JPS6317219B2 - - Google Patents
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- JPS6317219B2 JPS6317219B2 JP3336781A JP3336781A JPS6317219B2 JP S6317219 B2 JPS6317219 B2 JP S6317219B2 JP 3336781 A JP3336781 A JP 3336781A JP 3336781 A JP3336781 A JP 3336781A JP S6317219 B2 JPS6317219 B2 JP S6317219B2
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明はチツプ型コンデンサおよび製造方法に
関し、特にチツプ型コンデンサの端子電極の構成
に関する。 従来、積層セラミツクコンデンサ等のチツプ型
コンデンサの端子電極は銀、パラジウム、白金等
の金属にガラスフリツト、有機バインダー、溶剤
等を適当量混合して形成したペーストを端子部に
塗布した後、温度800〜900℃にて焼結して形成さ
れていた。 しかしながら、銀は半田付け時の半田喰われ性
の問題があり、かつ近年の貴金属類の高騰により
最近では無電解メツキ法等でニツケル等の金属層
を形成し、不要部分のニツケルを除去した後、錫
又は錫合金メツキ層を施すか、不要部分のニツケ
ルを除去した後銅メツキ層を施してから錫又は錫
合金メツキ層を施す手段がとられてきている。 しかし、ニツケル層の上に直接錫又は錫合金メ
ツキを施す方法はメツキ層の密着性が悪く、かつ
メツキ層の密着性改善のために中間に銅メツキ層
を施した場合には、銅メツキ層を形成してから錫
又は錫合金メツキ層を施すまでの間空気中に放置
すると銅表面が酸化し、錫又は錫合金の密着性を
かえつて悪くしたり、電気特性を劣化させる等の
問題点があつた。又銅メツキ層を施した上さらに
錫又は錫合金をメツキしなければならないこと、
及び銅表面の酸化の問題を考慮して、銅メツキ層
を施した後の表面の管理を十分行なわねばならな
いなど工数の増加をきたし、量産性に適さなかつ
た。 本発明の目的はこれらの従来欠点を解決し、量
産性に適するチツプ型コンデンサを提供すること
にある。 本発明は、コンデンサ素子の端子部の表面に無
電解メツキ法によりニツケルを被着した第１導電
層と、第１導電層上に錫又は半田等の低融点金属
と銅との混合層を被着した第２導電層とから形成
される端子電極を有することを特徴とするチツプ
型コンデンサおよびその製造方法に係わるもので
ある。 以下、本発明のチツプ型コンデンサおよびその
製造方法の一実施例を第１図を参照して説明す
る。 参照符号１は積層セラミツクコンデンサ等のチ
ツプ型コンデンサ素子である。次に端子部分の第
１導電層として無電解メツキ等の方法により、ニ
ツケル皮膜２をチツプ型コンデンサの表面に形成
する。不要部分のニツケルの除去は、たとえばニ
ツケル皮膜形成後端子電極部分に有機物レジスト
によるマスキングを行なつた後エツチングを行な
つてニツケル皮膜を除去し、その後有機物レジス
トを溶剤にて除去する方法にて行なう。 次に第２導電層として銅粉末と半田粉末とを重
量比１：１にて混合した粉末をアルゴンガスを用
いたプラズマ炎中に供給し、銅と半田との混合物
からなる皮膜３をニツケル皮膜２の表面に付着さ
せる。不要部分の銅と半田の混合物からなる皮膜
はニツケル皮膜と同様の方法にて除去する。また
ニツケル皮膜形成後、不要部分のニツケルの除去
を行なわず、銅と半田の混合物からなる皮膜を形
成した後、同時に除去する方法でもよい。 上記実施例により製造した積層セラミツクコン
デンサの誘電体損失を1kHz、1vにて測定した結
果を次表に示す。表中の値は試料100個の平均値
であり、又、従来のものとはニツケルメツキ層の
上に銅メツキ層を施し、さらに錫合金メツキ層を
施したものである。
関し、特にチツプ型コンデンサの端子電極の構成
に関する。 従来、積層セラミツクコンデンサ等のチツプ型
コンデンサの端子電極は銀、パラジウム、白金等
の金属にガラスフリツト、有機バインダー、溶剤
等を適当量混合して形成したペーストを端子部に
塗布した後、温度800〜900℃にて焼結して形成さ
れていた。 しかしながら、銀は半田付け時の半田喰われ性
の問題があり、かつ近年の貴金属類の高騰により
最近では無電解メツキ法等でニツケル等の金属層
を形成し、不要部分のニツケルを除去した後、錫
又は錫合金メツキ層を施すか、不要部分のニツケ
ルを除去した後銅メツキ層を施してから錫又は錫
合金メツキ層を施す手段がとられてきている。 しかし、ニツケル層の上に直接錫又は錫合金メ
ツキを施す方法はメツキ層の密着性が悪く、かつ
メツキ層の密着性改善のために中間に銅メツキ層
を施した場合には、銅メツキ層を形成してから錫
又は錫合金メツキ層を施すまでの間空気中に放置
すると銅表面が酸化し、錫又は錫合金の密着性を
かえつて悪くしたり、電気特性を劣化させる等の
問題点があつた。又銅メツキ層を施した上さらに
錫又は錫合金をメツキしなければならないこと、
及び銅表面の酸化の問題を考慮して、銅メツキ層
を施した後の表面の管理を十分行なわねばならな
いなど工数の増加をきたし、量産性に適さなかつ
た。 本発明の目的はこれらの従来欠点を解決し、量
産性に適するチツプ型コンデンサを提供すること
にある。 本発明は、コンデンサ素子の端子部の表面に無
電解メツキ法によりニツケルを被着した第１導電
層と、第１導電層上に錫又は半田等の低融点金属
と銅との混合層を被着した第２導電層とから形成
される端子電極を有することを特徴とするチツプ
型コンデンサおよびその製造方法に係わるもので
ある。 以下、本発明のチツプ型コンデンサおよびその
製造方法の一実施例を第１図を参照して説明す
る。 参照符号１は積層セラミツクコンデンサ等のチ
ツプ型コンデンサ素子である。次に端子部分の第
１導電層として無電解メツキ等の方法により、ニ
ツケル皮膜２をチツプ型コンデンサの表面に形成
する。不要部分のニツケルの除去は、たとえばニ
ツケル皮膜形成後端子電極部分に有機物レジスト
によるマスキングを行なつた後エツチングを行な
つてニツケル皮膜を除去し、その後有機物レジス
トを溶剤にて除去する方法にて行なう。 次に第２導電層として銅粉末と半田粉末とを重
量比１：１にて混合した粉末をアルゴンガスを用
いたプラズマ炎中に供給し、銅と半田との混合物
からなる皮膜３をニツケル皮膜２の表面に付着さ
せる。不要部分の銅と半田の混合物からなる皮膜
はニツケル皮膜と同様の方法にて除去する。また
ニツケル皮膜形成後、不要部分のニツケルの除去
を行なわず、銅と半田の混合物からなる皮膜を形
成した後、同時に除去する方法でもよい。 上記実施例により製造した積層セラミツクコン
デンサの誘電体損失を1kHz、1vにて測定した結
果を次表に示す。表中の値は試料100個の平均値
であり、又、従来のものとはニツケルメツキ層の
上に銅メツキ層を施し、さらに錫合金メツキ層を
施したものである。
【表】
以上の本発明実施例によれば、銅メツキ表面の
酸化を防止でき、銅メツキ後、直ちに錫又は錫合
金メツキを施す必要がなくなつた。さらに従来銅
メツキ表面の酸化により生じていた電気特性の劣
化が改善される。又、銅メツキと錫又は錫合金メ
ツキの如く、２回のメツキを施す必要がない。な
お、錫、半田等の低融点金属と銅の粉末とを１：
１以外の重量比で溶射してもよいことはもちろん
である。 以上、本発明を用いれば量産性のある、電気特
性にすぐれたチツプ型コンデンサを得ることがで
きるので産業的価値の大なるものである。
酸化を防止でき、銅メツキ後、直ちに錫又は錫合
金メツキを施す必要がなくなつた。さらに従来銅
メツキ表面の酸化により生じていた電気特性の劣
化が改善される。又、銅メツキと錫又は錫合金メ
ツキの如く、２回のメツキを施す必要がない。な
お、錫、半田等の低融点金属と銅の粉末とを１：
１以外の重量比で溶射してもよいことはもちろん
である。 以上、本発明を用いれば量産性のある、電気特
性にすぐれたチツプ型コンデンサを得ることがで
きるので産業的価値の大なるものである。
第１図は本発明の一実施例を示すチツプ型コン
デンサの断面図である。 １……チツプ型コンデンサ素子、２……ニツケ
ル皮膜、３……銅と半田との混合物からなる皮
膜。
デンサの断面図である。 １……チツプ型コンデンサ素子、２……ニツケ
ル皮膜、３……銅と半田との混合物からなる皮
膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ コンデンサ素子の端子部の表面にニツケルを
被着した第１導電層と、前記第１導電層上に錫、
半田等の低融点金属と銅との混合層を被着した第
２導電層とから形成される端子電極を有すること
を特徴とするチツプ型コンデンサ。 ２ チツプ型コンデンサの端子部分に無電解メツ
キ法によりニツケルメツキ層を形成する工程と前
記ニツケルメツキ層上に錫、半田等の低融点金属
と銅との混合物を溶射して混合層を形成すること
を特徴とするチツプ型コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336781A JPS57148328A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Chip type capacitor and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3336781A JPS57148328A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Chip type capacitor and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57148328A JPS57148328A (en) | 1982-09-13 |
| JPS6317219B2 true JPS6317219B2 (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=12384607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3336781A Granted JPS57148328A (en) | 1981-03-09 | 1981-03-09 | Chip type capacitor and method of producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57148328A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616461B2 (ja) * | 1984-05-14 | 1994-03-02 | 京セラ株式会社 | チップ型積層磁器コンデンサ |
| JPH0510348Y2 (ja) * | 1988-01-30 | 1993-03-15 | ||
| JPH03175711A (ja) * | 1989-12-04 | 1991-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品 |
-
1981
- 1981-03-09 JP JP3336781A patent/JPS57148328A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57148328A (en) | 1982-09-13 |
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