JPS58161761A - アルミニウム基板のめつき方法 - Google Patents
アルミニウム基板のめつき方法Info
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- JPS58161761A JPS58161761A JP4432982A JP4432982A JPS58161761A JP S58161761 A JPS58161761 A JP S58161761A JP 4432982 A JP4432982 A JP 4432982A JP 4432982 A JP4432982 A JP 4432982A JP S58161761 A JPS58161761 A JP S58161761A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
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- C23C18/1827—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment only one step pretreatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は密着性が良好で量産性の優れたアルミニウム基
板のめっき方法に関するものである。
板のめっき方法に関するものである。
アルミニウム（Ａ２）は、その表面に均一に薄く強固な
酸化皮膜層を有しているため、はんだ付し難い金属であ
る。そのため、従来からへ２表面を各種の表面処理によ
ってはんだ付可能な状態にする方法が行なわれている。
酸化皮膜層を有しているため、はんだ付し難い金属であ
る。そのため、従来からへ２表面を各種の表面処理によ
ってはんだ付可能な状態にする方法が行なわれている。
。
たとえば、Ａ２表面を岨鉛（Ｚｎ ）置換による前処理
をした後、ニッケル（Ｎ’ｉ）めっき、銅（Ｃｕ）めっ
きを施こす方法とか、陽極酸化処理後Ｎｉめっき、Ｃｕ
めっきを施こす方法のように、湿式めっきによりはんだ
付可能な金属層をＡＱ衣表面形成する方法がある。しか
しながら、この方法には密着性が弱いとか、局部めっき
が困難であるなどの欠点がある。
をした後、ニッケル（Ｎ’ｉ）めっき、銅（Ｃｕ）めっ
きを施こす方法とか、陽極酸化処理後Ｎｉめっき、Ｃｕ
めっきを施こす方法のように、湿式めっきによりはんだ
付可能な金属層をＡＱ衣表面形成する方法がある。しか
しながら、この方法には密着性が弱いとか、局部めっき
が困難であるなどの欠点がある。
また、Ａ２表面に蒸着、スパッターなどによりはんだ付
可能な金属を形成する方法もある。しかしながら、この
方法には密着がやや弱いとか、カミ産性が悪いなどの欠
点がある。
可能な金属を形成する方法もある。しかしながら、この
方法には密着がやや弱いとか、カミ産性が悪いなどの欠
点がある。
従来、Ａ２表面にはんだ付を必要とした置体的な例とし
て、たとえば八２ 基板を用いた混成集積回路がある。
て、たとえば八２ 基板を用いた混成集積回路がある。
混成集積回路は、以前はセラミックなどの絶縁基板上に
抵抗体、コンデンサ、トランジスターなどの素子を取付
けたものであったが、放熱性が悪いために、発熱し易い
電力用トランジスターや大電流の流れる抵抗体を用いた
場合には、その熱によって抵抗体やトランジスター、更
には周辺部品を劣化させる原因となっていた。そこで、
基板にＡｆｉ などを用い、その上に絶縁物層を介して
混成集積回路を形成して熱放散を良好にする方法がとら
れている。しかしながら、このような構成にした場合に
は、絶縁層を介して、トランジスターや抵抗体の各々の
電極とへ２基板との間に浮遊容量が発生し、電気回路に
悪影響を及ぼす問題が発生する。この問題を解消するた
めには、Ａ℃基板と各λの電極とを接続する必要があり
、その接続法の最も簡単で確実な方法としてはんだ付が
好ましい。このようなことからへ２基板へのはんだ付方
法が切望されている。
抵抗体、コンデンサ、トランジスターなどの素子を取付
けたものであったが、放熱性が悪いために、発熱し易い
電力用トランジスターや大電流の流れる抵抗体を用いた
場合には、その熱によって抵抗体やトランジスター、更
には周辺部品を劣化させる原因となっていた。そこで、
基板にＡｆｉ などを用い、その上に絶縁物層を介して
混成集積回路を形成して熱放散を良好にする方法がとら
れている。しかしながら、このような構成にした場合に
は、絶縁層を介して、トランジスターや抵抗体の各々の
電極とへ２基板との間に浮遊容量が発生し、電気回路に
悪影響を及ぼす問題が発生する。この問題を解消するた
めには、Ａ℃基板と各λの電極とを接続する必要があり
、その接続法の最も簡単で確実な方法としてはんだ付が
好ましい。このようなことからへ２基板へのはんだ付方
法が切望されている。
本発明はこのような点に鑑みて成されたもので、Ａｆｉ
基板の会費個所にＰｄ成分を含むペーストを塗布乾燥し
、これを熱処理後、その上に無電解ＮｉめっきによりＮ
ｉ層を形成することによって、へ２基板への密着性のよ
いはんだ付を可能にしたものである。
基板の会費個所にＰｄ成分を含むペーストを塗布乾燥し
、これを熱処理後、その上に無電解ＮｉめっきによりＮ
ｉ層を形成することによって、へ２基板への密着性のよ
いはんだ付を可能にしたものである。
すなわち、本発明はへ２基板へのめっき形成法として、
従来のＺｎ置換法なとに代り、Ｐｄ成分を含むペースト
を塗布乾燥し、熱処理することにより、へ２基板に無電
解Ｎｉめつきの触媒であるＰｄ金属を密着させ、その上
に無電解Ｎｉ め−）きを施こすものであり、密着性の
良好なＮｉ 層が得られるものである。さらに、本発明
は印刷とか吹付などの手法で所要個所に精度よく簡単に
ペーストを塗布することができるため、必要なノくター
ン部分にのみ簡単にＮｉ層が形成できる利点を有してい
る。
従来のＺｎ置換法なとに代り、Ｐｄ成分を含むペースト
を塗布乾燥し、熱処理することにより、へ２基板に無電
解Ｎｉめつきの触媒であるＰｄ金属を密着させ、その上
に無電解Ｎｉ め−）きを施こすものであり、密着性の
良好なＮｉ 層が得られるものである。さらに、本発明
は印刷とか吹付などの手法で所要個所に精度よく簡単に
ペーストを塗布することができるため、必要なノくター
ン部分にのみ簡単にＮｉ層が形成できる利点を有してい
る。
次に図面に従って本発明の詳細な説明する。
図面は本発明の方法によりＮｉめつきを施したｌ基板の
断面を示したものであり、１はＡ１基板、２は無電解Ｎ
ｉめつきの触媒核となるＰｄ金属微粒子層で、これはＰ
ｄ成分を含むペーストを所要個所に塗布、乾燥し、熱処
理してＡＱ基体表面にＰｄ核粒子として析出させたもの
である。
断面を示したものであり、１はＡ１基板、２は無電解Ｎ
ｉめつきの触媒核となるＰｄ金属微粒子層で、これはＰ
ｄ成分を含むペーストを所要個所に塗布、乾燥し、熱処
理してＡＱ基体表面にＰｄ核粒子として析出させたもの
である。
このペースト中のＰｄ成分としては、粒径２１を以下の
Ｐｄ微粒末あるいは塩化パラジウム、硝酸パラジウムな
どのＰｄ化合物を珀いることができる。Ｐｄの成分社と
しては０１〜６重址チが適当゛であり、０１重−ｎ１未
満では均一な無電解めっきが形成されず、６重量％を超
えると基体との接着強度が低下し、またコストメリット
がなくなるため好ましくない。
Ｐｄ微粒末あるいは塩化パラジウム、硝酸パラジウムな
どのＰｄ化合物を珀いることができる。Ｐｄの成分社と
しては０１〜６重址チが適当゛であり、０１重−ｎ１未
満では均一な無電解めっきが形成されず、６重量％を超
えると基体との接着強度が低下し、またコストメリット
がなくなるため好ましくない。
このペーストに用いるビヒクルは、エチルセルロース、
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンなどの樹
脂をアルコール、セロソルブ、ターピネオールなどの溶
剤に溶解したものである。
ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンなどの樹
脂をアルコール、セロソルブ、ターピネオールなどの溶
剤に溶解したものである。
上記Ｐｄ°成分だけのペーストでも充分な接着強度が得
られるが、このペースト中にＡｑ酸成分１〜３０重量係
加えることによって、接着強度を更に向上させることが
できる。Ａｑ酸成分添加量が１重量％未満ではその効果
が乏しく、また、３００重量％超えると均一なめつき析
出がされにくく接着強度も悪くなり、印刷性も悪くなる
ため好ましくない。
られるが、このペースト中にＡｑ酸成分１〜３０重量係
加えることによって、接着強度を更に向上させることが
できる。Ａｑ酸成分添加量が１重量％未満ではその効果
が乏しく、また、３００重量％超えると均一なめつき析
出がされにくく接着強度も悪くなり、印刷性も悪くなる
ため好ましくない。
このペーストを塗布、乾燥した後、熱処理が行なわれる
が、この熱処理は大気中４００〜６００℃の温度で行な
われる。熱処理の温度が４００℃未満ではペーストの樹
脂成分が完全に燃焼せずに残るとともに、Ｐｄ成分がＰ
ｄ化合物の場合には安定なＰｄ金属微粒子が形成されな
いため、均一な無電解めっき析出がされないことになる
。更に、良好な密着性が得られない原因となる。熱処理
温度がｅｏｏ℃を超えるとＡ２の融点に近くなり、基板
の変形の原因になったりするため好ましくない０ 図面中の３は無電解Ｎｉめっき層であり、これは上記の
ペーストを塗布乾燥した後、熱処理したＡＱ基板を無電
解Ｎｉめっき液に浸漬することによって、ペースト塗布
部分に、のみ選択的にＮ１層が形成されるものである。
が、この熱処理は大気中４００〜６００℃の温度で行な
われる。熱処理の温度が４００℃未満ではペーストの樹
脂成分が完全に燃焼せずに残るとともに、Ｐｄ成分がＰ
ｄ化合物の場合には安定なＰｄ金属微粒子が形成されな
いため、均一な無電解めっき析出がされないことになる
。更に、良好な密着性が得られない原因となる。熱処理
温度がｅｏｏ℃を超えるとＡ２の融点に近くなり、基板
の変形の原因になったりするため好ましくない０ 図面中の３は無電解Ｎｉめっき層であり、これは上記の
ペーストを塗布乾燥した後、熱処理したＡＱ基板を無電
解Ｎｉめっき液に浸漬することによって、ペースト塗布
部分に、のみ選択的にＮ１層が形成されるものである。
以上のように、本発明においては、ＡＱ基板の所要個所
に精度よく、簡単に、密着性のよいＮｉ層を形成できる
ため、必要部分にのみはんだ付可能なパターンを有する
Ａ２基板を動産性よく製造することができる。
に精度よく、簡単に、密着性のよいＮｉ層を形成できる
ため、必要部分にのみはんだ付可能なパターンを有する
Ａ２基板を動産性よく製造することができる。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
０８ ｍｍ厚のＡｆｌ基板の表面に、５φのパターン状
に００１〜１０重量％のＰｄ成分を含み、樹脂分として
ポリビニルピロリドン、溶剤としてターピネオールから
なるビヒクルを用いた活性ペーストを塗布し、１２０℃
で１０分間乾燥した後、大気中２５０〜６５０℃の温度
で１時間熱処理した。
に００１〜１０重量％のＰｄ成分を含み、樹脂分として
ポリビニルピロリドン、溶剤としてターピネオールから
なるビヒクルを用いた活性ペーストを塗布し、１２０℃
で１０分間乾燥した後、大気中２５０〜６５０℃の温度
で１時間熱処理した。
次に、この基板を硫酸ニッケル、クエン酸ソーダ、次亜
リン酸ソーダからなる無電解ニッケルめっき液中に３０
分間浸漬し、ＡＭ基板のパターン上にＮｉめっき皮膜を
約７μ析出した。なお、Ｐｄ成分としては２μ以下のＰ
ｄ微粉末もしくは塩化パラジウム粉末を用いた。また、
このペースト中に２μ以下の粒径のＡｑ粉末を０１〜６
０重量係添加した場合についても、上記と同様な方法で
Ｎ１めっきを施こした。
リン酸ソーダからなる無電解ニッケルめっき液中に３０
分間浸漬し、ＡＭ基板のパターン上にＮｉめっき皮膜を
約７μ析出した。なお、Ｐｄ成分としては２μ以下のＰ
ｄ微粉末もしくは塩化パラジウム粉末を用いた。また、
このペースト中に２μ以下の粒径のＡｑ粉末を０１〜６
０重量係添加した場合についても、上記と同様な方法で
Ｎ１めっきを施こした。
従来例として、へ２基板の所要部分以外にレジストを塗
布硬化した後、Ｚｎ置換処理し、次いで無電解Ｎｉめっ
き、電気Ｎｉめつきにより約７μのＮｉ 皮膜を形成し
た。
布硬化した後、Ｚｎ置換処理し、次いで無電解Ｎｉめっ
き、電気Ｎｉめつきにより約７μのＮｉ 皮膜を形成し
た。
得られた各試料について、めっきの析出状態。
はんだ付性、めっきの接４強度を調べ、その結果を次表
に示した。表中、め−ノきの接着強度は一ヒ記Ｎｉめっ
き層上に導線をはんだ付して引張強度を測定した。
に示した。表中、め−ノきの接着強度は一ヒ記Ｎｉめっ
き層上に導線をはんだ付して引張強度を測定した。
（以 下金 白ジ
以上の説明および表の結果より明らかなように、本発明
によ！７得られるＮｉめっき層を形成したへ２基板は、
はんだ付の良好な接着強度の優れためっき皮膜が形成さ
れ、しかもＮｉめっき層の形成が必要部分にのみ量産性
よく形成できるため、その産業上の価値は犬なるものが
ある。
によ！７得られるＮｉめっき層を形成したへ２基板は、
はんだ付の良好な接着強度の優れためっき皮膜が形成さ
れ、しかもＮｉめっき層の形成が必要部分にのみ量産性
よく形成できるため、その産業上の価値は犬なるものが
ある。
図面は本発明によりＮｉ めっきを施こしたＡＱ基板
の断面図である。 １・・・・・・へ２基板、２・・・・・・Ｐｄ金属微粒
子層、３・・・・・・無電解Ｎｉ めっき層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２
の断面図である。 １・・・・・・へ２基板、２・・・・・・Ｐｄ金属微粒
子層、３・・・・・・無電解Ｎｉ めっき層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名２
Claims (2)
- （１） アルミニウム基板の必要個所に０１〜６重量
％のパラジウム成分を含むペーストを塗布して乾燥し、
これを４００〜６００Ｃの温度で熱処理した後、その上
に無電解ニッケルめっきによりニッケル皮膜層を形成す
ることを特徴とするアルミニウム基板のめっき方法。 - （２） ペースト中にＡ（Ｊ成分を１〜３０重量係含
ませたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載
のアルミニウム基板のめっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432982A JPS58161761A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | アルミニウム基板のめつき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4432982A JPS58161761A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | アルミニウム基板のめつき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161761A true JPS58161761A (ja) | 1983-09-26 |
Family
ID=12688461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4432982A Pending JPS58161761A (ja) | 1982-03-18 | 1982-03-18 | アルミニウム基板のめつき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161761A (ja) |
-
1982
- 1982-03-18 JP JP4432982A patent/JPS58161761A/ja active Pending
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