JPS5885518A - チツプ型コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
チツプ型コンデンサおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5885518A JPS5885518A JP18406881A JP18406881A JPS5885518A JP S5885518 A JPS5885518 A JP S5885518A JP 18406881 A JP18406881 A JP 18406881A JP 18406881 A JP18406881 A JP 18406881A JP S5885518 A JPS5885518 A JP S5885518A
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- JP
- Japan
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- zinc
- conductive layer
- tin
- chip
- capacitor element
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチップ型コンデンサおよびその製造方法に関し
、特にチップ型コンデンサの端子電極の構成に関する。
、特にチップ型コンデンサの端子電極の構成に関する。
従来、頂層セラミックコンデンサ等のチップ型コンデン
サの端子電極は銀、パラジウム、白金８の金属にガラス
フリット、有機バインダー、溶剤等を透当童混合して形
成したペースト全コンデンサ素子の端子部［塗布した後
、温度８００〜９００°Ｃにて焼結して形成されていた
。しかし々から銀は手出付は時の半田喰われ性の問題が
あシ、かつ近年の貴金属類の高ルｉにより、最近では無
電解メッキ法等でコンデンサ素子の全面にニッケル等の
金属層全形成し、次に不安部分の金属層のみをエツチン
グなどで除去した後、残った金属層上に錫又は錫を主体
とする合金のメッキ層を形成する改良手段がとられてき
ている。
サの端子電極は銀、パラジウム、白金８の金属にガラス
フリット、有機バインダー、溶剤等を透当童混合して形
成したペースト全コンデンサ素子の端子部［塗布した後
、温度８００〜９００°Ｃにて焼結して形成されていた
。しかし々から銀は手出付は時の半田喰われ性の問題が
あシ、かつ近年の貴金属類の高ルｉにより、最近では無
電解メッキ法等でコンデンサ素子の全面にニッケル等の
金属層全形成し、次に不安部分の金属層のみをエツチン
グなどで除去した後、残った金属層上に錫又は錫を主体
とする合金のメッキ層を形成する改良手段がとられてき
ている。
しかし、上述した従来改良手段では、ニッケル４仝属層
形成後、（１）コンデンサ素子ｑ）端子部分にエツチン
グレジスト皮膜等を形成した後、コンデンサ素子をエツ
チング液などに浸漬して不要部分の金１４層を除去する
。（１１）不要部分の金１４層を除去した後ｊで端子部
分を被覆したエツチングレジスト皮膜を除去する。など
の工程が必要となシ、端子電極材料費のコストダウンが
はかられたにもかかわらず、工数の増加をきたし量産性
に適さないという欠点があった。また、エツチング法等
によシ、金属層を除去する場合、エツチングレジスト皮
膜等によりおおわれているコンデンサ素子の端子部分に
も、エツチング液がしみ込み、端子電極として必要な箇
所の金属層をも除去してしまうという欠点があった。
形成後、（１）コンデンサ素子ｑ）端子部分にエツチン
グレジスト皮膜等を形成した後、コンデンサ素子をエツ
チング液などに浸漬して不要部分の金１４層を除去する
。（１１）不要部分の金１４層を除去した後ｊで端子部
分を被覆したエツチングレジスト皮膜を除去する。など
の工程が必要となシ、端子電極材料費のコストダウンが
はかられたにもかかわらず、工数の増加をきたし量産性
に適さないという欠点があった。また、エツチング法等
によシ、金属層を除去する場合、エツチングレジスト皮
膜等によりおおわれているコンデンサ素子の端子部分に
も、エツチング液がしみ込み、端子電極として必要な箇
所の金属層をも除去してしまうという欠点があった。
本発明の目的ばかがる従来欠点を解消したチップ型コン
デンサおよびその製造方法を提供することにある。
デンサおよびその製造方法を提供することにある。
本発明によれば、コンデンサ素子の端子部の表面に亜鉛
、または亜鉛全主体とする金属ガラスフリット、有機バ
インダーより々るペーストを塗布した後８５０°Ｃ以下
の温度で焼結して、亜鉛、または亜鉛を主体とする金属
全被層させた第１４電層と、この第１導電層上に電解メ
ッキまたは熔融金属に浸漬する手段により、錫または錫
を主体とする合金を被着させた第２導電層とからなる端
子電極を有すること全特徴とするチップ型コンデンサお
よびその製造方法が得られる。
、または亜鉛全主体とする金属ガラスフリット、有機バ
インダーより々るペーストを塗布した後８５０°Ｃ以下
の温度で焼結して、亜鉛、または亜鉛を主体とする金属
全被層させた第１４電層と、この第１導電層上に電解メ
ッキまたは熔融金属に浸漬する手段により、錫または錫
を主体とする合金を被着させた第２導電層とからなる端
子電極を有すること全特徴とするチップ型コンデンサお
よびその製造方法が得られる。
以下、本発明のチップ型コンデンサおよびその製造方法
の一実施例全第１図を参照して説明する。
の一実施例全第１図を参照して説明する。
図中参照符号１は積層セラミックチップ型コンデンサ素
子（以下コンデンサ素子と略称）である。
子（以下コンデンサ素子と略称）である。
先ずコンデンサ素子１の両端の端子部分に第１導電層と
して亜鉛、または亜鉛粉末と銀粉末の混合物ガラスフリ
ット、有機バインダーよシなるペースト全公知の浸漬手
段により塗布した後約８０°Ｃで３０分間乾燥させる。
して亜鉛、または亜鉛粉末と銀粉末の混合物ガラスフリ
ット、有機バインダーよシなるペースト全公知の浸漬手
段により塗布した後約８０°Ｃで３０分間乾燥させる。
次にペースト全塗布したコンデンサ素子１’に８５０°
０以下の温度、好ましくけ、５００〜７００°Ｃの温度
範囲で約１時間サイクルで加熱・焼結して亜鉛、またＣ
１亜鉛と銀の合金皮膜２を形成する。亜鉛、または亜鉛
と銀の合金皮膜２の形成目的は積層セラミックコンデン
サの内部電極に通常用いられている銀、パラジウム、白
金との接続全良好にし、かつ次の工程で形成する第２導
電層の下地金属としての働きをさせるためである。
０以下の温度、好ましくけ、５００〜７００°Ｃの温度
範囲で約１時間サイクルで加熱・焼結して亜鉛、またＣ
１亜鉛と銀の合金皮膜２を形成する。亜鉛、または亜鉛
と銀の合金皮膜２の形成目的は積層セラミックコンデン
サの内部電極に通常用いられている銀、パラジウム、白
金との接続全良好にし、かつ次の工程で形成する第２導
電層の下地金属としての働きをさせるためである。
次に第２導電層として、第１導電層の亜鉛、または亜鉛
と銀の合金皮膜２の上に電解バレルメッキ、または溶融
金属中への浸漬手段によシ、錫または錫−鉛合金皮膜３
？形成する電解バレルメッキは、通常用いられる公知の
方法で良く、溶融金属中への浸漬法は錫または錫−鉛合
金を加熱して２００〜３００°Ｃで溶融させたものに、
コンデンサ素子全約３〜５秒間浸漬させる方法でよい。
と銀の合金皮膜２の上に電解バレルメッキ、または溶融
金属中への浸漬手段によシ、錫または錫−鉛合金皮膜３
？形成する電解バレルメッキは、通常用いられる公知の
方法で良く、溶融金属中への浸漬法は錫または錫−鉛合
金を加熱して２００〜３００°Ｃで溶融させたものに、
コンデンサ素子全約３〜５秒間浸漬させる方法でよい。
錫または錫−鉛合金皮膜３の形成目的は亜鉛、または亜
鉛と銀の合金皮膜２の保穎と実装時の半田付性の向上で
ある。
鉛と銀の合金皮膜２の保穎と実装時の半田付性の向上で
ある。
上記実施例によシ製造した積層セラミックチップ型コン
デンサの静電容量（ｎｒ）、誘電体損失ｔａｎδ（％１
ｆｆｉ ＩＫＨｚ 、 ＩＶにて測定した結果を次表
に示す。表中の値は試料５０個の平均値であり、 ５− 従来例のものはニッケル無電解メッキ層全形成し、不要
部分を除去した後、端子部分に銅電解メッキ層を形成し
、さらにその上に錫合金メッキ層を形成したものである
。
デンサの静電容量（ｎｒ）、誘電体損失ｔａｎδ（％１
ｆｆｉ ＩＫＨｚ 、 ＩＶにて測定した結果を次表
に示す。表中の値は試料５０個の平均値であり、 ５− 従来例のものはニッケル無電解メッキ層全形成し、不要
部分を除去した後、端子部分に銅電解メッキ層を形成し
、さらにその上に錫合金メッキ層を形成したものである
。
以上本発明により、（イ）コンデンサ素子全面にニッケ
ル等の金属層を形成した後不要部分の金属層のみを除去
する工程が不要になるので量産性の向上がはかれる。（
ロ）さらに不要部分の金属層の除去工程が無くなるため
、従来のように粒子電極として必要な部分の金属層をも
除去してしまうという不具合がなくなり、信頼性および
電気特性のすぐれたチップ型コンデンサを得ることがで
きるなどの効果があシ、その産業的価値は犬なるもので
ある。
ル等の金属層を形成した後不要部分の金属層のみを除去
する工程が不要になるので量産性の向上がはかれる。（
ロ）さらに不要部分の金属層の除去工程が無くなるため
、従来のように粒子電極として必要な部分の金属層をも
除去してしまうという不具合がなくなり、信頼性および
電気特性のすぐれたチップ型コンデンサを得ることがで
きるなどの効果があシ、その産業的価値は犬なるもので
ある。
６一
第１図は本発明の一笑施例を示すチップ型コンデンサの
断面図である。 １・・・・・・チップ型コンデンサ素子、２・・・・・
・亜鉛、または亜鉛と銀の合金皮膜、３・・・・・錫寸
たは錫−鉛合金皮膜。 ７− 第 １区
断面図である。 １・・・・・・チップ型コンデンサ素子、２・・・・・
・亜鉛、または亜鉛と銀の合金皮膜、３・・・・・錫寸
たは錫−鉛合金皮膜。 ７− 第 １区
Claims (2)
- （１） コンデンサ素子の端子部の表面に亜鉛、また
は亜鉛を主体とする金属を被着した第１導電層と、前記
第１導電層上に錫又は錫を主体とする合金全被着した第
２導電層とからなる端子電極を有することを特徴とする
チップ製コンデンサ。 - （２） コンデンサ素子の端子部に亜鉛、または亜鉛
を主体とする金属ガラス７リツト、有機バインダーより
なるペーストラ塗布する工程と、これ全８５０°Ｃ以下
の温度で焼結して、亜鉛導電層または亜鉛全主体とする
導電層を形成する工程と、前記亜鉛導電層または亜鉛を
主体とする導電層上に電解メッキ又は溶融金属中に浸漬
する手段により、錫または錫を主体とする合金の導電Ｍ
全形成する工程とから々ること全特徴とするチップ型コ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18406881A JPS5885518A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18406881A JPS5885518A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885518A true JPS5885518A (ja) | 1983-05-21 |
Family
ID=16146813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18406881A Pending JPS5885518A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | チツプ型コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136808A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0312422U (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-07 |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP18406881A patent/JPS5885518A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62136808A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-19 | 太陽誘電株式会社 | 積層形コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0312422U (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-07 | ||
| JPH0749785Y2 (ja) * | 1989-06-22 | 1995-11-13 | 日本電気株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
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