JPS59124706A - 導電性ペ−スト及びセラミツク電子部品 - Google Patents
導電性ペ−スト及びセラミツク電子部品Info
- Publication number
- JPS59124706A JPS59124706A JP23213482A JP23213482A JPS59124706A JP S59124706 A JPS59124706 A JP S59124706A JP 23213482 A JP23213482 A JP 23213482A JP 23213482 A JP23213482 A JP 23213482A JP S59124706 A JPS59124706 A JP S59124706A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive paste
- metal
- particles
- ceramic electronic
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えばチップコンデンサ等のセラミック電子
部品の外部電極形成用として使用するのに好適な導電性
ペースト及びこの導電性ペーストを使用して外部電極を
形成したセラミック電子部品に関する。
部品の外部電極形成用として使用するのに好適な導電性
ペースト及びこの導電性ペーストを使用して外部電極を
形成したセラミック電子部品に関する。
従来技術とその問題点
積層型または内部電極構造型等のチップコンデンサ等の
セラミック電子部品において、外部との半田付は部分と
なる外部電極、例えば端部電極を形成する場合、従来は
、Ag粉末に対して5〜25%のPd粉末を含有させた
導電性ペーストを使用し、Ag−Pdの焼付は電極とし
て構成するのが一般的であった。Ag粉末に対してPd
粉末を含有させるのは、Pdを主成分とする内部電極と
の相性を向上させることと、外部電極を基板上の導体パ
ターン等に半田付けする際の半田喰われ現象を防止する
ためである。
セラミック電子部品において、外部との半田付は部分と
なる外部電極、例えば端部電極を形成する場合、従来は
、Ag粉末に対して5〜25%のPd粉末を含有させた
導電性ペーストを使用し、Ag−Pdの焼付は電極とし
て構成するのが一般的であった。Ag粉末に対してPd
粉末を含有させるのは、Pdを主成分とする内部電極と
の相性を向上させることと、外部電極を基板上の導体パ
ターン等に半田付けする際の半田喰われ現象を防止する
ためである。
ところが、半田喰われ防止作用は一般にPd含有量によ
って大きく左右されるため、半田喰われ防止作用を高め
る程にPdの使用量が多くなり、外部電極形成コストが
非常に高価になってしまう欠点があった。しかも上述の
ような手法を用いても、半田喰われ防止作用は不充分な
ものであった。
って大きく左右されるため、半田喰われ防止作用を高め
る程にPdの使用量が多くなり、外部電極形成コストが
非常に高価になってしまう欠点があった。しかも上述の
ような手法を用いても、半田喰われ防止作用は不充分な
ものであった。
半田喰われ防止策の別の従来例として、Ag−Pdを用
いて形成した外部電極の」二に、Ni−5n等の金属メ
ッキを施す方法が提案されているが、電解液たるメッキ
液に誘電体磁器を浸漬する必要があるため、浸漬工程に
おいて電解メッキ液が誘電体磁器内に浸透し、コンデン
サとしての性能が劣化してしまうと言う難点があった。
いて形成した外部電極の」二に、Ni−5n等の金属メ
ッキを施す方法が提案されているが、電解液たるメッキ
液に誘電体磁器を浸漬する必要があるため、浸漬工程に
おいて電解メッキ液が誘電体磁器内に浸透し、コンデン
サとしての性能が劣化してしまうと言う難点があった。
本発明の目的
本発明は]−述する従来の欠点を除去し、半田喰われ防
止作用に優れた外部電極を、安価に形成し得る導電性ペ
ースト及びこの導電性ペーストを使用して構成した高信
頼度のセラミ・ンク電子部品を提供することを目的とす
る。
止作用に優れた外部電極を、安価に形成し得る導電性ペ
ースト及びこの導電性ペーストを使用して構成した高信
頼度のセラミ・ンク電子部品を提供することを目的とす
る。
本発明の構成
」−記目的を達成するため、本発明に係る導電性ペース
トは、金属粒子と金属酸化物粒子または空気中焼成にお
いて酸化物となり得る金属粒子とを含むことを特徴とす
る。
トは、金属粒子と金属酸化物粒子または空気中焼成にお
いて酸化物となり得る金属粒子とを含むことを特徴とす
る。
前記金属酸化物または空気中焼成により金属酸化物とな
り得る金属粒子としては、Ni、 Cu、 Sn、Zn
、 S+等の酸化物または金属粒子が」−げられる。
り得る金属粒子としては、Ni、 Cu、 Sn、Zn
、 S+等の酸化物または金属粒子が」−げられる。
これらの粉末を、従来より電極形成材料として用いられ
ているAg−Pd等の金属粒子と共に、有機質ビヒクル
及び低融点ガラスフリット中に分+1&させることによ
り、本発明に係る導電性ペーストが得られる。従って、
本発明によれば、セラミック電子部品に対して半田付は
電極を形成する場合、Pd等の高価な貴金属の使用量を
大幅に減少させ、大幅なコストダウンを達成することが
できる。
ているAg−Pd等の金属粒子と共に、有機質ビヒクル
及び低融点ガラスフリット中に分+1&させることによ
り、本発明に係る導電性ペーストが得られる。従って、
本発明によれば、セラミック電子部品に対して半田付は
電極を形成する場合、Pd等の高価な貴金属の使用量を
大幅に減少させ、大幅なコストダウンを達成することが
できる。
前記金属酸化物または空気中焼成により金属酸化物とな
り得る金属粒子の添加量は、0.5重量%乃至70重量
%に選定する。0.5重量%以下では外部電極を形成し
た場合の半田喰われ防止効果が充分でなく、また70重
量%を越えると内部電極を構成するPdとの電気的接触
が不完全になるからである。
り得る金属粒子の添加量は、0.5重量%乃至70重量
%に選定する。0.5重量%以下では外部電極を形成し
た場合の半田喰われ防止効果が充分でなく、また70重
量%を越えると内部電極を構成するPdとの電気的接触
が不完全になるからである。
上記導電性ペーストを使用して、チップコンデンサ等の
セラミック電子部品に、外部電極を形成するには、従来
より周知の方法に従って、内部電極を埋設した誘電体磁
器基板等の端部に、前記内部電極に電気的に導通するよ
うにして当該導電性ペーストを塗布し、かつ焼付は処理
を行なう。これにより、金属粒子と金属酸化物粒子とを
含有する電極層を備えた外部電極が形成される。
セラミック電子部品に、外部電極を形成するには、従来
より周知の方法に従って、内部電極を埋設した誘電体磁
器基板等の端部に、前記内部電極に電気的に導通するよ
うにして当該導電性ペーストを塗布し、かつ焼付は処理
を行なう。これにより、金属粒子と金属酸化物粒子とを
含有する電極層を備えた外部電極が形成される。
第1図は上述の組成に成る導電性ペーストを用いて形成
した外部電極を有する積層型チップコンデンサの正面断
面図を示す。図において、■は適当な誘電体磁器材料を
用いて平板状に形成された誘電体磁器基板、2は該誘電
体磁器基板1の内部に適当な層厚をおいて複数積層して
設けられた内部電極である。該内部電極2は焼成温度に
耐え得る高融点の貴金属材料、例えばPdによって構成
されている。3は本発明に係る導電性ペーストを用いて
形成された電極層、即ち金属粒子と金属酸化物粒子とを
含有する電極層であり、誘電体磁器基板lの両端におい
て、内部電極2の一端に導通接続させである。更にこの
実施例では、電極層3の表面にAgまたはAg−Pdよ
り成る金属層4を被着させである。該金属層4は電極層
3の半田付は性を補うために設けたものである。
した外部電極を有する積層型チップコンデンサの正面断
面図を示す。図において、■は適当な誘電体磁器材料を
用いて平板状に形成された誘電体磁器基板、2は該誘電
体磁器基板1の内部に適当な層厚をおいて複数積層して
設けられた内部電極である。該内部電極2は焼成温度に
耐え得る高融点の貴金属材料、例えばPdによって構成
されている。3は本発明に係る導電性ペーストを用いて
形成された電極層、即ち金属粒子と金属酸化物粒子とを
含有する電極層であり、誘電体磁器基板lの両端におい
て、内部電極2の一端に導通接続させである。更にこの
実施例では、電極層3の表面にAgまたはAg−Pdよ
り成る金属層4を被着させである。該金属層4は電極層
3の半田付は性を補うために設けたものである。
上述のような外部電極構造を持つセラミック電子部品は
、内部電極2に対する電極層3の電気的接触が良好で、
しかも半田喰われが非常に少なくなる。また、第1図に
示すセラミック電子部品は、電極層3の上にAgまたは
Ag−Pdより成る金属層4を被着させであるので、半
田付は性も良好である。
、内部電極2に対する電極層3の電気的接触が良好で、
しかも半田喰われが非常に少なくなる。また、第1図に
示すセラミック電子部品は、電極層3の上にAgまたは
Ag−Pdより成る金属層4を被着させであるので、半
田付は性も良好である。
次に実施例を上げて本発明の内容を更に具体的に説明す
る。
る。
実施例
Ag−Pd粉末 100部低融点ガラス
フリット 6部 セルロース樹脂 10部 をターピネオール30部から成る溶液中に混合し、これ
にCu粉末を0.5〜70部まで混合し、各混合割合の
導電性ペーストを調製した。そして、第1図に示したよ
うに、この導電性ペーストを内部電極2を埋設した誘電
体磁器基板1の両端部に塗布して、電極層3となる導電
層を形成した後、850°Cの温度条件で空気中で焼成
した。これにより、Ag−pti粒子と、Cu酸化物粒
子とを含有する電極層3が形成される。この後、電極層
3の上に、Cu粉末の入らないAgまたはAg−Pdペ
ーストを塗布し、再度焼成して金属層4を形成した。
フリット 6部 セルロース樹脂 10部 をターピネオール30部から成る溶液中に混合し、これ
にCu粉末を0.5〜70部まで混合し、各混合割合の
導電性ペーストを調製した。そして、第1図に示したよ
うに、この導電性ペーストを内部電極2を埋設した誘電
体磁器基板1の両端部に塗布して、電極層3となる導電
層を形成した後、850°Cの温度条件で空気中で焼成
した。これにより、Ag−pti粒子と、Cu酸化物粒
子とを含有する電極層3が形成される。この後、電極層
3の上に、Cu粉末の入らないAgまたはAg−Pdペ
ーストを塗布し、再度焼成して金属層4を形成した。
wS2図はこのようにして得られた積層型チップコンデ
ンサの半田喰われ率を示している。第2図の横軸には、
Cu粉末の量(重量部)を取り、縦軸に半田喰われ率(
%)を取っである。半田喰われ率の測定に当っては、−
1−記の積層型チップコンデンサのサンプルを、半田フ
ラックス中に浸漬した後に第3図(a)に示すように、
温度270°Cの共晶半田液5中に20sec間浸漬し
、この後、第3図(b)に示すように共晶半田液5から
引」−げて、第3図(c)に示す如く元の電極面積St
に対する残存電極面積S2の割合、即ち残存電極率を求
め、その逆数を半田喰われ率とした。
ンサの半田喰われ率を示している。第2図の横軸には、
Cu粉末の量(重量部)を取り、縦軸に半田喰われ率(
%)を取っである。半田喰われ率の測定に当っては、−
1−記の積層型チップコンデンサのサンプルを、半田フ
ラックス中に浸漬した後に第3図(a)に示すように、
温度270°Cの共晶半田液5中に20sec間浸漬し
、この後、第3図(b)に示すように共晶半田液5から
引」−げて、第3図(c)に示す如く元の電極面積St
に対する残存電極面積S2の割合、即ち残存電極率を求
め、その逆数を半田喰われ率とした。
第2図の測定データを見ると、Cu粉量が0.5〜70
部の範囲では、半田喰われ率が小さく、しかもコンデン
サとしての特性の優れたものが得られる。Cu粉にが0
.5部以下では半田喰われ防止効果が低く、不適当であ
る。一方、Cu粉量が70部以−ヒの領域では、半田喰
われ防11−作用は高いが、内部型8i2を構成するP
d電極との電気的接触が不完全になり、コンデンサとし
ての良好な特性が得られないため、不適当であった。
部の範囲では、半田喰われ率が小さく、しかもコンデン
サとしての特性の優れたものが得られる。Cu粉にが0
.5部以下では半田喰われ防止効果が低く、不適当であ
る。一方、Cu粉量が70部以−ヒの領域では、半田喰
われ防11−作用は高いが、内部型8i2を構成するP
d電極との電気的接触が不完全になり、コンデンサとし
ての良好な特性が得られないため、不適当であった。
なお、本発明に係る導電性ペーストの主要な用途は、前
述の如く、磁器コンデンサ等のセラミック電子部品に半
田付は電極を形成するための導電性ペーストであるが、
その他にも種々の用途があることは言うまでもない。
述の如く、磁器コンデンサ等のセラミック電子部品に半
田付は電極を形成するための導電性ペーストであるが、
その他にも種々の用途があることは言うまでもない。
本発明の効果
以−ヒ述べたように、本発明に係る導電性ペースI・は
、金属粒子と金属酸化物粒子または空気中焼成において
酸化物となり得る金属粒子とを含むことをIPf徴とす
るから、セラミック電子部品等に対して、半田喰われ防
止作用に優れた外部電極を、安価に形成し得る導電性ペ
ーストを提供することができる。
、金属粒子と金属酸化物粒子または空気中焼成において
酸化物となり得る金属粒子とを含むことをIPf徴とす
るから、セラミック電子部品等に対して、半田喰われ防
止作用に優れた外部電極を、安価に形成し得る導電性ペ
ーストを提供することができる。
第1図は本発明に係るセラミック電子部品の正面断面図
、第2図は本発明に係る導電性ペーストの半田喰われ率
の測定データを示す図、第3図(a)〜(C)は第2図
の測定データを得るための測定方法を示す図である。 1・争・誘電体磁器基板 2・・・内部電極3・・置
型極層 第1図 節2 図 −C5粉量(重量部)□
、第2図は本発明に係る導電性ペーストの半田喰われ率
の測定データを示す図、第3図(a)〜(C)は第2図
の測定データを得るための測定方法を示す図である。 1・争・誘電体磁器基板 2・・・内部電極3・・置
型極層 第1図 節2 図 −C5粉量(重量部)□
Claims (6)
- (1) 金属粒子と金属酸化物粒子または空気中焼成に
おいて酸化物となり得る金属粒子とを含むことを特徴と
する導電性ペースト。 - (2) 前記金属酸化物粒子または空気中焼成において
酸化物となり得る前記金属粒子は、Ni、Cu、 Sn
、 Zn、 Si等の酸化物または金属であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載の導電性ペースト
。 - (3) 前記金属酸化物粒子または空気中焼成において
酸化物となり得る前記金属粒子の添加量は、0.5重量
%乃至70重量%であることを特徴とする特許請求の範
囲第1項または第2項に記載の導電性ペースト。 - (4) 半田付けされる外部電極を有するセラミック電
子部品において、前記外部電極は、金属粒子と金属酸化
物粒子とを含有する電極層を備えて構成したことを特徴
とするセラミック電子部品。 - (5) 前記電極層は、表面を半田イ1け性の良好な金
属層で被覆したことを特徴とする特許請求の範囲第4項
に記載のセラミック電子部品。 - (6) 前記金属酸化物粒子は、Xi、 Cu、 Sn
、Zn、 Si等の金属酸化物で成ることを特徴とする
特許請求の範囲第4項または第5項に記載のセラミック
電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23213482A JPS59124706A (ja) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | 導電性ペ−スト及びセラミツク電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23213482A JPS59124706A (ja) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | 導電性ペ−スト及びセラミツク電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59124706A true JPS59124706A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16934524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23213482A Pending JPS59124706A (ja) | 1982-12-30 | 1982-12-30 | 導電性ペ−スト及びセラミツク電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59124706A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406774B1 (en) | 1996-07-16 | 2002-06-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electrically conductive composition for use in through hole of electric component |
JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
-
1982
- 1982-12-30 JP JP23213482A patent/JPS59124706A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6406774B1 (en) | 1996-07-16 | 2002-06-18 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Electrically conductive composition for use in through hole of electric component |
JP2014107540A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
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