抗器
を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、製造工程が簡単で、抵
抗値シフトが発生せず、絶縁基板を容易かつ確実に所要
の大きさのチップ状絶縁板に分割可能として、歩留り及
び信頼性の向上を図ったチップ抵抗器の製造方法を提供
するにある。
抗値シフトが発生せず、絶縁基板を容易かつ確実に所要
の大きさのチップ状絶縁板に分割可能として、歩留り及
び信頼性の向上を図ったチップ抵抗器の製造方法を提供
するにある。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明のチップ抵抗器
は、チップ状絶縁板と、該チップ状絶縁板の一主面に形
成された抵抗膜と、前記チップ状絶縁板の両方の端部を
それぞれ略コ字状に囲んで前記抵抗膜に接続する一対の
端部電極とを有するチップ抵抗器において、 前記一主面上に一対の一次電極膜を形成し、かつ該一
対の一次電極膜間に前記抵抗膜を形成し、 前記チップ状絶縁板への付着性の低いNiCr薄膜、Ti薄
膜又はCr薄膜であって前記一次電極膜に接続する最下層
の第1の金属薄膜と、該第1の金属薄膜上に形成された
低抵抗のCu薄膜である第2の金属薄膜と、該第2の金属
薄膜上に形成された耐はんだ性のNiめっき膜である第1
の金属めっき膜と、該第1の金属めっき膜上に形成され
たはんだ付着性の良いPb−Snめっき膜又はSnめっき膜で
ある第2の金属めっき膜との積層構造で前記一対の端部
電極をそれぞれ構成している。
は、チップ状絶縁板と、該チップ状絶縁板の一主面に形
成された抵抗膜と、前記チップ状絶縁板の両方の端部を
それぞれ略コ字状に囲んで前記抵抗膜に接続する一対の
端部電極とを有するチップ抵抗器において、 前記一主面上に一対の一次電極膜を形成し、かつ該一
対の一次電極膜間に前記抵抗膜を形成し、 前記チップ状絶縁板への付着性の低いNiCr薄膜、Ti薄
膜又はCr薄膜であって前記一次電極膜に接続する最下層
の第1の金属薄膜と、該第1の金属薄膜上に形成された
低抵抗のCu薄膜である第2の金属薄膜と、該第2の金属
薄膜上に形成された耐はんだ性のNiめっき膜である第1
の金属めっき膜と、該第1の金属めっき膜上に形成され
たはんだ付着性の良いPb−Snめっき膜又はSnめっき膜で
ある第2の金属めっき膜との積層構造で前記一対の端部
電極をそれぞれ構成している。
また、本発明のチップ抵抗器の製造方法は、複数の棒
状部が一体に形成される如くスリット状穴を設けるとと
もに各棒状部の両主面にチップ状絶縁板に分割するため
の分割溝を形成してなる穴あき絶縁基板の各棒状部の一
主面に、前記分割溝で区分された各区画毎に一対の一次
電極膜を形成し、該一対の一次電極膜間に厚膜技術によ
り抵抗厚膜を形成した後、前記一対の一次電極膜間の抵
抗値を測定しながら前記抵抗厚膜のトリミングを行い、
該トリミング処理後に薄膜技術により前記絶縁基板への
付着性の良いNiCr薄膜、Ti薄膜又はCr薄膜である最下層
の第1の金属薄膜及び該第1の金属薄膜上に低抵抗のCu
薄膜である第2の金属膜を形成し、さらに電気めっきに
より前記第2の金属薄膜上に耐はんだ性のNiめっき膜で
ある第1の金属めっき膜及び該第1の金属めっき膜上に
はんだ付着性の良いPb−Snめっき膜又はSnめっき膜であ
る第2の金属めっき膜を形成して前記棒状部の両方の端
部をそれぞれ略コ字状に囲みかつ前記一対の一次電極膜
にそれぞれ接続するように前記第1及び第2の金属薄膜
と前記第1及び第2の金属めっき膜とからなる積層構造
の一対の端部電極を形成した後、前記棒状部を前記分割
溝に沿って複数個に切断分離することを特徴としてい
る。
状部が一体に形成される如くスリット状穴を設けるとと
もに各棒状部の両主面にチップ状絶縁板に分割するため
の分割溝を形成してなる穴あき絶縁基板の各棒状部の一
主面に、前記分割溝で区分された各区画毎に一対の一次
電極膜を形成し、該一対の一次電極膜間に厚膜技術によ
り抵抗厚膜を形成した後、前記一対の一次電極膜間の抵
抗値を測定しながら前記抵抗厚膜のトリミングを行い、
該トリミング処理後に薄膜技術により前記絶縁基板への
付着性の良いNiCr薄膜、Ti薄膜又はCr薄膜である最下層
の第1の金属薄膜及び該第1の金属薄膜上に低抵抗のCu
薄膜である第2の金属膜を形成し、さらに電気めっきに
より前記第2の金属薄膜上に耐はんだ性のNiめっき膜で
ある第1の金属めっき膜及び該第1の金属めっき膜上に
はんだ付着性の良いPb−Snめっき膜又はSnめっき膜であ
る第2の金属めっき膜を形成して前記棒状部の両方の端
部をそれぞれ略コ字状に囲みかつ前記一対の一次電極膜
にそれぞれ接続するように前記第1及び第2の金属薄膜
と前記第1及び第2の金属めっき膜とからなる積層構造
の一対の端部電極を形成した後、前記棒状部を前記分割
溝に沿って複数個に切断分離することを特徴としてい
る。
(作用) 本発明においては、チップ状絶縁板の端部に形成され
るべき端部電極をAg−Pdペーストの塗布、焼き付けで構
成する必要がなく、厚みの管理が容易な金属薄膜と金属
めっき膜の積層増高で端部電極を構成でき、製品寸法精
度の向上が可能である。また、高価なAg−Pdペーストを
端部電極に使用しないため、原価低減を図る上でも有利
である。
るべき端部電極をAg−Pdペーストの塗布、焼き付けで構
成する必要がなく、厚みの管理が容易な金属薄膜と金属
めっき膜の積層増高で端部電極を構成でき、製品寸法精
度の向上が可能である。また、高価なAg−Pdペーストを
端部電極に使用しないため、原価低減を図る上でも有利
である。
また、端部電極は抵抗膜の抵抗値シフトを防止可能な
低温プロセスで形成でき、端部電極を構成する金属薄膜
と金属めっき膜の積層構造の各材質を工夫することによ
り、チップ状絶縁板への付着強度やはんだ耐熱性に優れ
た構成とすることができる。
低温プロセスで形成でき、端部電極を構成する金属薄膜
と金属めっき膜の積層構造の各材質を工夫することによ
り、チップ状絶縁板への付着強度やはんだ耐熱性に優れ
た構成とすることができる。
さらに、複数の棒状部が一体に形成される如くスリッ
ト状穴を設けるとともに各棒状部の両主面にチップ状絶
縁板に分割するための分割溝を形成してなる穴あき絶縁
基板を採用することにより、各チップ状絶縁板に切断、
分割する際のばりの発生を極力防止することができる。
ト状穴を設けるとともに各棒状部の両主面にチップ状絶
縁板に分割するための分割溝を形成してなる穴あき絶縁
基板を採用することにより、各チップ状絶縁板に切断、
分割する際のばりの発生を極力防止することができる。
(実施例) 以下、本発明に係るチップ抵抗器及びその製造方法の
実施例を図面に従って説明する。
実施例を図面に従って説明する。
まず、完成状態のチップ抵抗器の第1実施例を第1図
で説明する。アルミナ等のチップ状絶縁板1の一主面
(上面)にはAg−Pdペーストのスクリーン印刷による塗
布焼き付け等の厚膜技術によって一対の一次電極厚膜2
が形成される。チップ状絶縁板1上の一次電極厚膜2間
には例えばRuO2系抵抗ペーストスクリーン印刷による塗
布焼き付け等の厚膜技術によりRuO2系の抵抗厚膜3が形
成される。該抵抗厚膜3の両端部は前記一次電極厚膜2
に重なって電気的に接続されている。
で説明する。アルミナ等のチップ状絶縁板1の一主面
(上面)にはAg−Pdペーストのスクリーン印刷による塗
布焼き付け等の厚膜技術によって一対の一次電極厚膜2
が形成される。チップ状絶縁板1上の一次電極厚膜2間
には例えばRuO2系抵抗ペーストスクリーン印刷による塗
布焼き付け等の厚膜技術によりRuO2系の抵抗厚膜3が形
成される。該抵抗厚膜3の両端部は前記一次電極厚膜2
に重なって電気的に接続されている。
前記抵抗厚膜3の上には低融点鉛ガラス等の保護コー
ト4が被着形成され、抵抗厚膜3を全面的に覆ってい
る。但し、一次電極厚膜2の大半は外部に露出してい
る。
ト4が被着形成され、抵抗厚膜3を全面的に覆ってい
る。但し、一次電極厚膜2の大半は外部に露出してい
る。
前記抵抗厚膜3に一次電極厚膜2を介して接続する端
部電極7は、チップ状絶縁板1の両方の端部を略コ字状
に囲むようにスパッタ、イオンプレーティング、P−CV
D等の薄膜技術により形成される第1及び第2の金属薄
膜5A,5Bと、電気めっきにより形成される第1及び第2
の金属めっき膜6A,6Bとの4層構造である。
部電極7は、チップ状絶縁板1の両方の端部を略コ字状
に囲むようにスパッタ、イオンプレーティング、P−CV
D等の薄膜技術により形成される第1及び第2の金属薄
膜5A,5Bと、電気めっきにより形成される第1及び第2
の金属めっき膜6A,6Bとの4層構造である。
ここで、最下層の金属薄膜5Aはチップ状絶縁板1への
付着性の良いNiCrスパッタ膜、Tiスパッタ膜又はCrスパ
ッタ膜であり、この金属薄膜5A上に被着される金属薄膜
5Bは低抵抗のCuスパッタ膜である。
付着性の良いNiCrスパッタ膜、Tiスパッタ膜又はCrスパ
ッタ膜であり、この金属薄膜5A上に被着される金属薄膜
5Bは低抵抗のCuスパッタ膜である。
また、金属薄膜5B上に被着される金属めっき膜6Aは耐
はんだ性(はんだの拡散防止及びはんだ耐熱性)のNiめ
っき膜であり、この金属めっき膜6A上に被着される金属
めっき膜6BはPb−Snめっき膜又はめっき膜である。
はんだ性(はんだの拡散防止及びはんだ耐熱性)のNiめ
っき膜であり、この金属めっき膜6A上に被着される金属
めっき膜6BはPb−Snめっき膜又はめっき膜である。
上記第1図に示したチップ抵抗器の製造は、次の順序
で行う。まず、第2図のようにスリット状穴11によって
区画された複数の棒状部12を一体に有するアルミナ等の
穴あき絶縁基板10を受け入れ、表面の洗浄しておく。こ
こで、第3図の如く各棒状部12の上下主面にはチップ状
絶縁板に分割するための分割溝13が形成されている。
で行う。まず、第2図のようにスリット状穴11によって
区画された複数の棒状部12を一体に有するアルミナ等の
穴あき絶縁基板10を受け入れ、表面の洗浄しておく。こ
こで、第3図の如く各棒状部12の上下主面にはチップ状
絶縁板に分割するための分割溝13が形成されている。
次に第4図のように、Ag−Pdペーストをスクリーン印
刷し、乾燥、焼成(焼成温度850℃)する等の厚膜技術
で一対の一次電極厚膜2を分割溝13で区分されたチップ
状絶縁板となるべき棒状部2の各区画14上に独立的にそ
れぞれ形成する。
刷し、乾燥、焼成(焼成温度850℃)する等の厚膜技術
で一対の一次電極厚膜2を分割溝13で区分されたチップ
状絶縁板となるべき棒状部2の各区画14上に独立的にそ
れぞれ形成する。
それから第5図のように、例えばRuO2系の抵抗ペース
トをスクリーン印刷し、乾燥、焼成(焼成温度850℃)
する等の厚膜技術でRuO2系抵抗厚膜3を棒状部12の各区
画14上に独立的に設ける。このとき抵抗厚膜3の端部は
一次電極厚膜2に重なっている。
トをスクリーン印刷し、乾燥、焼成(焼成温度850℃)
する等の厚膜技術でRuO2系抵抗厚膜3を棒状部12の各区
画14上に独立的に設ける。このとき抵抗厚膜3の端部は
一次電極厚膜2に重なっている。
前記一対の一次電極厚膜2間にプローブを立てて抵抗
値を測定しながら抵抗厚膜3のトリミング(抵抗値調
整)を行う。このトリミングは例えばトーザートリマー
により第6図のように抵抗厚膜3に切り込み溝15を形成
することにより実行できる。
値を測定しながら抵抗厚膜3のトリミング(抵抗値調
整)を行う。このトリミングは例えばトーザートリマー
により第6図のように抵抗厚膜3に切り込み溝15を形成
することにより実行できる。
それから、第7図の如く、低融点鉛ガラス等の保護コ
ート4をガラスペーストのスクリーン印刷、乾燥、焼成
等による厚膜技術でトリミング後の抵抗厚膜3上に全面
的に設け、抵抗厚膜3の表面を包み込んで保護する。
ート4をガラスペーストのスクリーン印刷、乾燥、焼成
等による厚膜技術でトリミング後の抵抗厚膜3上に全面
的に設け、抵抗厚膜3の表面を包み込んで保護する。
穴あき絶縁基板の状態のままでスパッタ、イオンプレ
ーティング、P−CVD等の薄膜技術による金属薄膜を5A,
5Bの順に設け、さらに電気めっき法により金属めっき膜
を6A,6Bの順で設けて、4層構造の端部電極7を第8図
の如く前記一次電極厚膜2上の一部を含む棒状部12の両
端部を略コ字状に囲むように当該棒状部裏面の一部にま
で延長して形成する。
ーティング、P−CVD等の薄膜技術による金属薄膜を5A,
5Bの順に設け、さらに電気めっき法により金属めっき膜
を6A,6Bの順で設けて、4層構造の端部電極7を第8図
の如く前記一次電極厚膜2上の一部を含む棒状部12の両
端部を略コ字状に囲むように当該棒状部裏面の一部にま
で延長して形成する。
抵抗厚膜3及び端部電極7を形成した穴あき絶縁基板
10を各棒状部12の分割溝12を利用して複数個のチップ状
絶縁板1に切断分離する。切断分離作業は、棒状部12の
両主面に分割溝13が形成されていることから、手作業で
実施でき、必要に応じてダイシングソー等で第8図1点
鎖線Xに沿って(分割溝13に沿って)切断することもで
きる。いずれにしても、分割溝13があるため、切断時に
ばりの発生が少なく、チップ状絶縁板1の後加工を不要
にできる。
10を各棒状部12の分割溝12を利用して複数個のチップ状
絶縁板1に切断分離する。切断分離作業は、棒状部12の
両主面に分割溝13が形成されていることから、手作業で
実施でき、必要に応じてダイシングソー等で第8図1点
鎖線Xに沿って(分割溝13に沿って)切断することもで
きる。いずれにしても、分割溝13があるため、切断時に
ばりの発生が少なく、チップ状絶縁板1の後加工を不要
にできる。
このような穴あき絶縁基板10の分離によりチップ状絶
縁板1上に抵抗厚膜と端部電極とが形成された第1図に
示した如き個々のチップ抵抗器が得られる。
縁板1上に抵抗厚膜と端部電極とが形成された第1図に
示した如き個々のチップ抵抗器が得られる。
上記第1実施例の場合、端部電極7をチップ状絶縁板
1への付着性の良い第1の金属薄膜5Aと、低抵抗の第2
の金属薄膜5Bと、耐はんだ性の第1の金属めっき膜6A
と、はんだ付着性の良い第2の金属めっき膜6Bとの4層
構造としたので、端部電極をAg−Pdペーストの塗布、焼
き付けで構成したものよりも、寸法精度を向上させるこ
とができ、しかも材料費を低減することができる。ま
た、抵抗厚膜3の形成後は、焼成(焼き付け)を必要と
しない低温プロセスであり、抵抗値のシフトを防止でき
る。また、端部電極7ははんだ付着性が良好で、しかも
はんだ耐熱性も良好であり、はんだ付け時に端部電極7
が劣化しないので信頼性が高い。
1への付着性の良い第1の金属薄膜5Aと、低抵抗の第2
の金属薄膜5Bと、耐はんだ性の第1の金属めっき膜6A
と、はんだ付着性の良い第2の金属めっき膜6Bとの4層
構造としたので、端部電極をAg−Pdペーストの塗布、焼
き付けで構成したものよりも、寸法精度を向上させるこ
とができ、しかも材料費を低減することができる。ま
た、抵抗厚膜3の形成後は、焼成(焼き付け)を必要と
しない低温プロセスであり、抵抗値のシフトを防止でき
る。また、端部電極7ははんだ付着性が良好で、しかも
はんだ耐熱性も良好であり、はんだ付け時に端部電極7
が劣化しないので信頼性が高い。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、製品の寸法精
度の向上や端部電極の信頼性の向上(絶縁板への付着強
度や耐はんだ性の向上)を図ることができ、さらに、製
法上においても穴あき絶縁基板の各棒状部の両主面に分
割溝を形成しておくことにより、チップ状絶縁板に分割
する作業を容易かつ確実とし、ばり等の発生を未然に防
止できる。
度の向上や端部電極の信頼性の向上(絶縁板への付着強
度や耐はんだ性の向上)を図ることができ、さらに、製
法上においても穴あき絶縁基板の各棒状部の両主面に分
割溝を形成しておくことにより、チップ状絶縁板に分割
する作業を容易かつ確実とし、ばり等の発生を未然に防
止できる。
第1図は本発明の第1実施例を示す正断面図、第2図は
第1実施例における製造工程で使用する穴あき絶縁基板
の平面図、第3図は穴あき絶縁基板の要部側面図、第4
図乃至第8図は第1実施例のおける製造工程を説明する
斜視図である。 1……チップ状絶縁板、2……一次電極厚膜、3……抵
抗厚膜、4……保護コート、5A,5B……金属薄膜、6A,6B
……金属めっき膜、7……端部電極、10……穴あき絶縁
基板、11……スリット状穴、12……棒状部、13……分割
溝。
第1実施例における製造工程で使用する穴あき絶縁基板
の平面図、第3図は穴あき絶縁基板の要部側面図、第4
図乃至第8図は第1実施例のおける製造工程を説明する
斜視図である。 1……チップ状絶縁板、2……一次電極厚膜、3……抵
抗厚膜、4……保護コート、5A,5B……金属薄膜、6A,6B
……金属めっき膜、7……端部電極、10……穴あき絶縁
基板、11……スリット状穴、12……棒状部、13……分割
溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 昭夫 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 宮内 栄作 東京都中央区日本橋1丁目13番1号 テ ィーディーケイ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】チップ状絶縁板と、該チップ状絶縁板の一
主面に形成された抵抗膜と、前記チップ状絶縁板の両方
の端部をそれぞれ略コ字状に囲んで前記抵抗膜に接続す
る一対の端部電極とを有するチップ抵抗器において、 前記一主面上に一対の一次電極膜を形成し、かつ該一対
の一次電極膜間に前記抵抗膜を形成し、 前記チップ状絶縁板への付着性の良いNiCr薄膜、Ti薄膜
又はCr薄膜であって前記一次電極膜に接続する最下層の
第1の金属薄膜と、該第1の金属薄膜上に形成された低
抵抗のCu薄膜である第2の金属薄膜と、該第2の金属薄
膜上に形成された耐はんだ性のNiめっき膜である第1の
金属めっき膜と、該第1の金属めっき膜上に形成された
はんだ付着性の良いPb−Snめっき膜又はSnめっき膜であ
る第2の金属めっき膜との積層構造で前記一対の端部電
極をそれぞれ構成したことを特徴とするチップ抵抗器。 - 【請求項2】複数の棒状部が一体に形成される如くスリ
ット状穴を設けるとともに各棒状部の両主面にチップ状
絶縁板に分割するための分割溝を形成してなる穴あき絶
縁基板の各棒状部の一主面に、前記分割溝で区分された
各区画毎に一対の一次電極膜を形成し、該一対の一次電
極膜間に厚膜技術により抵抗厚膜を形成した後、前記一
対の一次電極膜間の抵抗値を測定しながら前記抵抗厚膜
のトリミングを行い、該トリミング処理後に薄膜技術に
より前記絶縁基板への付着性の良いNiCr薄膜、Ti薄膜又
はCr薄膜である最下層の第1の金属薄膜及び該第1の金
属薄膜上に低抵抗のCu薄膜である第2の金属膜を形成
し、さらに電気めっきにより前記第2の金属薄膜上に耐
はんだ性のNiめっき膜である第1の金属めっき膜及び該
第1の金属めっき膜上にはんだ付着性の良いPb−Snめっ
き膜又はSnめっき膜である第2の金属めっき膜を形成し
て前記棒状部の両方の端部をそれぞれ略コ字状に囲みか
つ前記一対の一次電極膜にそれぞれ接続するように前記
第1及び第2の金属薄膜と前記第1及び第2の金属めっ
き膜とからなる積層構造の一対の端部電極を形成した
後、前記棒状部を前記分割溝に沿って複数個に切断分離
することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1216570A JP2526131B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | チップ抵抗器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1216570A JP2526131B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | チップ抵抗器及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0380501A JPH0380501A (ja) | 1991-04-05 |
JP2526131B2 true JP2526131B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=16690496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1216570A Expired - Fee Related JP2526131B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | チップ抵抗器及びその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2526131B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2559341B2 (ja) * | 1994-07-21 | 1996-12-04 | 釜屋電機株式会社 | チップ型抵抗器の製造方法 |
JP2002260901A (ja) | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗器 |
JP4600687B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2010-12-15 | Tdk株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
JP2012028540A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Koa Corp | ジャンパーチップ部品 |
JP5970695B2 (ja) | 2012-03-26 | 2016-08-17 | Koa株式会社 | 電流検出用抵抗器およびその実装構造 |
Citations (4)
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JPS61102703A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | 興亜電工株式会社 | チツプ状電子部品 |
JPS62176101A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | コーア株式会社 | セラミツク基板 |
JPS63172401A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-16 | ティーディーケイ株式会社 | チツプ抵抗器、その集合体及びチツプ抵抗器の製造方法 |
JPH01154501A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Koa Corp | 角形チップ抵抗器 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1216570A patent/JP2526131B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS61102703A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-21 | 興亜電工株式会社 | チツプ状電子部品 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH0380501A (ja) | 1991-04-05 |
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